1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种测试结构及功率器件单粒子效应在线测试装置。
背景技术：2.随着半导体技术的发展，出现了半导体功率器件技术，且广泛应用于航天、航空以及地面等，然而，半导体功率器件在航天、航空以及地面等应用中均可能受到恶劣辐射环境的影响。在航天应用中，面临的主要是辐射环境为重离子、质子等；在航空和地面应用中，面临的主要是辐射环境为大气中子。当单个高能辐射粒子入射到功率器件中时，可能会导致器件工作异常或失效，这被称为单粒子效应。对于功率器件，常见的单粒子效应失效模式为单粒子烧毁(singleevent burnout，seb)和单粒子栅穿(single event gate rupture，segr)，且均为破坏性失效，会导致器件的永久性损伤，危害巨大。为了保障功率器件在辐射环境下的安全可靠工作，需要对其进行辐射敏感性进行评估。
3.目前，对功率器件的辐射敏感性评估是基于地面模拟辐射源开展加速辐照试验，其试验设计的单粒子烧毁检测方法及测试电路均是针对单只功率器件的，只能检测一只功率器件的单粒子烧毁效应的多次发生。
4.然而，由于只能针对单只功率器件重复开展测试，对于大规模样本的辐照试验效率就会很低。
技术实现要素：5.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高试验效率的一种测试结构及功率器件在线装置。
6.第一方面，本技术提供了一种测试结构。所述测试结构包括：
7.多条并联的测试支路，各所述测试支路均包括待测功率器件；
8.供电检测装置，与所述测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。
9.在其中一个实施例中，所述供电检测装置包括高压源表；所述待测功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述供电检测装置相连接，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极及源极均接地；或所述待测功率器件包括二极管，所述二极管的阳极接地，所述二极管的阴极与所述供电检测装置相连接。
10.在其中一个实施例中，各所述测试支路均还包括：串联电阻，所述串联电阻与位于同一所述测试支路的所述待测功率器件串接；电容，所述电容与所述待测功率器件并联。
11.在其中一个实施例中，所述测试结构还包括瞬态电流采样电路，设置于干路上，用于实时监测所述干路中的瞬态电流信号。
12.在其中一个实施例中，所述瞬态电流采样电路包括：第一采样电阻，位于所述干路
上；示波器，与所述第一采样电阻并联。
13.在其中一个实施例中，所述待测功率器件阻断状态的等效电阻阻值远大于所述串联电阻的阻值。
14.在其中一个实施例中，各所述测试支路均还包括：第二采样电阻，所述待测功率器件经由所述第二采样电阻接地；运放采样电路，一端连接于所述第二采样电阻与所述待测功率器件之间，用于采集所述运放采集电路与所述第二采样电阻及所述待测功率器件的连接点处的电压；所述测试结构还包括处理器及上位机，所述处理器与各所述测试支路中的所述运放采样电路均相连接，用于判断各所述运放采样电路采集的电压是否异常；所述上位机与所述处理器相连接。
15.在其中一个实施例中，所述运放采样电路包括：运算放大器，包括正输入端、负输入端、电压输入端、接地端及输出端，所述运算放大器的所述电压输入端连接电源电压，所述运算放大器的所述输出端接地；第三采样电阻，一端连接于所述第二采样电阻与所述待测功率器件之间，另一端连接所述运算放大器的所述正输入端；阻抗，一端连接所述运算放大器的所述正输入端，另一端接地；第四采样电阻，一端与所述运算放大器的输出端共同作为所述运放采样电路的输出端与所述处理器相连接，另一端连接所述运算放大器的负输入端；第五采样电阻，一端与所述第四采样电阻及所述运算放大器的负输入端均相连接，另一端接地。
16.在其中一个实施例中，所述测试支路还包括：开关，与位于同一所述测试支路上的所述待测功率器件串接；电容，所述电容与所述待测功率器件并联；电参数监测模块，一端与所述待测功率器件远离所述开关的一端相连接；所述测试结构还包括处理器及上位机，所述处理器与各所述测试支路中的所述电参数监测模块均相连接；所述上位机与所述处理器相连接。
