1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板、制作方法及显示装置。
背景技术：2.近年来，显示行业得到了快速的发展，尤其是我国的显示行业，发生了天翻地覆的变化。显示行业的竞争变得越来越激烈，更新周期不断缩短，以lcd(liquid crystal display)与oled(organic electroluminescence display)的竞争尤为激烈。随着oled工艺、材料的成熟以及良率的提升，lcd渐渐失去了在小尺寸的市场优势，特别是在手机市场，oled已渐渐取代lcd的地位。近年来也兴起了很多新型的显示技术，例如qled显示、e-ink、柔性lcd、pe显示、mini led、micro led等等。这些新技术因还存在成本、寿命、可靠性等一些问题，还具备不了像lcd、oled的量产性。micro led因具有色域广、对比度高、响应速度快、分辨率高、寿命长等优点，被很多企业大力推广，同时被视为下一代最具有潜力的新型显示技术。
3.micro led目前已有多家demo面世，但仍然存在很多问题。例如亮度不均匀、可靠性、转移良率低、tft均匀性差、串色、混色、对比度差等问题。其中rc loading导致的ir drop会引起micro led面板亮度不均匀。
技术实现要素：4.本技术实施例提供一种显示面板、制作方法及显示装置，增加设置第一部分，相当于增加了电源线的厚度，减小电阻，从而降低面板电源线的总电阻改善ir drop问题，进而达到改善面板亮度不均匀的目的。
5.第一方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括：
6.基板，所述基板上设有至少两个沟槽；
7.至少两条电源线，间隔设于所述基板上，所述电源线包括设于所述沟槽内的第一部分以及设于所述第一部分上的第二部分；
8.功能结构层，设于所述基板上。
9.在一些实施例中，所述显示面板的显示区域包括发光区和遮光区，所述基板由所述发光区延伸至所述遮光区，所述至少两条电源线位于所述遮光区。
10.在一些实施例中，所述功能结构层包括：
11.薄膜晶体管结构层，设于所述基板上，且所述薄膜晶体管结构层位于所述遮光区；
12.发光器件层，设于所述基板上，且所述发光器件层位于所述发光区。
13.在一些实施例中，所述发光器件层包括：
14.缓冲层，设于所述基板上；
15.层间介质层，设于所述缓冲层上；
16.金属层，设于所述层间介质层上；
17.钝化层，所述钝化层覆盖所述层间介质层和所述金属层；
18.平坦层，设于所述钝化层上，所述平坦层设有第一过孔，且所述第一过孔穿透所述钝化层暴露所述金属层的一部分；
19.电极层，设于所述平坦层上，且所述电极层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触。
20.在一些实施例中，所述电极层包括：
21.金属电极层，设于所述平坦层上，且所述金属电极层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触；
22.ito电极层，覆盖所述金属电极层。
23.在一些实施例中，所述薄膜晶体管结构层包括：
24.遮光层，设于所述基板上；
25.所述缓冲层，由所述发光区延伸至所述遮光区，且所述缓冲层覆盖所述遮光层上；
26.有源层，设于所述缓冲层上；
27.栅极绝缘层，设于所述有源层上；
28.栅极层，设于所述栅极绝缘层上；
29.所述层间介质层，由所述发光区延伸至所述遮光区，且所述层间介质层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层，所述层间介质层设有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔暴露所述有源层的一部分，所述第三过孔穿透所述缓冲化层暴露所述遮光层的一部分；
30.所述金属层，由所述发光区延伸至所述遮光区，且所述金属层沉积在所述第二过孔中与所述有源层接触，同时所述金属层沉积在所述第三过孔中与所述遮光层接触；
31.所述钝化层，由所述发光区延伸至所述遮光区；
32.所述平坦层，由所述发光区延伸至所述遮光区；
33.遮光钝化层，设于所述平坦层上，且所述遮光钝化层位于所述遮光区；
34.黑矩阵层，设于所述遮光钝化层上，且所述黑矩阵层位于所述遮光区。
35.在一些实施例中，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，所述厚度方向为所述基板至所述功能结构层的堆叠方向。
36.在一些实施例中，所述第一部分设为铜。
37.第二方面，本技术提供一种显示面板制作方法，包括：
38.提供基板，在所述基板上刻出至少两个沟槽；
39.在所述基板设有所述沟槽的一侧沉积铜膜，直至填满所述沟槽；
40.对所述基板沉积所述铜膜的一侧进行研磨，直至保留所述沟槽中的铜膜得到第一部分；
41.在所述基板设有所述第一部分的一侧沉积金属层，并进行蚀刻得到第二部分，所述第二部分与所述第一部分相对设置；
42.在所述基板设有所述第一部分的一侧制备功能结构层。
43.第三方面，本技术提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一项所述的显示面板。
44.本技术实施例提供的显示面板、制作方法及显示装置，在基板上设置沟槽沉积电源线的一部分，相对于仅仅在基板表面沉积电源线即电源线只包含第二部分的情况，本实
