1.本发明涉及显示面板领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术：2.近年来柔性折叠技术颇受关注，但同时也对柔性基板弯折性提出了更高的要求。
3.请参阅图1，图1为现有技术中柔性显示面板中包括的阵列基板的结构示意图，阵列基板包括基板层10和薄膜晶体管结构层20，基板层10包括基底110、第一隔离层120、第一衬底层130、第一阻隔层140、第二隔离层122、第二衬底层160、第二阻隔层170。薄膜晶体管结构层20包括缓冲层210、遮光层180、有源层220、栅极绝缘层230、栅极层240、层间介质层250、接触孔251、缓冲孔190、源漏极层260、钝化层270、布线层280、平坦层290、像素电极层310和像素定义层320，源漏极层260通过缓冲孔190连接至遮光层180。
4.面对日益复杂的产品设计和性能需求，常规的阵列基板设计无法有效分散弯折应力，难以满足柔性基板的要求；另外阵列基板工艺制程较为复杂，是导致其价格居高不下的原因，寻找方法节省制程成本则在充满竞争的面板行业显得尤为重要。
技术实现要素：5.本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中阵列基板无法有效分散弯折应力，以及阵列基板工艺复杂导致成本较高的问题。
6.为了解决上述技术问题，本发明的实施例公开了如下技术方案：
7.一方面，提供一种阵列基板，包括基板层和设置于所述基板层上的薄膜晶体管结构层；所述基板层包括第一衬底层；第一阻隔层，设于所述第一衬底层上；金属层，设于所述第一阻隔层上，所述金属层包括多个间隔设置的遮光块；第二衬底层，设于所述金属层上，且覆盖多个间隔设置的所述遮光块。
8.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述遮光块的剖面形状为方形或梯形或锥形。
9.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述遮光块的材料采用钛合金或钛钼合金或铁合金，所述遮光块的厚度小于3000埃。
10.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第二衬底层在所述遮光块之间的部分形成朝向所述第一衬底层的多个凸块。
11.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述遮光块对应薄膜晶体管器件设置，所述薄膜晶体管器件在所述第一衬底层上的投影落入所述遮光块在所述第一衬底层上的投影之中。
12.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述基板层还包括：基底；第一隔离层，设于所述基底上；其中，所述第一衬底层设于所述第一隔离层上。
13.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述第一阻隔层为无机绝缘层，其中，所述多个间隔设置的遮光块设于所述无机绝缘层上，所述多个凸块与所述无机
绝缘层接触。
14.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述基板层还包括第二阻隔层，设于所述第二衬底层上；其中，所述第二阻隔层包括：第一氧化硅层，设于所述第二衬底层上；氮化硅层，设于所述第一氧化硅层上；第二氧化硅层，设于所述氮化硅层；其中所述薄膜晶体管结构层设于所述第二氧化硅层上。
15.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述薄膜晶体管结构层包括：有源层，设于所述基板层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；层间介质层，设于所述栅极层上；接触孔，所述接触孔从所述层间介质层远离所述基板层的一面延伸至所述有源层远离所述基板层的表面；源漏极层，设于所述层间介质层上，所述源漏极层通过所述接触孔连接至所述有源层形成所述薄膜晶体管器件。
16.另一方面，提供一种制备方法，用于制备本发明涉及的阵列基板，所述制备方法包括以下步骤：制备基板层；制备薄膜晶体管结构层于所述基板层上；所述制备所述基板层的步骤具体包括以下步骤：制备第一衬底层；制备第一阻隔层于所述第一衬底层上；制备金属层于所述第一阻隔层上，图案化所述金属层形成多个间隔设置的遮光块；制备第二衬底层于所述金属层上，且所述第二衬底层覆盖多个间隔设置的所述遮光块。
17.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：本技术通过在第一阻隔层上设置金属层，并且图案化为遮光块，能够起到遮光效果；同时，间隔设置的遮光块能够提高表面粗糙度，增大了第一阻隔层对第二衬底层的附着力，使得第二衬底层不易脱落或开裂；第二衬底层向下凸起形成的多个凸块可以分散弯折应力，改善阵列基板的柔韧性。
18.并且，遮光块可以代替现有技术中的遮光层，因此可以取消制备遮光层的步骤，节省遮光层的成本，进而也无需制备缓冲孔，节省了制备缓冲孔的光罩，进一步节省了成本。
附图说明
19.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
20.图1为现有技术中提供的阵列基板的结构示意图；
21.图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
22.图3为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；
