1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动背板、驱动背板的制作方法以及显示面板。
背景技术：2.在显示面板技术领域中，薄膜晶体管(thin film transistor，tft)器件应用于液晶显示面板、有机发光二极管显示面板、迷你发光二极管显示面板、微型发光二极管显示面板中，主要用于控制和驱动像素发光，是本领域的重要电子器件。
3.但是，不同功能的tft器件尺寸差异较大，例如设置在栅极驱动电路中的tft器件中，非半导体层对应的区域氢氧扩散更加容易，在热制程中容易达到平衡；而半导体层对应的区域氢氧扩散较慢，不容易达到平衡。而氢氧扩散不平衡易造成不同尺寸的tft器件的电性差异，从而影响tft器件的稳定性，对显示面板的稳定性产生影响。
技术实现要素：4.本技术提供一种驱动背板、驱动背板的制作方法以及显示面板，可以降低半导体层对应区域的氢氧扩散难度，提高tft器件的稳定性，减小不同尺寸的tft器件的电性差异。
5.第一方面，本技术提供一种驱动背板，包括：
6.一衬底；
7.一缓冲层，所述缓冲层设于所述衬底上；
8.一薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述缓冲层远离所述衬底的一面；所述薄膜晶体管层包括一半导体层，所述半导体层包括沟道区以及非沟道区，其中，所述非沟道区设有至少一个通孔。
9.在本技术提供的驱动背板中，所述非沟道区包括第一非沟道区以及第二非沟道区，所述沟道区设于所述第一非沟道区和所述第二非沟道区之间，其中，所述第一非沟道区和/或所述第二非沟道区设有至少一个所述通孔。
10.在本技术提供的驱动背板中，所述薄膜晶体管层还包括源漏极层，所述源漏极层设于所述半导体层远离所述衬底的一面，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极与所述第一非沟道区连接，所述漏极与所述第二非沟道区连接。
11.在本技术提供的驱动背板中，所述第一非沟道区包括源极接触区以及围绕所述源极接触区的非源极接触区，所述源极与所述源极接触区连接，所述通孔设于所述非源极接触区。
12.在本技术提供的驱动背板中，所述第二非沟道区包括漏极接触区以及围绕所述漏极接触区的非漏极接触区，所述漏极与所述漏极接触区连接；所述通孔设于所述非漏极接触区。
13.在本技术提供的驱动背板中，至少一个所述通孔自所述半导体层远离所述衬底的一面贯穿至部分所述缓冲层。
14.在本技术提供的驱动背板中，所述薄膜晶体管层还包括栅极绝缘层以及栅极层；
15.所述栅极绝缘层设于所述半导体层远离所述衬底的一面，所述栅极层设于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一面，并且，所述栅极绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重叠，所述栅极层在所述衬底上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底上的正投影重叠。
16.在本技术提供的驱动背板中，所述薄膜晶体管层还包括层间介质层；
17.所述层间介质层设于所述栅极层远离所述衬底的一面，且所述层间介质层覆盖所述半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅极层以及所述通孔。
18.第二方面，本技术还提供一种驱动背板的制作方法，包括：
19.提供一衬底；
20.在所述衬底上形成缓冲层；
21.在所述缓冲层远离所述衬底的一面形成薄膜晶体管层；
22.其中，所述在所述缓冲层远离所述衬底的一面形成薄膜晶体管层的步骤包括：
23.在所述缓冲层远离所述衬底的一面形成半导体层，所述半导体层包括沟道区以及非沟道区，并在所述非沟道区形成至少一个通孔。
24.第三方面，本技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括前述任一种驱动背板。
25.本技术提供的驱动背板、驱动背板的制作方法以及显示面板，通过在半导体层的非沟道区设置至少一个通孔，从而降低缓冲层和薄膜晶体管层之间的氢氧扩散难度，提高tft器件的稳定性，减小不同尺寸的tft器件的电性差异，进而提升驱动背板的稳定性，实现更低能耗。
附图说明
