1.本发明涉及光敏元件的技术领域，尤其涉及一种光敏元件的制备方法、光敏探测器和成像装置。
背景技术：2.相关技术中，光敏元件通常应用于安检、工业无损检测和医疗等领域，用于将接收到的光信号转换为电信号。光敏元件通常在晶圆上进行制备，再对晶圆进行切割，以使得光敏元件能够与晶圆上的其他元器件之间相互分离。
3.但是，相关技术中光敏元件的制备方法的可靠性较差，增加了晶圆碎裂的风险。
技术实现要素：4.为了提高光敏元件的制备方法的可靠性，降低晶圆碎裂的风险，本发明的实施例提供了一种光敏元件的制备方法、光敏探测器和成像装置。
5.为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
6.第一方面，本发明的实施提供了一种光敏元件的制备方法。光敏元件的制备方法包括在晶圆内形成光敏部，光敏部用于进行光电转换。在晶圆的一侧形成信号传输部，信号传输部与光敏部电连接，以传输光敏部转换得到的电信号。将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合。在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部，任一个电连接部与信号传输部电连接。对第一承载片进行解键合。
7.本发明的实施例采用第一承载片与晶圆之间临时键合的方式，来实现第一承载片对于晶圆的保护和支撑，无需将晶圆放置在其他结构内，降低了晶圆碎裂的风险。并且，通过对第一承载片进行解键合的方式，来实现第一承载片与晶圆之间的相互分离，无需将晶圆从其他结构内取出，进一步降低了晶圆碎裂的风险，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
8.此外，本发明的实施例通过临时键合和解键合的方式，来实现第一承载片对于晶圆的保护或分离，操作简单，提高光敏元件的生产效率。并且，通过临时键合的方式实现第一承载片对于晶圆的支撑，还能够提高第一承载片对于晶圆的限位效果，降低了晶圆相对于第一承载片发生移动的风险，从而提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
9.可选的，将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合之前，光敏元件的制备方法还包括将第二承载片与信号传输部远离晶圆一侧的表面临时键合。在晶圆远离信号传输部的一侧，对晶圆进行减薄处理。如此设置，能够减小晶圆的厚度，从而减小了外界光线与光敏部之间的距离，提高了照射至光敏部的光线强度，使得光敏元件能够获取到微弱的光信号，从而提高了光敏元件的使用可靠性。
10.可选的，将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合之后，光敏元件的制备方法还包括对第二承载片进行解键合。如此设置，使得信号传输部远离晶圆一侧的表面能够裸露出来，避免第二承载片对信号传输部远离晶圆一侧的表面造成阻挡，从而
影响后续电连接部的形成，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
11.可选的，将第二承载片与信号传输部远离晶圆一侧的表面临时键合包括在第二承载片和信号传输部远离晶圆一侧的表面之间形成第二临时键合胶，第二临时键合胶具有第二解键合温度。将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合包括在第一承载片和晶圆远离信号传输部一侧的表面之间形成第一临时键合胶，第一临时键合胶具有第一解键合温度。其中，第二解键合温度小于第一解键合温度。如此设置，对第二承载片进行解键合时，不会对第一承载片与晶圆之间的临时键合造成影响，确保了第一承载片与晶圆之间的临时键合效果，从而确保了第一承载片对于晶圆的支撑和保护效果，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。此外，设置第一临时键合胶具有较高的解键合温度，还能够降低第一临时键合胶对于后续工艺的限制，从而能够通过不同的工艺形成电连接部，提高了光敏元件的制备方法的灵活性。
12.可选的，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部包括通过焊接工艺，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部。其中，第一解键合温度大于焊接工艺的焊接温度。如此设置，避免了焊接工艺对于第一承载片与晶圆之间的临时键合造成影响，确保了第一承载片与晶圆之间的临时键合效果，从而确保了第一承载片对于晶圆的支撑和保护效果，进一步提高了光敏元件的制备方法的可靠性。并且，通过焊接工艺形成电连接部，工艺简单，降低光敏元件的生产成本。
