1.本技术属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法和阵列基板。
背景技术：2.随着显示技术的不断发展，液晶显示面板(liquid crystal display，lcd)、有机电致发光显示面板(organic light-emitting diode，oled)等显示面板越来越受到人们的青睐。显示面板包括阵列基板，阵列基板包括栅极层等结构。
3.现有技术中，在栅极层的制备工艺中包括光刻胶去除工艺，而去除光刻胶所需的剥离液在光刻胶去除工艺结束后会有部分剥离液残留，残留的剥离液会在后续制程中与栅极层中的金属发生反应产生金属掏空现象，容易造成金属发生电子迁移反应，从而导致静电释放，降低产品品质。
技术实现要素：4.本技术实施例提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板，去除残留的剥离液，减小金属沟槽内金属掏空现象的产生，避免发生静电释放，提升产品品质。
5.第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：
6.提供一衬底；
7.在所述衬底上依次形成第一金属层和第二金属层；
8.在所述第二金属层上形成掩膜层；
9.对所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层；
10.通过剥离液去除所述掩膜层，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层；
11.在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液。
12.可选的，所述在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液，包括：
13.所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内残留的所述剥离液中的胺与所述图案化的第二金属层中的金属原子发生反应生成反应产物；
14.在所述金属沟槽内通入氧气；
15.通过离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水；
16.通过抽真空处理将所述气体和水排出，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液。
17.可选的，在一些实施例中，所述通过离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应
产物发生反应生成气体和水，包括：
18.通过射频电源或高功率电源对所述氧气进行离子化处理；
19.通过所述离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水，其中，所述气体包括二氧化碳和/或一氧化碳。
20.可选的，在一些实施例中，所述在所述第二金属层上形成掩膜层，包括：
21.在所述第二金属层上形成光刻胶层；
22.对所述光刻胶层分别进行曝光和显影，形成所述掩膜层。
23.可选的，在一些实施例中，所述对所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层，包括：
24.将所述衬底、所述第一金属层、所述第二金属层以及所述掩膜层浸没于铜酸刻蚀液中；
25.通过所述铜酸刻蚀液对所述第一金属层和所述第二金属层进行湿法刻蚀，形成所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层，其中，所述图案化的第一金属层在所述衬底上的正投影区域和所述图案化的第二金属层在所述衬底上的正投影区域均位于所述掩膜层在所述衬底上的正投影区域内。
26.可选的，在一些实施例中，所述通过剥离液去除所述掩膜层，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层，包括：
27.通过剥离液对所述掩膜层进行光刻胶去除，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层，其中，所述图案化的第二金属层在所述衬底上的正投影区域位于所述图案化的第一金属层在所述衬底上的正投影区域内。
28.可选的，在一些实施例中，所述第一金属层中的金属材料包括钼、钛或钼钛合金，所述第二金属层中的金属材料包括铜或铝。
29.可选的，在一些实施例中，所述在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液之后，所述方法还包括：
30.在所述衬底上形成栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；
31.在所述栅极绝缘层上形成有源层；
32.在所述有源层上形成源极层和漏极层；
33.在所述栅极绝缘层上形成钝化层，其中，所述钝化层覆盖所述有源层、所述源极层以及所述漏极层。
34.第二方面，本技术实施例还提供一种阵列基板，包括：
35.衬底；
36.栅极层，设置在所述衬底上；
37.栅极绝缘层，设置在所述衬底上且覆盖所述栅极层；
38.有源层，设置在所述栅极绝缘层上；
39.源极层和漏极层，均设置在所述有源层上；
40.钝化层，设置在所述栅极绝缘层上，且覆盖所述有源层、所述源极层以及所述漏极层。
41.可选的，在一些实施例中，所述栅极层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金
