1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术：2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示面板因具有超越lcd的显示特性与品质，例如：轻薄化、短的反应时间、低的驱动电压、更好的显示色彩以及显示视角等优点，受到大家广泛的关注，近些年其发展日新月异，不仅可以制作曲面显示，同时也逐渐向大尺寸发展。
3.大尺寸oled显示面板由于尺寸比较大，且阴极较薄导致压降的问题更加亟待解决，尤其是顶发射的面板，极易产生目视可见的mura(显示不均)。
4.目前，常采用辅助电极与阴极层并联以改善电压降现象，一般是在阴极和辅助电极之间设置倒梯形的隔离柱，但是隔离柱体积占比大，成型难度较高，影响开口率和封装，而且原材料的选择性较少，使得制作工艺变得复杂，降低生产效率，降低了良品率。
技术实现要素：5.本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，本发明实施例可以改善电压降现象，提高显示面板的显示均一性，避免了隔离柱的制作，降低了工艺难度，提高了生产效率。
6.本发明实施例提供一种显示面板，其包括：
7.基板；
8.第一金属层，设置于所述基板上，所述第一金属层包括多个辅助电极；
9.绝缘层，设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧，并包括多个开口，一所述开口对应一所述辅助电极设置；
10.第二金属层，设置于所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧，并包括的多个支撑部，一所述支撑部对应一所述开口设置，各所述支撑部包括层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层位于所述绝缘层和所述第二子层之间，所述第三子层位于所述第二子层远离所述第一子层的一侧；
11.有机功能层，设置于所述第二金属层远离所述绝缘层的一侧；
12.阴极层，设置于所述有机功能层远离所述第二金属层的一侧；
13.其中，所述开口包括设置于所述绝缘层中并位于所述辅助电极和所述支撑部之间的第一底切开口，且在所述开口处，所述第二子层中设置有位于所述第一子层和所述第三子层之间的第二底切开口，所述有机功能层在所述第一底切开口处或所述第二底切开口处隔断，所述阴极层延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。
14.在本发明的一种实施例中，每一所述支撑部环绕对应的一所述开口设置，且所述第一底切开口在所述基板上的正投影以及所述第二底切开口在所述基板上的正投影皆呈环形。
15.在本发明的一种实施例中，所述阴极层连续地覆盖所述支撑部的侧壁，并延伸至
所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。
16.在本发明的一种实施例中，所述阴极层覆盖所述第二底切开口并延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接，且所述阴极层部分延伸至所述第二底切开口内。
17.在本发明的一种实施例中，所述第二金属层还包括与多个所述支撑部间隔设置的多个阳极，每一所述阳极包括层叠设置的第四子层、第五子层以及第六子层，所述第四子层位于所述绝缘层和所述第五子层之间，所述第六子层位于所述第五子层远离所述第四子层的一侧；
18.其中，第四子层中设置有位于所述第五子层和所述第六子层之间的第三底切开口。
19.在本发明的一种实施例中，所述第一子层的材料与所述第四子层的材料相同，所述第二子层的材料与所述第五子层的材料相同，所述第三子层的材料与所述第六子层的材料相同。
20.在本发明的一种实施例中，所述第二底切开口的深度大于所述第三底切开口的深度。
21.在本发明的一种实施例中，所述第一金属层还包括与多个所述辅助电极间隔设置的多个源极和多个漏极，且一所述漏极与一所述阳极电性连接，一所述漏极与对应的一所述阳极的所述第四子层搭接。
22.在本发明的一种实施例中，所述有机功能层包括设置于所述开口内且位于所述辅助电极上的第一子部以及位于所述开口外并与所述第一子部间隔设置的第二子部；