26.图1为本技术实施例提供的驱动背板的第一种剖面结构示意图；
27.图2为图1所示的驱动背板的半导体层的第一种平面结构示意图；
28.图3为图1所示的驱动背板的半导体层的第二种平面结构示意图；
29.图4为图1所示的驱动背板的半导体层的第三种平面结构示意图；
30.图5为本技术实施例提供的驱动背板的第二种剖面结构示意图；
31.图6为本技术实施例提供的驱动背板的第三种剖面结构示意图；
32.图7为本技术实施例提供的驱动背板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
33.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
34.此外，本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。由于本技术采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。
35.请参阅图1以及图2，图1为本技术实施例提供的驱动背板的第一种剖面结构示意图，图2为图1所示的驱动背板的半导体层的第一种平面结构示意图。其中，图2示出的a-a方向，为图1示出的剖面结构。如图1以及图2所示，本技术实施例提供的驱动背板100包括衬底10、缓冲层20、薄膜晶体管层30。其中，缓冲层20设于衬底10上，薄膜晶体管层30设于缓冲层20远离衬底10的一面。其中，薄膜晶体管层30中包括半导体层31。
36.其中，半导体层31包括沟道区311以及非沟道区312。并且，非沟道区312设有至少一个通孔302。基于在非沟道区312设置至少一个通孔302，可降低位于半导体层31靠近衬底10一面的绝缘材料层与位于半导体层31远离衬底10一面的绝缘材料层之间的氢氧扩散难度。
37.就图1以及图2示出的结构而言，基于在非沟道区312设置至少一个通孔302，从而具有绝缘性质的部分缓冲层20通过通孔302露出，以便于部分缓冲层20与薄膜晶体管层30中的绝缘材料层接触，降低半导体层31的设置而产生的氢氧扩散难度。
38.在本实施例提供的驱动背板100中，由于半导体层31氢氧扩散难度降低，从而tft器件301的稳定性得到提升，有利于减小不同尺寸的tft器件301之间的电性差异，进而提高驱动背板100的稳定性能，实现更低能耗的驱动背板100。
39.值得一提的是，本技术实施例提供的驱动背板100可以作为液晶显示装置的驱动背板，也可以作为有机发光二极管显示面板的驱动背板、迷你发光二极管显示面板的驱动背板以及微型发光二极管显示面板的驱动背板。
40.需要注意的是，在本技术提供的实施例中，薄膜晶体管层30包括多个tft器件301，图1为方便说明而仅示出一个tft器件301。
41.在本技术提供的实施例中，衬底10可为刚性衬底或者柔性衬底。当使用刚性衬底作为衬底10时，衬底10为玻璃材料。当使用柔性衬底作为衬底10时，衬底10可为聚酰亚胺(pi)等材料。衬底10的具体材质可以根据实际设计需求进行调整，此处不做限制。
42.在本技术提供的实施例中，缓冲层20可以采用有机树脂、氧化硅(siox)、氧氮化硅(sinxoy)或者氮化硅(sinx)中的一种或者几种绝缘材料形成。其中，缓冲层20可以由单层或多层材料形成，以阻挡从衬底10渗透的水氧分子。缓冲层20的厚度可为大于或等于1000埃且小于或等于5000埃。
43.在本技术提供的实施例中，半导体层31可由铟(in)、镓(ga)、锌(zn)和氧(o)制成的igzo(ingazno)形成，但不限于此。半导体层31可包括其他氧化物半导体材料，例如，izo(inzno)类、igo(ingao)类、ito(insno)类、igzo(ingazno)类、igzto(ingaznsno)类、itzo(insnzno)类、igto(ingasno)类、go(gao)类、gzto(gaznsno)类、zto(znsno)类和gzo(gazno)类氧化物半导体材料中的至少之一。在一些实施例中，半导体层31可由单层结构形成，但在另一些实施例中，半导体层31也可由多层结构形成。半导体层31的厚度可为大于或等于100埃其小于或等于1000埃。
44.请继续参阅图1，在本技术提供的驱动背板100中，薄膜晶体管层30还包括栅极绝缘层32以及栅极层33。