施例增加设置第一部分，相当于增加了电源线的厚度，减小电阻，从而降低面板电源线的总电阻改善ir drop问题，进而达到改善面板亮度不均匀的目的。
附图说明
45.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
46.图1是本技术一实施例中显示面板的结构截面示意图；
47.图2是本技术一实施例中显示面板的制备流程图。
48.附图标号：
49.1、基板；11、沟槽；2、电源线；21、第一部分；22、第二部分；3、功能结构层；31、发光器件层；311、缓冲层；312、层间介质层；313、金属层；314、钝化层；315、平坦层；316、电极层；3161、金属电极层；3162、ito电极层；32、薄膜晶体管结构层；321、遮光层；322、有源层；323、栅极绝缘层；324、栅极层；325、遮光钝化层；326、黑矩阵层。
具体实施方式
50.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
51.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
52.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
53.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
54.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了
简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
55.请参阅图1和图2，本技术实施例提供一种显示面板，显示面板包括基板1、电源线2以及功能结构层3，电源线2和功能结构层3均设置在基板1上。基板1上设置有沟槽11，电源线2至少包括vdd电源线和vss电源线两条电源线2，不同的电源线2间隔设置，各个电源线2均有部分沉积在沟槽11中，且各个电源线2之间并不连通，因此基板1上设置的沟槽11与电源线2一一对应。
56.此外，各个电源线2均包含第一部分21和第二部分22，第一部分21沉积在对应的沟槽11中，第二部分22沉积在第一部分21上，即第一部分21与第二部分22连通，第一部分21设为铜。
57.其中，基于显示面板的显示要求(例如面板清晰度、均匀性等要求)确定显示面板的电流电阻等电性参数，进而第一部分21与第二部分22接触面的最小面积。在第一部分21与第二部分22接触面的大小满足要求的最小面积的基础上，第二部分22的底面大于第一部分21的顶面，或者第二部分22的底面小于第一部分21的顶面均可，本实施例不作具体限定，其中第二部分22的底面与第一部分21的顶面接触。例如，可以将第二部分22的宽度比第一部分21pixel中vdd、vss power线线宽略小3-5um。
58.本实施例在基板1上设置沟槽11沉积电源线2的一部分，相对于仅仅在基板1表面沉积电源线2即电源线2只包含第二部分22的情况，本实施例增加设置第一部分21，相当于增加了电源线2的厚度，减小电阻，从而降低面板电源线2的总电阻改善ir drop问题，进而达到改善面板亮度不均匀的目的。
59.在一个实施例中，显示面板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，此案时区域包括发光区和遮光区，发光区对应设置led灯珠，因此所有的电源线2都设置在发光区。遮光区为黑色矩阵(bm，black matrix)区域，遮光区用于遮蔽薄膜晶体管等元器件的走线。此外，基板1遮光区和发光区所有的元器件均设置在基板1上，因此基板1由发光区延伸至遮光区，其中基板1可以为玻璃、石英、蓝宝石、树脂等常见的透明材料制作的基板1，本实施例不作具体限定。
60.在一个实施例中，功能结构层3包括薄膜晶体管结构层32和发光器件层31，薄膜晶体管结构层32和发光器件层31均设置在基板1上，且设置在基板1的同一侧，区别在于薄膜晶体管结构层32位于遮光区，主要为像素驱动电路中的薄膜晶体管等结构。发光器件层31位于发光区，与led灯珠相连接。
61.在一个实施例中，发光器件层31包括依次叠设的缓冲层311、层间介质层312、金属层313、钝化层314、平坦层315以及电极层316，发光器件层31包含的元器件均位于发光区。
62.缓冲层311(buffer)设置在基板1上某一侧，层间介质层312(ild，inter layer dielectric)设于缓冲层311远离基板1的一侧，金属层313设于层间介质层312远离基板1的一侧。其中，电源为金属层313的一部分，当制备显示面板在层间介质层312上沉积一层金属然后及逆行蚀刻即得到发光区的电源线2。因此，金属层313仅占据层间介质层312的部分区
域，在层间介质层312远离基板1的一侧沉积钝化层314(pv，passivation)时，钝化层314同时覆盖层间介质层312和金属层313。
63.平坦层315(pln，planarizationlayer)设于钝化层314上，电极层316设于平坦层315上，而电极层316需要与金属层313电性连接，因此平坦层315设有第一过孔，且第一过孔穿透钝化层314暴露需要电连接的金属层313的一部分，然后将电极层316沉积在第一过孔中，以实现电极层316与金属层313的接触。
