1.本发明涉及芯片封装技术领域，特别是涉及一种封装体及其制作方法。
背景技术：2.在目前先进封装技术中，芯片贴装方法包括以下步骤：提供一个临时载体，临时载体上设置有金属层，在芯片的一侧预先制作一层芯片贴附层，然后将芯片贴附层一侧贴附在临时载体上的金属层一侧，从而让芯片相对固定，之后将芯片进行塑封，剥离临时载体。这种方式下，芯片贴附层采用热固化成型的方式贴附在金属层上，芯片贴附层与金属层之间的结合力较差。
技术实现要素：3.本发明主要解决的技术问题是提供一种封装体及其制作方法，以提升贴附层与导电层之间的结合力。
4.为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种封装体，所述封装体包括：导电层，所述导电层一侧的表面为粗糙面；芯片，所述芯片通过贴附层贴装在所述导电层的粗糙面上；导电组件，所述导电组件设置于所述导电层的粗糙面一侧，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。
5.为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是提供一种封装体的制作方法，所述封装体的制作方法包括：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面；在所述导电层的粗糙面一侧制作导电组件以及利用贴附层贴装芯片，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。
6.本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的封装体包括导电层、芯片和导电组件，其中，导电层一侧的表面为粗糙面，芯片通过贴附层贴装在导电层的粗糙面上，导电组件设置于导电层的粗糙面一侧，导电组件使芯片的焊盘与导电层导通。通过将导电层远离载体一侧的表面设置为粗糙面，使得在导电层的粗糙面一侧利用贴附层贴装芯片时，在贴附层固化过程中，粗糙面和贴附层可以形成咬合结构以提升结合力。
附图说明
7.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
8.图1为本技术封装体的制作方法的第一实施例的流程示意图；
9.图2是图1中步骤s12一实施方式的流程示意图；
10.图3为本技术印制电路板的制造方法的第二实施例的流程示意图；
11.图4为图3中步骤s301-s308对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图；
12.图5为本技术印制电路板的制造方法的第三实施例的流程示意图；
13.图6为图5中步骤s501-s510对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图；
14.图7为本技术印制电路板的制造方法的第四实施例的流程示意图；
15.图8为图7中步骤s701-s707对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图；
16.图9为本技术印制电路板的制造方法的第五实施例的流程示意图；
17.图10为图9中步骤s901-s910对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图；
18.图11是图1中步骤s12另一实施方式的流程示意图；
19.图12是图11中步骤s1221一实施方式的流程示意图；
20.图13为本技术印制电路板的制造方法的第六实施例的流程示意图；
21.图14为图13中步骤s1301-s1308对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图；
22.图15为本技术印制电路板的制造方法的第七实施例的流程示意图；
23.图16为图15中步骤s1501-s1508对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图；
24.图17为本技术印制电路板的制造方法的第八实施例的流程示意图；
25.图18为图17中步骤s1701-s1708对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图；
26.图19为本技术封装体的一实施例的结构示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.请参阅图1，图1为本技术封装体的制作方法的第一实施例的流程示意图。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
29.s11：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。具体地，基板可以为一张板级可剥离铜箔材料，基板具体可以由载体和导电层构成，载体为可剥离载体，导电层为铜箔层；可剥离载体是一张双面覆铜的有机树脂基板，其两面的铜箔表面光滑；铜箔层一侧为光滑面，另一侧为粗糙面，粗糙面可以为铜牙结构，粗糙面远离载体一侧朝外设置；铜箔层可以从可剥离载体上通过机械的方式剥离下来，可剥离载体可以为整个加工流程提供机械强度支撑。
30.s12：在所述导电层的粗糙面一侧制作导电组件以及利用贴附层贴装芯片，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。具体地，通过先获取基板，基板包括载体和位于载体一侧的导电层，导电层远离载体一侧的表面为粗糙面，然后在导电层的粗糙面一侧制作导电组件以及利用贴附层贴装芯片，导电组件使芯片的焊盘与导电层导通，然后可以将载体从基板上剥离，以形成封装体。
31.上述方案，通过将导电层远离载体一侧的表面设置为粗糙面，使得在导电层的粗
糙面一侧利用贴附层贴装芯片时，在贴附层固化过程中，粗糙面和贴附层可以形成咬合结构以提升结合力。
32.具体地，请结合图2，图2是图1中步骤s12一实施方式的流程示意图，作为一实施方式，步骤s12包括：
33.s1211：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。具体地，在芯片一侧贴附一层贴附层，然后将贴附了贴附层的芯片贴装到导电层的粗糙面上。贴附层可以是芯片贴附膜，由于芯片贴附膜的固化特性(加热固化)，贴装后的芯片被固化的芯片贴附膜牢牢地固定在导电层的表面。
34.s1212：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
35.s1213：在所述导电层的粗糙面一侧制作导电组件，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。
36.具体地，在将芯片贴装在导电层的粗糙面上之后，可以在导电层的粗糙面一侧制作塑封层，塑封层将芯片覆盖，然后在导电层的粗糙面一侧制作导电组件，导电组件使芯片的焊盘与导电层导通，并将载体从基板上剥离，以实现对芯片的塑封。