17.第二方面，本技术还提供了一种功率器件在线测试装置。所述装置包括：
18.如第一方面中任一项所述的测试结构；
19.夹具，位于各所述测试支路中，用于夹持所述待测功率器件；
20.辐射源，用于提供辐射粒子辐射同时各所述待测功率器件。
21.上述一种测试结构及功率器件在线装置，能够同时对多个待测功率器件分别并联连接，组成测试结构中的测试支路，并对上述待测功率器件施加偏置电压的方式使该待测功率器件处于阻断状态，通过监测干路中的电流来实现功率器件在线测试，提高了功率器件在线测试的效率。
附图说明
22.图1为一个实施例中的一种测试结构的结构框图；
23.图2为一个实施例中的测试结构中待测功率器件为nmos管的测试支路的结构示意图；
24.图3为一个实施例中的测试结构中待测功率器件为二极管的测试支路的结构示意图；
25.图4为另一个实施例中的测试结构的结构示意图；
26.图5为一个实施例中一种功率器件在线测试装置；
27.图6为一个实施例中一种功率器件在线测试方法；
28.图7为又一个实施例中的测试结构的结构示意图。
具体实施方式
29.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
30.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
31.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。
32.可以理解，以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
33.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
34.关于辐射导致的器件损伤，存储器件也会存在单粒子效应。而针对存储器件的单粒子效应的测试方法是通过统计存储器在辐照环境下发生单粒子翻转的数量以及结合对每个单粒子翻转进行的分类统计和分析，进而推断存储器发生单粒子翻转的敏感位置。或者，通过对辐照前后数据进行对比分析处理。而存储器件的单粒子效应主要为软错误，不会导致器件的永久性损伤。而功率器件的单粒子效应为破坏性损伤，会导致器件的永久性失效，因此，功率器件在失效模式、效应测试方法等方面均与存储类器件存在较大差异，针对存储器件的现有技术并不适用功率器件。
35.现有技术中的功率器件的单粒子效应试验还设计了额外的保护电路确保器件未被真正烧毁而造成器件的破坏性失效，由于待测功率器件并未发生真正的破坏性失效，上述待测器件外接的保护电路可能会影响器件单粒子效应的产生，也会带来实验结果的误判。基于此，本技术提供一种测试结构及功率器件在线装置，能够提高功率器件在线测试的效率，并通过增加运放采样电路来进行电压采样，使得功率器件在线测试结果更加准确。
36.本技术实施例提供的一种测试结构，其结构可以如图1所示，包括多条并联的测试支路：测试支路101、测试支路102、测试支路103
……
(这里省略测试支路104至测试支路100(n-1))以及测试支路10n；其中，各所述测试支路均包括待测功率器件(如图1中的待测功率器件1012、待测功率器件1022
……
待测功率器件10n2)；供电检测装置11，所述供电检测装置11与所述多条并联的测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。
37.在一个实施例中，所述供电检测装置11包括高压源表。
38.在一个实施例中，所述待测功率器件(如图1中的待测功率器件1012、待测功率器件1022
……
待测功率器件10n2)可以为金属氧化物半导体场效应晶体管 (metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet)(这里以n型金属氧化物半导体(n metal oxide semiconductor，nmos)管为例进行说明)，这里以待测器件1012进行举例说明。请参见图2，图2为一个实施例中待测功率器件为nmos管的测试支路的结构示意图，且图2中的nmos管包括源极201、漏极202以及栅极203，所述nmos管的漏极与所述供电检测装置11相连接，所述nmos管的栅极及源极均接地。
