1.本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及一种声表面波滤波装置及其形成方法、滤波器、多工器。
背景技术：2.无线通信设备的射频(radio frequency，rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surfaceacoustic wave，saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)滤波器、集成无源装置(integrated passivedevices，ipd)滤波器等。
3.saw谐振器的品质因数(q值)较高，由saw谐振器制作成低插入损耗(insertion loss)、高带外抑制(out-band rejection)的rf滤波器，即saw滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流rf滤波器。saw谐振器具有负的频率温度系数(temperature coefficient of frequency，tcf)，即温度升高时，谐振器的谐振频率(resonant frequency)降低，温度降低时，谐振频率升高，降低了saw滤波器的可靠性和稳定性。为了改善saw谐振器的谐振频率随工作温度漂移的特性，会在压电基底上增加温度补偿层，温度补偿层具有于压电基底相反的频率温度系数。两者结合使谐振器整体的频率温度系数趋向于零，提高滤波器的可靠性和稳定性。这种包含温度补偿层的saw谐振器称为温度补偿saw(temperature compensated saw，tc-saw)谐振器，由tc-saw谐振器组成的滤波器称为tc-saw滤波器。
4.然而，现有技术中形成的声表面波滤波装置仍存在诸多问题。
技术实现要素：5.本发明解决的问题是提供一种声表面波滤波装置及其形成方法、滤波器、多工器，以提升声表面波滤波装置的性能。
6.为解决上述问题，本发明技术方案提供一种声表面波滤波装置，包括：压电基底，所述压电基底包括沿第一方向排布的若干第一区和若干第二区，且所述第一区和所述第二区间隔排布；位于所述压电基底上的若干第一电极结构和若干第二电极结构，且所述第一电极结构位于所述第一区上，所述第二电极结构位于所述第二区上；位于所述压电基底上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述第一电极结构和所述第二电极结构；位于所述温度补偿层上的第一绝缘层；位于所述温度补偿层上的第一电互连层，所述第一电互连层连接若干所述第一电极结构，所述第一绝缘层位于所述第一电互连层和所述温度补偿层之间。
7.可选的，还包括：位于所述温度补偿层上的第二绝缘层；位于所述温度补偿层上的第二电互连层，所述第二电互连层连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。
8.可选的，所述第一绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
9.可选的，所述第二绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
10.可选的，所述聚合物包括：并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶或聚酰亚胺。
11.可选的，所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅或氮化硅。
12.可选的，所述第一电极结构包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置。
13.可选的，所述第一电互连层连接若干所述第二总线。
14.可选的，所述第二电极结构包括：多个第三电极条及连接多个所述第三电极条的第三总线，多个第四电极条及连接多个所述第四电极条的第四总线，多个所述第三电极条和多个所述第四电极条位于所述第三总线和所述第四总线之间并交错放置。
15.可选的，所述第二电互连层连接若干所述第三总线。
16.相应的，本发明技术方案中还提供一种声表面波滤波装置的形成方法，包括：提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向排布的若干第一区和若干第二区，且所述第一区和所述第二区间隔排布；在所述压电基底上形成若干第一电极结构和若干第二电极结构，且所述第一电极结构位于所述第一区上，所述第二电极结构位于所述第二区上；在所述压电基底上形成温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述第一电极结构和所述第二电极结构；在所述温度补偿层上形成第一绝缘层；在所述温度补偿层上形成第一电互连层，所述第一电互连层连接若干所述第一电极结构，所述第一绝缘层位于所述第一电互连层和所述温度补偿层之间。
17.可选的，在所述温度补偿层上形成第一绝缘层的过程中，还包括：在所述温度补偿层上形成第二绝缘层；在所述温度补偿层上形成第一电互连层的过程中，还包括：在所述温度补偿层上形成第二电互连层，所述第二电互连层连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。
18.可选的，所述第一绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
19.可选的，所述第二绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
20.可选的，所述聚合物包括：并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶或聚酰亚胺。
21.可选的，所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅或氮化硅。