13.可选的，通过焊接工艺，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部包括通过焊接工艺，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个金属焊球，任一个金属焊球与信号传输部电连接。如此设置，使得光敏部转换的电信号能够传输至信号传输部，并通过信号传输部和金属焊球向外传输，提高了电信号传输的可靠性。
14.可选的，将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合之前，光敏元件的制备方法还包括提供第一承载片，第一承载片的直径与晶圆的直径相同。如此设置，避免了第一承载片的尺寸过大，导致后续制备过程的操作机台需要与第一承载片的尺寸相适配。也即是，通过设置第一承载片的直径与晶圆的直径相同，减小了光敏元件的制备过程对于操作机台尺寸的限制，提高了光敏元件的制备方法的适用性，降低了光敏元件的生产成本，提高了光敏元件的生产效率。
15.可选的，在晶圆内形成光敏部包括对晶圆的第一区域进行第一类掺杂，以形成第一掺杂部。对晶圆的第二区域进行第二类掺杂，以形成第二掺杂部。其中，第一区域与第二区域间隔设置。如此设置，使得光敏元件能够实现光电转换功能，工艺简单，提高了光敏元件的生产效率，降低了光敏元件的生产成本。
16.可选的，在晶圆的一侧形成信号传输部，信号传输部与光敏部电连接包括在晶圆的一侧形成金属布线层。在金属布线层内嵌入第一信号传输部，第一信号传输部与第一掺杂部电连接。在金属布线层内嵌入第二信号传输部，第二信号传输部与第二掺杂部电连接。如此设置，使得金属布线层能够对第一信号传输部和第二信号传输部起到保护的作用，延长了第一信号传输部和第二信号传输部的使用寿命。并且，使得第一掺杂部和第二掺杂部上的电信号能够通过不同的信号传输部向外传输，减小了电信号传输过程中产生的串扰，提高了光敏元件的使用可靠性。
17.可选的，对第二承载片进行解键合之后，光敏元件的制备方法还包括清洗信号传
输部与第二承载片临时键合的一面。对第一承载片进行解键合之后，光敏元件的制备方法还包括清洗晶圆与第一承载片临时键合的一面。如此设置，减小了第二临时键合胶对电连接部与信号传输部之间的电连接效果的影响，提高了光敏元件的使用可靠性。并且，还能够减小第一临时键合胶对光线造成的阻挡，提高晶圆远离信号传输部一侧表面的透光性，从而提高照射至光敏部的光线强度，进一步提高了光敏元件的光电转换性能。
18.可选的，对晶圆进行减薄处理之后，光敏元件的制备方法还包括在晶圆远离信号传输部一侧的表面涂覆抗反射涂层。如此设置，能够减小外界光线照射光敏元件时的反射作用，进一步提高照射至光敏部内的光线强度，从而提高光敏元件的使用性能。
19.可选的，对第一承载片进行解键合之后，光敏元件的制备方法还包括将封装基板与电连接部电连接。如此设置，使得信号传输部上的电信号能够通过电连接部传输至封装基板，并通过封装基板向外传输。并且，封装基板还能够对晶圆起到保护的作用，延长晶圆的使用寿命。
20.可选的，将封装基板与电连接部电连接之前，光敏元件的制备方法还包括切割晶圆。如此设置，避免晶圆上其他元器件对封装基板与电连接部之间的电连接造成影响，提高了封装基板与电连接部之间电连接的便捷性，从而提高光敏元件的制备方法的可靠性。
21.可选的，将封装基板与电连接部电连接之后，光敏元件的制备方法还包括切割晶圆。如此设置，使得封装基板能够对晶圆起到保护和支撑的作用，进一步降低了晶圆在切割时碎裂的风险。
22.第二方面，本发明的实施例提供了一种光敏探测器。光敏探测器包括电路板和多个采用如上述第一方面的光敏元件的制备方法制备的光敏元件。电路板上设置有模数转换电路、比较电路和放大电路中至少之一。多个光敏元件阵列排布，任一个光敏元件与电路板电连接。
23.本发明的实施例提供的光敏探测器包括采用如上述第一方面的光敏元件的制备方法制备的光敏元件，因此具有上述第一方面的全部有益效果，在此不再赘述。
24.第三方面，本发明的实施例提供了一种成像装置。成像装置包括发射器、如上述第二方面的光敏探测器和处理器。发射器用于发射光线。光敏探测器用于接收穿过待检测物体的光线。处理器与光敏探测器电连接，用于根据光敏探测器输出的电信号生成待检测物体的图像信息。
25.本发明的实施例提供的成像装置包括上述第二方面的光敏探测器，因此具有上述第二方面的全部有益效果，在此不再赘述。
附图说明
26.图1为本发明的一种实施例的成像装置结构示意图；
27.图2为本发明的一种实施例的光敏探测器结构示意图；
28.图3为本发明的一种实施例的光敏元件阵列排布示意图；
29.图4为本发明的一种实施例的光敏元件的制备方法的步骤流程图；
30.图5为本发明的一种实施例的光敏元件结构示意图；
31.图6为本发明的另一种实施例的光敏元件的制备方法的步骤流程图；