37.在一实施例中，上述步骤s1213具体可以包括：在所述塑封层远离所述导电层的一侧制作金属层；在第一预设位置制作第一盲孔，在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面，所述第二盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘；在所述第一盲孔的内壁和所述第二盲孔的内壁分别制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔和所述第二盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部、在所述第二盲孔内形成第二导电部；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通；将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
38.进一步地，所述封装体的制作方法还包括：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
39.具体地，请参阅图3和图4，其中，图3为本技术印制电路板的制造方法的第二实施例的流程示意图，图4为图3中步骤s301-s308对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图。进一步地，所述金属层靠近所述导电层一侧的表面为粗糙面。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
40.s301：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。具体地，如图4a所示，在一实施方式中，获取基板10，基板10由载体100和导电层101构成，载体100为可剥离载体，可剥离载体是一张双面覆铜的有机树脂基板，其两面的铜箔表面光滑，导电层101为铜箔层，铜箔层一侧为光滑面，另一侧为粗糙面，粗糙面为铜牙结构，粗糙面远离载体100一侧朝外设置；铜箔层可以从可剥离载体上通过机械的方式剥离下来。
41.s302：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。具体地，如图4b所示，在一实施方式中，晶圆在切割前，在非焊盘面贴附一层贴附层11，贴附层11为芯片贴附膜，然后切割得到芯片12。于是可以将贴附了贴附层11的芯片12贴装到导电层101的粗糙面上。
42.s303：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
43.s304：在所述塑封层远离所述导电层的一侧制作金属层。
44.具体地，如图4c和图4d所示，在一实施方式中，在将芯片12贴装到导电层101的粗糙面后，可以在导电层101的粗糙面一侧先后叠加一张膜状的塑封料和一张金属层14，金属层14为铜箔，金属层14的厚度小于等于12μm，金属层14具有一粗糙面，其粗糙面朝向塑封料，然后采用层压的方式，将塑封料固化，形成覆盖芯片12的塑封层13，于是载体100上的导电层101、塑封层13和顶部的金属层14都牢牢地结合在一起，且同时完成了芯片12的塑封。
45.s305：在第一预设位置制作第一盲孔，在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面，所述第二盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘。具体地，如图4e所示，在一实施方式中，在压合的金属层14的表面对应的第一预设位置以及第二预设位置进行激光钻孔，形成第一盲孔151和第二盲孔152，其中，第一盲孔151贯穿金属层14和塑封层13，第一盲孔151的底部到达导电层101的粗糙面，第二盲孔152贯穿金属层14和塑封层13，第二盲孔152的底部到达芯片12远离导电层101一侧的焊盘121。
46.在本技术的一实施例中，可以采用依次进行贴干膜、曝光、显影、蚀刻的方式将需要激光钻孔的位置的金属层14蚀刻掉，然后进行激光钻孔，所得到的第一盲孔151和第二盲孔152的孔型更佳；在本技术的另一实施例中，可以采用微蚀、棕化的方式减薄金属层14，并提高金属层14对激光的吸收，然后直接激光钻孔，该方法加工速度快，成本低。
47.s306：在所述第一盲孔的内壁和所述第二盲孔的内壁分别制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔和所述第二盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部、在所述第二盲孔内形成第二导电部；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通。
48.具体地，如图4e和图4f所示，在一实施方式中，在形成第一盲孔151和第二盲孔152后，可以在第一盲孔151和第二盲孔152的内壁制作一层导电种子层(图未示)。然后采用电镀铜填充第一盲孔151和第二盲孔152，以在第一盲孔151内形成第一导电部161、在第二盲孔152内形成第二导电部162，其中，第一导电部161使导电层101与金属层14导通，第二导电部162使芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14导通。
49.本技术实施例中，导电种子层的制作方法可以选择化学镀铜、溅射钛/铜、黑孔、黑影、氧化石墨烯吸附、导电高分子吸附、银浆涂覆等方式。
50.s307：将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。具体地，结合图4f和图4g所示，在一实施方式中，然后可以将载体100剥离，使载体100与导电层101分开，以露出导电层101远离粗糙面一侧的表面。
51.s308：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
52.具体地，如图4h所示，在一实施方式中，通过双面贴干膜、曝光、显影、蚀刻、退膜的方式，分别在金属层14上制作第一导电线路(图未示)、在导电层101上制作第二导电线路(图未示)。在一些实施方式中，在制作线路之前可以对金属层14通过研磨、微蚀等方法进行减薄，以使金属层14达到需要的厚度。
53.在一实施例中，上述步骤s1213具体可以包括：在所述塑封层远离所述导电层的一