22.可选的，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的形成方法包括：在所述温度补偿层上形成图形化层，所述图形化层内具有暴露出所述温度补偿层部分顶部表面的图形化开口；在所述图形化开口内以及所述图形化层上形成绝缘材料层；去除所述图形化层以及所述图形化层上的绝缘材料层，形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。
23.可选的，所述第一电极结构包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置。
24.可选的，所述第一电互连层连接若干所述第二总线。
25.可选的，所述第二电极结构包括：多个第三电极条及连接多个所述第三电极条的第三总线，多个第四电极条及连接多个所述第四电极条的第四总线，多个所述第三电极条和多个所述第四电极条位于所述第三总线和所述第四总线之间并交错放置。
26.可选的，所述第二电互连层连接若干所述第三总线。
27.相应的，本发明技术方案中还提供一种滤波器，包括：至少上述其中之一所述的声表面波滤波装置。
28.相应的，本发明技术方案中还提供一种多工器，包括：至少上述其中之一所述的声表面波滤波装置。
29.与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
30.在本发明技术方案的声表面波滤波装置中，所述第一绝缘层位于所述第一电互连层和所述温度补偿层之间。通过所述第一绝缘层能够有效提升对所述第一电互连层和所述第二电极结构之间的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗。
31.进一步，还包括：位于所述温度补偿层上的第二绝缘层；位于所述温度补偿层上的第二电互连层，所述第二电互连层连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。通过所述第二绝缘层能够有效提升对所述第二电互连层和所述第一电极结构之间的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗。
32.在本发明技术方案的声表面波滤波装置形成方法中，所述第一绝缘层位于所述第一电互连层和所述温度补偿层之间。通过所述第一绝缘层能够有效提升对所述第一电互连层和所述第二电极结构之间的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗。
33.进一步，在所述温度补偿层上形成第一绝缘层的过程中，还包括：在所述温度补偿层上形成第二绝缘层；在所述温度补偿层上形成第一电互连层的过程中，还包括：在所述温度补偿层上形成第二电互连层，所述第二电互连层连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。通过所述第二绝缘层能够有效提升对所述第二电互连层和所述第一电极结构之间的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗。
34.进一步，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的形成方法包括：在所述温度补偿层上形成图形化层，所述图形化层内具有暴露出所述温度补偿层部分顶部表面的图形化开口；在所述图形化开口内以及所述图形化层上形成绝缘材料层；去除所述图形化层以及所述图形化层上的绝缘材料层，形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。通过剥离工艺形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，能够有效减少对所述温度补偿层的刻蚀损伤。
附图说明
35.图1和图2是一种声表面波滤波装置的结构示意图；
36.图3至图12是本发明实施例中一种声表面波滤波装置的形成方法各步骤的结构示意图；
37.图13是本发明实施例中的声表面波滤波装置与现有技术中声表面波滤波装置的归一化频率-插入损耗对比示意图。
具体实施方式
38.正如背景技术所述，现有技术中形成的声表面波滤波装置仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。
39.图1和图2是一种声表面波滤波装置的结构示意图。
40.请参考图1和图2，图1是省略温度补偿层的结构俯视图，图2是图1中沿a-a线截面示意图，包括：压电基底100，所述压电基底100包括沿第一方向x排布的若干第一区i和若干第二区ii，且所述第一区i和所述第二区ii间隔排布；位于所述压电基底100上的若干第一电极结构101和若干第二电极结构102，且所述第一电极结构101位于所述第一区i上，所述第二电极结构102位于所述第二区ii上；位于所述压电基底100上的温度补偿层103，所述温度补偿层103覆盖所述第一电极结构101和所述第二电极结构102；位于所述温度补偿层103上的第一电互连层104和第二电互连层105，所述第一电互连层104连接若干所述第一电极结构101，所述第二电互连层105连接若干所述第二电极结构102。
41.需要说明的是，所述温度补偿层103与压电基底100具有相反的温度频移特性，可以减小频率温度系数(temperature coefficient of frequency，tcf)，趋向于0ppm/℃，从而改善了声表面波滤波装置工作频率随工作温度漂移的特性，具备了更高的频率-温度稳定性。包括温度补偿层103的声表面波滤波装置称为温度补偿声表面波滤波装置。
42.在本实施例中，以2个所述第一电极结构101和3个所述第二电极结构102为例。根据电学设计要求，需要将2个所述第一电极结构101进行电连接，并且与3个所述第二电极结构102之间电学不导通。同理，需要将3个所述第二电极结构102进行电连接，并且与2个所述第一电极结构101之间电学不导通。因此所述第一电互连层104和所述第二电互连层105以所述温度补偿层103为介质形成跨桥结构。
43.然而，在中高频或高频的滤波器应用中，所述温度补偿层103的厚度较薄，一般为400纳米～1000纳米，使得所述温度补偿层103对所述第一电互连层104和所述第二电极结构102之间、以及所述第二电互连层105和所述第一电极结构101之间的隔离效果有限，容易造成通带性能变差。