23.其中，所述第二子部靠近所述开口一侧的端部在所述基板上的正投影位于所述第三子层在所述基板上的正投影的覆盖范围以内，所述阴极层覆盖所述第一子部并延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。
24.根据本发明的上述目的，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，其包括以下步骤：
25.提供基板；
26.在所述基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括多个辅助电极；
27.在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成绝缘层；
28.在所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧形成第二金属层，所述第二金属层包括多个支撑部，一所述支撑部对应一所述辅助电极设置，各所述支撑部包括层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层位于所述绝缘层和所述第二子层之间，所述第三子层位于所述第二子层远离所述第一子层的一侧；
29.在所述绝缘层中形成多个开口，且一所述开口对应一所述辅助电极设置，所述开口包括形成于所述绝缘层中并位于所述辅助电极和所述支撑部之间的第一底切开口，且在所述开口处，所述第二子层中形成有位于所述第一子层和所述第三子层之间的第二底切开口；
30.在所述第二金属层远离所述绝缘层的一侧形成有机功能层，所述有机功能层在所述第一底切开口处或所述第二底切开口处隔断；
31.在所述有机功能层远离所述第二金属层的一侧形成阴极层，所述阴极层延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。
32.本发明的有益效果：本发明通过在第二金属层中设置支撑部，并在绝缘层中设置位于支撑部和辅助电极之间的第一底切开口，进而可以使得阴极层延伸至第一底切开口内与辅助电极搭接，降低阴极层的电阻，改善电压降现象，提高显示面板的显示均一性；且相对于现有技术，本发明不需要制作隔离柱，降低了工艺难度，提高了生产效率；此外，本发明中在绝缘层中设置有第一底切开口，在支撑部中设置有第二底切开口，且有机功能层在第一底切开口处或第二底切开口处隔断，进而可以提高有机功能层隔断的成功率，提高阴极层与辅助电极搭接的成功率，提高了显示面板的良品率。
附图说明
33.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
34.图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
35.图2本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图；
36.图3至图9为本发明实施例提供的显示面板的制作过程结构示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
38.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
39.本发明实施例提供一种显示面板，请参照图1，该显示面板包括基板10、第一金属层20、绝缘层30、第二金属层、有机功能层70以及阴极层40。
40.其中，第一金属层20设置于基板10上，第一金属层20包括多个辅助电极21；绝缘层30设置于第一金属层20远离基板10的一侧，并包括多个开口301，一个开口301对应一个辅助电极21设置；第二金属层设置于绝缘层30远离第一金属层20的一侧，并包括多个支撑部31，一个支撑部31对应一个开口301设置，各支撑部31包括层叠设置的第一子层311、第二子层312以及第三子层313，第一子层311位于绝缘层30和第二子层312之间，第三子层313位于第二子层312远离第一子层311的一侧；有机功能层70设置于第二金属层远离绝缘层30的一侧；阴极层40设置于有机功能层70远离第二金属层的一侧。
41.进一步地，开口301包括设置于绝缘层30中并位于辅助电极21和支撑部31之间的第一底切开口302，且在开口301处，第二子层312中设置有位于第一子层311和第三子层313之间的第二底切开口310，而有机功能层70在第一底切开口302处或第二底切开口310处隔断，阴极层40延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接。
