1.本技术涉及光伏技术领域，更具体地，涉及一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉。
背景技术：2.垂直提拉法是大规模生产单晶硅棒的一种常用方法，主要设备为单晶炉。
3.在拉制晶棒的过程中，单晶炉内会产生大量的氧化物，一般通过炉底的排气管道排出。由于炉底位置的排气管道处设置有水冷结构，在长时间拉制晶棒时，从排气管道排出的氧化物容易在水冷位置凝固，堵塞排气管道，导致真空泵频率上升，严重时导致炉压升高，影响晶棒品质和单产。
技术实现要素：4.有鉴于此，本技术提供了一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，用于利用气流来清除排气管道内的氧化物，保证单晶炉的正常运行。
5.第一方面，本技术提供一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置，清理装置设置在排气管道内，排气管道内设有导气装置，清理装置设置在导气装置下方；清理装置包括：
6.承载结构，承载结构安装在排气管道的管壁上；
7.清理结构，清理结构与承载结构连接，用于通过扰动气流的方式分散氧化物，清理结构的直径小于排气管道的直径。
8.可选地，其中：
9.导气装置为自上至下直径逐渐减小的导气装置；清理装置与导气装置之间的距离范围为20mm～40mm。
10.可选地，其中：
11.承载结构固定于排气管道；或，承载结构与排气管道可拆卸连接。
12.可选地，其中：
13.当承载结构与排气管道可拆卸连接时，排气管道还包括多个依次分布的限位件，承载结构通过限位件与排气管道可拆卸连接。
14.可选地，其中：
15.承载结构为具有组合结构的承载结构或一体式承载结构；承载结构具有导通气流的镂空，清理结构连接在承载结构不具有镂空的位置。
16.可选地，其中：
17.清理结构包括旋转组件以及位于旋转组件旋转轴处的导向结构，导向结构具有相对的第一端和第二端，第一端与承载结构固定连接，第二端与旋转组件固定连接；或，
18.清理结构包括旋转组件以及位于旋转组件旋转轴处的导向结构，导向结构具有相对的第一端和第二端，第一端与承载结构固定连接，第二端位于旋转组件下方，旋转组件与
导向结构滑动连接。
19.可选地，其中：
20.清理结构还包括第一限位件和第二限位件，第一限位件设于导向结构的第一端，第二限位件设于导向结构的第二端。
21.可选地，其中：
22.旋转组件包括连接件以及设于连接件上的多个旋转件，连接件用于连接旋转件和导向结构，使得每个旋转件能够围绕导向结构旋转。
23.可选地，其中：
24.每个旋转件的延伸面与导向结构的延伸方向斜向相交。
25.第二方面，本技术还提供一种单晶炉，包括位于单晶炉内排气管道水冷区域处的清理装置，清理装置为第一方面所描述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置。
26.与现有技术相比，本技术提供的一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，至少实现了如下的有益效果：
27.本技术所提供的一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉中，清理装置设在排气管道内的导气装置下方，用于清理从排气管道中排出且容易堵塞在导气装置下方的氧化物。清理装置包括相互连接的承载结构和清理结构，其中，承载结构安装在排气管道的管壁上，用于承载并支撑清理结构，使得清理结构可以稳定运行；清理结构的直径小于排气管道的直径，使得清理结构可以在排气管道中正常运行，清理结构通过扰动气流的方式来分散堵塞在导气装置下方的氧化物，分散后的氧化物不再堆积在导气装置下方，随着排气管道排走。由此可见，采用本技术所提供的用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，可以清理堵塞在导气装置下方的氧化物，同时避免氧化物的堆积，进而降低了单晶炉的炉压，保障了单晶炉的正常运行。
28.当然，实施本技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
29.通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
30.被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本技术的原理。