侧制作金属层；在第一预设位置制作第一盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面；在所述第一盲孔的内壁制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通；将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面；在第二预设位置制作第二盲孔，在第三预设位置制作第三盲孔；其中，所述第二盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘，所述第三盲孔贯穿所述导电层和所述塑封层，所述第三盲孔的底部到达所述芯片靠近所述导电层一侧的焊盘；在所述第二盲孔的内壁和所述第三盲孔的内壁分别制作一层导电种子层，电镀填充所述第二盲孔和所述第三盲孔，以在所述第二盲孔内形成第二导电部、在所述第三盲孔内形成第三导电部；其中，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通，所述第三导电部使所述芯片靠近所述导电层一侧的焊盘与所述导电层导通。
54.进一步地，所述封装体的制作方法还包括：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
55.具体地，请参阅图5和图6，其中，图5为本技术印制电路板的制造方法的第三实施例的流程示意图，图6为图5中步骤s501-s510对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图。进一步地，所述金属层靠近所述导电层一侧的表面为粗糙面。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
56.s501：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。
57.s502：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。
58.s503：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
59.s504：在所述塑封层远离所述导电层的一侧制作金属层。
60.具体如图6a至图6d所示，本实施例的步骤s501至s504与上述实施例中的步骤s301至s304基本相同，图6a至图6d与图4a至图4d对应相同。
61.s505：在第一预设位置制作第一盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面。
62.具体地，如图6e所示，在一实施方式中，在压合的金属层14的表面对应的第一预设位置进行激光钻孔，形成第一盲孔151，其中，第一盲孔151贯穿金属层14和塑封层13，第一盲孔151的底部到达导电层101的粗糙面。
63.s506：在所述第一盲孔的内壁制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通。具体地，如图6f所示，在一实施方式中，在形成第一盲孔151后，可以在第一盲孔151的内壁制作一层导电种子层(图未示)，然后采用电镀铜填充第一盲孔151，以在第一盲孔151内形成第一导电部161，其中，第一导电部161使导电层101与金属层14导通。
64.s507：将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。具体地，如图6f和图6g所示，在一实施方式中，然后可以将载体100剥离，使载体100与导电层101分开，以露出导电层101远离粗糙面一侧的表面。
65.s508：在第二预设位置制作第二盲孔，在第三预设位置制作第三盲孔；其中，所述
第二盲孔贯穿所述金属层和所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘，所述第三盲孔贯穿所述导电层和所述塑封层，所述第三盲孔的底部到达所述芯片靠近所述导电层一侧的焊盘。
66.具体地，本技术的芯片12双面均具有焊盘121，如图6h所示，在一实施方式中，此时可以在压合的金属层14的表面对应的第二预设位置进行激光钻孔，形成第二盲孔152，在导电层101对应的第三预设位置进行激光钻孔，形成第三盲孔153，其中，第二盲孔152贯穿金属层14和塑封层13，第二盲孔152的底部到达芯片12远离导电层101一侧的焊盘121，第三盲孔153贯穿导电层101和塑封层13，第三盲孔153的底部到达芯片12靠近导电层101一侧的焊盘121。
67.s509：在所述第二盲孔的内壁和所述第三盲孔的内壁分别制作一层导电种子层，电镀填充所述第二盲孔和所述第三盲孔，以在所述第二盲孔内形成第二导电部、在所述第三盲孔内形成第三导电部；其中，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通，所述第三导电部使所述芯片靠近所述导电层一侧的焊盘与所述导电层导通。具体地，如图6h和图6i所示，在一实施方式中，在形成第二盲孔152和第三盲孔153后，可以在第二盲孔152和第三盲孔153的内壁制作一层导电种子层(图未示)，然后采用电镀铜填充第二盲孔152和第三盲孔153，以在第二盲孔152内形成第二导电部162、在第三盲孔153内形成第三导电部163，其中，第二导电部162使芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14导通，第三导电部163使芯片12靠近导电层101一侧的焊盘121与导电层101导通。
68.s510：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
69.具体地，如图6j所示，在一实施方式中，在一实施方式中，通过双面贴干膜、曝光、显影、蚀刻、退膜的方式，分别在金属层14上制作第一导电线路(图未示)、在导电层101上制作第二导电线路(图未示)。在一些实施方式中，在制作线路之前可以对金属层14和导电层101通过研磨、微蚀等方法进行减薄，以使金属层14和导电层101达到需要的厚度。
70.在一实施例中，上述步骤s1213具体可以包括：在第一预设位置制作第一盲孔，在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面，所述第二盲孔贯穿所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘；在所述第一盲孔的内壁和所述第二盲孔的内壁分别制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔和所述第二盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部、在所述第二盲孔内形成第二导电部，并在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属层；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通；将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
71.进一步地，所述封装体的制作方法还包括：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