42.在实施应用过程中，本发明实施例通过在第二金属层中设置支撑部31，并在绝缘层30中设置位于支撑部31和辅助电极21之间的第一底切开口302，进而可以使得阴极层40延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接，降低阴极层40的电阻，改善电压降现象，提高显示面板的显示均一性；相对于现有技术，本发明不需要制作隔离柱，降低了工艺难度，提高了生产效率；此外，本发明实施例中在绝缘层30中设置有第一底切开口302，在支撑部31中设置有第二底切开口310，进而可以提高有机功能层70隔断的成功率，提高阴极层40与辅助电极21搭接的成功率。
43.具体地，请继续参照图1，本发明实施例提供的显示面板包括显示区101以及邻接于显示区101的非显示区102。
44.进一步地，该显示面板还包括基板10、设置于基板10上的遮光层61、设置于基板10上并覆盖遮光层61的缓冲层51、设置于缓冲层51上并位于遮光层61上方的有源层62、设置于缓冲层51上并覆盖有源层62的部分上表面的栅极绝缘层53、设置于栅极绝缘层53上的栅极63、设置于缓冲层51上并覆盖有源层62、栅极绝缘层53以及栅极63的层间介质层52、设置于层间介质层52上的第一金属层20、设置于层间介质层52上并覆盖第一金属层20的绝缘层30、设置于绝缘层30上的平坦层54、设置于平坦层54上的第二金属层、设置于第二金属层上的像素定义层55、依次设置于定义层55上的有机功能层70以及阴极层40。
45.具体地，第一金属层20包括设置于显示区101内的多个辅助电极21、多个源极22、多个漏极23以及设置于非显示区102内的多个信号端子24。绝缘层30包括多个开口301，每一个开口301皆与一个辅助电极21对应设置，且每一个开口301露出对应的一个辅助电极21的部分上表面；一个源极22、一个漏极23对应设置于一个有源层62的上方两侧，且一个源极22、一个漏极23穿过层间介质层52与对应的一个有源层62两侧搭接，进一步地，每一漏极23还穿过层间介质层52以及缓冲层51与遮光层61搭接，进而可以通过漏极23给遮光层61加载稳定电压，以降低信号串扰；此外，绝缘层30还包括设置于非显示区102内的多个开孔，且一开孔对应一信号端子24设置，以露出对应的一信号端子24的部分上表面，以便于后续信号端子24的绑定。
46.平坦层54设置于绝缘层30上，且平坦层54包括设置于显示区101内的多个第一连通开口以及多个接触孔，其中，每一个第一连通开口皆对应一个开口301设置，并与对应的一个开口301相连通，以露出对应的一个辅助电极21，且每一个开口301在基板10上的正投影位于对应的一个第一连通开口在基板10上的正投影的覆盖范围以内。
47.第二金属层包括设置于显示区101内的多个支撑部31和阳极32。其中，每一个支撑部31对应一个开口301设置，即对应一个第一连通开口设置，每一个阳极32对应一接触孔设置，每一个支撑部31设置于平坦层54上并延伸至第一连通开口的侧壁，且每一个支撑部31部分延伸至对应开口301的上方，进而每一个开口301皆包括设置于绝缘层30中且位于支撑部31和辅助电极21之间的第一底切开口302。每一个阳极32通过对应的一个接触孔与一个漏极电性连接。
48.在本发明实施例中，每一个支撑部31环绕对应的一个开口301设置，且每一个第一底切开口302在基板10上内的正投影呈环形。
49.需要说明的是，各支撑部31包括层叠设置的第一子层311、第二子层312以及第三子层313，且第一子层311位于绝缘层30和第二子层312之间，第三子层313位于第二子层312
远离第一子层311的一侧；各阳极包括层叠设置的第四子层321、第五子层322以及第六子层323，且第四子层321位于绝缘层30和第五子层322之间，第六子层323位于第五子层322远离第四子层321的一侧，第四子层321通过接触孔与对应的漏极23搭接。其中，第一子层311的材料与第四子层321的材料相同，第二子层312的材料与第五子层322的材料相同，第三子层313的材料与第六子层323的材料相同，即第二金属层为三个层金属子层形成的层叠结构。
50.可选的，第一子层311的材料与第四子层321的材料皆可mo、ti和ni，第二子层312的材料与第五子层322的材料皆可包括ancl，且ancl为al、ni、cu和la混合物，第三子层313的材料与第六子层323的材料皆可包括ito(indium tin oxides，铟锡金属氧化物)材料。