39.在又一个实施例中，所述待测功率器件(如图1中的待测功率器件1012、待测功率器件1022
……
待测功率器件10n2)可以为二极管，这里以待测器件1012 进行举例说明。请参见图3，图3为一个实施例中待测功率器件为二极管的测试支路的结构示意图，且图3的二极管包括阳极301、阴极302，所述二极管的阳极接地，所述二极管的阴极与所述供电检测装置相连接。
40.此外，上述待测功率器件还包括绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolartransistor，igbt)、晶闸管或双极晶体管。
41.在一个实施例中，如图1、图2以及图3中显示，各所述测试支路还包括：串联电阻(如图1中的串联电阻1011、串联电阻1021
……
串联电阻10n1)，所述串联电阻与位于同一所述测试支路的所述待测功率器件串接(例如，测试支路 101包括串联电阻1011以及待测功率器件1012，且串联电阻1021以及待测功率器件1021串联连接；测试支路102包括串联电阻1021以及待测功率器件1022，且串联电阻1021以及待测功率器件1022串联连接；其余测试支路遵循与所述测试支路101与测试支路102的连接关系，这里不再赘述)；上述测试支路还包括电容(不同测试支路的电容分别标记为电容1013、电容1023、电容1033
……
以及电容10n3)，上述电容与对应的待测功率器件(不同测试支路的待测功率器件分别标记为待测功率器件1012、待测功率器件1022、待测功率器件1032
……
以及待测功率器件10n2)并联，且能够促进所述待测器件单粒子烧毁的发生。
42.在一个实施例中，如图1所述，上述测试结构还包括瞬态电流采样电路12，瞬态电流采样电路12设置于干路上，用于实施例监测干路中的瞬态电流信号。
43.具体的，瞬态电流采样电路12包括：第一采样电阻1201与示波器1202，其中，第一采样电阻1201与示波器1202并联连接，且均设置于上述测试结构的干路中，电流采用电路12通过示波器13记录上述待测器件发生单粒子失效瞬间的电流脉冲波形，从而来实时监测上述干路中的瞬态电流信号。
44.在一个实施例中，图1、图2以及图3中的所述待测功率器件阻断状态的等效电阻阻值远大于所述串联电阻的阻值。
45.在一个实施例中，请参见图4，图4为另一个实施例中的测试结构的结构示意图，该结构示意图应用于图1中的测试结构中，且该结构示意图中的401可替换图1中的测试支路101、测试支路102、测试支路103
……
以及测试支路10n，这里以测试支路101为例进行详细说明。如图4所示，该测试支路还包括：第二采样电阻402，所述待测功率器件1011与第二采样电阻402串联连接后接地；运放采样电路403一端连接于所述第二采样电阻与所述待测功率器件之间，用于采集所述运放采集电路与所述第二采样电阻及所述待测功率器件的连接
点 404处的电压；所述测试结构还包括处理器13及上位机14，处理器13与各所述测试支路中的所述运放采样电路均相连接，用于判断各所述运放采样电路采集的电压是否异常；所述上位机与所述处理器相连接。
46.在一个实施例中，如图4所示，上述运放采样电路403包括：运算放大器 4031，包括正输入端、负输入端、电压输入端、接地端及输出端，所述运算放大器4031的所述电压输入端连接电源电压，所述运算放大器4031的所述输出端接地；第三采样电阻5032，一端连接于所述第二采样电阻402与所述待测功率器件之间，另一端连接所述运算放大器4031的所述正输入端；阻抗4033，一端连接所述运算放大器的所述正输入端，另一端接地；第四采样电阻4034，一端与所述运算放大器的输出端共同作为所述运放采样电路的输出端与所述处理器相连接，另一端连接所述运算放大器5031的负输入端；第五采样电阻4035，一端与所述第四采样电阻4034及所述运算放大器4031的负输入端均相连接，另一端接地。
47.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于应用上述所涉及的测试结构的功率器件在线测试装置，下面所提供的一个或多个功率器件在线测试装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于测试结构的限定，在此不再赘述。
48.在一个实施例中，如图5所示，提供了一种功率器件在线测试装置，功率器件在线测试装置002包括：
