1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制作方法。
背景技术：2.目前，led显示面板的制备方法通常都是在制作完tft及钝化层后制作阳极，而由于钝化层的平整性问题，通常需要在钝化层上再制作一层平坦层，以满足阳极层对于平坦度的要求，然而，平坦层仍会出现气泡与平坦度不良的问题，导致阳极发生鼓包等使阳极平坦度不良的现象，进而影响显示面板的显示效果，同时，采用上述显示面板的制备方法所使用的工艺步骤较多，成本较高。
技术实现要素：3.本发明的实施例提供一种显示面板及显示面板的制作方法，以解决由于平坦层的气泡与平坦度不良，导致阳极发生鼓包等使阳极平坦度不良的现象，进而影响显示面板的显示效果的问题。
4.为解决上述问题，本发明实施例提供一种显示面板，包括开口区和非开口区，包括：
5.基板；
6.隔离平坦层，位于所述基板上；
7.tft结构层，位于所述基板上，包括位于所述非开口区内的tft，并设有开孔；
8.阳极层，位于所述隔离平坦层上，包括位于所述开口区内的阳极，所述阳极暴露于所述开孔且与所述tft电性连接；
9.发光层，包括发光部，所述发光部位于所述阳极上且位于所述开口区内，并与所述阳极电性连接。
10.根据本发明一优选实施例，所述隔离层的材料包括a-si、sin以及sio中的至少一种。
11.根据本发明一优选实施例，还包括位于所述基板和所述tft结构层之间的遮光层，所述遮光层包括第一遮光部，所述第一遮光部位于所述tft下方并遮挡至少部分所述tft，所述tft通过所述第一遮光部电性连接于所述阳极。
12.根据本发明一优选实施例，所述遮光层位于所述隔离平坦层上，所述遮光部与所述阳极同层设置。
13.根据本发明一优选实施例，所述遮光层还包括第二遮光部，所述第二遮光部设有穿孔以暴露所述阳极。
14.根据本发明一优选实施例，还包括位于所述遮光层和所述tft结构层之间的缓冲层，所述缓冲层设有第一过孔和第二过孔，所述阳极层还包括连接部，至少部分所述连接部位于所述第一过孔内，所述阳极通过所述连接部与所述第一遮光部电性连接，所述第二过孔暴露所述阳极。
15.根据本发明一优选实施例，还包括位于所述tft结构层上的像素定义层，所述像素定义层设有台阶孔，所述台阶孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔位于所述第二子孔上，所述第一子孔的孔径大于所述第二子孔的孔径以在所述第一子孔和所述第二子孔的连接处形成台阶面，所述第二子孔暴露所述阳极并收容所述发光部。
16.根据本发明一优选实施例，所述像素定义层包括第一子层和第二子层，所述第一子层设有所述第一子孔，所述第二子层设有所述第二子孔，所述第一子层的材料具有亲水性，所述第二子层的材料具有疏水性。
17.本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，用于制作显示面板，所述显示面板包括开口区和非开口区，所述方法包括：
18.在基板上形成所述隔离平坦层；
19.在所述基板上形成遮光层，其中，所述遮光层包括遮光部；
20.在所述遮光层上形成缓冲层，其中，所述缓冲层设有第一过孔和第二过孔；
21.在所述缓冲层上形成tft结构层，其中，所述tft结构层包括位于所述非开口区内的tft，并设有开孔以暴露所述第一过孔和所述第二过孔，所述遮光部电性连接于所述tft并遮挡所述tft的至少部分；
22.在所述基板上形成阳极层，其中，所述阳极层包括位于所述开口区内的阳极，所述阳极暴露于所述第二过孔，所述遮光部通过所述第一过孔与所述阳极电性连接；
23.在所述阳极层上形成所述发光层，其中，所述发光层包括位于所述阳极上的发光部。
24.根据本发明一优选实施例，在所述的在所述基板上形成阳极层的步骤和所述的在所述阳极层上形成所述发光层的步骤之间，还包括：
25.在所述tft结构层上形成像素定义层；
26.通过半色调掩模工艺处理所述像素定义层，使得所述像素定义层设有台阶孔，所述台阶孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔位于所述第二子孔上，所述第一子孔的孔径大于所述第二子孔的孔径以在所述第一子孔和所述第二子孔的连接处形成台阶面，所述第二子孔暴露所述阳极。
27.本发明的有益效果为：通过在所述基板上直接形成所述隔离平坦层，并将所述阳极形成在所述隔离平坦层上，以避免将所述阳极集成在平坦层上，解决了由于平坦层的气泡与平坦度不良，导致阳极发生鼓包等使阳极平坦度不良的现象，进而影响显示面板的显示效果的问题，并能节省一道平坦层的光罩，优化了成本。
附图说明
28.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.附图1为本发明的显示面板的结构示意图；