51.在本发明实施例中，在开口301处，第二子层312中设置有位于第一子层311和第三子层313之间的第二底切开口310。第五子层322中设置有位于第四子层321和第六子层323之间的第三底切开口320。其中，第二底切开口310在基板10上的正投影也可为环形，且第二底切开口310位于第一底切开口302的上方，与第一底切开口302层叠设置。
52.可以理解的是，在本发明实施例中，在对第二金属层进行图案化处理以得到多个辅助电极21和多个阳极32时，由于第二子层312和第五子层322的材料的主要成分为al，进而容易产生侧刻蚀，使得第二子层312和第五子层322的侧边内缩；且在形成第一底切开口302时，需要对绝缘层30进行侧刻蚀，但是由于第二子层312的材料主要成分为al，因此，在对绝缘层30进行侧刻蚀的过程中，也会对开口301处的第二子层312产生侧刻蚀，最终使得第二子层312的侧壁内缩的程度大于第五子层322的侧壁内缩的程度，即第二底切开口310的深度大于第三底切开口320的深度。
53.像素定义层55设置于第二金属层以及平坦层54上，像素定义层55包括的多个第二连通开口以及多个像素开口。其中，每一个第二连通开口与一个第一连通开口对应设置且相连通，并露出对应的一个辅助电极21的部分上表面，每一个像素开口与一个阳极32对应设置，并露出对应的阳极32的部分上表面。
54.有机功能层70设置于像素定义层55上，且有机功能层70在第一底切开口302或第二底切开口310处隔断，即有机功能层70可以在第一底切开口302处隔断，也可以在第二底切开口310处隔断，且第一底切开口302和第二底切开口310皆可呈环形分布，进而有机功能层70还可以在部分区域内在第一底切开口302处隔断，在部分区域内在第二底切开口310处隔断。
55.其中，有机功能层70包括设置于开口301内且位于辅助电极21上的第一子部71以及位于开口301外并与第一子部71间隔设置的第二子部72，且第二子部72设置于像素定义层55上以及设置于第一连通开口和第二连通开口的侧壁。在本发明实施例中，可以在辅助电极21上方形成底切开口可以使得有机功能层70在底切开口处可以隔断，以便于后续阴极层40与辅助电极21的搭接，而本发明实施例中可以在辅助电极21上方形成层叠的第一底切开口302以及第二底切开口310，进而可以提高有机功能层70隔断的成功率，提高后续阴极层40与辅助电极21搭接的成功率，以提高显示面板的良品率。
56.阴极层40设置于有机功能层70上，且阴极层40覆盖第一子部71并延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接，在本发明实施例中，阴极层40连续地覆盖支撑部31的侧壁，并延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接。
57.需要说明的是，在本发明实施例中，可通过控制蒸镀工艺参数，使得阴极层40在第
一底切开口302和第二底切开口310处不被隔断，且连续地覆盖第二子部72以及支撑部31的侧壁，并延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接。
58.进一步地，阴极层40还覆盖第二底切开口310并延伸至第一底切开口302内与辅助电极搭接，且阴极层40部分延伸至第二底切开口310内。
59.承上，本发明实施例通过在第二金属层中设置支撑部31，并在绝缘层30中设置位于支撑部31和辅助电极21之间的第一底切开口302，进而可以使得阴极层40延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接，降低阴极层40的电阻，改善电压降现象，提高显示面板的显示均一性；且相对于现有技术，本发明不需要制作隔离柱，降低了工艺难度，提高了生产效率。进一步地，本发明实施例可以在辅助电极21上方形成层叠的第一底切开口302以及第二底切开口310，以提高有机功能层70被隔断的成功率，进而可以提高阴极层40与辅助电极21搭接的成功率，提高显示面板的显示均一性和良品率。
60.另外，本发明实施例还提供一种上述实施例中所述的显示面板的制作方法，请结合图1、图2以及图3至图9，该显示面板包括显示区101以及邻接于显示区101的非显示区102，该显示面板的制作方法包括以下步骤：