32.图7为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
33.图8为本发明的另一种实施例的光敏元件的制备方法的步骤流程图；
34.图9为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
35.图10为本发明相关技术中的一种实施例的金属圆盘结构示意图；
36.图11为本发明相关技术中的一种实施例的光敏元件结构示意图；
37.图12为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
38.图13为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
39.图14为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
40.图15为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
41.图16为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
42.图17为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
43.图18为本发明的另一种实施例的光敏元件结构示意图；
44.图19为本发明的另一种实施例的光敏元件的制备方法的步骤流程图。
具体实施方式
45.下面结合附图对本发明的实施例进行详细描述。
46.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
47.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
48.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
49.本发明的实施例提供了一种成像装置300，成像装置300可以包括安检装置、医疗检测装置或者工业无损检测装置等。成像装置300能够发射光线，并接收穿过待检测物体的光线，将接收到的光信号转换为电信号，根据电信号确定待检测物体内部图像信息以及外部的图像信息，从而实现检测功能。本发明的实施例对成像装置300的具体形式不做特殊限制，下面对成像装置300的结构进行举例说明。
50.如图1所示，在一些实施方式中，成像装置300可以包括发射器310、光敏探测器200和处理器320。发射器310用于发射光线，在一些实施方式中，发射器310可以用于发射不可见光线，例如x射线或者伽马射线等，确保了光线对于待检测物体的穿透能力，从而提高成像装置300的检测准确性。在另一些实施方式中，发射器310也可以用于发射可见光线。
51.在一些实施方式中，发射器310的数量可以为多个，多个发射器310分别设置在不同的位置，从而能够从不同位置向待检测物体发射光线，提高了成像装置300的使用可靠性。
52.光敏探测器200用于接收穿过待检测物体的光线，并将接收到的光线转换为电信号。在一些实施方式中，光敏探测器200的数量可以为多个，从而能够接收到来自不同方向的光线。
53.处理器320与光敏探测器200电连接，可以理解地，处理器320用于接收来自光敏探测器200的电信号，并根据来自光敏探测器200的电信号，生成待检测物体的内部图像信息以及外部图像信息。在一些实施方式中，处理器320可以为中央处理器(cpu，central processing unit)或者图像处理器(gpu，graphic processing unit)。
54.在一些实施方式中，处理器320生成待检测物体的图像信息之后，可以将图像信息向成像装置300之外传输。在另一些实施方式中，成像装置300还可以包括显示装置，显示装置与处理器320电连接，从而能够显示处理器320生成的图像信息。这样一来，使得用户能够通过显示装置，就能够直观地获取到待检测物体的内部图像信息以及外部图像信息，提高成像装置300的使用便捷性。
55.由上述可知，光敏探测器200用于将光信号转换为电信号，下面对光敏探测器200的结构进行举例说明。
56.在一些实施方式中，如图2所示，光敏探测器200包括多个光敏元件100和电路板210，如图3所示，多个光敏元件100阵列排布，任一个光敏元件100与电路板210电连接。
57.可以理解地，光敏元件100能够将接收到的光信号转换为电信号，在一些实施方式中，光敏元件100可以为光电二极管或者光电三极管等。可以理解地，光敏元件100能够将可见光的光信号转换为电信号，也能够将不可见光的光信号转换为电信号。
58.电路板210上设置有模数转换电路、比较电路和放大电路中至少之一，从而能够对来自光敏元件100的电信号进行模数转换、比较或者放大等处理，满足不同电信号的处理需求。在一些实施方式中，电路板210可以为印刷电路板(pcb板，printed circuit board)。