30.附图2为本发明的显示面板的部分结构示意图；
31.附图3为本发明的显示面板的部分结构示意图；
32.附图4为本发明的显示面板的部分结构的俯视示意图；
33.附图5为本发明的显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
34.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
35.为了解决由于平坦层的气泡与平坦度不良，导致阳极发生鼓包等使阳极平坦度不良的现象，进而影响显示面板的显示效果的问题。如图1、2所示，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板可划分为显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述显示区又包括开口区k和非开口区nk。
36.所述显示面板包括基板1，所述基板1上形成有tft结构层和隔离平坦层2，其中，所述tft结构层在背离所述基板1的方向上依次包括有源层、栅极层以及源漏极层，所述有源层包括有源图案5，所述栅极层包括栅极7，所述源漏级层包括源极82和漏极81，所述有源图案5、所述栅极7、所述源极82和所述漏极81共同组成tft，所述tft位于所述非开口区nk内，所述tft结构层还设有开孔k1，所述开孔k1的范围大于所述开口区k的范围。
37.所述显示面板还包括阳极层和发光层，所述阳极层位于所述隔离平坦层2上且位于所述开孔k1的范围内，所述阳极层包括阳极101，所述阳极101位于所述开口区k内，所述发光层包括发光部12，所述发光部12位于所述阳极101上，所述tft分别与所述阳极101和所述显示面板内的数据线电性连接，以将所述数据线的信号传输给所述阳极101，控制所述发光部12发光。
38.可以知道的是，所述基板1的制程中会含有金属离子，而所述金属离子将会影响阳极101的稳定性，所述隔离平坦层2能够防止所述基板1上的金属离子侵入所述阳极101。
39.本实施例通过在所述基板1上直接形成所述隔离平坦层2，并将所述阳极101形成在所述隔离平坦层2上，相比于现有技术中，在缓冲层4上形成平坦层，再在平坦层上形成阳极101，避免了将所述阳极101形成在平坦层上，从而解决了由于平坦层的气泡与平坦度不良，导致阳极101发生鼓包等使阳极101平坦度不良的现象，进而影响显示面板的显示效果的问题，同时还能节省制作平坦层的光罩。
40.在本发明的一些实施例中，所述隔离平坦层2的材料可包括a-si、sin以及sio中的一种，也可以包括上述材料的混合物，相比于平坦层的材料，能实现更好的平坦度，且能防止所述基板1上的金属离子侵入所述阳极101，本实施例中的隔离平坦层2的厚度为50nm-1000nm，优选的，可为50nm、200nm、1000nm中的一个，本发明实施例不做具体限制。
41.在本发明的一些实施例中，如图1所示，在形成所述tft结构层之前，还形成有位于所述基板1和所述tft结构层之间的遮光层3，所述遮光层3与所述隔离平坦层2同层设置(未示出)，所述遮光层3包括第一遮光部31，所述第一遮光部31位于所述tft下方并与所述隔离平坦层2同层设置，具体的，由于所述有源层通常为igzo等具有光敏性质的材料制成，故为了提高tft的稳定性，在所述有源层的下方设置所述第一遮光部31，以遮挡来自于所述基板1方向的光，同时，在一些实施例中，还可将所述第一遮光部31与所述源极82或漏极81电性
连接，以通过所述第一遮光部31将所述源极82或漏极81电性连接于所述阳极101，具体的，所述第一遮光部31分别与所述源极82和所述阳极101电性连接，所述漏极81电性连接于所述显示面板内的所述数据线，以将所述数据线的信号传输给所述阳极101，使所述发光部12发光。
42.在本发明的一些实施例中，所述基板1上的金属离子除影响所述阳极层外，还会影响所述基板1上的其他膜层，因此，与上述实施例中仅在所述阳极101下方设置所述隔离平坦层2不同，本实施例还将所述隔离平坦层2覆盖所述基板1的整个上侧面，防止所述基板1上的金属离子影响所述基板1上其他膜层的稳定性，此时，所述遮光层3设置于所述隔离平坦层2上，所述第一遮光部31与所述阳极101同层设置。
43.在本发明的一些实施例中，如图4所示，由于仅在所述基板1上制作隔离平坦层2后，就在所述隔离平坦层2上制作所述阳极101，所述阳极101与所述基板1之间不再具有现有技术中的众多膜层，因此，来自所述基板1的光将无法被遮挡，与所述发光部12发出的光混在一起后，将严重影响所述显示面板的显示效果，因此，在形成所述遮光层3时除形成所述第一遮光部31外，还将形成第二遮光部32，所述第二遮光部32设有穿孔以暴露所述阳极101，即所述第二遮光部32环绕所述阳极101设置，以遮挡所述阳极101周围来自于所述基板1的光，可以知道的是，所述第二遮光部32可与所述第一遮光部31绝缘，也可不与所述第一遮光部31绝缘，具体可由本领域技术人员视需求决定。