49.如第一方面中任一项所述的测试结构；
50.夹具501，位于测试结构中各所述测试支路中，用于夹持所述待测功率器件；
51.辐射源502，用于提供辐射粒子辐射同时各所述待测功率器件。
52.由于单粒子效应的发生为概率性事件，为了测试得到置信度较高的试验结果，整个试验过程中可能要求观察到多例(例如十五例)个单粒子事件。此外，功率器件的单粒子效应为破坏性失效，而现有技术中，每次单粒子事件意味着1 只器件开展辐照，会导致试验效率低下，由于辐照试验机时费较贵，使得机时资源浪费。因此，本技术文件提出的测试结构与功率器件在线测试装置可以对多只待测器件同时进行在线测试。本技术实施例提供的功率器件在线测试方法，可以应用如图1和图4所示的测试结构以及如图5所示的功率器件在线测试装置中。
53.在一个实施例中，如图6所示，提供了一种功率器件在线测试方法，以该方法应用如图1和图4所示的测试结构以及如图6所示的功率器件为例进行说明，具体包括以下步骤：
54.步骤601，采用夹具将待测功率器件安装在功率器件在线测试装置上。
55.具体地，参阅图1与图5，采用夹具501同时将两个以上的所述待测器件夹持在在线测试装置上，使得上述两个以上的待测器件分别与对应的串联电阻相连接，并调整上述待测器件位置，保证辐射源粒子(质子、中子以及重离子等) 能覆盖全部的上述待测器件，从而固定在测试结构的测试支路中。
56.步骤602，向上述待测功率器件施加偏置电压，使该待测功率器件处于阻断状态。
57.其中，上述待测功率器件包括可以为mosfet(这里nmos管为例进行说明)、二极管、igbt、晶闸管或双极晶体管。
58.如图2以及图3中的待测器件的连接方式，即所述nmos管的漏极与所述供电检测装置11相连接，所述nmos管的栅极及源极均接地；或者，所述二极管的阳极接地，所述二极管的阴极与所述供电检测装置相连接，对上述待测功率器件施加偏置电压。在上述偏置条件
下，该待测器件将处于阻断状态，且所述待测功率器件阻断状态的等效电阻阻值远大于所述串联电阻的阻值。
59.步骤603，向上述待测功率器件开启辐照，且监测该待测功率器件的电性参数的变化情况。
60.在一个实施例中，如图1所示的测试结构以及如图5所示的功率器件的在线测试装置进行连接，并向上述待测功率器件开启辐照，且检测该待测功率器件的电性参数。
61.具体地，如图1所示，n只待测功率器件并联连接，通过供电检测装置11 为所有器件同时加电，同时供电检测装置11实时地监测上述干路中总电流的变化。通过示波器1202记录上述待测器件发生单粒子失效瞬间的电流脉冲波形。当上述待测器件被施加偏置电压时，由于上述待测器件的等效电阻远大于对应的串联电阻，此时，上述全部的待测器件两端的电压即为供电检测装置11的电压，且此时供电检测装置11监测到的上述干路中的总电流可以忽略不计(由于此时全部的测试支路都处于关断状态)。
62.当上述待测器件发生了单粒子烧毁而失效后，上述待测器件失去阻断能力，呈现低阻特性(上述测试支路中待测器件的等效电阻可以忽略不计)，此时，发生失效的测试支路10n的电流为：
[0063][0064]
其中，式中vd为上述功率器件在偏置电压，rn为发生失效的测试支路10n 中串联电阻的阻值。
[0065]
由于未发生失效的测试支路中的电流忽略不计，而此时上述发生失效的测试支路10n的电流之和即为上述供电检测装置11中监测到的干路中总电流。在上述待测器件发生单粒子失效后，供电检测装置11监测的干路总电流的原始值增加了in，出现一个电流上升台阶。在整个辐照过程中，统计干路电流中上升的台阶数量，并计为参数r，所述参数r即为发生单粒子失效的次数。
[0066]
由于基于图1所示的功率器件在线测试装置可以测试得到整个辐照过程中发生失效的功率器件总数量相当于上述发生单粒子失效的次数，但是，在参数 r《n的情况下无法区分具体哪些器件发生了失效，哪些器件未发生失效。因而，对图1中所示的测试结构进行改进，即将图4中的401替换图1中的测试支路 1011、测试支路1021、测试支路1031
……
以及测试支路10n1。
[0067]