45.其中，栅极绝缘层32设于半导体层31远离衬底10的一面。并且，栅极绝缘层32在衬底10上的正投影与沟道区311在衬底10上的正投影重叠；栅极层33设于栅极绝缘层32远离衬底10的一面，并且，栅极层33在衬底10上的正投影与栅极绝缘层32在衬底10上的正投影
重叠。
46.在本技术提供的实施例中，通过将栅极绝缘层32设置为栅极绝缘层32在衬底10上的正投影覆盖非沟道区311在衬底10上的正投影以及将栅极层33设置为栅极绝缘层32在衬底10上的正投影覆盖栅极层33在衬底10上的正投影，从而使栅极层33、栅极绝缘层32以及沟道区311在图1示出剖视图中形成类似于岛状的梯形结构。以便于制成具有顶栅结构的tft器件301。
47.并且，基于栅极层33、栅极绝缘层32以及沟道区311形成类似于岛状的梯形结构，栅极绝缘层32能够充分将栅极层33与半导体层31隔开，实现栅极层33与半导体层31之间的绝缘，避免栅极层33与半导体层31直接接触而导致驱动背板100无法正常工作。
48.在本技术提供的实施例中，栅极绝缘层32可由氧化硅(siox)、氧化铝(al2o3)、氧氮化硅(sinxoy)或者氮化硅(sinx)中的一种或者几种绝缘材料形成。其中，栅极绝缘层32可以由单层或多层材料形成，栅极绝缘层32的厚度大于或等于1000埃且小于或等于3000埃。
49.在本技术提供的实施例中，栅极层33的材料主要包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)、钽(ta)、铬(cr)、钕(nd)和金属合金中的一种或多种，其厚度大于或等于2000埃且小于或等于8000埃。在实际应用过程中，通过改变栅极层33端电压的大小，控制整个tft器件301是否导通。其中，栅极层33可由单层或者多层材料形成，栅极层33的厚度大于或等于2000埃且小于或等于8000埃。
50.请继续参阅图1，在本技术提供的驱动背板100中，薄膜晶体管层30还包括层间介质层34。层间介质层34设于栅极层33远离衬底10的一面，且层间介质层34覆盖半导体层31、栅极绝缘层32、栅极层33以及通孔302。
51.层间介质层34作为绝缘材料层，可由氧化硅(siox)、氧化铝(al2o3)或者氮化硅(sinx)等中的一种或者几种材料形成。其中，层间介质层34可以由单层或多层材料形成，层间介质层34的厚度大于或等于1000埃且小于或等于3000埃。
52.具体的，层间介质层34中还包括第一接触孔341以及第二接触孔342，以使部分非沟道区312从第一接触孔341以及第二接触孔342露出。
53.值得一提的是，通孔302所在的区域与第一接触孔341所在的区域不重叠，通孔302所在的区域与第二接触孔342所在的区域不重叠。
54.请继续参阅图1以及图2。如图1以及图2所示，在本技术提供的驱动背板100中，半导体层31的非沟道区312包括第一非沟道区3121以及第二非沟道区3122。并且，沟道区311设于第一非沟道区3121和第二非沟道区3122之间，也即第一非沟道区3121和第二非沟道区3122设于沟道区311的相对两侧。从而在第一非沟道区3121和/或第二非沟道区3122设有至少一个通孔302。
55.具体而言，在本技术提供的一些实施例中，第一非沟道区3121设有至少一个通孔302，第二非沟道区3122不设有通孔302。在本技术提供的一些实施例中，第一非沟道区3121不设有通孔302，第二非沟道区3122设有至少一个通孔302。在一些实施例中，第一非沟道区3121和第二非沟道区3122都设有至少一个通孔302。
56.在本技术提供的一些实施例中，至少一个通孔302在衬底10上正投影的形状可以为矩形、圆形或者其它多边形中的一种或多种图形。
57.在本技术提供的一些实施例中，第一非沟道区3121内通孔302的数量可以与第二
非沟道区3122内通孔302的数量相等；当然，在本技术的另一些实施例中，第一非沟道区3121内通孔302的数量可以与第二非沟道区3122内通孔302的数量不等。
58.在本技术提供的一些实施例中，第一非沟道区3121内的多个通孔302可呈阵列排布，第二非沟道区3122内的多个通孔302也可呈阵列排布。在本技术提供的一些实施例中，第一非沟道区3121内的通孔302可与第二非沟道区3122内的通孔302沿沟道区311呈对称排布。
