1.本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术：2.发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。
3.相关技术中，发光二极管的外延片通常包括衬底及在衬底上依次生长的n型gan层、多量子阱层、p型gan层及p型gan层上氮化镓材料的p型接触层。相关技术中，多量子阱层通常包括交替层叠的ingan阱层与gan垒层。
4.由于高掺si的n-gan中电子的漂移速率远大于p区空穴的漂移速率，在工作电压下n区电子的注入速率要优于p区空穴的注入，导致在多量子阱层复合发光的位置集中在偏p层的超晶格一侧，这在一定程度上限制了多量子阱层的出光效率，因为在传统的n层结构中algan会对较高低掺的gan层产生应力，增加极化场对后方前阱的影响。在外加电场的工作电压下，n区依然会出现明显的电子回流现象，也会影响宏观上载流子在有源区的有效复合，降低了材料的内量子效率，影响了发光器件本身的出光效率。
技术实现要素：5.本公开实施例提供了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，能够提高发光二极管的内量子效率以提高发光二极管的出光效率。所述技术方案如下：
6.本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片，所述提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型复合层、多量子阱层、p型gan层与p型接触层，所述n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于所述第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，所述掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度。
7.可选地，所述氮化铝镓层的厚度、所述掺硅氮化铝层的厚度与所述n型复合层的厚度的比值均为1:5～1:15，所述第一掺硅氮化镓层的厚度、所述第二掺硅氮化镓层的厚度与所述n型复合层的厚度的比值均为1:80～1:150。
8.可选地，所述氮化铝镓层、所述第一氮化镓层、所述第一掺硅氮化镓层、所述第二掺硅氮化镓层与所述掺硅氮化铝层的厚度均为1～3微米。
9.可选地，所述第一掺硅氮化镓层的厚度小于所述第二掺硅氮化镓层的厚度。
10.可选地，所述提高内量子效率的发光二极管外延片还包括aln成核层与gan填平层，所述aln成核层与所述gan填平层依次层叠且均位于所述衬底与所述n型复合层之间，所述衬底具有多个相互间隔的凹槽，所述aln成核层包括与所述凹槽一一对应的多个aln填充
层，每个所述aln填充层均位于一个所述凹槽内且所述aln填充层的高度低于所述凹槽的深度，所述gan填平层覆盖所述aln成核层的表面与所述衬底的表面。
11.可选地，所述aln成核层的高度为所述凹槽的深度之比为1:50～1:1000。
12.可选地，所述aln成核层的厚度为15～2000nm，所述gan填平层的厚度为1～5μm。
13.本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：
14.提供一衬底；
15.在所述衬底上依次生长n型复合层、多量子阱层、p型gan层与p型接触层，所述n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于所述第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，所述掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度。
16.可选地，所述第一掺硅氮化镓层在氢气与氨气的氛围环境下生长，且所述第一掺硅氮化镓层的氛围环境中所述氢气与所述氨气的体积比值为1.5:1～2:1。
17.可选地，所述n型复合层的生长转速为500～800rpm。
18.本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