23.图4为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤14的结构示意图；
24.图5为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤15的结构示意图；
25.图6为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤16的结构示意图；
26.图7为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤17的结构示意图；
27.图8为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤21的结构示意图；
28.图9为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤22的结构示意图；
29.图10为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤23的结构示意图；
30.图11为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的步骤24的结构示意图。
31.附图标记：
32.阵列基板-100；
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基板层-10；
33.薄膜晶体管结构层-20；
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基底-110；
34.第一隔离层-120；
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第一衬底层-130；
35.第一阻隔层-140；
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金属层-150；
36.遮光块-151；
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第二衬底层-160；
37.第二阻隔层-170；
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第一氧化硅层-171；
38.氮化硅层-172；
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第二氧化硅层-173；
39.缓冲层-210；
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有源层-220；
40.栅极绝缘层-230；
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栅极层-240；
41.层间介质层-250；
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源漏极层-260；
42.接触孔-251；
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布线层-270；
43.钝化层-280；
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平坦层-290；
44.像素电极层-310；
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像素定义层-320；
45.遮光层-180；
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缓冲孔-190；
46.第二隔离层-122。
具体实施方式
47.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
48.请参阅图2，图2为本实施例提供的一种阵列基板100的结构示意图，阵列基板100包括基板层10和薄膜晶体管结构层20。
49.基板层10包括基底110、第一隔离层120、第一衬底层130、第一阻隔层140、金属层150、第二衬底层160和第二阻隔层170。
50.基底110是用于承载该阵列结构的基体构件。阵列基板100制备过程就是采用基底110作为支撑，后续将基板膜层与基底110剥离。在本实施例中，基底110可以采用玻璃。
51.第一隔离层120设于基底110上，第一隔离层120可以采用α-si。一方面，第一隔离层120可以提高表面粗糙度，有利于第一衬底层130的附着，另一方面，可采用激光剥离技术使得α-si气化，便于第一衬底层130与基底110分离。
52.第一衬底层130设于第一隔离层120上，第一衬底层130可以采用有机材料制作。有机材料可以是聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的任一种或多种组合。
53.第一阻隔层140设于第一衬底层130上。第一阻隔层140可以采用无机材料制作。例如，氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆和氧化锌中的一种或多种组合。第一阻隔层140的厚度介于5微米至10微米之间。第一阻隔层140可以用于阻隔水氧，防止阵列基板100中的薄膜晶体管器件失效。
54.金属层150设于第一阻隔层140上，金属层150包括多个间隔设置的遮光块151。第一阻隔层140为无机绝缘层，多个间隔设置的遮光块151设于无机绝缘层上。通过在第一阻