31.图1所示为现有技术中的单晶炉的结构示意图；
32.图2所示为本技术实施例所提供的清理装置的结构示意图；
33.图3所示为本技术实施例所提供的安装有清理装置的单晶炉的示意图；
34.图4所示为本技术实施例所提供的单晶炉中的清理装置的俯视图。
具体实施方式
35.现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。
36.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术
及其应用或使用的任何限制。
37.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
38.在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
39.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
40.垂直提拉法是大规模生产单晶硅棒的一种常用方法，主要设备为单晶炉。
41.图1所示为现有技术中的单晶炉的结构示意图，如图1所示，在拉制晶棒的过程中，单晶炉1内会产生大量的氧化物，一般通过炉底的排气管道10排出。随着拉晶技术的发展，由于炉底位置的排挤管道处设置有水冷区域12，在长时间拉制晶棒时，从排气管道10处排出的氧化物在容易在水冷区域12的位置凝固，堵塞排气管道10，导致真空泵频率上升，严重时导致炉压升高，影响晶棒品质和单产。
42.图2所示为本技术实施例所提供的清理装置的结构示意图；图3所示为本技术实施例所提供的安装有清理装置的单晶炉的示意图；图4所示为本技术实施例所提供的的单晶炉中的清理装置的俯视图。
43.为了解决上述技术问题，如图2～图4所示，本技术提出了一种用于清除排气管道10内氧化物的清理装置2及单晶炉1，用于利用气流来清除排气管道10内的氧化物，保证单晶炉1的正常运行。
44.如图2～图4所示，本技术提供一种用于清除排气管道10内氧化物的清理装置2，清理装置2设置在排气管道10内，排气管道10内设有导气装置11，清理装置2设置在导气装置11下方；清理装置2包括：
45.承载结构21，承载结构21安装在排气管道10的管壁上；
46.清理结构22，清理结构22与承载结构21连接，用于通过扰动气流的方式分散氧化物，清理结构22的直径小于排气管道10的直径。
47.具体实施时，如图2～图4所示，承载结构21安装在排气管道10的管壁上，清理结构22与承载结构21连接，随着真空泵产生的气流，清理结构22在排气管道10内被气流带动运行，将排气管道10内导气装置11下方堆积的固体氧化物分散清除。
48.如图2～图4所示，由于单晶炉1在生产的过程中会产生大量的氧化物随排气管道10排出，且在排气管道10内安装导气装置11后，氧化物容易在导气装置11下方堆积，甚至堵塞导气装置11，严重影响到晶棒的生产。基于此，本技术实施例提供的清理装置2设在排气管道10内的导气装置11下方，可以清理从排气管道10中排出且容易堵塞在导气装置11下方的氧化物。清理装置2包括相互连接的承载结构21和清理结构22，其中，承载结构21安装在排气管道10的管壁上，用于承载清理结构22并将清理结构22固定在排气管道10内，使得清理结构22可以在排气管道10内稳定运行，避免清理结构22在运行时发生晃动导致的清理效果不佳等；清理结构22的直径小于排气管道10的直径，使得清理结构22可以在不与排气管道10发生接触的情况下在排气管道10中正常运行；在真空泵所产生的气流的带动下，清理结构22开始运行，并通过扰动气流的方式来分散堵塞在导气装置11下方的氧化物，使得分散后的氧化物不再堆积在导气装置11下方，可以随着排气管道10排走。由此可见，采用本申
请实施例所提供的用于清除排气管道10内氧化物的清理装置2及单晶炉1，可以清理堵塞在导气装置11下方的固体氧化物，同时避免固体氧化物的堆积，减少对真空泵频率的影响，进而降低了单晶炉1的炉压，保障了单晶炉1的正常运行，同时避免了因炉压过高导致的晶棒产量及品质不佳等问题。此外，本技术实施例所提供的清理装置2利用气流扰动来清理固体氧化物，无需额外设置驱动设备，利用的真空泵也为原有单晶炉1的真空泵，不额外增加成本及能耗，环保且操作简单。
49.在本技术的一些可选实施例中，如图2～图4所示，导气装置11为自上至下直径逐渐减小的导气装置11；清理装置2与导气装置11之间的距离范围为20mm～40mm。