59.任一个光敏元件100与电路板210电连接，使得任一个光敏元件100转换后的电信号均能够通过电路板210向光敏探测器200之外传输。这样一来，通过获取每个光敏元件100转换后的电信号，即可得到待检测物体的内部图像信息以及外部图像信息。
60.在一些实施方式中，如图2所示，光敏探测器200还包括连接引脚220，任一个光敏元件100通过多个连接引脚220与电路板210电连接。具体地，连接引脚220可以为金属焊球或者金属导线等。
61.在一些实施方式中，当发射器310用于发射不可见光线时，光敏探测器200还可以包括闪烁晶体，闪烁晶体用于将穿过待检测物体的不可见光线转换为波长约为550nm的可见光线。可见光被光敏元件100吸收并转换为电信号，提高了光敏元件100的量子效率。
62.由上述可知，光敏元件100能够将光信号转换为电信号。下面对光敏元件的制备方法进行举例说明。
63.在一些实施方式中，光敏元件100可以在晶圆110上进行制备。可以理解地，晶圆110为圆形的半导体衬底，在一些实施方式中，晶圆110的材质可以为硅。在一些实施方式中，晶圆110的直径可以为4寸、6寸、8寸或者12寸等。在一些实施方式中，晶圆110上可以制备多个阵列排布的光敏元件100，在另一些实施方式中，晶圆110上也可以制备多个阵列排布的光敏元件100和其他元器件。
64.具体地，在一些实施方式中，如图4所示，光敏元件的制备方法包括：
65.步骤s101，在晶圆内形成光敏部，光敏部用于进行光电转换。
66.在一些实施方式中，可以通过离子掺杂的方式，在晶圆110内形成光敏部120。在一些实施方式中，如图5所示，光敏部120可以包括第一掺杂部122和第二掺杂部124。
67.下面对在晶圆内形成光敏部的方法进行举例说明。在一些实施方式中，如图6所示，在晶圆内形成光敏部的方法包括：
68.步骤s201，对晶圆的第一区域进行第一类掺杂，以形成第一掺杂部。
69.如图5所示，可以采用离子掺杂的方式，对晶圆110的第一区域进行第一类掺杂，以形成第一掺杂部122。可以理解地，第一区域为晶圆110的一部分区域。
70.步骤s202，对晶圆的第二区域进行第二类掺杂，以形成第二掺杂部。
71.如图5所示，可以采用离子掺杂的方式，对晶圆110的第二区域进行第二类掺杂，以形成第二掺杂部124。可以理解地，第二区域为晶圆110除了第一区域以外的另一部分区域，并且第二区域与第一区域间隔设置。
72.可以理解地，第一类掺杂和第二类掺杂的区别之处在于掺杂元素的最外层电子数不同。通过第一类掺杂形成第一掺杂部122，通过第二类掺杂形成第二掺杂部124，使得第一掺杂部122和第二掺杂部124的掺杂类型能够不同。并且，第一区域与第二区域间隔设置，也即是第一掺杂部122和第二掺杂部124能够间隔设置，从而使得光敏部120能够实现光电转换功能。
73.下面以光敏元件100为光电二极管为例，对第一类掺杂和第二类掺杂进行举例说明。
74.在一些实施方式中，第一类掺杂可以为向晶圆110的第一区域掺杂正三价硼元素，以形成第一掺杂部122，也即是p型掺杂部。第二类掺杂可以为向晶圆110的第二区域掺杂正五价磷元素，以形成第二掺杂部124，也即是n型掺杂部。第一掺杂部122和第二掺杂部124间隔设置，从而在第一掺杂部122和第二掺杂部124之间能够形成光敏区域，也即是pn结。
75.当光线照射至pn结时，携带能量的光子将能量传递给共价键上的电子。当光子携带的能量hv大于或等于电子的间隙能量eg时，电子挣脱共价键，从而产生自由移动的电子和空穴，称为光生载流子。电子向n型掺杂部移动，空穴向p型掺杂部移动，从而形成电流，使得光敏元件100能够将光信号转换为电信号。
76.在一些实施方式中，还可以在n型掺杂部和p型掺杂部之间，设置i型半导体，也即是本征半导体层，从而形成pin结构，提高光电二极管的响应速度。
77.在一些示例中，可以采用高能离子注入的方式，对晶圆110的第一区域和第二区域进行离子掺杂，以形成第一掺杂部122和第二掺杂部124。
78.在一些示例中，如图5所示，晶圆110的一侧表面设置有保护层129，保护层129具有多个第一开口1291，多个第一开口1291间隔设置。晶圆110的一侧表面能够通过保护层129上的第一开口1291裸露出来。通过保护层129上的第一开口1291，在晶圆110的一侧表面进行高能离子注入，以形成间隔设置的第一掺杂部122和第二掺杂部124。在一些示例中，保护层129的材料包括氮化硅。
79.在一些示例中，如图5所示，对晶圆110进行高能离子注入，以形成第一掺杂部122和第二掺杂部124的一侧表面为背光面128。可以理解地，第一掺杂部122和第二掺杂部124靠近背光面128。与背光面128相对设置的一侧表面为受光面126。如图5中箭头方向所示，外