属层与所述第二金属层层叠设置，且所述第一金属层设置在所述衬底与所述第二金属层之间，所述第二金属层在所述衬底上的正投影区域位于所述第一金属层在所述衬底上的正投影区域内。
42.可选的，在一些实施例中，所述第一金属层的金属材料包括钼、钛或钼钛合金，所述第二金属层的金属材料包括铜或铝。
43.本技术实施例提供的阵列基板的制备方法包括提供一衬底；在衬底上依次形成第一金属层和第二金属层；在第二金属层上形成掩膜层；对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层；通过剥离液去除掩膜层，得到由图案化的第一金属层和图案化的第二金属层构成的栅极层；在图案化的第一金属层与图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽内残留的剥离液。本技术在去除掩膜层后增加一道离子化氧气的灰化工艺，去除残留的剥离液，减小金属沟槽内金属掏空现象的产生，避免发生静电释放，提升产品品质。
附图说明
44.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其有益效果显而易见。
45.图1是本技术实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
46.图2是本技术实施例提供的阵列基板的第一中间产物示意图。
47.图3是本技术实施例提供的阵列基板的第二中间产物示意图。
48.图4是本技术实施例提供的阵列基板的第三中间产物示意图。
49.图5是本技术实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。
50.图6是本技术实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。
具体实施方式
51.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
52.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其它元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应的改变。
53.现有技术中，显示面板包括阵列基板，阵列基板包括栅极层等结构，在栅极层的制
备工艺中通常包括栅极层成膜工艺、光刻胶图案化工艺、刻蚀工艺以及光刻胶去除工艺等。在栅极层成膜工艺中形成第一金属层和第二金属层层叠设置的膜层；在光刻胶图案化工艺中形成设置在第二金属层上图案化的光刻胶膜层；在刻蚀工艺中形成由图案化的第一金属层和图案化的第二金属层组成的栅极层；在光刻胶去除工艺中去除光刻胶膜层。
54.在刻蚀工艺中，在第一金属层和第二金属层的接触面的边缘区域会由于金属过刻产生金属掏空形成金属沟槽，但该金属沟槽尺寸较小，并不影响产品品质。但是，在光刻胶去除工艺中通过剥离液去除光刻胶膜层之后，金属沟槽内容易残留剥离液，残留的剥离液会与第二金属层中的金属发生反应产生金属掏空，而在后续的高温制程中会加速剥离液与金属的反应速度，加剧金属掏空的产生，使得金属沟槽的尺寸增大，从而造成设置在第二金属层上用于保护栅极层的栅极绝缘层出现裂痕或断裂，进而使得第二金属层中的金属发生电子迁移反应，导致静电释放，降低产品质量。
55.为解决现有技术中存在的问题，本技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，请参阅图1，图1是本技术实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。其中，该阵列基板可以应用于显示面板，显示面板可以为lcd显示面板、oled显示面板、mirco led显示面板、led显示面板等。该阵列基板的制备方法的具体步骤可以如下：
56.201，提供一衬底。
57.在本实施例中，请参阅图2，图2是本技术实施例提供的阵列基板的第一中间产物示意图。其中，衬底101可以为玻璃衬底或柔性衬底等。
58.202，在衬底上依次形成第一金属层和第二金属层。
59.继续参阅图2，在栅极层成膜工艺中，在衬底101上形成第一金属层102，在第一金属层102上形成第二金属层103，即第一金属层102和第二金属层103层叠设置，且第一金属层102设置在衬底101与第二金属层103之间。其中，第一金属层102中金属材料可以包括钼、钛或钼钛合金等，第二金属层103中金属材料可以包括铜或铝等。
60.203，在第二金属层上形成掩膜层。
61.继续参阅图2，在第二金属层103通过涂覆光刻胶形成光刻胶层104。请参阅图3，图3是本技术实施例提供的阵列基板的第二中间产物示意图。在光刻胶图案化工艺中，对光刻胶层104分别进行曝光和显影处理，形成掩膜层105。其中，曝光处理后的光刻胶层104在显影处理过程中，根据显影处理过程的显影时长，可以在光刻胶层104两侧出现塌陷，使光刻胶层104发生图案化改变形成掩膜层105。
62.204，对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层。