50.基于此，如图2～图4所示，当导气装置11为自上至下直径逐渐减小的导气装置11时，将这种导气装置11设置在单晶炉1炉底的排气管道10内，在单晶炉1生产的过程中，直径自上至下逐渐减小的导气装置11可以让更多的氧气留在单晶炉1内部，形成涡流，同时氧气在单晶炉1内停留的时间也更长，减少了被带走的热量，对单晶炉1起到保温的作用，配合目前采用的ocz加料还可以将拉晶阶段的拉晶功率降低1kw～1.5kw，可以更好地控制引晶的效果。但同时，由于导气装置11的直径自上至下逐渐减小，氧化物也更容易堆积在导气装置11下方，进而引发导气装置11及排气管道10的堵塞，采用本技术实施例所提供的清理装置2，即可清理导气装置11下方的氧化物，同时防止氧化物的再次堆积。当清理装置2与导气装置11之间的距离范围为20mm～40mm时，清理装置2的清理效果较好，若清理装置2与导气装置11之间的距离小于20mm，则二者相距过近，清理装置2会直接堵在导气装置11下方，可能造成更严重的堵塞；若清理装置2与导气装置11之间的距离大于40mm，则二者相距过远，清理装置2无法及时将固体氧化物清理或清理效果不佳，氧化物仍会在导气装置11下方堆积。
51.示例性的，如图3所示，清理装置2与导气装置11之间的距离可以为20mm、25mm、30mm、35mm、40mm等等，此处仅做举例，并不具体限定。
52.在一些示例中，如图3所示，也可以在排气管道10内的导气装置11下方沿氧气的流动方向3依次设置多个清理装置2，或者在排气管道10内其余容易堆积氧化物的地方设置额外的清理装置2，进一步防止固体氧化物的堆积。
53.示例性的，导气装置11可以为如图3所示的锥形导气筒，锥形导气筒的直径自上至下逐渐减小。
54.在本技术的一些可选实施例中，如图2～图4所示，承载结构21固定于排气管道10；或，承载结构21与排气管道10可拆卸连接。承载结构21主要用来与清理结构22连接，实现承载作用，并将清理结构22固定在排气管道10中，保证清理结构22在排气管道10内的稳定运行。承载结构21可以与排气管道10固定连接，使得承载结构21与排气管道10之间的连接更加稳固，也可以与排气管道10可拆卸连接，由于单晶炉1内需要排出的氧化物较多，在清理装置2不断清理的过程中，清理结构22本身也容易发生磨损或氧化物堆积等情况，为了便于将整个清理装置2取出进行装置清理或更换零件，可以将承载结构21与排气管道10之间设为可拆卸连接。
55.示例性的，当承载结构与排气管道之间为固定连接时，可以为焊接连接，此处仅做举例，并不具体限定。
56.在一些示例中，如图2～图4所示，当承载结构21与排气管道10可拆卸连接时，排气管道10还包括多个依次分布的限位件，承载结构21通过限位件与排气管道10可拆卸连接。
57.基于此，如图2～图4所示，当承载结构21与排气管道10可拆卸连接时，可以在排气管道10内设置多个限位件，这些限位件在排气管道10内沿氧气的流动方向3依次分布在管道内壁上，承载结构21可以通过限位件与排气管道10可拆卸连接，由于限位件沿排气管道10内氧气的流动方向3分布有多个，承载结构21可以通过与不同位置的限位件可拆卸连接，多个依次分布的限位件使得清理装置2的位置可实现多种档位的调节，同时限位件和承载结构21之间的可拆卸连接便于清理装置2在排气管道10内变更位置。
58.可以理解的是，如图2～图4所示，为了使得承载结构21在排气管道10内更加稳固，与承载结构21直接接触的限位件的数量最好为多个，例如两个、三个、四个等，可以以这些数量的限位件为一组，多组限位件在排气管道10内沿氧气的流动方向3依次分布。此处的限位件数量仅做举例，并不具体限定。
59.示例性的，承载结构通过限位件与排气管道之间的可拆卸连接可以为螺栓连接或卡扣连接等，或者也可以为直接在排气管道内设置方便承载结构卡接的豁口，此处仅做举例，并不具体限定。其中，优选的可拆卸连接方式为卡扣连接，此时的限位件即为卡扣形式，与螺栓连接相比，卡扣连接更便于拆卸，且比与豁口直接卡接更具稳定性。
60.在本技术的一些可选实施例中，如图2～图4所示，承载结构21为具有组合结构的承载结构21或一体式承载结构21；承载结构21具有导通气流的镂空，清理结构22连接在承载结构21不具有镂空的位置。