61.s10、提供基板10。
62.并对基板10进行清洗，且基板10可为玻璃基板。
63.s20、在基板10上形成第一金属层20，第一金属层20包括多个辅助电极21。
64.在基板10上沉积第一金属材料层，并对该第一金属材料层进行图案化处理，以得到位于基板10上的多个遮光层61，可选的，第一金属材料层的材料包括mo、ti、cu以及mn中的至少一者。
65.在基板10上形成缓冲层51，该缓冲层51覆盖多个遮光层61，可选的，缓冲层51可为至少一氧化硅薄膜、至少一氮化硅薄膜、或者至少一氧化硅薄膜和至少一氮化硅薄膜的层叠结构。
66.采用金属氧化物材料在缓冲层51上形成半导体层，并对半导体层进行图案化处理，以得到多个有源层62，且一个有源层62对应位于一个遮光层61的上方，且有源层62在基板10上的正投影位于对应的遮光层61在基板10上的正投影的覆盖范围以内。
67.可选的，半导体层的材料包括igzo(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)、izto(indium zinc tin oxide，铟锌锡氧化物)、igzto(indium gallium zinc ti oxide，铟镓锌钛氧化物)。
68.在缓冲层51上形成绝缘材料层，且绝缘材料层覆盖多个有源层62，可选的绝缘材料层可为至少一氧化硅薄膜、至少一氮化硅薄膜、或者至少一氧化硅薄膜和至少一氮化硅薄膜的层叠结构。
69.在绝缘材料层上形成栅极金属层，并对栅极金属层进行图案化处理，以得到位于多个栅极63，且每一个栅极63对应位于一个有源层62的上方，且栅极63在基板10上的正投影位于对应的有源层62在基板10上的正投影的覆盖范围以内。可选的，栅极金属层的材料包括mo、ti以及cu中的至少一者。
70.利用多个栅极63作为自对准层，以对绝缘材料层进行刻蚀处理，即位于栅极63和有源层62之间的绝缘材料层可以保留，而其余位置的绝缘材料层被时刻掉，以形成栅极绝缘层53。
71.接着，对显示面板进行整面的等离子体处理，使得未被栅极绝缘层53和栅极63覆盖的部分有源层62形成n+导体，可以降低电阻。在本发明实施例中，栅极63和栅极绝缘层53位于有源层62的中间区域，且有源层62被栅极63和栅极绝缘层53覆盖的区域保持半导体特性，以作为薄膜晶体管的沟道。
72.在缓冲层51上形成层间介质层52，且层间介质层52覆盖有源层62、栅极绝缘层53以及栅极63。可选的，层间介质层52可为至少一氧化硅薄膜、至少一氮化硅薄膜、或者至少一氧化硅薄膜和至少一氮化硅薄膜的层叠结构。
73.对层间介质层52进行图案化处理，以刻蚀得到多个源极接触孔和多个漏极接触孔。
74.在层间介质层52上形成第一金属层20，且第一金属层20包括形成于显示区101的多个辅助电极21、多个源极22、多个漏极23以及形成于非显示区102内的多个信号端子24。一个源极22、一个漏极23对应设置于一个有源层62的上方两侧，且一个源极22、一个漏极23分别穿过源极接触孔和漏极接触孔与对应的一个有源层62的两侧搭接，进一步地，每一漏极23还穿过层间介质层52以及缓冲层51与遮光层61搭接，进而可以通过漏极23给遮光层61加载稳定电压，以降低信号串扰；此外，绝缘层30还包括设置于非显示区102内的多个开孔，且一开孔对应一信号端子24设置，以露出对应的一信号端子24的部分上表面，以便于后续信号端子24的绑定。
75.可选的，第一金属层20可为moti/cu/moti的层叠结构。
76.s30、在第一金属层20远离基板10的一侧形成绝缘层30。
77.在第一金属层20上形成绝缘层30，可选的，绝缘层30可为至少一氧化硅薄膜、至少一氮化硅薄膜、或者至少一氧化硅薄膜和至少一氮化硅薄膜的层叠结构。
78.对绝缘层30进行图案化处理，以形成位于显示区101内的多个第一子孔303以及位于非显示区102开孔304，且每一第一子孔303皆对应一漏极23设置，每一开孔304皆对应一信号端子24设置。
79.s40、在绝缘层30远离第一金属层20的一侧形成第二金属层，第二金属层包括多个支撑部31，一支撑部31对应一辅助电极21设置，各支撑部31包括层叠设置的第一子层311、第二子层312以及第三子层313，第一子层311位于绝缘层30和第二子层312之间，第三子层313位于第二子层312远离第一子层311的一侧。