59.在本技术提供的一些实施例中，第一非沟道区3121内的多个通孔302的尺寸可以相同也可以不同。在本技术提供的一些实施例中，第二非沟道区3122内的多个通孔302的尺寸可以相同也可以不同。
60.请继续参阅图1以及图2。在本技术提供的驱动背板100中，薄膜晶体管层30还包括源漏极层35。源漏极层35设于半导体层31远离衬底10的一面。具体而言，源漏极层35设于层间介质层34远离衬底10的一面。源漏极层35包括源极351以及漏极352，源极351经第一接触孔341与第一非沟道区3121连接，漏极352经第二接触孔342与第二非沟道区3122连接。在实际应用过程中，通过改变栅极层33端电压的大小，能够控制源极351和漏极352是否导通，从而控制整个tft器件301是否导通。
61.在本技术提供的实施例中，源漏极层35的材料主要包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)、锰(mn)和金属合金中的一种或多种，源漏极层35的厚度大于或等于2000埃且小于或等于10000埃。
62.在本技术提供的一些实施例中，请参阅图3以及图1，图3为图1所示的驱动背板的半导体层的第二种平面结构示意图。如图3以及图1所示，第一非沟道区3121包括源极接触区3101以及围绕源极接触区3101的非源极接触区3102。从而源极351与源极接触区3101连接，通孔302设于非源极接触区3102内。
63.故本实施例提供的驱动背板100，通过将通孔302设于非源极接触区3102内，避免源极351与第一非沟道区3121连接的区域同设置通孔302的区域重叠，以避免通孔302内填充源极351材料而增加缓冲层20与层间介质层34之间的氢氧扩散难度。
64.在一个具体的实施例中，请参阅图4以及图1，图4为图1所示的驱动背板的半导体层的第三种平面结构示意图。如图4所示，第二非沟道区3122包括漏极接触区3201以及围绕漏极接触区3201的非漏极接触区3202。从而漏极352与漏极接触区3201连接，通孔302设于非漏极接触区3202内。
65.故本实施例提供的驱动背板100，通过将通孔302设于非漏极接触区3202内，避免漏极352与第二非沟道区3122连接的区域同设置通孔302的区域重叠，以避免通孔302内填充漏极352材料而增加缓冲层20与层间介质层34之间的氢氧扩散难度。
66.请参阅图5，图5为本技术实施例提供的驱动背板的第二种剖面结构示意图。如图5所示，本实施例与前述实施例的区别在于：在本实施提供的驱动背板100中，至少一个通孔302自半导体层31远离衬底10的一面贯穿至部分缓冲层20。
67.这样设置的目的在于，通过增加通孔302的深度以增大介于半导体层31两侧的绝缘材料层之间的接触面积，从而进一步促进绝缘材料层之间的氢氧扩散。也即通过增加通孔302的深度以增大缓冲层20与层间介质层34之间的接触面积，从而进一步促进缓冲层20与层间介质层34之间氢氧扩散。
68.在本技术提供的一些实施例中，请参阅图6，图6为本技术实施例提供的驱动背板的第三种剖面结构示意图。如图6所示，本实施例与前述实施例的区别在于：在本实施例提供的驱动背板100中，至少一个通孔302内设有吸氢材料303。
69.这样设置的目的在于，通过在通孔302内填充吸氢材料以促进介于半导体层31两侧的绝缘材料层之间的氢氧扩散。也即通过在通孔302内填充吸氢材料以促进缓冲层20与层间介质层34之间氢氧扩散。
70.在本技术提供的一些实施例中，请继续参阅图6。如图6所示，驱动背板100还可包括钝化层40。钝化层40设于薄膜晶体管层30远离衬底10的一面，以覆盖层间介质层34以及源漏极层35。钝化层40可以对源漏极层35形成保护，防止用于形成其他膜层的刻蚀液等对源极351和漏极352产生影响。
71.钝化层40可由无机材料或者有机材料中的一种或几种材料形成，钝化层40为无机材料时，可为氧化硅(siox)、氧氮化硅(sinxoy)、氮化硅和氮氧化硅组成的混合物，钝化层40的具体材质类型能够根据实际应用需求进行设计，此处不做特殊限制。本技术实施例中钝化层40的厚度大于或等于1000埃且小于或等于5000埃。
72.在本技术提供的一些实施例中，请继续参阅图6。驱动背板100还可包括平坦化层50。平坦化层50设于钝化层40远离衬底10的一面，以覆盖层钝化层40。平坦化层50用于进一步对薄膜晶体管层30表面不平整的区域进行平坦化，消除因薄膜晶体管层30表明不平整导致的钝化层40表面存在高度差，从而便于后续其他膜层的制作，提高驱动背板100的整体稳定性。