63.请参阅图4，图4是本技术实施例提供的阵列基板的第三中间产物示意图。在刻蚀工艺中，将衬底101、第一金属层102、第二金属层103以及掩膜层105浸没于铜酸刻蚀液中；通过铜酸刻蚀液对第一金属层102和第二金属层103进行湿法刻蚀，形成图案化的第一金属层102和图案化的第二金属层103。具体地，通过铜酸刻蚀液的湿法刻蚀，以掩膜层105为遮挡，在第一金属层102和第二金属层103的两侧出现塌陷，使第一金属层102和第二金属层103发生图案化改变形成图案化的第一金属层102和图案化的第二金属层103，其中，图案化的第一金属层102在衬底101上的正投影区域和图案化的第二金属层103在衬底101上的正投影区域位于掩膜层105在衬底上的正投影区域内。
64.需要说明的是，在对第一金属层102和第二金属层103进行湿法刻蚀的过程中，由于在第一金属层102和第二金属层103之间的接触面上属于金属密集区域，容易发生金属过刻，具体可以为第一金属层102中的金属铜过刻，出现金属掏空如铜掏空，从而在第一金属层102和第二金属层103之间的接触面的边缘区域形成金属沟槽50，该金属沟槽50的尺寸较小，并不会影响产品质量。
65.其中，第一金属层102的金属材料可以包括钼、钛或钼钛合金等，使用金属材料钼所形成的金属沟槽50的尺寸大于使用金属材料钼钛合金所形成的金属沟槽50的尺寸，使用金属材料钼钛合金所形成的金属沟槽50的尺寸大于使用金属材料钛所形成的金属沟槽50的尺寸，即使用金属材料钛可减少湿法刻蚀过程中金属掏空的产生，减小金属沟槽50的尺寸。
66.205，通过剥离液去除掩膜层，得到由图案化的第一金属层和图案化的第二金属层构成的栅极层。
67.请参阅图4和图5，图5是本技术实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。在光刻胶去除工艺中，通过剥离液对掩膜层105进行光刻胶去除，得到由图案化的第一金属层102和图案化的第二金属层103构成的栅极层60，其中，图案化的第二金属层103在衬底101上的正投影区域位于图案化的第一金属层102在衬底101上的正投影区域内。
68.可选的，第一金属层102的折射率可以大于第二金属层103的折射率，使得从第一金属层102远离第二金属层103一侧入射的光线可以在第一金属层102发生折射，保证更多的光线出射至阵列基板100的外侧，提高阵列基板100的出光率。
69.206，在图案化的第一金属层与图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽内残留的剥离液。
70.需要说明的是，在光刻胶去除工艺之后，由于栅极层60中的图案化的第一金属层102和图案化的第二金属层103之间的金属沟槽50内容易存有残留的剥离液，而残留的剥离液中含有胺，如羟胺rnh2oh、伯胺rnh2等，胺与图案化的第二金属层103中的金属原子如铜cu或铝al等发生反应生成反应产物如羟基四胺铜络合物cu(rnh2)4(oh)2、羟基四胺铝络合物al(rnh2)4(oh)2等，所生成的反应产物会腐蚀第二金属层103中的金属，造成金属掏空，从而使得金属沟槽50的尺寸增大。
71.而在栅极层60制备工艺结束后，会在栅极层60上制备栅极绝缘层、有源层、源极层、漏极层以及钝化层等结构，以形成薄膜晶体管，满足阵列基板的显示需求。但制备有源层、源极层、漏极层以及钝化层等结构是高温制程，高温会加剧残留的剥离液与第二金属层103中的金属发生反应速度，使产生的金属掏空的速度加快，从而使设置在栅极层60上的栅极绝缘层出现裂痕或断裂，而第二金属层103中的金属会发生电子迁移反应，从栅极绝缘层的裂痕或断裂处迁移至栅极绝缘层上方，诱发静电释放，形成黑屏等问题，降低产品品质。
72.为防止静电释放，本实施例在图案化的第一金属层102与图案化的第二金属层103之间的金属沟槽50内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽50内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽50内残留的剥离液。具体地，图案化的第一金属层102与图案化的第二金属层103之间的金属沟槽50内残留的剥离液中的胺与图案化的第二金属层103中的金属原子发生反应生成反应产物；在金属沟槽50内通入氧气；通过离子化处理的氧气形成的
氧离子与反应产物发生反应生成气体和水；通过抽真空处理将气体和水排出，以去除金属沟槽50内残留的剥离液。
73.需要说明的是，图案化的第一金属层102与图案化的第二金属层103之间的金属沟槽50内残留的剥离液中的胺如羟胺rnh2oh、伯胺rnh2等与图案化的第二金属层103中的金属原子如铜cu或铝al等发生反应所生成反应产物如羟基四胺铜络合物cu(rnh2)4(oh)2、羟基四胺铝络合物al(rnh2)4(oh)2等对第二金属层103中的金属腐蚀速度较慢，而通过离子化处理的氧气与反应产物发生反应的速度比反应产物对第二金属层103的腐蚀速度快，从而可以在反应产物对第二金属层103腐蚀之前，通过氧气离子化与反应产物反应生成气体和水，并通过抽真空处理将气体和水排出，便可以防止金属沟槽50的尺寸继续增大，从而可以避免栅极绝缘层出现裂痕或断裂，降低静电释放的风险，进而提高产品品质。
74.可选的，可以通过射频电源或高功率电源对氧气进行离子化处理；通过离子化处理的氧气形成的氧离子与反应产物发生反应生成气体和水，其中，气体可以包括二氧化碳和/或一氧化碳。需要说明的是，通过射频电源或高功率电源可以加速氧气的解离速度，使得氧气更快离子化，从而提高氧离子的灰化处理速度，能够保证反应产物腐蚀第二金属层103中的金属之前，将反应产物通过气体和水的形式去除，即去除残留在金属沟槽50的剥离液，避免金属沟槽50的尺寸继续增大，以防止静电释放的情况发生。