44.在此基础上，本发明提供一种声表面波滤波装置及其形成方法、滤波器、多工器，所述第一绝缘层位于所述第一电互连层和所述温度补偿层之间，所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。通过所述第一绝缘层能够有效提升对所述第一电互连层和所述第二电极结构之间的隔离效果、以及通过所述第二绝缘层能够有效提升对所述第二电互连层和所述第一电极结构之间的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗。
45.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
46.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
47.图3至图12是本发明实施例中一种声表面波滤波装置的形成方法各步骤的结构示意图；图13是本发明实施例中的声表面波滤波装置与现有技术中声表面波滤波装置的归一化频率-插入损耗对比示意图。
48.请参考图3，提供压电基底200，所述压电基底200包括沿第一方向x排布的若干第一区i和若干第二区ii，且所述第一区i和所述第二区ii间隔排布。
49.所述压电基底200的材料包括：钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅、氮化铝、氮化铝合金、氮化镓或氧化锌。在本实施例中，所述压电基底200的材料采用铌酸锂。
50.在本实施例中，以2个所述第一区i和3个所述第二区ii为例。在其他实施例中，所述第一区和所述第二区的总数还可以大于5个或者小于5个且大于3个。
51.请参考图4至图6，图5是图4中沿a-a线截面示意图，图6是图4中沿b-b线截面示意图，在所述压电基底200上形成若干第一电极结构和若干第二电极结构，且所述第一电极结构位于所述第一区i上，所述第二电极结构位于所述第二区ii上。
52.在本实施例中，以2个所述第一电极结构和3个所述第二电极结构为例。在其他实施例中，所述第一电极结构和所述第二电极结构的总数还可以大于5个或者小于5个且大于3个。
53.在本实施例中，所述第一电极结构包括：多个第一电极条201及连接多个所述第一电极条201的第一总线202，多个第二电极条203及连接多个所述第二电极条203的第二总线204，多个所述第一电极条201和多个所述第二电极条203位于所述第一总线202和所述第二总线204之间并交错放置。
54.在本实施例中，所述第二电极结构包括：多个第三电极条205及连接多个所述第三电极条205的第三总线206，多个第四电极条207及连接多个所述第四电极条207的第四总线208，多个所述第三电极条205和多个所述第四电极条207位于所述第三总线206和所述第四总线208之间并交错放置。
55.请参考图7和图8，图7和图5的视图方向一致，图8和图6的视图方向一致，在所述压电基底200上形成温度补偿层209，所述温度补偿层209覆盖所述第一电极结构和所述第二电极结构。
56.需要说明的是，所述温度补偿层209与所述压电基底200具有相反的温度频移特性，可以减小tcf，趋向于0ppm/℃，从而改善了声表面波滤波装置工作频率随工作温度漂移的特性，具备了更高的频率-温度稳定性。
57.所述温度补偿层209的材料包括：二氧化硅、氟氧化硅或碳氧化硅。在本实施例中，所述温度补偿层209的材料采用二氧化硅。
58.请参考图9和图10，图9和图7的视图方向一致，图10和图8的视图方向一致，在所述温度补偿层209上形成第一绝缘层210。
59.在本实施例中，在所述温度补偿层209上形成第一绝缘层210的过程中，还包括：在所述温度补偿层209上形成第二绝缘层211。
60.在本实施例中，所述第一绝缘层210和所述第二绝缘层211的形成方法包括：在所述温度补偿层209上形成图形化层(未图示)，所述图形化层内具有暴露出所述温度补偿层209部分顶部表面的图形化开口；在所述图形化开口内以及所述图形化层上形成绝缘材料层(未图示)；去除所述图形化层以及所述图形化层上的绝缘材料层，形成所述第一绝缘层210和所述第二绝缘层211。
61.在本实施例中，通过剥离工艺形成所述第一绝缘层210和所述第二绝缘层211，能够有效减少对所述温度补偿层209的刻蚀损伤。
62.在本实施例中，所述第一绝缘层210的厚度为：0.5微米～2微米；所述第二绝缘层211的厚度为：0.5微米～2微米。
63.所述第一绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述第二绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
64.所述聚合物包括：并环丁烯(即，bcb)、光感环氧树脂光刻胶(例如，su-8)或聚酰亚胺。
65.所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅或氮化硅。
66.在本实施例中，所述第一绝缘层210的材料采用二氧化硅，所述第二绝缘层211的材料采用二氧化硅。
67.在本实施例中，在形成所述第一绝缘层210和所述第二绝缘层211之前，所述温度补偿层209内还未形成暴露出对应所述第一电极结构或所述第二电极结构的接触孔。在其他实施例中，在形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之前，所述温度补偿层内已经形成了暴露出对应所述第一电极结构或所述第二电极结构的接触孔。
68.请参考图11和图12，图11和图9的视图方向一致，图12和图10的视图方向一致，在所述温度补偿层209上形成第一电互连层212和第二电互连层217，所述第一电互连层212连接若干所述第一电极结构，所述第二电互连层213连接若干所述第二电极结构，所述第一绝缘层210位于所述第一电互连层212和所述温度补偿层209之间，所述第二绝缘层211位于所述第二电互连层213和所述温度补偿层209之间。
69.在本实施例中，在所述温度补偿层209上形成第一电互连层212的过程中，还包括：在所述温度补偿层209上形成第二电互连层213，所述第二电互连层213连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层211位于所述第二电互连层213和所述温度补偿层209之间。
