1.本发明属于太赫兹探测器技术领域，具体涉及一种高效转化的太赫兹探测器及制备方法。
背景技术：2.太赫兹(tera hertz，thz)波指的是介于微波和中红外波段的电磁波，频率为0.1-10thz(3mm-30μm)。thz波的特点是可以穿透生活中常见的物质材料(皮肤，塑料，衣服等等)，且由于光子能量低，不会造成和离子辐射(如x光)一样的危害。因为这一特质，其能够应用在安保检查、thz成像领域、半导体特征分析、化学组成分析和生物研究领域。
3.太赫兹波在成像领域有巨大前景。可见光成像因其波长短易散射，易受环境和气候干扰；微波或者毫米波在成像方面可以避免环境和气候干扰，但是其波长过长，导致分辨率比较低。因此，太赫兹在成像方面可以达到很好的平衡，对环境、气候的干扰抑制高，并且分辨率比较高。
4.太赫兹成像的基本部件要用到太赫兹探测器。太赫兹探测器基于不同的探测原理，有很多种类型。基于半导体材料制作的太赫兹探测器，例如硅肖特基二极管、化合物半导体高电子迁移率晶体管(hemt)结构，具有可以室温工作、集成度高、高响应度、低噪声等优点。
5.氮化镓(gan)材料具有宽带隙、高临界电场强度、高电子饱和速度、高自发极化系数等优点，基于gan的电子器件，尤其是ganhemt，具有高输出功率、高效率、耐高温、抗辐射等多种优点，引起了射频电子器件、电力电子器件性能的极大提升。ganhemt器件也可以应用于太赫兹探测器，利用hemt结构中二维电子气(2deg)在太赫兹波辐照下产生等离子激元的机理，在漏极产生对入射太赫兹波响应的直流信号。ganhemt太赫兹探测器具有响应度高、可集成、可高温工作的优点。
6.随着人们于太赫兹器件生产的材料的透射光谱和其他特性研究发展，主要有两大类材料引入视野；一种是晶体太赫兹材料，包括硅，水晶石英、蓝宝石、氮化镓等晶体，另一种是聚合物太赫兹材料，典型的材料有聚甲基戊烯(tpx)，聚乙烯(pe)和聚四氟乙烯(ptfe或teflon)，因为它们具有良好的透射性能，它们对太赫兹光学器件的生产非常重要。由于以上材料对于太赫兹波相对透明，因此能够引进一层镜面层作为聚焦透镜集成在gan-hemt结构上，这样能够提高探测器各项性能指标。
7.然而，由于引进了一层镜面层，增加了gan hemt结构的太赫兹探测器制备工艺的步骤，增加了工艺的复杂性和工艺成本；同时由于镜面层引进来的缺陷电荷也会降低gan hemt结构的太赫兹探测器的可靠性。
技术实现要素：8.为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种高效转化的太赫兹探测器及制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
9.本发明实施例提供了一种高效转化的太赫兹探测器，包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极和漏电极，其中，
10.所述衬底层的背面呈凸起状以对从背面入射的太赫兹波进行聚焦；
11.所述复合缓冲层、所述沟道层、所述势垒层依次层叠于所述衬底层的上表面；
12.所述栅电极、所述源电极、所述漏电极均位于所述势垒层上，且所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间。
13.在本发明的一个实施例中，所述衬底层的材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓中的一种或多种。
14.在本发明的一个实施例中，所述衬底层凸起处的厚度小于50μm。
15.在本发明的一个实施例中，所述衬底层的表面呈圆弧状。
16.在本发明的一个实施例中，所述复合缓冲层包括成核层、过渡层和缓冲层，其中，
17.所述成核层位于所述衬底层上，所述成核层的材料包括aln，所述成核层的厚度为100-300nm；