隔层140上设置金属层150，并且图案化为遮光块151，能够起到遮光效果；并且，当施加弯折力时，应力主要施加在遮光块151之间，可有效减少弯折对阵列基板上的薄膜晶体管器件和发光器件的损伤，改善产品性能。
55.遮光块151的剖面形状可以为方形、梯形或锥形。不同的形状可以根据制程精度进行调整。遮光块151之间的间距也可以不同，本技术实施例对此不作限制。遮光块151的材料采用钛合金或钛钼合金或铁合金。遮光块151的厚度小于3000埃。
56.第二衬底层160设于金属层150上，且覆盖遮光块151。第二衬底层160在遮光块151之间的部分形成朝向第一衬底层130的多个凸块，多个凸块与无机绝缘层接触。间隔设置的遮光块151能够提高表面粗糙度，增大了第一阻隔层140对第二衬底层160的附着力，使得第二衬底层160不易脱落或开裂。第二衬底层160向下凸起形成的多个凸块可以分散弯折应力，改善阵列基板的柔韧性。
57.第二衬底层160可以采用有机材料制作。有机材料可以是聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的任一种或多种组合。制作第一衬底层130和第二衬底层160的原因是，两层有机层作为衬底可以改善良率。另外，一层有机衬底上的颗粒、灰尘等杂质较多，制作两层有机衬底可减轻颗粒、灰尘等杂质的问题。
58.在其他实施例中，第一衬底层130以及第二衬底层160之间还可以设有无机绝缘层(图未示)，其中，多个间隔设置的遮光块151设于无机绝缘层上，多个凸块与无机绝缘层接触。
59.第二阻隔层170设于第二衬底层160上，第二阻隔层170包括第一氧化硅层171、氮化硅层172和第二氧化硅层173。第一氧化硅层171设于第二衬底层160上；氮化硅层172设于第一氧化硅层171上；第二氧化硅层173设于氮化硅层172。
60.薄膜晶体管结构层20包括缓冲层210、有源层220、栅极绝缘层230、栅极层240、层间介质层250、源漏极层260、布线层280、钝化层270、平坦层290、接触孔251、像素电极层310和像素定义层320。
61.缓冲层210设于基板层10上。缓冲层210用于在遮光层180上起到阻隔水氧的作用。在本实施例中，第二阻隔层170已经采取阻隔水氧的材料制作而成，故可以不设置缓冲层210，进而节省成本及简化制作工艺。
62.有源层220设于缓冲层210上；栅极绝缘层230设于有源层220上，栅极绝缘层230包括诸如氧化硅、氮化硅的无机层，并且可以包括单层或多个层。栅极层240设于栅极绝缘层230上；层间介质层250设于栅极层240上，层间介质层250可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以包括从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中选择的至少一种。有机材料可以包括从丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中选择的至少一种。
63.源漏极层260设于层间介质层250上，源漏极层260的材料可以为银、钼、铝、铜中的任意一种或多种。接触孔251从层间介质层250远离基板层10的一面延伸至有源层220远离基板层10的表面，源漏极层260通过接触孔251连接至有源层220形成薄膜晶体管器件。遮光块151对应薄膜晶体管器件设置，薄膜晶体管器件在第一衬底层130上的投影落入遮光块151在第一衬底层130上的投影之中。遮光块151用于对薄膜晶体管器件遮挡来自阵列基板
底部的环境光。
64.钝化层270设于源漏极层260，布线层280设于钝化层270上，平坦层290设于布线层280上，平坦层290可以包括亚克力、聚酰亚胺(pi)或苯并环丁烯(bcb)等的有机材料，平坦层290具有平坦化作用。
65.像素电极层310设于平坦层290上，像素定义层320设于像素电极层310上。像素电极层310以及像素定义层320的设置为本领域技术人员所熟知的技术手段，在此不做过多赘述。
66.本发明实施例还提供一种制备方法，用于制备本发明涉及的阵列基板100，请参阅图3，图3为阵列基板100的制备方法的流程图，制备方法包括步骤1-步骤2。
67.步骤1：制备基板层10。
68.请参阅图3，图3为制备方法步骤1的结构示意图。
69.具体地，步骤1包括步骤11-步骤17：
70.步骤11：提供一基底110。
71.基底110是用于承载该阵列结构的基体构件。阵列基板100制备过程就是采用基底110作为支撑，后续将基板膜层与基底110剥离。在本实施例中，基底110可以采用玻璃。
72.步骤12：制备第一隔离层120于基底110上。
73.第一隔离层120可以采用α-si，一方面，第一隔离层120可以提高表面粗糙度，有利于第一衬底层130的附着，另一方面，可采用激光剥离技术使得α-si气化，便于第一衬底层130与基底110分离。
74.步骤13：制备第一衬底层130于第一隔离层120上。
75.第一衬底层130可以采用有机材料制作。有机材料可以是聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的任一种或多种组合。
76.步骤14：制备第一阻隔层140于第一衬底层130上。
77.请参阅图4，图4为制备方法的步骤14的结构示意图。