界光线沿受光面126至被光面128的方向照射光敏元件100。
80.由上述可知，通过在晶圆110的第一区域进行第一类掺杂，在晶圆110的第二区域进行第二类掺杂，并且第一区域和第二区域间隔设置，以使得晶圆110内能够形成间隔设置的第一掺杂部122和第二掺杂部124，从而使得光敏部120能够实现光电转换功能，工艺简单，提高了光敏元件100的生产效率，降低了光敏元件100的生产成本。
81.在晶圆内形光敏部之后，如图4所示，光敏元件的制备方法还包括：
82.步骤s102，在晶圆的一侧形成信号传输部，信号传输部与光敏部电连接，以传输光敏部转换得到的电信号。
83.在一些示例中，如图7所示，信号传输部130与晶圆110的背光面128相邻设置，也即是信号传输部130远离晶圆110的受光面126，避免信号传输部130对外界光线造成阻挡，提高照射至光敏部120的光线强度。
84.在一些实施方式中，信号传输部130可以为金属导线，例如金属铜或者金属铝等。信号传输部130与光敏部120电连接，使得光敏部120在光线照射下转换的电信号能够通过信号传输部130传输。
85.在一些示例中，信号传输部130能够将光敏部120转换得到的电信号传输至光敏元件100的其他元器件。在另一些示例中，信号传输部130能够将光敏部120转换得到的电信号传输至光敏元件100之外。
86.由上述可知，光敏部120包括第一掺杂部122和第二掺杂部124。在一些实施方式中，如图7所示，信号传输部130包括第一信号传输部132和第二信号传输部134。
87.下面对在晶圆的一侧形成信号传输部的方法进行举例说明。在一些实施方式中，如图8所示，在晶圆的一侧形成信号传输部的方法包括：
88.步骤s301，在晶圆的一侧形成金属布线层。
89.如图7所示，金属布线层150与晶圆110的背光面128相邻设置，避免金属布线层150对外界光线造成阻挡。可以理解地，如图7中箭头方向所示，外界光线沿晶圆110至金属布线层150的方向照射光敏元件100，避免了金属布线层150对光线造成阻挡，提高了照射至光敏部120的光线强度，从而提高光敏元件100的光电转换性能。
90.在一些实施方式中，可以将外界光线沿晶圆110至金属布线层150方向照射的光敏元件100成为背照式光敏元件。具体地，当光敏元件100为光电二极管时，可以将外界光线沿晶圆110至金属布线层150方向照射的光电二极管称为背照式光电二极管。
91.在一些实施方式中，金属布线层150包括层间介质，和嵌入在层间介质中的多层金属布线。示例的，层间介质的材质与晶圆110的材质可以相同，也可以不同。在一些实施方式中，金属布线层150的材质可以为二氧化硅等。
92.步骤s302，在金属布线层内嵌入第一信号传输部，第一信号传输部与第一掺杂部电连接。
93.示例的，第一信号传输部132可以嵌入于金属布线层150的层间介质内，且避让多层金属布线。如图7所示，第一信号传输部132与第一掺杂部122电连接，以传输第一掺杂部122上的电信号。
94.可以理解地，第一信号传输部132远离第一掺杂部122的一端能够裸露于金属布线层150的层间介质，以使得其他元器件能够与第一信号传输部132电连接，避免了金属布线
层150的层间介质对第一信号传输部132上电信号的传输造成影响，提高了电信号的传输可靠性。
95.在一些实施方式中，可以在金属布线层150远离晶圆110一侧的表面开设第一通孔，第一通孔贯穿金属布线层150的层间介质。第一信号传输部132嵌入于第一通孔内，以使得第一信号传输部132能够与第一掺杂部122电连接。
96.在一些实施方式中，第一信号传输部132的数量可以为多个，多个第一信号传输部132间隔设置。
97.步骤s303，在金属布线层内嵌入第二信号传输部，第二信号传输部与第二掺杂部电连接。
98.示例的，第二信号传输部134可以嵌入于金属布线层150的层间介质内，且避让多层金属布线。如图7所示，第二信号传输部134与第二掺杂部124电连接，以传输第二掺杂部124上的电信号。
99.可以理解地，第二信号传输部134远离第二掺杂部124的一端能够裸露于金属布线层150的层间介质，以使得其他元器件能够与第二信号传输部134电连接，避免了金属布线层150的层间介质对第二信号传输部134上电信号的传输造成影响，提高了电信号的传输可靠性。
100.在一些实施方式中，可以在金属布线层150远离晶圆110一侧的表面开设第二通孔，第二通孔贯穿金属布线层150的层间介质。第二信号传输部134嵌入于第二通孔内，以使得第二信号传输部134能够与第二掺杂部124电连接。
101.在一些实施方式中，第二信号传输部134的数量可以为多个，多个第二信号传输部134间隔设置。可以理解地，第一信号传输部132和第二信号传输部134的数量可以相同，也可以不同。