18.所述过渡层位于所述成核层上，所述过渡层的材料包括algan，所述过渡层的厚度为200-1000nm；
19.所述缓冲层位于所述过渡层上，所述缓冲层的材料包括gan、algan中的一种或多种，所述缓冲层的厚度为100-3000nm。
20.在本发明的一个实施例中，还包括隔离层，其中，所述隔离层位于所述沟道层和所述势垒层之间；
21.所述隔离层的材料包括aln，所述隔离层的厚度为0.5-2nm。
22.在本发明的一个实施例中，还包括帽层，其中，所述帽层位于所述势垒层上，所述栅电极、所述源电极、所述漏电极均位于所述帽层上；
23.所述帽层的材料包括gan、ingan、sin中的一种或多种，所述帽层的厚度为0.5-5nm。
24.本发明的另一个实施例提供了一种高效转化的太赫兹探测器的制备方法，包括步骤：
25.在衬底层上依次生长复合缓冲层、沟道层和势垒层；
26.在所述势垒层上制备栅电极、源电极、漏电极，使得所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；
27.减薄所述衬底层，采用表面呈凸起状的光刻胶作为掩膜版对所述减薄后的衬底层的背面进行刻蚀，形成背面呈凸起状的衬底层。
28.在本发明的一个实施例中，采用表面呈凸起状的光刻胶作为掩膜版对所述减薄后的衬底层的背面进行刻蚀，形成背面呈凸起状的衬底层，包括步骤：
29.在所述减薄后的衬底层的背面旋涂光刻胶并进行图案化处理，得到图案化的光刻胶；
30.利用热熔法使得所述图案化的光刻胶表面呈圆弧型，得到光刻胶掩膜版；
31.利用干法刻蚀工艺依次刻蚀所述光刻胶掩膜版和所述减薄后的衬底层，形成表面为圆弧型的所述衬底层。
32.在本发明的一个实施例中，利用干法刻蚀工艺依次刻蚀所述光刻胶掩膜版和所述
减薄后的衬底层，形成表面为圆弧型的所述衬底层，包括：
33.利用干法刻蚀工艺，通过控制刻蚀选择比依次刻蚀所述光刻胶掩膜版和所述减薄后的衬底层，形成表面形状与所述光刻胶掩膜版表面形状一致的所述衬底层。
34.与现有技术相比，本发明的有益效果：
35.1、本发明利用gan-hemt结构太赫兹探测器的各层均能背面透过太赫兹波以及衬底层与镜面层材料兼容的特性，在太赫兹探测器里面将衬底层设置为凸起状用来聚焦太赫兹波，从而提高探测器接受背面入射太赫兹波的效率，提高了太赫兹探测器各项指标，整体上提高了该太赫兹探测器的探测信号的性能，同时避免了设置镜面层而引入缺陷电荷的问题，提高了太赫兹探测器的可靠性。
36.2、本发明的太赫兹探测器由于没有引进新的镜面层，减少了工艺的步骤，简化了工艺的复杂性，降低了工艺成本。
37.3、本发明的太赫兹探测器制备方法中，利用热熔法制备光刻胶掩膜，由于光刻胶熔化过程中表面张力的作用，光刻胶的表面积将减至最小值，以使其表面能量达到最小，此时光刻胶截面通常为圆弧型，从而制备得到圆弧型的衬底层，制备方法与原有工艺兼容，工艺简单，效果显著。
38.4、本发明的制备方法根据刻蚀选择比刻蚀光刻胶掩膜和衬底层便可以保证形成的衬底层与光刻胶掩模形状一致，制备工艺简单，易于实现。
附图说明
39.图1为本发明实施例提供的一种高效转化的太赫兹探测器的结构示意图；
40.图2为本发明实施例提供的另一种高效转化的太赫兹探测器的结构示意图；
41.图3为本发明实施例提供的又一种高效转化的太赫兹探测器的结构示意图；
42.图4为本发明实施例提供的一种高效转化的太赫兹探测器的制备方法的流程示意图；
43.图5a-图5f为本发明实施例提供的一种高效转化的太赫兹探测器的制备方法的过程示意图；
44.图6a-图6c为本发明实施例提供的一种圆弧型衬底层的制备方法的过程示意图。
45.附图标记的含义：
46.1-衬底层，2-复合缓冲层，3-沟道层，4-势垒层，5-栅电极，6-源电极，7-漏电极，41-隔离层，42-帽层。
具体实施方式
47.下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
48.实施例一