61.基于此，如图2～图4所示，为了使得氧气可以在单晶炉1内流通，承载结构21上具有导通气流的镂空，固体氧化物也从镂空处向排气管道10内排出，而清理结构22就连接在承载结构21不具有镂空的位置。可以理解的是，承载结构21所具有的镂空位置越大，容许导通的氧气及可以排出的固体氧化物就越多，氧气对于清理结构22的扰动也越大，清理结构22清理氧化物的速度也就越快，因此，承载结构21所具有的镂空应越大越好。承载结构21可以为一体式的结构，此时的承载结构21具有与排气管道10内径相同的尺寸，在一体式的承载结构21上具有镂空，这种结构虽然具有良好的稳固作用，但镂空较少，容易导致氧化物堵塞在承载结构21上。承载结构21也可以为具有组合结构的承载结构21，此时的承载结构21由至少一个子承载结构21组合构成，具有更多的镂空位置，可以更好地清理堆积的固体氧化物。
62.示例性的，优选的承载结构21可以仅具有两个子承载结构21，这两个子承载结构21呈x形交叉；更优的，承载结构21可以如图2～图4所示仅具有一个子承载结构21，使得镂空位置最大化，具有最佳的固体氧化物清理效果。
63.可以理解的是，如图2～图4所示，当承载结构21的具体结构不会导致氧化物堆积时，承载结构21可以如图3所示的在清理结构22上方，也可以安装在清理结构22的下方。
64.在本技术的一些可选实施例中，如图2～图4所示，清理结构22包括旋转组件221以及位于旋转组件221旋转轴处的导向结构222，导向结构222具有相对的第一端和第二端，第一端与承载结构21固定连接，第二端与旋转组件221固定连接；或，
65.清理结构22包括旋转组件221以及位于旋转组件221旋转轴处的导向结构222，导向结构222具有相对的第一端和第二端，第一端与承载结构21固定连接，第二端位于旋转组件221下方，旋转组件221与导向结构222滑动连接。
66.基于此，如图2～图4所示，清理结构22所包括的旋转组件221用于通过旋转的方式
清理固体氧化物，位于旋转组件221旋转轴处的导向结构222用于为旋转组件221起到导向作用，使得旋转组件221仅在导向结构222上进行旋转，不至于在排气管道10内发生其他方向的晃动，避免对排气管道10或旋转组件221本身造成损伤。导向结构222具有相对的第一端和第二端，当第一端与承载结构21固定连接，第二端与旋转组件221固定连接时，旋转组件221被固定在导向结构222的第二端上旋转，使得旋转组件221更加稳固；当第一端与承载结构21固定连接，第二端位于旋转组件221下方，旋转组件221与导向结构222滑动连接时，在真空泵提供的气流作用下，旋转组件221可以在导向结构222的延伸方向上来回浮动，使得旋转组件221可以清理导向结构222的长度范围内的固体氧化物，清理的氧化物的范围更大，也更彻底，清理效果更好。此外，ocz直拉单晶(outter czochralski)是下一代外置多次加料单晶拉制技术，采用直拉单晶炉，在每段拉制完后，外置设备往炉内加入硅料，在坩埚所允许的寿命周期内可完成8-10根的晶棒拉制。当前，业界主流应用的全部为rcz多次拉晶技术(recharged czochralski)，与之相比，ocz单产更高，融化效率更快；当单晶炉1为ocz加料时，可以在加料时，通过增大干泵的频率，使得来回浮动的旋转组件221收到更大的推动力，旋转组件221可以以更快的速度进一步清理不同位置的氧化物，在加快氧气流速的同时更快地清理氧化物，可以防止ocz加料打火现象的发生。
67.在一些示例中，如图2～图4所示，当旋转组件221与导向结构222滑动连接时，导向结构222的第一端与第二端之间的距离范围为100mm～300mm，若第一端与第二端之间距离过大，则旋转组件221在最低处时的位置过于低，难以清除导气装置11下方的固体氧化物；若第一端与第二端之间的距离过小，则旋转组件221在导向结构222上的活动范围过小，没什么活动空间，清理得氧化物的范围也就过小，清理效果不佳。
68.示例性的，如图2所示，导向结构222第一端与第二端之间的距离可以为100mm、150mm、200mm、250mm、300mm等，此处仅做举例，并不具体限定。
69.示例性的，导向结构222可以为如图2所示的导向柱。
70.在一些示例中，如图2～图4所示，清理结构22还包括第一限位件223和第二限位件224，第一限位件223设于导向结构222的第一端，第二限位件224设于导向结构222的第二端。当旋转组件221与导向结构222之间为滑动连接时，为了防止旋转组件221在来回运动的过程中脱离导向结构222，可以在导向结构222的第一端和第二端分别设置第一限位件223和第二限位件224，使得旋转组件221仅在导向结构222的第一端和第二端之间来回运动。第一限位件223和第二限位件224可以为如图2所示的球形限位件，也可以为立方体形限位件或其他异形结构的限位件，只需满足限位要求且不至于引起氧化物的堆积即可，此处仅做举例，并不具体限定。