102.通过设置金属布线层150，将第一信号传输部132和第二信号传输部134嵌入于金属布线层150内，使得金属布线层150能够对第一信号传输部132和第二信号传输部134起到保护的作用，延长了第一信号传输部132和第二信号传输部134的使用寿命。
103.并且，设置第一信号传输部132与第一掺杂部122电连接，第二信号传输部134与第二掺杂部124电连接，使得第一掺杂部122和第二掺杂部124上的电信号能够通过不同的信号传输部130(第一信号传输部132和第二信号传输部134)向外传输，减小了电信号传输过程中产生的串扰，提高了光敏元件100的使用可靠性。
104.在一些实施方式中，如图7所示，光敏元件100还包括钝化层136。钝化层136位于信号传输部130远离晶圆110的一侧，起到保护信号传输部130(包括第一信号传输部132和第二信号传输部134)的作用。
105.示例的，如图7所示，钝化层136具有第二开口1361，第一信号传输部132和第二信号传输部134能够通过钝化层136的第二开口1361裸露出来，使得第一信号传输部132和第二信号传输部134能够通过钝化层136的第二开口1361与其他元器件电连接。
106.在晶圆的一侧形成信号传输部之后，如图4所示，光敏元件的制备方法还包括：
107.步骤s103，将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合。
108.可以理解地，第一承载片144为表面平滑的板状结构。可以理解地，第一承载片144用于支撑和保护晶圆110。如图9所示，将第一承载片144与晶圆110远离信号传输部130一侧
的表面临时键合，从而能够降低晶圆110在光敏元件100的制备过程中碎裂的风险。
109.在一些实施方式中，第一承载片144可以为圆形，也可以为方形或者多边形等。可以理解地，第一承载片144能够完全覆盖晶圆110，确保了第一承载片144对于的晶圆110保护和支撑效果。
110.在一些实施方式中，第一承载片144的材质可以与晶圆110的材质相同，提高了光敏元件的制备方法的便捷性。在另一些实施方式中，第一承载片144的材质也可以为玻璃等，确保了第一承载片144的机械强度，从而提高了第一承载片144对于晶圆110的支撑和保护效果。
111.在一些实施方式中，将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合之前，光敏元件的制备方法包括：
112.提供第一承载片，第一承载片的直径与晶圆的直径相同。
113.可以理解地，如图9所示，第一承载片144与晶圆110远离信号传输部130一侧表面临时键合之后，能够形成第一承载本体114。设置第一承载片144为圆形，并且第一承载片144的直径与晶圆110的直径相同，从而在确保第一承载片144对于晶圆110保护效果的基础上，使得第一承载本体114的结构更为规整，避免了第一承载片144过大，导致第一承载片144对后续工艺操作机台的尺寸造成限制。可以理解地，第一承载片144的直径与晶圆110的直径可以为近似相同，也可以为完全相同。
114.相关技术中，如图10所示，通常将晶圆110放置在金属圆盘160上，可以理解地，金属圆盘160为圆形金属结构。金属圆盘160具有容纳槽162，如图11所示，容纳槽162用于容纳晶圆110。并且，在金属圆盘160与晶圆110之间可以设置保护膜，减小晶圆110被金属圆盘160划伤的风险。在一些实施方式中，保护膜可以为蓝膜。可以理解地，蓝膜为金属钛膜。
115.由此可见，相关技术中，通过容纳槽162起到对于晶圆110的限位和保护作用。为了使得容纳槽162的尺寸能够与晶圆110相适配，金属圆盘160的直径通常大于晶圆110的直径，示例的，当晶圆110的直径为8寸时，金属圆盘160的直径通常为12寸。
116.这样一来，金属圆盘160的直径大于晶圆110的直径，使得后续制备工艺的操作机台需要与金属圆盘160的直径相适配，导致金属圆盘160对后续制备工艺的操作机台造成了限制，降低了光敏元件的制备方法的适用性。
117.而本发明的实施例中，设置第一承载片144的直径与晶圆110的直径相同，故而能够减小第一承载片144对于后续工艺的操作机台尺寸的限制，提高了光敏元件的制备方法的适用性，降低了光敏元件100的生产成本，提高了光敏元件100的生产效率。
118.由上述可知，第一承载片144与晶圆110远离信号传输部130一侧的表面临时键合。下面对第一承载片144与晶圆110之间临时键合的方法进行举例说明。
119.在一些实施方式中，在将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合包括：
120.在第一承载片和晶圆远离信号传输部一侧的表面之间形成第一临时键合胶。