49.请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种高效转化的太赫兹探测器的结构示意图。该高效转化的太赫兹探测器为gan mis-hemt结构，包括衬底层1、复合缓冲层2、沟道层3、势垒层4、栅电极5、源电极6和漏电极7。
50.具体的，衬底层1的背面呈凸起状以对从背面入射的太赫兹波进行聚焦。复合缓冲
层2、沟道层3、势垒层4依次层叠于衬底层1的上表面，即，复合缓冲层2设置于衬底层1之上，沟道层3设置于复合缓冲层2之上，势垒层4设置于沟道层3之上；进一步的，复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4的材料均为三族氮化物半导体。栅电极5、源电极6、漏电极7均位于势垒层4上，且栅电极5位于源电极6和漏电极7之间。
51.本实施例中，由于太赫兹波可以透射gan mis-hemt结构的太赫兹探测器的每一层，此时，gan mis-hemt结构的太赫兹探测器相当于透明结构，无论从器件的正面还是背面入射太赫兹波，其都可以穿透太赫兹探测器，因此，本实施例从背面入射太赫兹波的角度出发，将衬底层1的背面设置凸起状。
52.具体的，衬底层1的背面呈凸起状，其可以为凸字形形状，也可以为金字塔形状，也可以为梯形形状，也可以中间部分平整、两侧为圆弧状，也可以中间部分为圆弧状、两侧平整，也可以为多个小透镜单元的组合，等等，本实施例不作进一步限制，只要其满足表面呈凸起状并能够聚焦太赫兹波的条件即可。
53.在一个具体实施例中，衬底层1的表面呈具有聚焦功能的圆弧型，此时，衬底层1可以为平凸的凸透镜，对太赫兹波的聚焦效率较好，能够有效的提高背面入射太赫兹波的聚集，增强gan-hemt结构太赫兹探测器的栅电极接受太赫兹波的效率，从而提高该太赫兹探测器的整体性能。
54.在一个具体实施例中，衬底层1的材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓中的一种或多种。衬底层1凸起处的厚度小于50μm，可以理解的是，本实施例衬底层1的凸起处是指衬底层1的厚度最大处，即衬底层1厚度最大处的厚度小于50μm。
55.优选的，衬底层1选择直径为200mm的高阻值硅，外延片厚度为725μm，制备成的太赫兹探测器中衬底层1的厚度为10μm。
56.在一个具体实施例中，复合缓冲层2包括：成核层、过渡层和缓冲层。其中，成核层位于衬底层1上，过渡层位于成核层上，缓冲层位于过渡层上。
57.具体的，成核层的材料包括aln，成核层的厚度为100-300nm。过渡层的材料包括algan，过渡层的厚度为200-1000nm。缓冲层的材料包括gan、algan中的一种或多种，缓冲层的厚度为100-3000nm。
58.本实施例中，由于衬底层与gan缓冲层存在晶格不匹配问题(gan基板除外)，如sic与gan间晶格失配率为3.5％，需要引入成核层以减小晶格失配。而过渡层可以进一步减小晶格失配，提高器件的性能。
59.优选地，成核层的材料为aln，厚度为200nm；过渡层包括从下至上依次层叠的300nm的al
0.75
ga
0.25
n、350nm的al
0.5
ga
0.5
n和200nm的al
0.2
ga
0.8
n；缓冲层的材料为gan，厚度为1000nm。
60.在一个具体实施例中，沟道层3的材料包括gan、ingan中的一种或多种，沟道层3的厚度为50nm-500nm。
61.优选地，沟道层3材料是gan，厚度为300nm。
62.在一个具体实施例中，势垒层4的材料包括algan、inaln、aln、inalgan中的一种或多种，势垒层4的厚度为2-40nm。
63.优选地，势垒层4材料是al
0.25
ga
0.75
n，厚度为20nm。
64.在一个具体实施例中，源电极6和漏电极7为4层金属层叠形成，其最下面两层的材