72.具体地，请参阅图7和图8，其中，图7为本技术印制电路板的制造方法的第四实施例的流程示意图，图8为图7中步骤s701-s707对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
73.s701：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。
74.s702：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。
75.s703：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
76.具体如图8a至图8c所示，本实施例的步骤s701至s703与上述实施例中的步骤s301至s303基本相同，图8a至图8c与图4a至图4c对应相同。
77.s704：在第一预设位置制作第一盲孔，在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面，所述第二盲孔贯穿所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘。具体地，如图8d所示，在一实施方式中，在塑封层13上不压合图4d中的金属层14，而是直接在塑封层13的表面对应的第一预设位置以及第二预设位置进行激光钻孔，形成第一盲孔151和第二盲孔152，其中，第一盲孔151和第二盲孔152贯穿塑封层13，第一盲孔151的底部到达导电层101的粗糙面，第二盲孔152的底部到达芯片12远离导电层101一侧的焊盘121。本实施例中，由于塑封层13的表面此时未压合金属层14，因此本步骤可以直接进行激光钻孔。
78.s705：在所述第一盲孔的内壁、所述第二盲孔的内壁和所述塑封层远离所述导电层的一侧制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔和所述第二盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部、在所述第二盲孔内形成第二导电部，并在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属层；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通。具体地，如图8e所示，在一实施方式中，在形成第一盲孔151和第二盲孔152后，可以在第一盲孔151、第二盲孔152的内壁和塑封层13远离导电层101的一侧制作一层导电种子层(图未示)，然后采用电镀铜填充第一盲孔151和第二盲孔152，以在第一盲孔151内形成第一导电部161、在第二盲孔152内形成第二导电部162、在塑封层13远离导电层101的一侧形成金属层14，其中，第一导电部161使导电层101与金属层14导通，第二导电部162使芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14导通，金属层14与第一导电部161连接，第一导电部161使导电层101与金属层14导通。
79.s706：将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
80.s707：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
81.具体如图8f至图8g所示，本实施例的步骤s706至s707与上述实施例中的步骤s307至s308基本相同，图8f至图8g与图4g至图4h对应相同。
82.在一实施例中，上述步骤s1213具体可以包括：在第一预设位置制作第一盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面；在所述第一盲孔的内壁制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部，并在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属电镀层；对所述金属电镀层进行研磨，直至所述金属电镀层完全去除；在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第二盲孔贯穿所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘；在所述第二盲孔的内壁制作一层导电种子层，并进行图形电镀，填充所述第二盲孔，以在所述第二盲孔内形成第二导电部、在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成作为第一导电线路的金属层；其中，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通，所述金属层与所述第一导电部连接，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通；
将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面；在所述导电层上制作第二导电线路。
83.具体地，请参阅图9和图10，其中，图9为本技术印制电路板的制造方法的第五实施例的流程示意图，图10为图9中步骤s901-s910对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
84.s901：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。
85.s902：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。
86.s903：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
87.具体如图10a至图10c所示，本实施例的步骤s901至s903与上述实施例中的步骤s501至s503基本相同，图10a至图10c与图6a至图6c对应相同。
88.s904：在第一预设位置制作第一盲孔；其中，所述第一盲孔贯穿所述塑封层，所述第一盲孔的底部到达所述导电层的粗糙面。具体地，如图10d所示，在一实施方式中，在塑封层13上不压合图6d的金属层14，而是直接在塑封层13的表面对应的第一预设位置进行激光钻孔，形成第一盲孔151，其中，第一盲孔151贯穿塑封层13，第一盲孔151的底部到达导电层101的粗糙面。本实施例中，由于塑封层13的表面此时未压合金属层14，因此本步骤可以直接进行激光钻孔。
89.s905：在所述第一盲孔的内壁和所述塑封层远离所述导电层的一侧制作一层导电种子层，电镀填充所述第一盲孔，以在所述第一盲孔内形成第一导电部，并在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属电镀层。具体地，如图10e所示，在一实施方式中，在形成第一盲孔151后，可以在第一盲孔151的内壁和塑封层13远离导电层101的一侧制作一层导电种子层(图未示)，然后采用电镀铜填充第一盲孔151，以在第一盲孔151内形成第一导电部161，并在塑封层13远离导电层101的一侧形成金属电镀层164，其中，第一导电部161使导电层101与金属电镀层164导通。