71.在本技术的一些可选实施例中，如图2～图4所示，旋转组件221包括连接件2212以及设于连接件2212上的多个旋转件2211，连接件2212用于连接旋转件2211和导向结构222，使得每个旋转件2211能够围绕导向结构222旋转。
72.基于此，如图2～图4所示，旋转组件221包括的多个旋转件2211安装在连接件2212上，连接件2212与导向结构222连接，在真空泵提供的气流的扰动作用下，每个旋转件2211受到气流的推动力，带动连接件2212一起围绕导向结构222旋转，在旋转的同时，旋转件2211对堵塞在导气装置11下方的固体氧化物进行切分，并带动切分后的固体氧化物继续旋转，使得切分后的固体氧化物可以随着氧气的流动方向3进入清理装置2下方的排气管道10
正常排出，同时，在旋转件2211开始旋转后，氧化物不易堆积在排气管道10下方，即使堆积也会很快被旋转件2211清除。避免了排气管道10的阻塞，进而避免了单晶炉1内炉压的升高，保障了单晶炉1的正常运行及晶棒的正常生产，同时不需要额外的能源或设备驱动，仅依靠单晶炉1所使用的真空泵即可，在节省资源的同时操作简单。
73.示例性的，如图2～图4所示，旋转件2211的数量范围为4个～6个，若旋转件2211的数量过少，则气流对旋转件2211的推动力较小，导致旋转件2211的旋转效果不佳，进而导致扰流的效果不佳，氧化物清除不彻底；若旋转件2211的数量过多，则相邻两个旋转件2211之间的距离过小分布过密，反而会造成阻挡气流流通的效果，还会带动旋转件2211高速旋转，使得旋转件2211容易失去控制。例如，旋转件2211的数量可以为4个、5个或6个等，此处仅做举例，并不具体限定。
74.示例性的，旋转件2211可以为如图2所示的扇叶结构，也可以为其他类型的结构，只需能够实现在气流推动下发生旋转来清理氧化物的功能即可，此处仅做举例，并不具体限定。
75.示例性的，旋转件和连接件之间也可以为可拆卸连接。
76.示例性的，整个清理装置中各个部件的制备材料可以相同也可以不同，优选为生产中常见的材料，例如可以均选用316s结构的钢材制备而成，此处仅做举例，并不具体限定。
77.示例性的，每个旋转件的最大长度可以为70mm，此处仅做举例，并不具体限定，能够在排气管道中正常旋转即可。
78.在一些示例中，如图2～图4所示，每个旋转件2211的延伸面与导向结构222的延伸方向斜向相交。基于此，旋转件2211的延伸面并不是完全水平或完全竖直的，而是与水平面或竖直面斜向相交，此时的旋转件2211能够受到气流产生的推动力，进而旋转运行。其中，与旋转件2211在竖直方向上倾斜相比，优选的为如图2所示的旋转件2211在水平方向上具有较小的倾斜角度的排列形式，此时的旋转件2211不会像竖直方向上倾斜的旋转件2211一样容易吸附氧化物，也可以排列地更加松散，不需要像竖直方向上倾斜的旋转件2211一样必须排布得比较密集，进而影响到氧气的流速等，使得氧化物更容易堆积在旋转件2211上。
79.基于同一发明构思，本技术还提供一种单晶炉，包括位于单晶炉内排气管道水冷区域处的清理装置，清理装置为第一方面所描述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置。
80.当导气装置下方为排气管道的水冷区域处时，由于此处的温度较低，氧化物在此处更容易凝固堆积，采用本技术实施例所提供的清理装置，可以通过扰流的方式清理堆积的固体氧化物，同时防止氧化物的再次堆积。
81.与现有技术相比，本技术提供的一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，至少实现了如下的有益效果：
82.本技术所提供的一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉中，清理装置设在排气管道内的导气装置下方，用于清理从排气管道中排出且容易堵塞在导气装置下方的氧化物。清理装置包括相互连接的承载结构和清理结构，其中，承载结构安装在排气管道的管壁上，用于承载并支撑清理结构，使得清理结构可以稳定运行；清理结构的直径小于排气管道的直径，使得清理结构可以在排气管道中正常运行，清理结构通过扰动气流的方
式来分散堵塞在导气装置下方的氧化物，分散后的氧化物不再堆积在导气装置下方，随着排气管道排走。由此可见，采用本技术所提供的用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，可以清理堵塞在导气装置下方的氧化物，同时避免氧化物的堆积，进而降低了单晶炉的炉压，保障了单晶炉的正常运行。