44.在本发明的一些实施例中，如图2、3所示，还包括位于所述遮光层3和所述tft结构层之间的缓冲层4，所述缓冲层4设有第一过孔k2和第二过孔k3，所述第一过孔k2和所述第二过孔k3均位于所述tft结构层所设的开孔k1范围内，所述第一过孔k2用于暴露所述第一遮光部31，所述第二过孔k3容纳并暴露所述阳极101，所述阳极层还包括连接部102，部分所述连接部102位于所述第一过孔k2内与所述第一遮光部31电性连接，部分所述连接部102位于所述第二过孔k3内与所述阳极101电性连接，可以知道的是，还有部分连接部102位于所述第一过孔k2和所述第二过孔k3之间的所述缓冲层4上，以连接位于所述第一过孔k2内和所述第二过孔k3内的所述连接部102，通过以上设置，使所述阳极101通过所述连接部102与所述第一遮光部31电性连接，且由于所述连接部102分布于所述第一过孔k2、所述第二过孔k3以及所述第一过孔k2和所述第二过孔k3之间的缓冲层4，使得所述连接部102能够起到固定所述阳极101的作用，防止所述阳极101偏移，提升了所述显示面板的稳定性。
45.在本发明的一些实施例中，如图1所示，还包括位于所述tft结构层上的像素定义层11，所述像素定义层11包括第一子层和第二子层，所述第一子层位于所述第二子层上，其中，所述第一子层设有所述第一子孔k4，所述第二子层设有所述第二子孔k5，所述第二子孔k5暴露所述阳极101并收容所述发光部12，且所述第一子孔k4的孔径大于所述第二子孔k5的孔径，因此，所述第一子孔k4和所述第二子孔k5的连接处将形成台阶面，通过在所述第一子孔k4和所述第二子孔k5的连接处形成台阶面，能够使得打印发光部12的墨滴即使偏移也能漏入所述第二子孔k5。
46.在本发明的一些实施例中，为了进一步提升所述墨滴的打印效果，将所述第一子层采用具有疏水性的材料制成，将所述第二子层采用具有亲水性的材料制成。
47.如图5所示，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，用于制作所述显示面板，所述显示面板包括开口区k和非开口区nk，所述方法包括：
48.s100、在基板1上形成隔离平坦层2，具体的，可采用化学气相沉积工艺涂布一层a-si材料在所述基板1上，以形成所述隔离平坦层2，除a-si外，还可选择涂布sin和sio。
49.s200、在所述基板1上形成遮光层3，具体的，采用物理气相溅射沉积法在所述隔离平坦层2上形成所述遮光层3，所述遮光层3可以包括选自钼(mo)、铝(al)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上的金属。所述遮光层3可以是单层膜或多层膜，所述遮光层3包括遮光部，所述遮光部包括第一遮光部31，所述第一遮光部31用于为后续制程中的有源层遮光，鉴于上述实施例，所述遮光部还可包括为所述发光部12遮光的第二遮光部32，所述第二遮光部32形成有穿孔，以包围所述阳极101。
50.s300、在所述遮光层3上形成缓冲层4，具体的，采用化学气相沉积法在所述遮光层3上形成所述缓冲层4，所述缓冲层4可以包括氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)，所述缓冲层4能够防止杂质或者水分之类不必要成分的渗透。
51.s301、在所述遮光层3上形成所述缓冲层4后，对所述缓冲层4进行图案化以使所述缓冲层4形成第一过孔k2和第二过孔k3，具体的，可采用干法刻蚀的工艺形成所述第一过孔k2和所述第二过孔k3，所述第一过孔k2和所述第二过孔k3之间有台阶状缓冲层4，所述第二过孔k3位于所述开口区k内，所述第一过孔k2的位置不做限定，为避免后续制程中连接部102制作的难度过大，可将所述第一过孔k2设于所述非开口区nk内并邻近所述开口区k。
52.s400、在所述缓冲层4上形成tft结构层，具体的，包括以下步骤：
53.s401、在所述非开口区nk内的所述缓冲层4上采用物理气相溅射沉积法形成有源层，所述有源层包括多晶硅或者氧化物半导体，如基于钛(ti)、铪(hf)、锆(zr)、铝(al)、钽(ta)、锗(ge)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)或者铟(in)的氧化物或者它们的复合氧化物中的任意一个。对所述有源层进行图案化以形成有源图案5，所述有源图案5位于所述第一遮光部31的上方，所述有源图案5可以包括沟道区域(未示出)、源极82和漏极区域，所述沟道区域在厚度方向上与后续制程中的栅极7重叠，且所述沟道区域在所述基板1上的正投影范围位于所述第一遮光部31在所述基板1上的正投影范围内，源极区域和漏极区域分别位于所述沟道区域的一侧及另一侧，与后续制程中的源极82和漏极81相对应。