90.s906：对所述金属电镀层进行研磨，直至所述金属电镀层完全去除。
91.具体地，如图10e和图10f所示，在一实施方式中，将金属电镀层164进行研磨去除，以露出芯片12远离所述导电层101一侧的焊盘121对应的塑封层13。
92.s907：在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第二盲孔贯穿所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘。
93.具体地，如图10g所示，在一实施方式中，在塑封层13上去除金属电镀层164后，可以直接在塑封层13的表面对应的第二预设位置进行激光钻孔，形成第二盲孔152，其中，第二盲孔152贯穿塑封层13，第二盲孔152的底部到达芯片12远离导电层101一侧的焊盘121。本实施例中，由于塑封层13的表面此时不存在金属电镀层164，因此本步骤可以直接进行激光钻孔。
94.s908：在所述第二盲孔的内壁和所述塑封层远离所述导电层的一侧制作一层导电种子层，并进行图形电镀，填充所述第二盲孔，以在所述第二盲孔内形成第二导电部、在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成具有第一导电线路的金属层；其中，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通，所述金属层与所述第一导电部连接，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通。
95.具体地，如图10h所示，在一实施方式中，在形成第二盲孔152后，可以在第二盲孔152的内壁和塑封层13远离导电层101的一侧制作一层导电种子层(图未示)，然后采用依次贴干膜、曝光、显影、图形电镀、退膜、快速蚀刻的方式，在第二盲孔152内形成第二导电部162、在塑封层13远离导电层101的一侧形成金属层14，此时，金属层14为第一导电线路，其中，第二导电部162使芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14导通，金属层14与第一导电部161连接，第一导电部161使导电层101与金属层14导通。
96.s909：将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。具体地，如图10h和图10i所示，在一实施方式中，将载体100剥离，使载体100与导电层101分开，以露出导电层101远离粗糙面一侧的表面。
97.s910：在所述导电层上制作第二导电线路。具体地，如图10j所示，在一实施方式中，通过双面贴干膜、曝光、显影、蚀刻、退膜的方式，在导电层101上制作第二导电线路(图未示)。本实施例中实现了高精细程度导电线路的三维封装结构的制造。
98.具体地，请结合图11，图11是图1中步骤s12另一实施方式的流程示意图，作为一实施方式，步骤s12包括：
99.s1221：在所述导电层的粗糙面一侧制作第一导电部。具体地，第一导电部为铜柱，可以直接在导电层的粗糙面一侧制作出第一导电部，也可以直接将预制的铜柱设置在导电层的粗糙面上。可以理解的是，将导电层作为导电种子层在塑封前制作第一导电部，来实现塑封层的层间互连，可以满足高密度的三维封装的需求。
100.s1222：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。具体地，在芯片一侧贴附一层贴附层，然后将贴附了贴附层的芯片贴装到导电层的粗糙面上。贴附层可以是芯片贴附膜，由于芯片贴附膜的固化特性(加热固化)，贴装后的芯片被固化的芯片贴附膜牢牢地固定在导电层的表面。
101.s1223：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
102.s1224：在所述芯片远离所述导电层一侧制作导电体，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述第一导电部与所述导电体组成导电组件，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。
103.具体地，在将芯片贴装在导电层的粗糙面上之后，可以在导电层的粗糙面一侧制作塑封层，然后在导电层的粗糙面一侧制作导电体，本实施例中，导电组件由第一导电部与所述导电体组成，导电组件使芯片的焊盘与导电层导通，并将载体从基板上剥离，以实现对芯片的塑封。
104.进一步地，请结合图12，图12是图11中步骤s1221一实施方式的流程示意图，在一实施方式中，步骤s1221包括：
105.s12211：在所述导电层的粗糙面一侧贴干膜，其中，所述干膜远离所述导电层的粗糙面一侧的表面的高度大于等于所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘。
106.s12212：依次对所述干膜进行曝光、显影、图形电镀，然后退膜以形成所述第一导电部。
107.具体地，在导电层的粗糙面一侧制作出第一导电部的方式，可以在导电层的粗糙面一侧通过依次贴厚干膜、曝光、显影、图形电镀、退膜的方式制作出第一导电部。
108.在一实施例中，所述第一导电部远离所述导电层一侧的表面露于所述塑封层外；
上述步骤s1224具体可以包括：在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第二盲孔贯穿所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘；在所述第二盲孔的内壁和所述塑封层远离所述导电层的一侧制作一层导电种子层，电镀填充所述第二盲孔，以在所述第二盲孔内形成第二导电部，并在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属层；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通；将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
109.进一步地，所述封装体的制作方法还包括：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
110.具体地，请参阅图13和图14，其中，图13为本技术印制电路板的制造方法的第六实施例的流程示意图，图14为图13中步骤s1301-s1308对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
111.s1301：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。具体地，如图14a所示，本实施例的步骤s1301与上述实施例中的步骤s301基本相同，图14a与图4a对应相同。