78.具体的，在第一衬底层130上沉积第一阻隔层140。第一阻隔层140的厚度介于5微米至10微米之间。第一阻隔层140可以采用无机材料制作。例如，氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆和氧化锌中的一种或多种组合。第一阻隔层140的厚度介于5微米至10微米之间。第一阻隔层140可以用于阻隔水氧，防止阵列基板100中的薄膜晶体管器件失效。
79.步骤15：制备金属层150于第一阻隔层140上，图案化金属层150形成多个间隔设置的遮光块151。
80.请参阅图5，图5为制备方法的步骤15的结构示意图。
81.具体地，通过黄光工艺使得金属层150图案化，遮光块151的剖面形状可以为方形、梯形或锥形。不同的形状可以根据制程精度进行调整。遮光块151之间的间距也可以不同，本技术实施例对此不作限制。遮光块151的材料采用钛合金或钛钼合金或铁合金。遮光块151的厚度小于3000埃。
82.遮光块151可以代替现有技术中的遮光层180，因此可以取消制备遮光层180的步骤，节省遮光层180的成本，进而也无需制备缓冲孔190，节省了制备缓冲孔190的光罩，进一步节省了成本。
83.步骤16：制备第二衬底层160于金属层150上，且第二衬底层160覆盖遮光块151。
84.请参阅图6，图6为制备方法的步骤16的结构示意图。
85.具体地，在金属层150上涂布第二衬底层160，第二衬底层160在遮光块151之间的部分向下凸起形成多个凸块。间隔设置的遮光块151能够提高表面粗糙度，增大了第一阻隔层140对第二衬底层160的附着力，使得第二衬底层160不易脱落或开裂。第二衬底层160向下凸起形成的多个凸块可以分散弯折应力，改善阵列基板的柔韧性。
86.步骤17：制备第二阻隔层170于第二衬底层160上。
87.请参阅图7，图7为制备方法的步骤17的结构示意图。
88.具体的，在第二衬底层160上沉积第二阻隔层170，第二阻隔层170包括多层膜，具体步骤包括：制备第一氧化硅层171于第二衬底层160上；制备氮化硅层172于第一氧化硅层171上；制备第二氧化硅层173于氮化硅层172。
89.步骤2：制备薄膜晶体管结构层20于基板层10上。
90.具体地，步骤2包括步骤21-步骤24。
91.步骤21：制备缓冲层210于基板层10上。
92.请参阅图8，图8为制备方法的步骤21的结构示意图。
93.具体地，在第二阻隔层170上沉积缓冲层210，缓冲层210的材料采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，缓冲层210的厚度可以1000埃至5000埃之间。。
94.缓冲层210用于在遮光层180上起到阻隔水氧的作用。在本实施例中，第二阻隔层170已经采取阻隔水氧的材料制作而成，故可以不设置缓冲层210，进而节省成本及简化制作工艺。
95.步骤22：制备有源层220设于缓冲层210上，制备栅极绝缘层230于有源层220上，制备栅极层240于栅极绝缘层230上。
96.请参阅图9，图9为制备方法的步骤22的结构示意图。
97.具体地，在缓冲层210上沉积有源层220，有有源层220的材料可以为铟镓锌氧化物(igzo)、铟锌锡氧化物(izto)、铟镓锌锡氧化物(igzto)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟铝锌氧化物(iazo)、铟镓锡氧化物(igto)或锑锡氧化物(ato)中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性，并且厚度较小，不会影响显示面板的整体厚度。同时，还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。有源层220的厚度介于100埃至1000埃之间。
98.在有源层220上沉积栅极绝缘层230，栅极绝缘层230的材料采用氧化硅或氮化硅的无机层，并且可以包括单层或多个层。栅极绝缘层230的厚度介于1000埃至3000埃之间。
99.在栅极绝缘层230上沉积栅极层240，栅极层240可以是单层钼、单层铝、单层铜或单层钛，也可以是钼/铝/钼的叠层、铝/钼的叠层、铝/铜的叠层或钼钛合金/铜的叠层。栅极层240的厚度介于500埃至10000埃之间。
100.采用等离子体对有源层220上方没有覆盖栅极绝缘层230的部分进行处理，形成n+导体区域，用于后续与源漏极相接，被栅极绝缘层230覆盖的部分不做处理，作为薄膜晶体管器件的沟道。
101.步骤23：制备层间介质层250于栅极层240上，制备接触孔251，制备源漏极层260于层间介质层250上。
102.请参阅图10，图10为制备方法的步骤23的结构示意图。具体地，在栅极层240上沉
积层间介质层250作为介电层，层间介质层250可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以包括从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中选择的至少一种。有机材料可以包括从丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中选择的至少一种。沉积的层间绝缘层的厚度介于3000埃至10000埃。
103.源漏极层260的材料可以为银、钼、铝、铜中的任意一种或多种。源漏极层260的厚度介于2000埃至10000埃之间。
104.接触孔251从层间介质层250远离基板层10的一面延伸至有源层220远离基板层10的表面，源漏极层260通过接触孔251连接至有源层220形成薄膜晶体管器件。遮光块151对应薄膜晶体管器件设置，薄膜晶体管器件在第一衬底层130上的投影落入遮光块151在第一衬底层130上的投影之中。遮光块151用于对薄膜晶体管器件遮挡来自阵列基板底部的环境光。