73.平坦化层50可由氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sinxoy)或者氮化硅和氮氧化硅组成的混合物形成。采用氮化硅或氮氧化硅或氮化硅和氮氧化硅混合物作为平坦化层50，相对于现有的采用有机材料作为平坦化层50而言，制作的平坦化层50更加致密，有助于加强对氢氧的阻隔作用，避免氧气或水汽侵入薄膜晶体管层30，致使薄膜晶体管层30失效，从而影响驱动背板100的整体性能。
74.在本技术提供的一些实施例中，请继续参阅图6。如图6所示，驱动背板100还包括遮光层60。遮光层60设于缓冲层20与薄膜晶体管层30之间，遮光层60的设置可以避免外界光通过衬底10影响相关膜层，从而影响驱动背板100的正常运行。遮光层60的材质可以为钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)和金属合金中的一种或多种。
75.其次，本技术实施例还提供一种驱动背板的制作方法，如图7所示，图7本技术实施例提供的驱动背板的制作方法的流程示意图.驱动背板100的制作方法包括以下步骤：
76.s10、提供一衬底。其中，所述衬底可以是刚性衬底，也可以是柔性衬底。所述衬底用于支撑驱动背板100制作过程中的各膜层结构。当衬底为刚性衬底时，在进行后续膜层制作前，需要先将衬底清洁干净，避免衬底上因存在杂质而影响后续膜层的形成，以保证驱动背板100的结构稳定性。
77.s20、在衬底上形成缓冲层。其中，所述缓冲层通过化学气相沉积的方法制备于衬底上。
78.s30、在缓冲层远离衬底的一面形成薄膜晶体管层。其中，s30中的所述在缓冲层远离衬底的一面形成薄膜晶体管层的步骤包括：在缓冲层远离衬底的一面形成半导体层，所述半导体层包括沟道区以及非沟道区，并在非沟道区形成至少一个通孔。以通过通孔的设
置，降低膜层之间的氢氧扩散难度。
79.需要说明的是，s30具体包括以下步骤：
80.s31、在缓冲层远离衬底的一面形成半导体层并刻蚀出图形，以在半导体层中形成沟道区以及非沟道区，并且，在非沟道区形成至少一个通孔。其中，半导体层为金属氧化物半导体材料。
81.s32、在半导体层远离衬底的一面沉积栅极绝缘层。其中，栅极绝缘层覆盖半导体层远离衬底的一面以及至少部分缓冲层远离衬底的一面。
82.s33、采用高温退火工艺对栅极绝缘层以及缓冲层进行处理，促进缓冲层与栅极绝缘层之间的氢氧扩散。
83.s34、在栅极绝缘层远离衬底的一面沉积栅极层，并利用一道黄光，图形化栅极层，再利用图形化后的栅极层为自对准，蚀刻栅极绝缘层以形成图形化的栅极绝缘层。具体的，基于黄光制程，栅极绝缘层仅存在于图形化的栅极层在衬底上的正投影区域内，其他区域的栅极绝缘层均被蚀刻掉了，即所述通孔内的栅极绝缘层也被蚀刻掉了。
84.s35、进行整面的等离子处理。其中，对于上方没有栅极绝缘层或栅极层保护的半导体层，其经等离子处理以后的电阻明显降低，从而形成导体层；由于位于栅极绝缘层下方的有源层没有被处理到，其能够保持半导体特性，作为沟道区。值得一提的是，在半导体层中，沟道区以外的区域为非沟道区。
85.s36、在栅极层远离衬底的一面沉积并图形化层间介质层。具体的，先沉积层间介质层以覆盖半导体层、通孔、栅极绝缘层以及栅极层，后对层间介质层进行刻蚀，形成第一接触孔以及第二接触孔，以使源漏极层中的源极通过第一接触孔与半导体层连接，漏极通过第二接触孔与半导体层连接。
86.需要说明的是，在s36中，通过将层间介质层沉积在通孔内，可增加层间介质层与缓冲层的接触面积，从而促进层间介质层与缓冲层之间的氢氧扩散。
87.s37、在层间介质层远离衬底的一面沉积并图形化源漏极层。其中，源漏极层包括源极和漏极。值得一提的是，源极、漏极与半导体层连接的区域与设置通孔的区域不重叠。
88.本技术实施例提供的驱动背板的制作方法，通过在半导体层的非沟道区设置至少一个通孔，从而降低缓冲层和薄膜晶体管层之间的氢氧扩散难度，提高tft器件的稳定性，减小不同尺寸的tft器件的电性差异，进而提升驱动背板的稳定性，实现更低能耗。