54.s402、在所述非开口区nk内的所述缓冲层4上采用化学气相沉积法来形成栅极绝缘层6，所述栅极绝缘层6位于所述有源层上，所述栅极绝缘层6可以起到使所述有源图案5与栅极7之间绝缘的作用。
55.栅极绝缘层6可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层6可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物等。这些物质可以单独使用或彼此组合而使用。
56.s403、在所述栅极绝缘层6上形成栅极层，所述栅极层包括栅极7，所述栅极7位于所述栅极绝缘层6上方且与所述有源图案5的沟道区相对应，所述栅极7可以利用低电阻物质构成，如选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上的金属，但并不局限于此。
57.s404、在所述非开口区nk内的所述缓冲层4上形成层间绝缘层13，所述层间绝缘层13不仅可以覆盖所述栅极7的上表面，而且还可以覆盖至所述栅极7的侧面，所述层间绝缘层13可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，层间绝缘层13可以包括硅氧化物、硅氮化物、
硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物等。
58.s405，形成源漏极层，通过光刻制程对所述层间绝缘层13和缓冲层4开孔k1以形成多个开口，然后通过物理气相沉积法在所述层间绝缘层13上形成源极82和漏极81，所述源极82和漏极81通过所述开口与所述有源层对应的源极区域和漏极区域相连，所述源极82或漏极81还通过所述开口与所述第一遮光部31电性连接，所述源漏级侧层可以包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)中的一种以上的金属。其中，所述栅极7、源极82、漏极81和有源图案5形成位于所述非开口区nk内的tft。
59.s406、在所述源漏极层上形成钝化层9，所述钝化层9可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、锌氧化物等无机绝缘物质。
60.在上述步骤中，还包括在形成所述层间绝缘层13后对所述层间绝缘层13进行刻蚀，以及形成所述钝化层9后对所述钝化层9进行刻蚀，以在tft结构层形成开孔k1，所述开孔k1暴露所述第一过孔k2和所述第二过孔k3，所述开孔k1的范围可大于所述开口区k的范围。
61.s500、在所述基板1上形成阳极层，具体的，形成位于所述第二过孔k3内的阳极101，以及同时位于所述第一过孔k2和第二过孔k3，用于连接所述第一遮光部31与所述阳极101的连接部102，所述阳极101可以具有层叠铟锡氧化物(ito：indium-tin-oxide)、铟锌氧化物(izo：indium-zinc-oxide)、氧化锌(zno)等功函数较高的物质层，以及诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其混合物的反射性物质层的层叠膜结构，但并不局限于此，本实施例中，所述阳极101采用具有遮光效果的金属制程，如ag等。
62.s600、在所述钝化层9上形成像素定义层11，所述像素界定层可以包含聚丙烯酸酯类(polyacrylates)或者聚酰亚胺类(polyimides)等的树脂和二氧化硅系列的无机物等，并通过包含黑色颜料和/或染料来吸收外部光，从而可以减小外部光的反射率而提高显示装置的对比度。通过半色调掩模工艺处理所述像素定义层11，使得所述像素定义层11设有台阶孔，所述台阶孔包括相互连通的第一子孔k4和第二子孔k5，所述第一子孔k4位于所述第二子孔k5上，所述第一子孔k4的孔径大于所述第二子孔k5的孔径以在所述第一子孔k4和所述第二子孔k5的连接处形成台阶面，所述第二子孔k5暴露所述阳极101。
63.s700、在所述阳极层上形成所述发光层，其中，所述发光层包括位于所述阳极101上的发光部12，所述发光层可以包括有机发光层，并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。
64.综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