料包括ti/al、ta/al或者mo/al，即下面一层为ti、ta或者mo，对应的上面一层为均al，且在al上还可以根据实际需求设置其它材料，本实施例对此不做具体限定。栅电极5为两层金属层叠形成，其下面第一层的材料包括ti、ni、al、ta、tin或者tan，且栅电极5在第一层之上还可以根据实际需求设置其它材料，本实施例对此不做具体限定。
65.优选地，源电极6和所漏电极7的材料从下往上依次为ti/al/ni/au，厚度依次为20/120/40/50nm。栅电极5的材料从下往上依次为ni/au，厚度为50/300nm。
66.请参见图2，图2为本发明实施例提供的另一种高效转化的太赫兹探测器的结构示意图。该太赫兹探测器还包括：隔离层41，隔离层41设置于沟道层3和势垒层4之间，隔离层41的材料包括aln，隔离层41的厚度为0.5-2nm。
67.优选地，隔离层41的材料为aln，厚度为1nm。
68.请参见图3，图3为本发明实施例提供的又一种高效转化的太赫兹探测器的结构示意图。该太赫兹探测器还包括帽层42，帽层42设置于势垒层4之上，且栅电极5、源电极6和漏电极7均位于帽层42上，帽层42的材料包括gan、ingan、sin中的一种或多种，帽层42的厚度为0.5-5nm。
69.优选地，帽层42的材料为gan，厚度为2nm。
70.本实施例利用gan-hemt结构太赫兹探测器的各层均能背面透过太赫兹波以及衬底层与镜面层材料兼容的特性，在太赫兹探测器里面将衬底层设置为凸起状用来聚焦太赫兹波，从而提高探测器接受背面入射太赫兹波的效率，提高了太赫兹探测器各项指标，整体上提高了该太赫兹探测器的探测信号的性能，同时避免了设置镜面层而引入缺陷电荷的问题，提高了太赫兹探测器的可靠性。
71.实施例二
72.在实施例一的基础上，请参见图4和图5a-图5f，图4为本发明实施例提供的一种高效转化的太赫兹探测器的制备方法的流程示意图，图5a-图5f为本发明实施例提供的一种高效转化的太赫兹探测器的制备方法的过程示意图，该制备方法包括步骤：
73.s1、在衬底层1上依次生长复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4。
74.首先，选取衬底层1并清洗衬底层1的表面，请参见图5a。
75.具体地，选取电阻率为1000-30000ω
·
cm，厚度为725μm，晶向为《111》的高阻硅作为衬底层1，在1200℃左右的高温下，将氢气通入反应室，去除硅衬底材料表面的污染物，并在衬底层1表面形成台阶结构以减少外延层的位错。
76.然后，利用外延技术方法在衬底层1表面依次生长复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4，请参见图5b。
77.具体地，采用mocvd技术在衬底层1依次生长复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4。
78.接着，采用台面刻蚀方法将部分区域内的沟道层3和势垒层4刻蚀去除，以实现台面隔离，请参见图5c。
79.具体地，采用台面刻蚀的方法，使用rie设备或者icp-rie设备，将部分区域内的势垒层4和部分沟道层3刻蚀去除，从而实现台面隔离，如图5c所示。或者，采用离子注入的方法，使用离子注入机，在部分区域的势垒层4和部分沟道层3中注入ar离子，实现高阻区域，从而实现台面隔离。
80.s2、在势垒层4上制备栅电极5、源电极6、漏电极7，使得栅电极5位于源电极6和漏
电极7之间。
81.本实施例采用欧姆接触工艺淀积源电极6和漏电极7，采用肖特基接触工艺淀积栅电极5。具体地，结合电子束蒸发工艺和金属剥离工艺，在势垒层4上方淀积金属ti/al/ni/au，形成源电极6和漏电极7，并在850℃，流速为1.5m/s的氮气下热退火30s形成欧姆接触，请参见图5d；然后，结合电子束蒸发工艺和金属剥离工艺，在势垒层4上淀积金属ni/au，形成栅电极5，并在400℃，流速为1m/s的氮气下进行热退火形成肖特基接触，请参见图5e。