112.s1302：在所述导电层的粗糙面一侧制作第一导电部。具体地，如图14b所示，在一实施方式中，在导电层101的粗糙面上通过贴厚干膜、曝光、显影、图形电镀、退膜制作出第一导电部161。
113.s1303：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。具体地，如图14c所示，在一实施方式中，在芯片12的一侧贴附一层贴附层11，贴附层11为芯片贴附膜，然后将贴附了贴附层11的芯片12贴装到导电层101的粗糙面上。
114.s1304：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。具体地，如图14d所示，在一实施方式中，在导电层101的粗糙面制作第一导电部161并贴装芯片12后，可以在导电层101的粗糙面一侧叠加膜状的塑封料，然后采用层压或真空贴膜的方式，将塑封料固化，形成覆盖芯片12的塑封层13。
115.s1305：在第二预设位置制作第二盲孔；其中，所述第二盲孔贯穿所述塑封层，所述第二盲孔的底部到达所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘。具体地，如图14e所示，在一实施方式中，可以通过研磨塑封层13直至目标厚度，且使得第一导电部161的顶部露出塑封层13；然后直接在塑封层13的表面对应的第二预设位置进行激光钻孔，形成第二盲孔152，其中，第二盲孔152贯穿塑封层13，第二盲孔152的底部到达芯片12远离导电层101一侧的焊盘121。本实施例中，由于塑封层13的表面此时不存在金属结构，因此本步骤可以直接进行激光钻孔。
116.s1306：在所述第二盲孔的内壁和所述塑封层远离所述导电层的一侧制作一层导电种子层，电镀填充所述第二盲孔，以在所述第二盲孔内形成第二导电部，并在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属层；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通。具体地，如图14f所示，在一实施方式中，在形成第二盲孔152后，可以在第二盲孔152的内壁和塑封层13远离导电层101的一侧制作一层导电种子层(图未示)，然后采用电镀铜填充第二盲孔152，以在第二盲孔152内形成第二导电部162、在塑封层13远离导电层101的一侧形成金属
层14，其中，第二导电部162使芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14导通，金属层14与第一导电部161连接，第一导电部161使导电层101与金属层14导通。
117.s1307：将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
118.s1308：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
119.具体如图14g至图14h所示，本实施例的步骤s1307至s1308与上述实施例中的步骤s307至s308基本相同，图14g至图14h与图4g至图4h对应基本相同。
120.在一实施例中，所述塑封层覆盖所述第一导电部；上述步骤s1224具体可以包括：对所述塑封层及所述第一导电部进行研磨，直至所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘露于所述塑封层外，且所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘的表面与所述第一导电部远离所述导电层一侧的表面齐平；在所述塑封层远离所述导电层的一侧的表面制作一层导电种子层，并进行电镀，以在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属层；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层连接；将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
121.进一步地，所述封装体的制作方法还包括：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
122.具体地，请参阅图15和图16，其中，图15为本技术印制电路板的制造方法的第七实施例的流程示意图，图16为图15中步骤s1501-s1508对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
123.s1501：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。
124.s1502：在所述导电层的粗糙面一侧制作第一导电部。
125.s1503：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。
126.s1504：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
127.具体地，如图16a至图16d所示，本实施例的步骤s1501至s1504与上述实施例中的步骤s1301至s1304基本相同，图16a至图16d与图14a至图14d对应相同。
128.s1505：对所述塑封层及所述第一导电部进行研磨，直至所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘露于所述塑封层外，且所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘的表面与所述第一导电部远离所述导电层一侧的表面齐平。具体地，如图16e所示，在一实施方式中，通过研磨塑封层13和第一导电部161直至芯片12远离导电层101一侧的焊盘121露于塑封层13外，此时芯片12远离导电层101一侧的焊盘121的表面与第一导电部161远离导电层101一侧的表面齐平，且第一导电部161的顶部露出塑封层13。
129.s1506：在所述塑封层远离所述导电层的一侧的表面制作一层导电种子层，并进行电镀，以在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成金属层；其中，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层连接。具体地，如图16f所示，在一实施方式中，直接在塑封层13远离导电层101的一侧的表面制作一层导电种子层(图未示)，并进行电镀，以在塑封层13远离导电层101的一侧形成金属层14，第一导电部161使导电层101与金属层14导通，芯片12远离导电层101一侧的焊盘121直接与金属层14连接。
130.s1507：将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