64.在一个实施例中，电极层316包括金属电极层3161和ito(indium tin oxides，氧化铟锡)电极层316，金属电极层3161沉积在第一过孔中与金属层313接触，ito电极层3162覆盖在金属电极层3161上，最终ito电极层3162与led灯珠的电极电性连接。ito电极层3162可以增强导电性和透明性。
65.在一个实施例中，薄膜晶体管结构层32包括遮光层321、缓冲层311、有源层322、栅极绝缘层323、栅极层324、层间介质层312、金属层313、钝化层314、平坦层315、遮光钝化层325以及黑矩阵层326。
66.在基板1上曝光、蚀刻处理制作遮光层321(lightshield,ls)，遮光层321仅占据基板1的部分区域，因此在基板1和遮光层321上沉积缓冲层311，缓冲层311同时覆盖基板1和遮光层321两者。需要说明的是，缓冲层311由发光区延伸至遮光区，即不同区域的缓冲层311为同一工艺制备，一体成型。
67.有源层322设于缓冲层311上，且有源层322仅占据缓冲层311的部分区域。栅极绝缘层323(gate insulator，gi)设于有源层322上，且栅极绝缘层323的涂布范围没有超过有源层322，即缓冲层311上没有栅极绝缘层323。栅极层324(gate metal，ge)设于栅极绝缘层323上，同样地，栅极层324的涂布范围没有超过栅极绝缘层323，即栅极绝缘层323和缓冲层311上都没有栅极绝缘层323。此外，遮光层321与有源层322相对设置，对有源层322进行遮挡。此外，有源层322包括沟道区(图中未示出)和设于沟道区两侧的导体区(图中未示出)，沟道区与栅极层324相对设置，遮光层321与沟道区相对设置，且遮光层321的范围大于沟道区，以对沟道区进行遮挡，避免光线进入。
68.因此，在栅极层324上沉积层间介质层312(inter-layer dielectric，ild)时，层间介质层312覆盖缓冲层311、有源层322、栅极绝缘层323以及栅极层324。需要说明的是，层间介质层312由发光区延伸至遮光区，即不同区域的层间介质层312为同一工艺制备，一体成型。为了使得栅极能够与其它电子元件进行电连接，同时便于遮光层321与其它电子元器件接触，用于后续驱动，层间介质层设有第二过孔和第三过孔，第二过孔暴露有源层322的一部分，第三过孔与第二过孔穿透缓冲化层暴露遮光层321的一部分。
69.在层间介质层312上设置金属层313，金属层313包含源漏极(source drain，sd)，金属层313中的源漏极均沉积在第二过孔中与有源层322接触，但需要说明的是源极和漏极分别沉积在不同的第二过孔中与有源层322沟道区两侧的导体区连接。此外，金属层313中的源极还沉积在第三过孔中与遮光层321接触。另外，金属层313由发光区延伸至遮光区，即不同区域的金属层313为同一工艺制备，一体成型，金属层313包含遮光区的源漏极和发光区的电源线2。
70.同样地，钝化层314和平坦层315也是由发光区延伸至遮光区，即不同区域的钝化层314和平坦层315分别为同一工艺制备，一体成型。钝化层314设于覆盖层间介质层312和
金属层313，平坦层315设于钝化层314上。
71.此外，遮光区还设置有遮光钝化层325于平坦层315上，黑矩阵层326设于遮光钝化层325上。遮光钝化层325和黑矩阵层326均只位于所述遮光区。
72.在一个实施例中，电源线2的第一部分21的厚度大于第二部分22的厚度，厚度方向为基板1至功能结构层3的堆叠方向，例如沟槽11深度设为5-100um。增加设置相对较厚的第一部分21，减小电阻，从而降低面板power线的总电阻改善ir drop问题，进而达到改善面板亮度不均匀的目的。
73.本实施例中仅需增加常规工艺以增加第一部分21，不降低micro led面板的ppi，就可以有效地改善面板ir drop问题，提升micro led显示面板的显示品质。
74.请参阅图1至图2，本技术实施例提供一种显示面板制作方法，该方法包括：
75.提供基板1，在所述基板1上刻出至少两个沟槽11；
76.在所述基板1设有所述沟槽11的一侧沉积铜膜，直至填满所述沟槽11；
77.对所述基板1沉积所述铜膜的一侧进行研磨，直至保留所述沟槽11中的铜膜得到第一部分21；
78.在所述基板1设有所述第一部分21的一侧沉积金属层313，并进行蚀刻得到第二部分22，所述第二部分22与所述第一部分21相对设置；
79.在所述基板1设有所述第一部分21的一侧制备功能结构层3。
80.具体地，在基板1上用激光雕刻出vdd以及vss power辅助线(即电源线2的第一部分21)的沟槽11，沟槽11位置与pixel中vdd、vss power线(即电源线2的第二部分22)位置一一对应；沟槽11深度5-100um，宽度比pixel中vdd、vss power线线宽略小3-5um。采用电镀的方式进行沉积一层铜膜，直至把沟槽11填满，对上述膜面进行研磨，把基板1表面的金属全部磨掉，仅留下沟槽11中的金属，以形成vdd以及vss power辅助线pattern(即电源线2的第一部分21)，之后进行正常的背板制程以及后段工艺制备功能结构层3。功能结构层3按照上述实施例所述的结构依次进行制备，本实施例不进行意义赘述。
81.本实施例中仅需增加常规工艺以增加第一部分21，不降低micro led面板的ppi，就可以有效地改善面板ir drop问题，提升micro led显示面板的显示品质。