82.s3、减薄衬底层1，采用表面呈凸起状的光刻胶作为掩膜版对减薄后的衬底层1的背面进行刻蚀，形成背面呈凸起状的衬底层1。
83.具体地，首先，采用掩膜的方法，将衬底层1减薄到50μm以下。然后，采用等离子增强刻蚀技术，用凸起状的光刻胶作为掩模版，根据待刻蚀材料控制刻蚀选择比先后刻蚀光刻胶pr和减薄后的衬底层1的背面，得到表面呈凸起状的衬底层1。
84.本实施例提出的太赫兹探测器的制备方法由于没有引进新的镜面层，减少了工艺的步骤，简化了工艺的复杂性，降低了工艺成本，且该制备方法与原有工艺兼容，工艺简单，效果显著。
85.实施例三
86.在实施例一和实施例二的基础上，本实施例提供了一种圆弧型衬底层的制备方法。请参见图6a-图6c，图6a-图6c为本发明实施例提供的一种圆弧型衬底层的制备方法的过程示意图。该圆弧型衬底层的制备方法包括步骤：
87.s31、在减薄后的衬底层1料的背面旋涂光刻胶并进行图案化处理，得到图案化的光刻胶，请参见图6a。
88.本实施例采用旋转法进行甩胶，具体地，将光刻胶与配套的稀释溶剂按体积比4：1进行混合得到光刻胶溶液，然后将光刻胶溶液滴在衬底层1的背面上，通过离心旋转进行甩胶，甩胶速度为1000r/min，时间为30s。之后，采用光刻技术对光刻胶进行图案化，得到晶圆上每个探测器单元的光刻胶图案，形成图案化的光刻胶。
89.具体地，光刻胶的型号包括az4260或者su8。
90.s32、利用热熔法使得图案化的光刻胶表面呈圆弧型，得到光刻胶掩膜版，请参见图6b。
91.具体地，将附有光刻胶的基底放入烘箱中进行烘烤及热熔，烘烤温度为120℃,时间为30min；然后将温度提高到160℃～180℃进行热熔，时间为25-35min。
92.s33、利用干法刻蚀工艺依次刻蚀光刻胶掩膜版和减薄后的衬底层1，形成表面为圆弧型的衬底层1。
93.具体地，采用反应离子束刻蚀ribe工艺对光刻胶pr和减薄后的衬底层1进行刻蚀。实验环境为：压力为5.333pa，cf4流量为1.667
×
10-6
m3/s，o2与cf4的混合比为40％。进一步地，利用干法刻蚀工艺，通过控制刻蚀选择比依次刻蚀光刻胶掩膜版和减薄后的衬底层1，使得光刻胶掩膜版的刻蚀速率与衬底层1的刻蚀速率一致，从而形成表面形状与光刻胶掩膜版表面形状一致的衬底层1。
94.本实施例的太赫兹探测器制备方法中，利用热熔法制备光刻胶掩膜，由于光刻胶熔化过程中表面张力的作用，光刻胶的表面积将减至最小值，以使其表面能量达到最小，此时光刻胶截面通常为圆弧型，从而制备得到圆弧型的衬底层，制备方法与原有工艺兼容，工
艺简单，效果显著。
95.本实施例的制备方法根据刻蚀选择比刻蚀光刻胶掩膜和衬底层便可以保证形成的衬底层与光刻胶掩模形状一致，制备工艺简单，易于实现。
96.以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
技术特征：1.一种高效转化的太赫兹探测器，其特征在于，包括：衬底层(1)、复合缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)、栅电极(5)、源电极(6)和漏电极(7)，其中，所述衬底层(1)的背面呈凸起状以对从背面入射的太赫兹波进行聚焦；所述复合缓冲层(2)、所述沟道层(3)、所述势垒层(4)依次层叠于所述衬底层(1)的上表面；所述栅电极(5)、所述源电极(6)、所述漏电极(7)均位于所述势垒层(4)上，且所述栅电极(5)位于所述源电极(6)和所述漏电极(7)之间。2.根据权利要求1所述的高效转化的太赫兹探测器，其特征在于，所述衬底层(1)的材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的高效转化的太赫兹探测器，其特征在于，所述衬底层(1)凸起处的厚度小于50μm。4.