19.发光二极管外延片中，n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，氮化铝镓层可阻挡靠近多量子阱层一侧的电子流向衬底或者n型复合层以下结构，避免电子回流。而掺硅氮化铝层可以起到避免电子回流的同时，由于掺杂有一定的硅元素，对电子的阻力不会太大，可以降低电子回流的同时起到一定的电流扩展作用，有利于提高发光二极管的发光效率的同时提高发光二极管的出光均匀度。第一氮化镓层可以起到良好的过渡作用，保证n型复合层的质量较好，也一定程度上可以阻断电子回流，降低电流击穿的可能。第一掺硅氮化镓层与第二掺硅氮化镓层可稳定提供电子，第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，可以保证靠近多量子阱层的部位的电子较为充足，促进电子向多量子阱层流动，同时n型复合层远离多量子阱层的一侧也存在一部分电子，可以使得电子更容易向几乎没有电子的多量子阱层流动，可以提高进入多量子阱层的电子的均匀度与数量，发光二极管的内量子效率可以得到提高，发光二极管的出光均匀度与出光效率可以得到提高。
附图说明
20.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图；
22.图2是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图；
23.图3是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法流程图；
24.图4是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
25.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
26.图1是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片，提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底1及依次层叠在衬底1上的n型复合层2、多量子阱层3、p型gan层4与p型接触层5，n型复合层2包括依次层叠的氮化铝镓层21、第一氮化镓层22、第一掺硅氮化镓层23、第二掺硅氮化镓层24、掺硅氮化铝层25，第一掺硅氮化镓层23中硅的掺杂浓度小于第二掺硅氮化镓层24中硅的掺杂浓度，掺硅氮化铝层25中硅的掺杂浓度低于第一掺硅氮化镓层23中硅的掺杂浓度。
27.发光二极管外延片中，n型复合层2包括依次层叠的氮化铝镓层21、第一氮化镓层22、第一掺硅氮化镓层23、第二掺硅氮化镓层24、掺硅氮化铝层25，氮化铝镓层21可阻挡靠近多量子阱层3一侧的电子流向衬底1或者n型复合层2以下结构，避免电子回流。而掺硅氮化铝层25可以起到避免电子回流的同时，由于掺杂有一定的硅元素，对电子的阻力不会太大，可以降低电子回流的同时起到一定的电流扩展作用，有利于提高发光二极管的发光效率的同时提高发光二极管的出光均匀度。第一氮化镓层22可以起到良好的过渡作用，保证n型复合层2的质量较好，也一定程度上可以阻断电子回流，降低电流击穿的可能。第一掺硅氮化镓层23与第二掺硅氮化镓层24可稳定提供电子，第一掺硅氮化镓层23中硅的掺杂浓度小于第二掺硅氮化镓层24中硅的掺杂浓度，掺硅氮化铝层25中硅的掺杂浓度低于第一掺硅氮化镓层23中硅的掺杂浓度，可以保证靠近多量子阱层3的部位的电子较为充足，促进电子向多量子阱层3流动，同时n型复合层2远离多量子阱层3的一侧也存在一部分电子，可以使得电子更容易向几乎没有电子的多量子阱层3流动，可以提高进入多量子阱层3的电子的均匀度与数量，发光二极管的内量子效率可以得到提高，发光二极管的出光均匀度与出光效率可以得到提高。
28.可选地，n型复合层2的厚度为1～3μm。
29.n型复合层2的厚度在以上范围内，可以保证得到的n型复合层2的质量较好同时也可以保证发光二极管的稳定发光。
30.可选地，氮化铝镓层21的厚度、掺硅氮化铝层25的厚度与n型复合层2的厚度的比值均为1:5～1:15，第一掺硅氮化镓层23的厚度、第二掺硅氮化镓层24的厚度与n型复合层2的厚度的比值均为1:80～1:150。
31.n型复合层2中所包括的各层的厚度与n型复合层2整体的厚度之比在以上范围内，可以保证n型复合层2可以稳定提供电子的同时，得到的n型复合层2的质量较好，可以保证发光二极管出光效率的有效提高。
32.示例性地，氮化铝镓层21、第一氮化镓层22、第一掺硅氮化镓层23、第二掺硅氮化
镓层24与掺硅氮化铝层25的厚度均为1～3微米。
33.n型复合层2中各层的厚度均在以上范围内，可以保证n型复合层2起到调节电子的作用的同时，有效降低n型复合层2可能存在的吸光问题，提高得到的发光二极管的出光效率。
34.可选地，第一掺硅氮化镓层23的厚度小于第二掺硅氮化镓层24的厚度。
35.第一掺硅氮化镓层23的厚度小于第二掺硅氮化镓层24的厚度，可以保证电子的稳定提供的同时不会过渡提高n型复合层2的制备成本。
36.可选地，第二掺硅氮化镓层24中硅的掺杂浓度为10
18
cm-3
～10
19
cm-3
，第一掺硅氮化镓层23中硅的掺杂浓度为10