80.在绝缘层30上形成平坦层54，且平坦层54可包括至少一有机材料子层，并对平坦层54进行图案化处理，以在平坦层54中形成位于显示区101内的多个第一连通开口306以及多个第二子孔305，且每一个第一连通开口306对应一个辅助电极21设置，每一个第二子孔305对应一个第一子孔303设置，并与对应的第一子孔303相连通，以露出对应的漏极23。
81.在平坦层54上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化处理，以得到位于显示区101内的多个支撑部31和多个阳极32，且多个支撑部31与多个阳极32为间隔设置。其中，每一个支撑部31对应一个辅助电极21设置，即对应一个第一连通开口306设置，且每一支撑部31环绕对应的一第一连通开口306，并部分延伸至第一连通开口306内，且第一支撑部31仅覆盖第一连通开口306的部分底部，且第一连通开口306未被第一支撑部31覆盖的部分可位于第一连通开口306底部的中间区域。
82.可选的，第二金属层可为motini/ancl/ito的层叠结构，即各支撑部31包括层叠的
第一子层311、第二子层312以及第三子层313，且第一子层311位于绝缘层30和第二子层312之间，第三子层313位于第二子层312远离第一子层311的一侧；各阳极包括层叠设置的第四子层321、第五子层322以及第六子层323，且第四子层321位于绝缘层30和第五子层322之间，第六子层323位于第五子层322远离第四子层321的一侧，第四子层321通过第一子孔303和第二子孔305与对应的漏极23搭接。其中，第一子层311的材料与第四子层321的材料相同，第二子层312的材料与第五子层322的材料相同，第三子层313的材料与第六子层323的材料相同，即第二金属层为三个层金属子层形成的层叠结构。可选的，第一子层311的材料与第四子层321的材料皆可mo、ti和ni，第二子层312的材料与第五子层322的材料皆可包括ancl，第三子层313的材料与第六子层323的材料皆可包括ito材料。
83.进而在刻蚀过程中，由于第二子层312和第五子层322的材料的主要成分皆为al，容易发生侧刻蚀现象，即使得第二子层312的侧壁相对于第一子层311和第三子层313的侧壁内缩，第五子层322的侧壁相对于第四子层321和第六子层323的侧壁内缩，以形成第三底切开口320。
84.s50、在绝缘层30中形成多个开口301，且一开口301对应一辅助电极21设置，开口301包括设置于绝缘层30中并位于辅助电极21和支撑部31之间的第一底切开口302，且在开口301处，第二子层312中形成有位于第一子层311和第三子层313之间的第二底切开口310。
85.在绝缘层30上形成光阻层80，且光阻层80在显示区101内覆盖除了第一连通开口306以外的区域，然后可采用氢氟酸对绝缘层30进行刻蚀处理，以在绝缘层30中形成位于各辅助电极21上方的开口301，以露出各辅助电极21的部分上表面。进一步地，可使得绝缘层30在开口301内发生侧刻蚀，使得绝缘层30的侧壁相对于支撑部31的侧壁内缩，使得绝缘层30在开口301处形成位于支撑部31和辅助电极21之间的第一底切开口302。
86.进一步地，由于第二子层312的主要材料包括al，进而在绝缘层30发生侧刻蚀的同时，第二子层312在开口301处也将发生侧刻蚀，以形成第二底切开口310；由于在第二金属层图案化过程中以及在绝缘层30刻蚀过程中，第二子层312在开口301处皆会发生侧刻蚀，而第五子层322在第二金属层图案化过程中发生侧刻蚀形成第三底切开口320，进而第二底切开口310的深度大于第三底切开口320的深度。
87.接着，去除光阻层80。
88.s60、在第二金属层远离绝缘层30的一侧形成有机功能层70，有机功能层70在第一底切开口302处或第二底切开口310处隔断。
89.在第二金属层上形成像素定义层55，并对像素定义层55进行图案化处理，以形成多个第二连通开口307以及多个像素开口，且一个第二连通开口307对应一个第一连通开口306设置，并与对应的第一连通开口306和开口301相连通，以露出对应的辅助电极21；每一个像素开口与一个阳极32对应设置，并露出对应阳极32的部分上表面。