70.在本实施例中，通过所述第一绝缘层210能够有效提升对所述第一电互连层212和所述第二电极结构之间的隔离效果、以及通过所述第二绝缘层211能够有效提升对所述第二电互连层213和所述第一电极结构之间的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗(如图13所示)。
71.在本实施例中，所述第一电互连层212连接若干所述第二总线204。
72.在本实施例中，所述第二电互连层213连接若干所述第三总线206。
73.在其他实施例中，当所述第二电极结构的数量为1个时，还可以不形成所述第二电互连层，相应的也不用形成所述第二绝缘层。
74.相应的，本发明实施例中还提供了一种声表面波滤波装置，请继续参考图11和图12，包括：压电基底200，所述压电基底200包括沿第一方向x排布的若干第一区i和若干第二区ii，且所述第一区i和所述第二区ii间隔排布；位于所述压电基底200上的若干第一电极结构和若干第二电极结构，且所述第一电极结构位于所述第一区i上，所述第二电极结构位于所述第二区ii上；位于所述压电基底200上的温度补偿层209，所述温度补偿层209覆盖所述第一电极结构和所述第二电极结构；位于所述温度补偿层209上的第一绝缘层210；位于所述温度补偿层209上的第一电互连层212，所述第一电互连层212连接若干所述第一电极结构，所述第一绝缘层210位于所述第一电互连层212和所述温度补偿层209之间。
75.在本实施例中，还包括：位于所述温度补偿层209上的第二绝缘层211；位于所述温度补偿层209上的第二电互连层213，所述第二电互连层213连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层211位于所述第二电互连层213和所述温度补偿层209之间。
76.在本实施例中，所述第一绝缘层210位于所述第一电互连层212和所述温度补偿层209之间，所述第二绝缘层211位于所述第二电互连层213和所述温度补偿层209之间。通过所述第一绝缘层210能够有效提升对所述第一电互连层212和所述第二电极结构之间的隔
离效果、以及通过所述第二绝缘层211能够有效提升对所述第二电互连层213和所述第一电极结构之间的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗
77.所述第一绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅；所述第二绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。
78.所述聚合物包括：并环丁烯(即，bcb)、光感环氧树脂光刻胶(例如，su-8)或聚酰亚胺。
79.所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅或氮化硅。
80.在本实施例中，所述第一绝缘层210的材料采用二氧化硅，所述第二绝缘层211的材料采用二氧化硅。
81.请继续参考图4，在本实施例中，所述第一电极结构包括：多个第一电极条201及连接多个所述第一电极条201的第一总线202，多个第二电极条203及连接多个所述第二电极条203的第二总线204，多个所述第一电极条201和多个所述第二电极条203位于所述第一总线202和所述第二总线204之间并交错放置。
82.在本实施例中，所述第一电互连层212连接若干所述第二总线204。
83.请继续参考图4，在本实施例中，所述第二电极结构包括：多个第三电极条205及连接多个所述第三电极条205的第三总线206，多个第四电极条207及连接多个所述第四电极条207的第四总线208，多个所述第三电极条205和多个所述第四电极条207位于所述第三总线206和所述第四总线208之间并交错放置。
84.在本实施例中，所述第二电互连层213连接若干所述第三总线206。
85.相应的，本发明实施例中还提供一种滤波器，包括：至少一个如上述实施例所述的声表面波滤波装置。
86.相应的，本发明实施例中还提供一种多工器，包括：至少一个如上述实施例所述的声表面波滤波装置。
87.应该理解，此处的例子和实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本技术和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。
技术特征：1.一种声表面波滤波装置，其特征在于，包括：压电基底，所述压电基底包括沿第一方向排布的若干第一区和若干第二区，且所述第一区和所述第二区间隔排布；位于所述压电基底上的若干第一电极结构和若干第二电极结构，且所述第一电极结构位于所述第一区上，所述第二电极结构位于所述第二区上；位于所述压电基底上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述第一电极结构和所述第二电极结构；位于所述温度补偿层上的第一绝缘层；位于所述温度补偿层上的第一电互连层，所述第一电互连层连接若干所述第一电极结构，所述第一绝缘层位于所述第一电互连层和所述温度补偿层之间。2.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述温度补偿层上的第二绝缘层；位于所述温度补偿层上的第二电互连层，所述第二电互连层连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。3.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。4.如权利要求2所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第二绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。5.如权利要求3或4所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述聚合物包括：并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶或聚酰亚胺。