17
cm-3
～10
18
cm-3
。可以保证n型复合层2的质量的同时保证n型复合层2所起到的调节电子浓度的作用。
37.示例性地，氮化铝镓层21中al的组分为0.5～0.8，掺硅氮化铝层中al的组分为0.1～0.2。
38.氮化铝镓层21与掺硅氮化铝层中al的组分的范围分别在以上范围内，可以有效提高最终得到的发光二极管的出光效率。
39.图2是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图，参考图2可知，本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片，提高内量子效率的发光二极管外延片包括依次层叠的aln成核层6、gan填平层、n型复合层2、多量子阱层3、algan电子阻挡层8、p型gan层4与p型接触层5。
40.需要说明的是，图2中所示的n型复合层2与图1中所示的n型复合层2的结构相同，此处不再赘述。
41.可选地，衬底1可为蓝宝石衬底1。易于制作与获取。
42.示例性地，提高内量子效率的发光二极管外延片还包括aln成核层6与gan填平层，aln成核层6与gan填平层依次层叠且均位于衬底1与n型复合层2之间，衬底1具有多个相互间隔的凹槽11，aln成核层6包括与凹槽11一一对应的多个aln填充层61，每个aln填充层61均位于一个凹槽11内且aln填充层61的高度低于凹槽11的深度，gan填平层覆盖aln成核层6的表面与衬底1的表面。
43.在衬底1与n型复合层2之间增加aln成核层6与gan填平层，可以缓解晶格失配，提高得到的n型复合层2以及多量子阱层3的质量。并且衬底1上存在多个凹槽11，aln成核层6包括与凹槽11一一对应的多个aln填充层61，aln填充层61的高度低于凹槽11的深度，aln填充层61可以为氮化镓材料的生长提供良好的生长基础。同时gan填平层的一部分可以位于凹槽11内，增加gan填平层与衬底1之间的连接强度，保证外延片的稳定使用。凹槽11的侧壁也可以一定程度上阻挡位错的延伸，可以有效提高在衬底1及gan填平层上生长的n型复合层2与多量子阱层3的晶体质量。
44.示例性地，aln成核层6的高度为凹槽11的深度之比为1:50～1:1000。
45.aln成核层6的高度与凹槽11的深度之比在以上范围内，可以提高得到的aln成核层6及gan填平层的质量以提高最终得到的n型复合层2及多量子阱层3的质量。
46.可选地，aln成核层6的厚度为15～2000nm，gan填平层的厚度为1～5μm。
47.aln成核层6的厚度与gan填平层的厚度在以上范围内，可以提高得到的aln成核层6及gan填平层的质量以提高最终得到的n型复合层2及多量子阱层3的质量。
48.可选地，多量子阱层3包括交替层叠的ingan阱层与gan垒层。可以保证发光二极管的稳定发光。
49.可选地，algan电子阻挡层8中al组分可为0.15～0.25。阻挡电子的效果较好。
50.可选地，p型gan层4可掺mg，p型gan层4的厚度可与图1中所示结构相同，此处不再赘述。
51.示例性地，p型接触层5的材料可为氮化镓材料，p型接触层5的厚度可为30～100nm。可以保证p型接触层5与电极之间形成良好的欧姆接触以提高最终得到的发光二极管的质量。
52.需要说明的是，图2中所示的外延片结构相对图1中所示的外延片结构，在衬底1与n型复合层2之间增加了aln成核层6与gan填平层，同时还增加了电子阻挡层8的结构。得到的外延片的质量及发光效率会更好。
53.图3是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法流程图，参考图3可知，本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法，制备方法包括：
54.s101：提供一衬底。
55.s102：在衬底上依次生长n型复合层、多量子阱层、p型gan层与p型接触层，n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度。
56.发光二极管外延片中，n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，氮化铝镓层可阻挡靠近多量子阱层一侧的电子流向衬底或者n型复合层以下结构，避免电子回流。而掺硅氮化铝层可以起到避免电子回流的同时，由于掺杂有一定的硅元素，对电子的阻力不会太大，可以降低电子回流的同时起到一定的电流扩展作用，有利于提高发光二极管的发光效率的同时提高发光二极管的出光均匀度。第一氮化镓层可以起到良好的过渡作用，保证n型复合层的质量较好，也一定程度上可以阻断电子回流，降低电流击穿的可能。第一掺硅氮化镓层与第二掺硅氮化镓层可稳定提供电子，第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，可以保证靠近多量子阱层的部位的电子较为充足，促进电子向多量子阱层流动，同时n型复合层远离多量子阱层的一侧也存在一部分电子，可以使得电子更容易向几乎没有电子的多量子阱层流动，可以提高进入多量子阱层的电子的均匀度与数量，发光二极管的内量子效率可以得到提高，发光二极管的出光均匀度与出光效率可以得到提高。