121.如图9所示，在第一承载片144和晶圆110远离信号传输部130一侧的表面之间形成第一临时键合胶154，使得第一承载片144与晶圆110之间能够通过第一临时键合胶154临时键合。可以理解地，第一临时键合胶154可以包括树脂、增稠剂以及流平剂等。
122.在一些实施方式中，可以在通过喷涂、挂胶、滚胶或者贴膜的方式，在第一承载片
144和晶圆110远离信号传输部130一侧的表面之间形成第一临时键合胶154。
123.在一些实施方式中，可以在第一承载片144的表面形成第一临时键合胶154。在另一些实施方式中，也可以在晶圆110远离信号传输部130一侧的表面形成第一临时键合胶154。在又一些实施方式中，还可以在第一承载片144的表面和晶圆110远离信号传输部130一侧的表面均形成第一临时键合胶154。这样一来，将第一承载片144与晶圆110远离信号传输部130一侧的表面相接触，即可将第一承载片144与晶圆110临时键合。
124.在一些实施例中，如图9所示，光敏元件100还包括抗反射涂层148。抗反射涂层148覆盖晶圆110的受光面126，起到减少光线反射的作用。可以理解地，当光敏元件100包括抗反射涂层148时，在第一承载片144与抗反射涂层148之间形成第一临时键合胶154，即可实现第一承载片144与晶圆110之间的临时键合。
125.可以理解地，第一临时键合胶154在达到解键合条件时粘度降低，从而通过滑动第一承载片144的方式，即可将第一承载片144与晶圆110之间相互分离，降低了晶圆110碎裂的风险。在一些实施方式中，第一临时键合胶154的解键合条件可以为紫外光照射或者激光照射。
126.由上述可知，通过将第一承载片144与晶圆110之间临时键合的方式，来实现第一承载片144对于晶圆110的保护和支撑，无需将晶圆110放置在其他结构内(例如容纳槽162)，降低了晶圆110碎裂的风险。并且，通过对第一承载片144进行解键合的方式，来实现第一承载片144与晶圆110之间的相互分离，无需将晶圆110从其他结构内取出，进一步降低了晶圆110碎裂的风险，提高了晶圆110的制备方法的可靠性。
127.并且，本发明的实施例通过临时键合和解键合的方式，来实现第一承载片144对于晶圆110的保护或分离，操作简单，提高光敏元件100的生产效率。此外，通过临时键合的方式实现第一承载片144对于晶圆110的支撑，还能够提高第一承载片144对于晶圆110的限位效果，降低了晶圆110相对于第一承载片144发生移动的风险，从而提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
128.此外，设置第一承载片144的直径与晶圆110的直径相同或者近似相同，减小了第一承载片144对于后续工艺的操作机台尺寸的限制，提高了光敏元件的制备方法的适用性，降低了光敏元件100的生产成本，提高了光敏元件100的生产效率。
129.在一些实施方式中，将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合之前，光敏元件的制备方法还包括：
130.将第二承载片与信号传输部远离晶圆一侧的表面临时键合。
131.如图12所示，可以理解地，第二承载片142为表面平滑的板状结构。可以理解地，第二承载片142能够起到支撑和保护晶圆110的作用，降低晶圆110碎裂的风险。
132.在一些实施方式中，第二承载片142可以为圆形，也可以为方形或者多边形等。可以理解地，第二承载片142能够完全覆盖晶圆110，确保了第二承载片142对于的晶圆110保护和支撑效果。可以理解地，第二承载片142与第一承载片144的形状可以相同，也可以不同。
133.如图12所示，第二承载片142与信号传输部130远离晶圆110一侧的表面临时键合之后，能够形成第二承载本体112。在一些实施方式中，当第二承载片142为圆形时，第二承载片142的直径与晶圆110的直径相同或者近似相同，从而提高了第二承载本体112结构的
规整性，减小了光敏元件100的制备过程对于机台尺寸的限制，提高了光敏元件的制备方法的适用性。
134.在一些实施方式中，第二承载片142的材质可以与晶圆110的材质相同，提高了光敏元件的制备方法的便捷性。另一些实施方式中，第二承载片142的材质也可以为玻璃等，确保了第二承载片142的机械强度，从而提高了第二承载片142对于晶圆110的支撑和保护效果。可以理解地，第二承载片142与第一承载片144的材质可以相同，也可以不同。
135.下面对第二承载片与信号传输部远离晶圆一侧表面之间的临时键合方法进行举例说明。在一些实施方式中，将第二承载片与信号传输部远离晶圆一侧的表面临时键合包括：
136.在第二承载片和信号传输部远离晶圆一侧的表面之间形成第二临时键合胶。
137.如图12所示，在第二承载片142和信号传输部130远离晶圆110一侧的表面之间形成第二临时键合胶152，使得第二承载片142和信号传输部130之间能够通过第二临时键合胶152进行临时键合。可以理解地，第二临时键合胶152可以包括树脂、增稠剂以及流平剂等。