105.步骤24：制备钝化层270于源漏极层260，制备布线层280于钝化层270上，制备平坦层290于布线层280上，制备像素电极层310于平坦层290上，制备像素定义层320于像素电极层310上。
106.请参阅图11，图11为制备方法的步骤24的结构示意图。
107.具体地，在源漏极层260上沉积钝化层270，钝化层270的材料采用氧化硅，厚度范围为1000-5000埃。
108.布线层280的厚度范围为500-1000埃。
109.平坦层290可以包括亚克力、聚酰亚胺(pi)或苯并环丁烯(bcb)等的有机材料，平坦层290具有平坦化作用。平坦层290的厚度范围为1000-40000埃。
110.在平坦层290上沉积像素电极层310，像素电极层310采用高反射率的金属材料的叠层，例如，ito/银(ag)/ito的叠层、izo/ag/izo的叠层、ito/铝(al)/ito的叠层或者izo/al/izo的叠层。像素电极层310还与源漏极层260相接。
111.像素定义层320可以是不同成分的光阻层。像素定义层320的厚度介于10000埃至20000埃之间。
112.本技术实施例对阵列基板100的制作进行了示例性描述，可以理解的是，阵列基板100中还可以包括其他装置。其他装置及其装配为本领域技术人员所熟知的技术手段，在此不再赘述。
113.以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
技术特征：1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板层和设置于所述基板层上的薄膜晶体管结构层；所述基板层包括第一衬底层；第一阻隔层，设于所述第一衬底层上；金属层，设于所述第一阻隔层上，所述金属层包括多个间隔设置的遮光块；第二衬底层，设于所述金属层上，且覆盖多个间隔设置的所述遮光块。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二衬底层在所述遮光块之间的部分形成朝向所述第一衬底层的多个凸块。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光块对应薄膜晶体管器件设置，所述薄膜晶体管器件在所述第一衬底上的投影落入所述遮光块在所述第一衬底层上的投影之中。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光块的剖面形状为方形或梯形或锥形。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光块的材料采用钛合金或钛钼合金或铁合金，所述遮光块的厚度小于3000埃。6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻隔层为无机绝缘层，其中，所述多个间隔设置的遮光块设于所述无机绝缘层上，所述多个凸块与所述无机绝缘层接触。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板层还包括：基底；第一隔离层，设于所述基底上；其中，所述第一衬底层设于所述第一隔离层上。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述基板层还包括第二阻隔层，设于所述第二衬底层上；其中，所述第二阻隔层包括：第一氧化硅层，设于所述第二衬底层上；氮化硅层，设于所述第一氧化硅层上；第二氧化硅层，设于所述氮化硅层；其中所述薄膜晶体管结构层设于所述第二氧化硅层上。9.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括：有源层，设于所述基板层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；层间介质层，设于所述栅极层上；接触孔，所述接触孔从所述层间介质层远离所述基板层的一面延伸至所述有源层远离所述基板层的表面；源漏极层，设于所述层间介质层上，所述源漏极层通过所述接触孔连接至所述有源层形成所述薄膜晶体管器件。10.一种用于制备如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：制备基板层；
制备薄膜晶体管结构层于所述基板层上；所述制备所述基板层的步骤具体包括以下步骤：制备第一衬底层；制备第一阻隔层于所述第一衬底层上；制备金属层于所述第一阻隔层上，图案化所述金属层形成多个间隔设置的遮光块；制备第二衬底层于所述金属层上，且所述第二衬底层覆盖多个间隔设置的所述遮光块。
技术总结本发明的实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括基板层和设置于所述基板层上的薄膜晶体管结构层；所述基板层包括第一衬底层；第一阻隔层，设于所述第一衬底层上；金属层，设于所述第一阻隔层上，所述金属层包括多个间隔设置的遮光块；第二衬底层，设于所述金属层上，且覆盖多个间隔设置的所述遮光块。本申请通过在第一阻隔层上设置金属层，并且图案化为遮光块，一方面能够起到遮光效果；同时，间隔设置的遮光块能够提高表面粗糙度，增大了第一阻隔层对第二衬底层的附着力，使得第二衬底层不易脱落或开裂；第二衬底层向下凸起形成的多个凸块可以分散弯折应力，改善阵列基板的柔韧性。阵列基板的柔韧性。阵列基板的柔韧性。
技术研发人员：胡靖源 武凡靖
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.07
技术公布日：2022/11/1