82.本技术实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任意实施例所述的显示面板。
83.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
84.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
85.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板、制作方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
技术特征：1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板，所述基板上设有至少两个沟槽；至少两条电源线，间隔设于所述基板上，所述电源线包括设于所述沟槽内的第一部分以及设于所述第一部分上的第二部分；功能结构层，设于所述基板上。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的显示区域包括发光区和遮光区，所述基板由所述发光区延伸至所述遮光区，所述至少两条电源线位于所述遮光区。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述功能结构层包括：薄膜晶体管结构层，设于所述基板上，且所述薄膜晶体管结构层位于所述遮光区；发光器件层，设于所述基板上，且所述发光器件层位于所述发光区。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括：缓冲层，设于所述基板上；层间介质层，设于所述缓冲层上；金属层，设于所述层间介质层上；钝化层，所述钝化层覆盖所述层间介质层和所述金属层；平坦层，设于所述钝化层上，所述平坦层设有第一过孔，且所述第一过孔穿透所述钝化层暴露所述金属层的一部分；电极层，设于所述平坦层上，且所述电极层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触。5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述电极层包括：金属电极层，设于所述平坦层上，且所述金属电极层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触；ito电极层，覆盖所述金属电极层。6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括：遮光层，设于所述基板上；所述缓冲层，由所述发光区延伸至所述遮光区，且所述缓冲层覆盖所述遮光层上；有源层，设于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；所述层间介质层，由所述发光区延伸至所述遮光区，且所述层间介质层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层，所述层间介质层设有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔暴露所述有源层的一部分，所述第三过孔穿透所述缓冲化层暴露所述遮光层的一部分；所述金属层，由所述发光区延伸至所述遮光区，且所述金属层沉积在所述第二过孔中与所述有源层接触，同时所述金属层沉积在所述第三过孔中与所述遮光层接触；所述钝化层，由所述发光区延伸至所述遮光区；所述平坦层，由所述发光区延伸至所述遮光区；遮光钝化层，设于所述平坦层上，且所述遮光钝化层位于所述遮光区；黑矩阵层，设于所述遮光钝化层上，且所述黑矩阵层位于所述遮光区。7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一部分的厚度大于所述第二部分
的厚度，所述厚度方向为所述基板至所述功能结构层的堆叠方向。8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一部分设为铜。9.一种显示面板制作方法，用于制备如权利要求1-8任意一项所述的显示面板，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上刻出至少两个沟槽；在所述基板设有所述沟槽的一侧沉积铜膜，直至填满所述沟槽；对所述基板沉积所述铜膜的一侧进行研磨，直至保留所述沟槽中的铜膜得到第一部分；在所述基板设有所述第一部分的一侧沉积金属层，并进行蚀刻得到第二部分，所述第二部分与所述第一部分相对设置；在所述基板设有所述第一部分的一侧制备功能结构层。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-8任意一项所述的显示面板。
技术总结本申请公开一种显示面板、制作方法及显示装置。显示面板包括：基板，所述基板上设有至少两个沟槽；至少两条电源线，间隔设于所述基板上，所述电源线包括设于所述沟槽内的第一部分以及设于所述第一部分上的第二部分；功能结构层，设于所述基板上。本申请增加设置第一部分，相当于增加了电源线的厚度，减小电阻，从而降低面板电源线的总电阻改善IR Drop问题，进而达到改善面板亮度不均匀的目的。达到改善面板亮度不均匀的目的。达到改善面板亮度不均匀的目的。
技术研发人员：李柱辉
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.08
技术公布日：2022/11/1