6.如权利要求3或4所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅或氮化硅。7.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第一电极结构包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置。8.如权利要求7所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第一电互连层连接若干所述第二总线。9.如权利要求2所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第二电极结构包括：多个第三电极条及连接多个所述第三电极条的第三总线，多个第四电极条及连接多个所述第四电极条的第四总线，多个所述第三电极条和多个所述第四电极条位于所述第三总线和所述第四总线之间并交错放置。10.如权利要求9所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第二电互连层连接若干所述第三总线。11.一种声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，包括：提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向排布的若干第一区和若干第二区，且所述第一区和所述第二区间隔排布；在所述压电基底上形成若干第一电极结构和若干第二电极结构，且所述第一电极结构位于所述第一区上，所述第二电极结构位于所述第二区上；在所述压电基底上形成温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述第一电极结构和所述第
二电极结构；在所述温度补偿层上形成第一绝缘层；在所述温度补偿层上形成第一电互连层，所述第一电互连层连接若干所述第一电极结构，所述第一绝缘层位于所述第一电互连层和所述温度补偿层之间。12.如权利要求11所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，在所述温度补偿层上形成第一绝缘层的过程中，还包括：在所述温度补偿层上形成第二绝缘层；在所述温度补偿层上形成第一电互连层的过程中，还包括：在所述温度补偿层上形成第二电互连层，所述第二电互连层连接若干所述第二电极结构，所述第二绝缘层位于所述第二电互连层和所述温度补偿层之间。13.如权利要求11所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。14.如权利要求12所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材料包括：聚合物、绝缘电介质或多晶硅。15.如权利要求13或14所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述聚合物包括：并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶或聚酰亚胺。16.如权利要求13或14所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅或氮化硅。17.如权利要求12所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的形成方法包括：在所述温度补偿层上形成图形化层，所述图形化层内具有暴露出所述温度补偿层部分顶部表面的图形化开口；在所述图形化开口内以及所述图形化层上形成绝缘材料层；去除所述图形化层以及所述图形化层上的绝缘材料层，形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。18.如权利要求12所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一电极结构包括：多个第一电极条及连接多个所述第一电极条的第一总线，多个第二电极条及连接多个所述第二电极条的第二总线，多个所述第一电极条和多个所述第二电极条位于所述第一总线和所述第二总线之间并交错放置。19.如权利要求18所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一电互连层连接若干所述第二总线。20.如权利要求11所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二电极结构包括：多个第三电极条及连接多个所述第三电极条的第三总线，多个第四电极条及连接多个所述第四电极条的第四总线，多个所述第三电极条和多个所述第四电极条位于所述第三总线和所述第四总线之间并交错放置。21.如权利要求20所述的声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二电互连层连接若干所述第三总线。22.一种滤波器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至10其中之一所述的声表面波滤波装置。23.一种多工器，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至10其中之一所述的声表面波滤波装置。
技术总结一种声表面波滤波装置及其形成方法、滤波器、多工器，其中声表面波滤波装置包括：压电基底，压电基底包括间隔排布的若干第一区和若干第二区；位于第一区上的第一电极结构、位于第二区上的第二电极结构；位于压电基底上的温度补偿层；位于温度补偿层上的第一绝缘层；位于温度补偿层上的第一电互连层，第一电互连层连接若干第一电极结构，第一绝缘层位于第一电互连层和温度补偿层之间。通过第一绝缘层和所述第二绝缘层有效对第一电互连层和第二电互连层的隔离效果，进而改善通带性能，提升插入损耗。耗。耗。
技术研发人员：邹雅丽 黄烜 杨新宇 汤正杰
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：2022.06.22
技术公布日：2022/11/1