89.最后，本技术实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括驱动背板，所述驱动背板的具体结构参照前述实施例，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此，至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益技术效果，在此不再一一赘述。
90.以上仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
技术特征：1.一种驱动背板，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，所述缓冲层设于所述衬底上；一薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述缓冲层远离所述衬底的一面；所述薄膜晶体管层包括一半导体层，所述半导体层包括沟道区以及非沟道区，其中，所述非沟道区设有至少一个通孔。2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述非沟道区包括第一非沟道区以及第二非沟道区，所述沟道区设于所述第一非沟道区和所述第二非沟道区之间，其中，所述第一非沟道区和/或所述第二非沟道区设有至少一个所述通孔。3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括源漏极层，所述源漏极层设于所述半导体层远离所述衬底的一面，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极与所述第一非沟道区连接，所述漏极与所述第二非沟道区连接。4.根据权利要求3所述的驱动背板，其特征在于，所述第一非沟道区包括源极接触区以及围绕所述源极接触区的非源极接触区，所述源极与所述源极接触区连接，所述通孔设于所述非源极接触区。5.根据权利要求3所述的驱动背板，其特征在于，所述第二非沟道区包括漏极接触区以及围绕所述漏极接触区的非漏极接触区，所述漏极与所述漏极接触区连接；所述通孔设于所述非漏极接触区。6.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，至少一个所述通孔自所述半导体层远离所述衬底的一面贯穿至部分所述缓冲层。7.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括栅极绝缘层以及栅极层；所述栅极绝缘层设于所述半导体层远离所述衬底的一面，所述栅极层设于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一面，并且，所述栅极绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重叠，所述栅极层在所述衬底上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底上的正投影重叠。8.根据权利要求7所述的驱动背板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括层间介质层；所述层间介质层设于所述栅极层远离所述衬底的一面，且所述层间介质层覆盖所述半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅极层以及所述通孔。9.一种驱动背板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的一面形成薄膜晶体管层；其中，所述在所述缓冲层远离所述衬底的一面形成薄膜晶体管层的步骤包括：在所述缓冲层远离所述衬底的一面形成半导体层，所述半导体层包括沟道区以及非沟道区，并在所述非沟道区形成至少一个通孔。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的驱动背板。
技术总结本申请提供的驱动背板、驱动背板的制作方法以及显示面板，通过在半导体层的非沟道区设置至少一个通孔，从而降低缓冲层和薄膜晶体管层之间的氢氧扩散难度，提高TFT器件的稳定性，减小不同尺寸的TFT器件的电性差异，进而提升驱动背板的稳定性。驱动背板的稳定性。驱动背板的稳定性。
技术研发人员：卓毅
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.07
技术公布日：2022/11/1