90.在像素定义层55上形成有机功能层70，有机功能层70在第一底切开口302或第二底切开口310处隔断，即有机功能层70可以在第一底切开口302处隔断，也可以在第二底切开口310处隔断，且第一底切开口302和第二底切开口310皆可呈环形分布，进而有机功能层70还可以在部分区域内在第一底切开口302处隔断，在另一部分区域内在第二底切开口310处隔断。
91.其中，有机功能层70包括设置于开口301内且位于辅助电极21上的第一子部71以
及位于开口301外并与第一子部71间隔设置的第二子部72，且第二子部72设置于像素定义层55上以及设置于第一连通开口和第二连通开口的侧壁。在本发明实施例中，可以在辅助电极21上方形成底切开口可以使得有机功能层70在底切开口处可以隔断，以便于后续阴极层40与辅助电极21的搭接，而本发明实施例中可以在辅助电极21上方形成层叠的第一底切开口302以及第二底切开口310，进而可以提高有机功能层70隔断的成功率，提高后续阴极层40与辅助电极21搭接的成功率，以提高显示面板的良品率。
92.s70、在有机功能层70远离第二金属层的一侧形成阴极层40，阴极层40延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接。
93.采用蒸镀工艺在有机功能层70上形成阴极层40，阴极层40连续地覆盖第二子部72和第一子部71并延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接，在本发明实施例中，阴极层40连续地覆盖支撑部31的侧壁，并延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接。
94.需要说明的是，在本发明实施例中，可通过控制蒸镀工艺参数，使得阴极层40在第一底切开口302和第二底切开口310处不被隔断，且连续地覆盖第二子部72以及支撑部31的侧壁，并延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接。
95.进一步地，阴极层40还覆盖第二底切开口310并延伸至第一底切开口302内与辅助电极搭接，且阴极层40部分延伸至第二底切开口310内。
96.承上，本发明实施例通过在第二金属层中设置支撑部31，并在绝缘层30中设置位于支撑部31和辅助电极21之间的第一底切开口302，进而可以使得阴极层40延伸至第一底切开口302内与辅助电极21搭接，降低阴极层40的电阻，改善电压降现象，提高显示面板的显示均一性；且相对于现有技术，本发明不需要制作隔离柱，降低了工艺难度，提高了生产效率。进一步地，本发明实施例可以在辅助电极21上方形成层叠的第一底切开口302以及第二底切开口310，以提高有机功能层70被隔断的成功率，进而可以提高阴极层40与辅助电极21搭接的成功率，提高显示面板的显示均一性和良品率。
97.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
98.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
技术特征：1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，设置于所述基板上，所述第一金属层包括多个辅助电极；绝缘层，设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧，并包括多个开口，一所述开口对应一所述辅助电极设置；第二金属层，设置于所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧，并包括多个支撑部，一所述支撑部对应一所述开口设置，各所述支撑部包括层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层位于所述绝缘层和所述第二子层之间，所述第三子层位于所述第二子层远离所述第一子层的一侧；有机功能层，设置于所述第二金属层远离所述绝缘层的一侧；阴极层，设置于所述有机功能层远离所述第二金属层的一侧；其中，所述开口包括设置于所述绝缘层中并位于所述辅助电极和所述支撑部之间的第一底切开口，且在所述开口处，所述第二子层中设置有位于所述第一子层和所述第三子层之间的第二底切开口，所述有机功能层在所述第一底切开口处或所述第二底切开口处隔断，所述阴极层延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层连续地覆盖所述支撑部的侧壁，并延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层覆盖所述第二底切开口并延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接，且所述阴极层部分延伸至所述第二底切开口内。