57.可选地，第一掺硅氮化镓层在氢气与氨气的氛围环境下生长，且第一掺硅氮化镓层的氛围环境中氢气与氨气的体积比值为1.5:1～2:1。
58.第一掺硅氮化镓层在氢气与氨气的氛围环境下生长，可以促进第一掺硅氮化镓层中硅的流动以及第一掺硅氮化镓层的均匀生长，以提高第一掺硅氮化镓层的晶体质量。
59.示例性地，n型复合层中除第一掺硅氮化镓层以外的其他层可在氢气与氨气的氛围环境下生长，且n型复合层中除第一掺硅氮化镓层意外的其他层的氛围环境中，氢气与氨气的体积比值可为1:1～3:2。可以保证n型复合层的晶体质量的同时有效降低n型复合层的
制备成本。
60.示例性地，n型复合层的生长温度与生长压力可分别为850～1200℃、100～300torr。
61.n型复合层的生长温度与生长压力分别在以上范围，可以提高得到的n型复合层的晶体质量的同时合理控制n型复合层的制备成本，同时也可以使得n型复合层内部的晶体的致密性较高，一定程度上可以减小电子的迁移速率，使得空穴相对电子有更多的时间移动至多量子阱层中，提高发光二极管的发光效率。
62.可选地，n型复合层的生长转速为500～800rpm。
63.n型复合层的生长转速在以上范围内，可以得到较为致密的n型复合层以一定程度上降低电子的迁移速率。
64.示例性地，氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层的生长转速可分别为500～800rpm、500～800rpm、500～800rpm、500～800rpm与500～800rpm。
65.n型复合层中各层的生长转速分别在以上范围内，可以保证n型复合层的质量较好，且主要用于提供电子的第一掺硅氮化镓层与第二掺硅氮化镓层的致密度以及晶体质量较好，可以提供充足电子的同时一定程度上降低电子的迁移速率。
66.图4是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法流程图，参考图4可知，该发光二极管外延片制备方法包括：
67.s201：提供一衬底，在衬底上制备出多个凹槽。
68.其中，衬底可为蓝宝石衬底。易于实现与制作。
69.需要说明的是，凹槽可通过光刻工艺得到。可以保证得到的凹槽的质量。
70.s202：在衬底上生长aln成核层。aln成核层包括与凹槽一一对应的多个aln填充层，每个aln填充层均位于一个凹槽内且aln填充层的高度低于凹槽的深度。
71.示例性地，aln层的沉积温度可为400～800℃，溅射功率可为3000～5000w，压力可为2～20mtorr。得到的aln层的质量较好。
72.s203：在aln成核层上生长gan填平层，gan填平层覆盖aln成核层的表面与衬底的表面。
73.示例性地，非掺杂gan层的生长温度可为1000～1100℃，生长压力控制在100～300torr。得到的非掺杂gan层的质量较好。
74.s204：在gan填平层上生长n型复合层。
75.步骤s204可参考图3中所示的步骤s102，因此此处不再赘述。
76.s205：在n型复合层上生长多量子阱层。
77.步骤s205中，多量子阱层包括交替层叠的ingan阱层与gan垒层，且通过交替向反应腔内通入不同的反应材料可得到交替层叠的ingan阱层与gan垒层。
78.s206：在多量子阱层上生长algan电子阻挡层。
79.algan电子阻挡层的生长温度可为800～1000℃，algan电子阻挡层的生长压力可为100～300torr。在此条件下生长得到的algan电子阻挡层的质量较好，有利于提高发光二极管的发光效率。
80.s207：在algan电子阻挡层上生长p型gan层。
81.可选地，p型gan层的生长压力可为200～600torr，p型gan层的生长温度可为800～1000℃。
82.s208：在p型gan层上生长p型接触层。
83.可选地，p型接触层的生长压力可为200～600torr，p型接触层的生长温度可为800～1000℃。