在又一个实施例中，如图1与图4所示的测试结构以及如图5所示的功率器件的在线测试装置，在连接点404与地之间增加一个小阻值的第二采用电阻 402以及运放采样电路403的方式，并通过高精度的运放采样电路403采样连接点404处的电压值，并将连接点404处的电压值反馈给处理器13该处理器13可以为单片机和现场可编程逻辑门阵列(field programmable gate array，fpga)。r
n1
《《rn(其中，r
n1
为测试支路10n的第二采样电阻的电阻值，rn为测试支路10n的待测器件10n1的等效电阻值)，当上述待测功率器件未发生失效时，连接点处的电压为0v；当上述待测功率器件发生失效时，检测到的测试支路10n连接点处的电压满足如下公式：
[0068]
[0069]
式中，式中vd为上述功率器件在偏置电压，r
n1
为测试支路10n的第二采样电阻的电阻值，rn为测试支路10n的待测器件10n1的等效电阻值。步骤604，根据上述电性参数的变化情况判断该待测功率器件的失效情况。
[0070]
一方面，如图1所示的测试结构以及如图5所示的功率器件的在线测试装置，待辐照试验结束后，统计在上述辐照试验的整个过程中入射的辐射粒子注入量为m。根据如下公式计算上述功率器件在偏置电压vd下的单粒子效应截面σ为：
[0071][0072]
式中，单粒子效应截面σ反映了上述待测功率器件的辐射敏感程度，r为整个辐照过程中发生单粒子失效的次数，m为整个辐照过程中入射的辐射粒子注入量。
[0073]
另一方面，如图1与图4所示的测试结构以及如图5所示的功率器件的在线测试装置，处理器根据连接点出的电压值能够自动甄别该连接点404所对应的待测功率器件，把甄别到对应的待测功率器件视为发生失效的功率器件，并把判断为发生失效的功率器件的结果反馈给上位机14。
[0074]
然而，对于超高压的功率器件，其关断电流较大，能达到毫安级。这意味着该功率器件阻断状态下的等效电阻为兆欧级，并不能视为无穷大。采用上述方案进行测试时，支路串联电阻阻值与待测器件关断等效阻值相当，因此串联电阻上会产生较大的分压。此时，待测器件两端的实际电压会远小于供电检测装置11的电压。为了克服上述问题，提出了以下解决方案，以待测器件1011 为例进行说明，其他待测器件遵循与其类似的规律。请参见图7，图7为又一个实施例中的测试结构的结构示意图，该结构示意图包括测试支路701，测试支路 701包括开关702、电参数监测模块703、电容1013、待测器件1011以及连接点404，其中，图7中开关可以是继电器、程控开关等。
[0075]
当开关702闭合时，待测器件1011与供电检测装置11连接。当电参数监测模块703探测到电参数异常(对应待测器件1011发生失效)时，发送信号到处理器13，处理器13随后控制开关702断开。当待测器件1011未发生失效时，开关702处于闭合状态，其等效电阻近似为0，尽管待测器件1011阻断状态下漏电流很大，其分压也可以忽略不计；当待测器件1011发生失效时，开关处于断开状态，失效的待测器件1011与供电检测装置11的连接中断。图7中电参数监测模块703可以通过运放采样电路403实现，也可以通过电流传感器等其他方式实现。其中，采用电流传感器可以是让高压源和电参数监测模块703实现物理隔离，保证电参数监测模块703和处理器13的安全。运用图7所示的测试结构能够根据开关702的闭合与断开来判断待测器件的失效情况。
[0076]
可以看出，上述功率器件在线测试方法不仅能够检测出上述待测功率器件的失效总数量，还通过增加运放采样电路进行电压采样，根据上述电压采样结果甄别出发生失效的待测功率器件，从而降低了测试结果的误判几率。
[0077]
上述功率器件在线方法中，能够同时对多个待测功率器件分别并联连接，组成测试结构中的测试支路，并对上述待测功率器件施加偏置电压的方式使该待测功率器件处于阻断状态，通过监测干路中的电流来实现功率器件在线测试，提高了功率器件在线测试的效率。
[0078]
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头
的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0079]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0080]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。