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每一所述支撑部环绕对应的一所述开口设置，且所述第一底切开口在所述基板上的正投影以及所述第二底切开口在所述基板上的正投影皆呈环形。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层还包括与多个所述支撑部间隔设置的多个阳极，每一所述阳极包括层叠设置的第四子层、第五子层以及第六子层，所述第四子层位于所述绝缘层和所述第五子层之间，所述第六子层位于所述第五子层远离所述第四子层的一侧；其中，所述第四子层中设置有位于所述第五子层和所述第六子层之间的第三底切开口。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一子层的材料与所述第四子层的材料相同，所述第二子层的材料与所述第五子层的材料相同，所述第三子层的材料与所述第六子层的材料相同。7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二底切开口的深度大于所述第三底切开口的深度。8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层还包括与多个所述辅助电极间隔设置的多个源极和多个漏极，且一所述漏极与一所述阳极电性连接，一所述漏极与对应的一所述阳极的所述第四子层搭接。9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机功能层包括设置于所述开口内且位于所述辅助电极上的第一子部以及位于所述开口外并与所述第一子部间隔设置的
第二子部；其中，所述第二子部靠近所述开口一侧的端部在所述基板上的正投影位于所述第三子层在所述基板上的正投影的覆盖范围以内，所述阴极层覆盖所述第一子部并延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板；在所述基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括多个辅助电极；在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧形成第二金属层，所述第二金属层包括多个支撑部，一所述支撑部对应一所述辅助电极设置，各所述支撑部包括层叠设置的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层位于所述绝缘层和所述第二子层之间，所述第三子层位于所述第二子层远离所述第一子层的一侧；在所述绝缘层中形成多个开口，且一所述开口对应一所述辅助电极设置，所述开口包括形成于所述绝缘层中并位于所述辅助电极和所述支撑部之间的第一底切开口，且在所述开口处，所述第二子层中形成有位于所述第一子层和所述第三子层之间的第二底切开口；在所述第二金属层远离所述绝缘层的一侧形成有机功能层，所述有机功能层在所述第一底切开口处或所述第二底切开口处隔断；在所述有机功能层远离所述第二金属层的一侧形成阴极层，所述阴极层延伸至所述第一底切开口内与所述辅助电极搭接。
技术总结本发明公开了一种显示面板及其制作方法。其包括基板以及依次设置于基板上的第一金属层、绝缘层、第二金属层、有机功能层以及阴极层；第一金属层包括多个辅助电极；绝缘层包括多个开口，一开口对应一辅助电极设置；第二金属层包括的多个支撑部，一支撑部对应一开口设置，各支撑部包括层叠的第一子层、第二子层和第三子层；其中，开口包括设置于绝缘层中并位于辅助电极和支撑部之间的第一底切开口，第二子层中设置有位于第一子层和第三子层之间的第二底切开口，有机功能层在第一底切开口或第二底切开口处隔断，阴极层延伸至第一底切开口内与辅助电极搭接。本发明可以降低阴极层的电阻，改善电压降现象，提高显示面板的显示均一性。性。性。
技术研发人员：胡靖源 武凡靖
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.15
技术公布日：2022/11/1