75.另外，请参阅图6，图6是本技术实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。在通过上述步骤完成栅极层60的制备之后，可以在衬底101上形成栅极绝缘层106，其中，栅极绝缘层106覆盖栅极层60；在栅极绝缘层106上形成有源层107；在有源层107上形成源极层108和漏极层109；在栅极绝缘层106上形成钝化层110，其中，钝化层110覆盖有源层107、源极层108以及漏极层109。
76.具体地，栅极绝缘层106设置在衬底101上且覆盖栅极层60，以防止栅极层60中的金属发生电子迁移，避免静电释放的产生；在栅极绝缘层106上涂覆导电膜层，并通过图案化处理形成有源层107，其中，栅极层60在衬底101上的正投影区域位于有源层107在衬底101上的正投影区域内；在有源层107上的两侧分别形成图案化的源极层108和图案化的漏极层109，从而由栅极层60、源极层108以及漏极层109组成薄膜晶体管；在栅极绝缘层106上形成钝化层110，通过钝化层110覆盖有源层107、源极层108以及漏极层109实现对薄膜晶体管的保护作用。
77.由上可知，本实施例通过提供一衬底101；在衬底101上依次形成第一金属层102和第二金属层103；在第二金属层103上形成掩膜层105；对第一金属层102和第二金属层103进行刻蚀，形成图案化的第一金属层102和第二金属层103；通过剥离液去除掩膜层105，得到由图案化的第一金属层102和图案化的第二金属层103构成的栅极层60；在图案化的第一金属层102与图案化的第二金属层103之间的金属沟槽50内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽50内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽50内残留的剥离液。通过在去除掩膜层105后增加一道离子化氧气的灰化工艺，去除残留的剥离液，减小金属沟槽50内金属掏空现象的产生，避免发生静电释放，提升产品品质。
78.相应的，本技术实施例还提供一种阵列基板，请继续参阅图6，该阵列基板100可以包括衬底101、栅极层60、栅极绝缘层106、有源层107、源极层108、漏极层109以及钝化层110。
79.其中，栅极层60设置在衬底101上，请继续参阅图2至图5，栅极层60可以包括图案化的第一金属层102和图案化的第二金属层103，图案化的第一金属层102与图案化的第二金属层103层叠设置，且图案化的第一金属层102设置在衬底101与图案化的第二金属层103之间，图案化的第二金属层103在衬底101上的正投影区域位于图案化的第一金属层102在衬底101上的正投影区域内。图案化的第一金属层102的金属材料可以包括钼、钛或钼钛合金，图案化的第二金属层103的金属材料可以包括铜或铝。
80.栅极层60的制备过程可以包括：提供一衬底101，在衬底101上依次形成第一金属层102和第二金属层103；在第二金属层103上形成掩膜层105；对第一金属层102和第二金属层103进行刻蚀，形成图案化的第一金属层102和第二金属层103；通过剥离液去除掩膜层105，得到由图案化的第一金属层102和图案化的第二金属层103构成的栅极层60；在图案化的第一金属层102与图案化的第二金属层103之间的金属沟槽50内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽50内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽50内残留的剥离液。需要说明的是，栅极层60的具体制备过程可以参阅上一实施例，在此不作赘述。
81.栅极绝缘层106设置在衬底101上且覆盖栅极层60，以防止栅极层60中的金属发生电子迁移，避免静电释放的产生。
82.有源层107设置在栅极绝缘层106上，可以在栅极绝缘层106上涂覆导电膜层，并通过图案化处理形成有源层107，其中，栅极层60在衬底101上的正投影区域位于有源层107在衬底101上的正投影区域内。
83.源极层108和漏极层109均设置在有源层107上，具体地，在有源层107上的两侧分别形成图案化的源极层108和图案化的漏极层109，从而由栅极层60、源极层108以及漏极层109组成薄膜晶体管。
84.钝化层110设置在栅极绝缘层106上，且钝化层110覆盖有源层107、源极层108以及漏极层109，通过钝化层110覆盖有源层107、源极层108以及漏极层109实现对薄膜晶体管的保护作用。
85.本实施例提供的阵列基板100在制备栅极层60的过程中，通过氧气离子化处理对光刻胶去除工艺中残留的剥离液进行去除，以避免残留的剥离液与图案化的第二金属层103中的金属发生反应产生金属掏空，从而可以避免金属发生电子迁移反应而诱发的静电释放，进而可以提高产品品质。
86.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
87.以上对本技术实施例所提供的阵列基板的制备方法和阵列基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