根据权利要求1所述的高效转化的太赫兹探测器，其特征在于，所述衬底层(1)的表面呈圆弧状。5.根据权利要求1所述的高效转化的太赫兹探测器，其特征在于，所述复合缓冲层(2)包括成核层、过渡层和缓冲层，其中，所述成核层位于所述衬底层(1)上，所述成核层的材料包括aln，所述成核层的厚度为100-300nm；所述过渡层位于所述成核层上，所述过渡层的材料包括algan，所述过渡层的厚度为200-1000nm；所述缓冲层位于所述过渡层上，所述缓冲层的材料包括gan、algan中的一种或多种，所述缓冲层的厚度为100-3000nm。6.根据权利要求1所述的高效转化的太赫兹探测器，其特征在于，还包括隔离层(41)，其中，所述隔离层(41)位于所述沟道层(3)和所述势垒层(4)之间；所述隔离层(41)的材料包括aln，所述隔离层(41)的厚度为0.5-2nm。7.根据权利要求1所述的高效转化的太赫兹探测器，其特征在于，还包括帽层(42)，其中，所述帽层(42)位于所述势垒层(4)上，所述栅电极(5)、所述源电极(6)、所述漏电极(7)均位于所述帽层(42)上；所述帽层(42)的材料包括gan、ingan、sin中的一种或多种，所述帽层(42)的厚度为0.5-5nm。8.一种高效转化的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：在衬底层(1)上依次生长复合缓冲层(2)、沟道层(3)和势垒层(4)；在所述势垒层(4)上制备栅电极(5)、源电极(6)、漏电极(7)，使得所述栅电极(5)位于所述源电极(6)和所述漏电极(7)之间；减薄所述衬底层(1)，采用表面呈凸起状的光刻胶作为掩膜版对所述减薄后的衬底层(1)的背面进行刻蚀，形成背面呈凸起状的衬底层(1)。9.根据权利要求8所述的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，采用表面呈凸起状的光刻胶作为掩膜版对所述减薄后的衬底层(1)的背面进行刻蚀，形成背面呈凸起状的衬底层(1)，包括步骤：在所述减薄后的衬底层(1)的背面旋涂光刻胶并进行图案化处理，得到图案化的光刻
胶；利用热熔法使得所述图案化的光刻胶表面呈圆弧型，得到光刻胶掩膜版；利用干法刻蚀工艺依次刻蚀所述光刻胶掩膜版和所述减薄后的衬底层(1)，形成表面为圆弧型的所述衬底层(1)。10.根据权利要求1所述的太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，利用干法刻蚀工艺依次刻蚀所述光刻胶掩膜版和所述减薄后的衬底层(1)，形成表面为圆弧型的所述衬底层(1)，包括：利用干法刻蚀工艺，通过控制刻蚀选择比依次刻蚀所述光刻胶掩膜版和所述减薄后的衬底层(1)，形成表面形状与所述光刻胶掩膜版表面形状一致的所述衬底层(1)。
技术总结本发明涉及一种高效转化的太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极和漏电极，其中，衬底层的背面呈凸起状以对从背面入射的太赫兹波进行聚焦；复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠于衬底层的上表面；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间。本发明实施例在太赫兹探测器里面将衬底层设置为凸起状用来聚焦太赫兹波，从而提高探测器接受背面入射太赫兹波的效率，提高了太赫兹探测器各项指标，整体上提高了该太赫兹探测器的探测信号的性能。探测器的探测信号的性能。探测器的探测信号的性能。
技术研发人员：刘志宏 唐从威 樊雨佳 陈淑莹 危虎 周瑾 冯欣 杨伟涛 段小玲 张进成 郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2022.06.22
技术公布日：2022/11/1