技术特征：1.一种显示面板，包括开口区和非开口区，其特征在于，包括：基板；隔离平坦层，位于所述基板上；tft结构层，位于所述基板上，包括位于所述非开口区内的tft，并设有开孔；阳极层，位于所述隔离平坦层上，包括位于所述开口区内的阳极，所述阳极暴露于所述开孔且与所述tft电性连接；发光层，包括发光部，所述发光部位于所述阳极上且位于所述开口区内，并与所述阳极电性连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离平坦层的材料包括a-si、sin以及sio中的至少一种。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述基板和所述tft结构层之间的遮光层，所述遮光层包括第一遮光部，所述第一遮光部位于所述tft下方并遮挡至少部分所述tft，所述tft通过所述第一遮光部电性连接于所述阳极。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层位于所述隔离平坦层上，所述遮光部与所述阳极同层设置。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层还包括第二遮光部，所述第二遮光部设有穿孔以暴露所述阳极。6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述遮光层和所述tft结构层之间的缓冲层，所述缓冲层设有第一过孔和第二过孔，所述阳极层还包括连接部，至少部分所述连接部位于所述第一过孔内，所述阳极通过所述连接部与所述第一遮光部电性连接，所述第二过孔暴露所述阳极。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述tft结构层上的像素定义层，所述像素定义层设有台阶孔，所述台阶孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔位于所述第二子孔上，所述第一子孔的孔径大于所述第二子孔的孔径以在所述第一子孔和所述第二子孔的连接处形成台阶面，所述第二子孔暴露所述阳极并收容所述发光部。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层包括第一子层和第二子层，所述第一子层设有所述第一子孔，所述第二子层设有所述第二子孔，所述第一子层的材料具有亲水性，所述第二子层的材料具有疏水性。9.一种显示面板的制作方法，用于制作显示面板，所述显示面板包括开口区和非开口区，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成隔离平坦层；在所述基板上形成遮光层，其中，所述遮光层包括遮光部；在所述遮光层上形成缓冲层，其中，所述缓冲层设有第一过孔和第二过孔；在所述缓冲层上形成tft结构层，其中，所述tft结构层包括位于所述非开口区内的tft，并设有开孔以暴露所述第一过孔和所述第二过孔，所述遮光部电性连接于所述tft并遮挡所述tft的至少部分；在所述基板上形成阳极层，其中，所述阳极层包括位于所述开口区内的阳极，所述阳极暴露于所述第二过孔，所述遮光部通过所述第一过孔与所述阳极电性连接；
在所述阳极层上形成所述发光层，其中，所述发光层包括位于所述阳极上的发光部。10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述的在所述基板上形成阳极层的步骤和所述的在所述阳极层上形成所述发光层的步骤之间，还包括：在所述tft结构层上形成像素定义层；通过半色调掩模工艺处理所述像素定义层，使得所述像素定义层设有台阶孔，所述台阶孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔位于所述第二子孔上，所述第一子孔的孔径大于所述第二子孔的孔径以在所述第一子孔和所述第二子孔的连接处形成台阶面，所述第二子孔暴露所述阳极。
技术总结本发明提供一种显示面板及显示面板的制作方法，包括开口区和非开口区，包括基板；隔离平坦层，位于基板上；TFT结构层，位于基板上，包括位于非开口区内的TFT，并设有开孔；阳极层，位于隔离平坦层上，包括位于开口区内的阳极，阳极暴露于开孔且与TFT电性连接；发光层，包括发光部，发光部位于阳极上且位于开口区内，并与阳极电性连接，通过在基板上直接形成隔离平坦层，并将阳极形成在隔离平坦层上，以避免将阳极集成在平坦层上，解决了由于平坦层的气泡与平坦度不良，导致阳极发生鼓包等使阳极平坦度不良的现象，进而影响显示面板的显示效果的问题，并能节省一道平坦层的光罩，降低成本。降低成本。降低成本。
技术研发人员：周黎斌
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.08
技术公布日：2022/11/1