131.s1508：在所述金属层上制作第一导电线路，在所述导电层上制作第二导电线路。
132.具体如图16g至图16h所示，本实施例的步骤s1507至s1508与上述实施例中的步骤s307至s308基本相同，图16g至图16h与图14g至图14h对应相同。
133.在一实施例中，所述塑封层覆盖所述第一导电部；上述步骤s1224具体可以包括：对所述塑封层及所述第一导电部进行研磨，直至所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘露于所述塑封层外，且所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘的表面与所述第一导电部远离所述导电层一侧的表面齐平；在所述塑封层远离所述导电层的一侧的表面制作一层导电种子层，并进行图形电镀，以在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成作为第一导电线路的金属层；其中，所述金属层分别与所述第一导电部和所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘连接，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通；将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面；在所述导电层上制作第二导电线路。
134.具体地，请参阅图17和图18，其中，图17为本技术印制电路板的制造方法的第八实施例的流程示意图，图18为图17中步骤s1701-s1708对应的一实施方式的各步骤的制作流程结构示意图。本实施例中的封装体的制作方法包括以下步骤：
135.s1701：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面。
136.s1702：在所述导电层的粗糙面一侧制作第一导电部。
137.s1703：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上。
138.s1704：在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片。
139.s1705：对所述塑封层及所述第一导电部进行研磨，直至所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘露于所述塑封层外，且所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘的表面与所述第一导电部远离所述导电层一侧的表面齐平。
140.具体地，如图18a至图18e所示，本实施例的步骤s1701至s1705与上述实施例中的步骤s1501至s1505基本相同，图18a至图18e与图16a至图16e对应相同。
141.s1706：在所述塑封层远离所述导电层的一侧的表面制作一层导电种子层，并进行图形电镀，以在所述塑封层远离所述导电层的一侧形成作为第一导电线路的金属层；其中，所述金属层分别与所述第一导电部和所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘连接，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通。具体地，如图18f所示，在一实施方式中，直接在塑封层13远离导电层101的一侧的表面制作一层导电种子层，然后采用依次贴干膜、曝光、显影、图形电镀、退膜、快速蚀刻的方式，在塑封层13远离导电层101的一侧形成金属层14，此时，金属层14为第一导电线路，第一导电部161使导电层101与金属层14导通，芯片12远离导电层101一侧的焊盘121直接与金属层14连接。
142.s1707：将所述载体从所述基板上剥离，以露出所述导电层远离所述粗糙面一侧的表面。
143.s1708：在所述导电层上制作第二导电线路。
144.具体如图18g至图18h所示，本实施例的步骤s1707至s1708与上述实施例中的步骤s1507至s1508基本相同，图18g至图18h与图16g至图16h对应基本相同。本实施例中实现了
高精细程度导电线路的三维封装结构的制造。
145.本技术还提供了一种封装体，本技术的封装体通过上述任意一种封装体的制作方法制作得到。请参阅图4h，在一实施例中，封装体包括：导电层101，导电层101一侧的表面为粗糙面；芯片12，芯片12通过贴附层11贴装在导电层101的粗糙面上；导电组件16，导电组件16设置于导电层101的粗糙面一侧，其中，导电组件16使芯片12的焊盘121与导电层101导通。进一步地，导电层101由1～12μm的铜箔蚀刻得到，导电层101的粗糙面在0.1平方毫米面积内的高度极差大于1微米或大于三分之一的导电层101的厚度。
146.进一步地，导电组件16包括金属层14，金属层14上制作有第一导电线路(图未示)，导电层101上制作有第二导电线路(图未示)。
147.在一实施例中，封装体包括塑封层13，塑封层13设置于导电层101的粗糙面一侧，且覆盖芯片12，塑封层13远离导电层101一侧的表面的高度大于芯片12远离导电层101一侧的焊盘121的高度。
148.进一步地，芯片12远离导电层101一侧设置有焊盘121，导电组件16具体包括第一导电部161、第二导电部162和金属层14，金属层14位于塑封层13远离导电层101的一侧，第一导电部161位于塑封层13的第一预设位置，第二导电部162位于塑封层13的第二预设位置，第一导电部161使导电层101与金属层14导通，第二导电部162使芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14导通。
149.进一步地，请结合图6j，芯片12靠近导电层101一侧也设置有焊盘121，导电组件16还包括第三导电部163，第二导电部162位于芯片12靠近导电层101一侧的第三预设位置，第三导电部163使芯片12靠近导电层101一侧的焊盘121与导电层101导通。
150.进一步地，金属层14靠近导电层101一侧的表面为粗糙面。
151.在一实施例中，请结合图16h，封装体包括塑封层13，塑封层13设置于导电层101的粗糙面一侧，塑封层13远离导电层101一侧的表面的高度与芯片12远离导电层101一侧的焊盘121的高度齐平。
152.进一步地，导电组件16包括第一导电部161和金属层14，金属层14位于塑封层13远离导电层101的一侧，第一导电部161位于塑封层13的第一预设位置，第一导电部161使导电层101与金属层14导通，第二导电部162使芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14导通，芯片12远离导电层101一侧的焊盘121与金属层14连接。