技术特征：1.一种测试结构，其特征在于，包括：多条并联的测试支路，各所述测试支路均包括待测功率器件；供电检测装置，与所述测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述供电检测装置包括高压源表；所述待测功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述供电检测装置相连接，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极及源极均接地；或所述待测功率器件包括二极管，所述二极管的阳极接地，所述二极管的阴极与所述供电检测装置相连接。3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，各所述测试支路均还包括：串联电阻，所述串联电阻与位于同一所述测试支路的所述待测功率器件串接；电容，所述电容与所述待测功率器件并联。4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括瞬态电流采样电路，设置于干路上，用于实时监测所述干路中的瞬态电流信号。5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述瞬态电流采样电路包括：第一采样电阻，位于所述干路上；示波器，与所述第一采样电阻并联。6.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述待测功率器件阻断状态的等效电阻阻值远大于所述串联电阻的阻值。7.根据权利要求1至6中任一项所述的测试结构，其特征在于，各所述测试支路均还包括：第二采样电阻，所述待测功率器件经由所述第二采样电阻接地；运放采样电路，一端连接于所述第二采样电阻与所述待测功率器件之间，用于采集所述运放采集电路与所述第二采样电阻及所述待测功率器件的连接点处的电压；所述测试结构还包括处理器及上位机，所述处理器与各所述测试支路中的所述运放采样电路均相连接，用于判断各所述运放采样电路采集的电压是否异常；所述上位机与所述处理器相连接。8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述运放采样电路包括：运算放大器，包括正输入端、负输入端、电压输入端、接地端及输出端，所述运算放大器的所述电压输入端连接电源电压，所述运算放大器的所述输出端接地；第三采样电阻，一端连接于所述第二采样电阻与所述待测功率器件之间，另一端连接所述运算放大器的所述正输入端；阻抗，一端连接所述运算放大器的所述正输入端，另一端接地；第四采样电阻，一端与所述运算放大器的输出端共同作为所述运放采样电路的输出端与所述处理器相连接，另一端连接所述运算放大器的负输入端；第五采样电阻，一端与所述第四采样电阻及所述运算放大器的负输入端均相连接，另一端接地。9.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试支路还包括：开关，与位于同一所述测试支路上的所述待测功率器件串接；电容，所述电容与所述待测功率器件并联；电参数监测模块，一端与所述待测功率器件远离所
述开关的一端相连接；所述测试结构还包括处理器及上位机，所述处理器与各所述测试支路中的所述电参数监测模块均相连接；所述上位机与所述处理器相连接。10.一种功率器件在线测试装置，其特征在于，包括：如权利要求1至9中任一项所述的测试结构；夹具，位于各所述测试支路中，用于夹持所述待测功率器件；辐射源，用于提供辐射粒子同时辐射各所述待测功率器件。
技术总结本申请涉及一种测试结构及功率器件在线测试装置。所述测试结构包括：多条并联的测试支路，各所述测试支路均包括串联电阻及待测功率器件，所述待测功率器件与位于同一所述测试支路的所述串联电阻串接；供电检测装置，与所述测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。采用本测试结构能够提高试验效率。能够提高试验效率。能够提高试验效率。
技术研发人员：彭超 雷志锋 张战刚 何玉娟 肖庆中
受保护的技术使用者：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
技术研发日：2022.05.17
技术公布日：2022/11/1