84.需要说明的是，在本公开实施例中，采用veecok465iorc4orrbmocvd(metalorganicchemicalvapordeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现发光二极管的生长方法。采用高纯h2(氢气)或高纯n2(氮气)或高纯h2和高纯n2的混合气体作为载气，高纯nh3作为n源，三甲基镓(tmga)及三乙基镓(tega)作为镓源，三甲基铟(tmin)作为铟源，硅烷(sih4)作为n型掺杂剂，三甲基铝(tmal)作为铝源，二茂镁(cp2mg)作为p型掺杂剂。
85.以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
技术特征：1.一种提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型复合层、多量子阱层、p型gan层与p型接触层，所述n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于所述第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，所述掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化铝镓层的厚度、所述掺硅氮化铝层的厚度与所述n型复合层的厚度的比值均为1:5～1:15，所述第一掺硅氮化镓层的厚度、所述第二掺硅氮化镓层的厚度与所述n型复合层的厚度的比值均为1:80～1:150。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化铝镓层、所述第一氮化镓层、所述第一掺硅氮化镓层、所述第二掺硅氮化镓层与所述掺硅氮化铝层的厚度均为1～3微米。4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一掺硅氮化镓层的厚度小于所述第二掺硅氮化镓层的厚度。5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述提高内量子效率的发光二极管外延片还包括aln成核层与gan填平层，所述aln成核层与所述gan填平层依次层叠且均位于所述衬底与所述n型复合层之间，所述衬底具有多个相互间隔的凹槽，所述aln成核层包括与所述凹槽一一对应的多个aln填充层，每个所述aln填充层均位于一个所述凹槽内且所述aln填充层的高度低于所述凹槽的深度，所述gan填平层覆盖所述aln成核层的表面与所述衬底的表面。6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述aln成核层的高度为所述凹槽的深度之比为1：50～1：1000。7.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述aln成核层的厚度为15～2000nm，所述gan填平层的厚度为1～5μm。8.一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长n型复合层、多量子阱层、p型gan层与p型接触层，所述n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于所述第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，所述掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺硅氮化镓层在氢气与氨气的氛围环境下生长，且所述第一掺硅氮化镓层的氛围环境中所述氢气与所述氨气的体积比值为1.5:1～2:1。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述n型复合层的生长转速为500～800rpm。
技术总结本公开公开了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。p型GaN层上的p型接触层包括依次层叠的第一铝镓氮层、第二铝镓氮层、第三铝铟镓氮层、第四铝铟镓氮层与第五铟镓氮层，厚度较大且存在几次势垒变化的p型接触层避免电流出现击穿的情况。降低二级管的工作电压，降低能耗。也可使载流子更均匀分布P电极区，大大降低因载流子分布不均匀导致的抗静电能力差，提高发光二极管发光器件的可靠性。而第一铝镓氮层、第二铝镓氮层、第三铝铟镓氮层、第四铝铟镓氮层与第五铟镓氮层中Mg的掺杂浓度依次上升，起到的降低电阻、降低工作电压并降低电流击穿概率的可能，提高发光二极管的可靠性。提高发光二极管的可靠性。提高发光二极管的可靠性。
技术研发人员：贾胜敏 陈张笑雄 李宁 葛永晖 陆香花 李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2022.05.06
技术公布日：2022/11/1