153.请进一步参阅图19，图19为本技术封装体的一实施例的结构示意图。在本实施例中，封装体还包括至少一层金属外层17和/或至少一层导电外层18；至少一层金属外层17间隔设置于金属层14远离导电层101的一侧，至少一层金属外层17与金属层14导通，至少一层金属外层17上制作有第三导电线路(图未示)；至少一层导电外层18间隔设置于导电层101远离金属层14的一侧，至少一层导电外层18与导电层101导通，至少一层导电外层18上制作有第四导电线路(图未示)。
154.本技术的封装体，通过将导电层101靠近芯片12一侧的表面设置为粗糙面，使得在导电层101的粗糙面一侧利用贴附层11贴装芯片12时，在贴附层11固化过程中，粗糙面和贴附层11可以形成咬合结构以提升结合力；进一步地，在塑封芯片12后，塑封层13也可以与导电层101的粗糙面形成咬合结构，提升塑封层13与导电层101的结合力；另外，当金属层14靠近导电层101一侧的表面也为粗糙面时，可以保证金属层14与塑封层13之间的结合力。
155.应当说明的是，在本技术中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
156.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效原理变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
技术特征：1.一种封装体，其特征在于，所述封装体包括：导电层，所述导电层一侧的表面为粗糙面；芯片，所述芯片通过贴附层贴装在所述导电层的粗糙面上；导电组件，所述导电组件设置于所述导电层的粗糙面一侧，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。2.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述封装体包括塑封层，所述塑封层设置于所述导电层的粗糙面一侧，且覆盖所述芯片，所述塑封层远离所述导电层一侧的表面的高度大于所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘的高度；所述导电组件包括第一导电部、第二导电部和金属层，所述金属层位于所述塑封层远离所述导电层的一侧，所述第一导电部位于所述塑封层的第一预设位置，所述第二导电部位于所述塑封层的第二预设位置，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述第二导电部使所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层导通。3.根据权利要求2所述的封装体，其特征在于，所述导电组件还包括第三导电部，所述第三导电部位于所述芯片靠近所述导电层一侧的第三预设位置，所述第三导电部使所述芯片靠近所述导电层一侧的焊盘与所述导电层导通。4.根据权利要求2所述的封装体，其特征在于，所述金属层靠近所述导电层一侧的表面为粗糙面。5.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述封装体包括塑封层，所述塑封层设置于所述导电层的粗糙面一侧，所述塑封层远离所述导电层一侧的表面的高度与所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘的高度齐平；所述导电组件包括第一导电部和金属层，所述金属层位于所述塑封层远离所述导电层的一侧，所述第一导电部位于所述塑封层的第一预设位置，所述第一导电部使所述导电层与所述金属层导通，所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘与所述金属层连接。6.根据权利要求2至5任一项所述的封装体，其特征在于，所述封装体还包括至少一层金属外层和/或至少一层导电外层；所述至少一层金属外层间隔设置于所述金属层远离所述导电层的一侧，所述至少一层金属外层与所述金属层导通；所述至少一层导电外层间隔设置于所述导电层远离所述金属层的一侧，所述至少一层导电外层与所述导电层导通。7.一种封装体的制作方法，其特征在于，所述封装体的制作方法包括：获取基板，所述基板包括载体和位于所述载体一侧的导电层，所述导电层远离所述载体一侧的表面为粗糙面；在所述导电层的粗糙面一侧制作导电组件以及利用贴附层贴装芯片，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。8.根据权利要求7所述的封装体的制作方法，其特征在于，所述在所述导电层的粗糙面一侧制作导电组件以及利用贴附层贴装芯片，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通的步骤，包括：利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上；在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；
在所述导电层的粗糙面一侧制作导电组件，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。9.根据权利要求7所述的封装体的制作方法，其特征在于，所述在所述导电层的粗糙面一侧制作导电组件以及利用贴附层贴装芯片，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通的步骤，包括：在所述导电层的粗糙面一侧制作第一导电部；利用所述贴附层将芯片贴装在所述导电层的粗糙面上；在所述导电层的粗糙面一侧制作塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；在所述芯片远离所述导电层一侧制作导电体，并将所述载体从所述基板上剥离，其中，所述第一导电部与所述导电体组成导电组件，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。10.根据权利要求9所述的封装体的制作方法，其特征在于，所述在所述导电层的粗糙面一侧制作第一导电部的步骤，包括：在所述导电层的粗糙面一侧贴干膜，其中，所述干膜远离所述导电层的粗糙面一侧的表面的高度大于等于所述芯片远离所述导电层一侧的焊盘；依次对所述干膜进行曝光、显影、图形电镀，然后退膜以形成所述第一导电部。
技术总结本发明公开了一种封装体及其制作方法，所述封装体包括：导电层，所述导电层一侧的表面为粗糙面；芯片，所述芯片通过贴附层贴装在所述导电层的粗糙面上；导电组件，所述导电组件设置于所述导电层的粗糙面一侧，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。通过上述方式，本发明的芯片通过贴附层贴装在导电层的粗糙面上，使得在贴附层固化过程中，粗糙面和贴附层可以形成咬合结构以提升结合力。糙面和贴附层可以形成咬合结构以提升结合力。糙面和贴附层可以形成咬合结构以提升结合力。
技术研发人员：朱凯 黄立湘 缪桦
受保护的技术使用者：深南电路股份有限公司
技术研发日：2022.06.30
技术公布日：2022/11/1