技术特征：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一金属层和第二金属层；在所述第二金属层上形成掩膜层；对所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层；通过剥离液去除所述掩膜层，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层；在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液，包括：所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内残留的所述剥离液中的胺与所述图案化的第二金属层中的金属原子发生反应生成反应产物；在所述金属沟槽内通入氧气；通过离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水；通过抽真空处理将所述气体和水排出，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水，包括：通过射频电源或高功率电源对所述氧气进行离子化处理；通过所述离子化处理的氧气形成的氧离子与所述反应产物发生反应生成气体和水，其中，所述气体包括二氧化碳和/或一氧化碳。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二金属层上形成掩膜层，包括：在所述第二金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层分别进行曝光和显影，形成所述掩膜层。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一金属层和所述第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层，包括：将所述衬底、所述第一金属层、所述第二金属层以及所述掩膜层浸没于铜酸刻蚀液中；通过所述铜酸刻蚀液对所述第一金属层和所述第二金属层进行湿法刻蚀，形成所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层，其中，所述图案化的第一金属层在所述衬底上的正投影区域和所述图案化的第二金属层在所述衬底上的正投影区域均位于所述掩膜层在所述衬底上的正投影区域内。6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过剥离液去除所述掩膜层，得到由所述图案化的第一金属层和所述图案化的第二金属层构成的栅极层，包括：通过剥离液对所述掩膜层进行光刻胶去除，得到由所述图案化的第一金属层和所述图
案化的第二金属层构成的栅极层，其中，所述图案化的第二金属层在所述衬底上的正投影区域位于所述图案化的第一金属层在所述衬底上的正投影区域内。7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一金属层中的金属材料包括钼、钛或钼钛合金，所述第二金属层中的金属材料包括铜或铝。8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化的第一金属层与所述图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对所述金属沟槽内残留的所述剥离液进行灰化，以去除所述金属沟槽内残留的所述剥离液之后，所述方法还包括：在所述衬底上形成栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；在所述栅极绝缘层上形成有源层；在所述有源层上形成源极层和漏极层；在所述栅极绝缘层上形成钝化层，其中，所述钝化层覆盖所述有源层、所述源极层以及所述漏极层。9.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；栅极层，设置在所述衬底上；栅极绝缘层，设置在所述衬底上且覆盖所述栅极层；有源层，设置在所述栅极绝缘层上；源极层和漏极层，均设置在所述有源层上；钝化层，设置在所述栅极绝缘层上，且覆盖所述有源层、所述源极层以及所述漏极层。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层层叠设置，且所述第一金属层设置在所述衬底与所述第二金属层之间，所述第二金属层在所述衬底上的正投影区域位于所述第一金属层在所述衬底上的正投影区域内。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层的金属材料包括钼、钛或钼钛合金，所述第二金属层的金属材料包括铜或铝。
技术总结本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法和阵列基板，该方法包括提供一衬底；在衬底上依次形成第一金属层和第二金属层；在第二金属层上形成掩膜层；对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，形成图案化的第一金属层和图案化的第二金属层；通过剥离液去除掩膜层，得到由图案化的第一金属层和图案化的第二金属层构成的栅极层；在图案化的第一金属层与图案化的第二金属层之间的金属沟槽内通入氧气，通过离子化处理的氧气对金属沟槽内残留的剥离液进行灰化，以去除金属沟槽内残留的剥离液。本申请在去除掩膜层后增加一道离子化氧气的灰化工艺，去除残留的剥离液，减小金属沟槽内金属掏空现象的产生，避免发生静电释放，提升产品品质。品质。品质。
技术研发人员：任武峰 徐俊 刘忠杰
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2022/11/1