83.虽然已经通过例子对本技术的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本技术的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本技术的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本技术的范围由所附权利要求来限定。
技术特征：1.一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述清理装置设置在排气管道内，所述排气管道内设有导气装置，所述清理装置设置在所述导气装置下方；所述清理装置包括：承载结构，所述承载结构安装在所述排气管道的管壁上；清理结构，所述清理结构与所述承载结构连接，用于通过扰动气流的方式分散所述氧化物，所述清理结构的直径小于所述排气管道的直径。2.根据权利要求1所述的清理装置，其特征在于，所述导气装置为自上至下直径逐渐减小的导气装置；所述清理装置与所述导气装置之间的距离范围为20mm～40mm。3.根据权利要求1所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述承载结构固定于所述排气管道；或，所述承载结构与所述排气管道可拆卸连接。4.根据权利要求3所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，当所述承载结构与所述排气管道可拆卸连接时，所述排气管道还包括多个依次分布的限位件，所述承载结构通过所述限位件与所述排气管道可拆卸连接。5.根据权利要求1所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述承载结构为具有组合结构的承载结构或一体式承载结构；所述承载结构具有导通气流的镂空，所述清理结构连接在所述承载结构不具有所述镂空的位置。6.根据权利要求1所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述清理结构包括旋转组件以及位于所述旋转组件旋转轴处的导向结构，所述导向结构具有相对的第一端和第二端，所述第一端与所述承载结构固定连接，所述第二端与所述旋转组件固定连接；或，所述清理结构包括旋转组件以及位于所述旋转组件旋转轴处的导向结构，所述导向结构具有相对的第一端和第二端，所述第一端与所述承载结构固定连接，所述第二端位于所述旋转组件下方，所述旋转组件与所述导向结构滑动连接。7.根据权利要求6所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述清理结构还包括第一限位件和第二限位件，所述第一限位件设于所述导向结构的所述第一端，所述第二限位件设于所述导向结构的所述第二端。8.根据权利要求6所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，所述旋转组件包括连接件以及设于所述连接件上的多个旋转件，所述连接件用于连接所述旋转件和所述导向结构，使得每个所述旋转件能够围绕所述导向结构旋转。9.根据权利要求8所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置，其特征在于，每个所述旋转件的延伸面与所述导向结构的延伸方向斜向相交。10.一种单晶炉，其特征在于，包括位于所述单晶炉内排气管道水冷区域处的清理装置，所述清理装置为权利要求1～9任一项所述的用于清除排气管道内氧化物的清理装置。
技术总结本申请公开了一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，涉及光伏技术领域，所述清理装置设置在排气管道内，所述排气管道内设有导气装置，所述清理装置设置在所述导气装置下方；所述清理装置包括：承载结构，所述承载结构安装在所述排气管道的管壁上；清理结构，所述清理结构与所述承载结构连接，用于通过扰动气流的方式分散所述氧化物，所述清理结构的直径小于所述排气管道的直径。用于利用气流来清除排气管道内的氧化物，保证单晶炉的正常运行。常运行。常运行。
技术研发人员：向鹏 欧子杨 李旭帆
受保护的技术使用者：四川晶科能源有限公司
技术研发日：2022.06.30
技术公布日：2022/11/1