138.在一些实施方式中，可以在通过喷涂、挂胶、滚胶或者贴膜的方式，在第二承载片142和信号传输部130远离晶圆110一侧的表面之间形成第二临时键合胶152。在一些实施方式中，可以在第二承载片142的表面形成第二临时键合胶152。在另一些实施方式中，也可以在信号传输部130远离晶圆110一侧的表面形成第二临时键合胶152。在又一些实施方式中，还可以在第二承载片142的表面和信号传输部130远离晶圆110一侧的表面均形成第二临时键合胶152。这样一来，将第二承载片142与信号传输部130远离晶圆110一侧的表面相接触，即可将第二承载片142与晶圆110临时键合。
139.由上述可知，在一些实施方式中，如图12所示，光敏元件100还包括钝化层136。钝化层136位于信号传输部130远离晶圆110的一侧。示例的，此时第二临时键合胶152还可以位于钝化层136远离晶圆110的一侧。
140.可以理解地，第二临时键合胶152在达到解键合条件时粘度降低，从而通过滑动第二承载片142的方式，即可使得第二承载片142与信号传输部130之间相互分离，也即是使得第二承载片142与晶圆110之间相互分离，进一步降低了晶圆110碎裂的风险。
141.在一些实施方式中，第二临时键合胶152解键合的条件可以为紫外光照射或者激光照射。
142.由上述可知，如图12所示，通过第二临时键合胶152将第二承载片142与信号传输部130远离晶圆110一侧的表面临时键合，也即是通过第二临时键合胶152将第二承载片142与晶圆110临时键合，使得第二承载片142能够对晶圆110起到保护和支撑的作用，降低了晶圆110在后续制备工艺中出现碎裂的风险，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
143.在一些实施方式中，第二临时键合胶152解键合的条件与第一临时键合胶154解键合的条件不同，从而减小了第二临时键合胶152解键合时，对第一临时键合胶154造成的影响，也即是减小了对第二临时键合胶152解键合时，对第一承载片144与晶圆110之间临时键合造成的影响，进一步提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
144.可以理解地，第二临时键合胶152解键合的条件与第一临时键合胶154解键合的条件不同，可以为第二临时键合胶152和第一临时键合胶154解键合的条件类型不同。例如，第
二临时键合胶152在激光照射下解键合，第一临时键合胶154在温度达到设定值时解键合。第二临时键合胶152解键合的条件与第一临时键合胶154解键合的条件不同，也可以为第二临时键合胶152和第一临时键合胶154在同一类型的条件下，解键合的条件设定值不同。例如，第二临时键合胶152在第二光照强度下解键合，第一临时键合胶154在第一光照强度下解键合，其中，第二光照强度小于第一光照强度。
145.在另一些实施方式中，第二临时键合胶152具有第二解键合温度，也即是当温度达到第二解键合温度时，第二临时键合胶152的粘度能够降低，使得第二承载片142与信号传输部130之间能够相互分离，也即是使得第二承载片142能够与晶圆110之间相互分离。第一临时键合胶154具有第一解键合温度，也即是当温度达到第一解键合温度时，第一临时键合胶154的粘度降低，使得第一承载片144与晶圆110之间能够相互分离。并且，第二解键合温度小于第一解键合温度，也即是第一临时键合胶154为高温临时键合胶，在较高的温度条件下第一临时键合胶154的粘度降低，而第二临时键合胶152为低温临时键合胶，在较低的温度条件下第二临时键合胶152的粘度降低。
146.通过设置第二解键合温度小于第一解键合温度，从而对第二承载片142进行解键合时，不会对第一承载片144与晶圆110之间的临时键合造成影响，确保了第一承载片144与晶圆110之间的临时键合效果，从而确保了第一承载片144对于晶圆110的支撑和保护效果，进一步提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
147.由上述可知，相关技术中，通过在金属圆盘160上覆盖保护膜，实现对于晶圆110的保护。但是，保护膜的耐热性通常较差，对光敏元件100后续的制备工艺造成了限制。而本技术的实施例中，无需设置保护膜等，一方面降低了光敏元件100的生产成本，提高了光敏元件100的生产效率。另一方面，设置第一临时键合胶154具有较高的解键合温度，降低了第一临时键合胶154对于后续工艺的限制，提高了光敏元件的制备方法的灵活性。
148.在一些实施方式中，第二解键合温度可以在150℃至200℃之间，第一解键合温度可以在350℃至400℃之间。在一些实施方式中，可以通过调节第二临时键合胶152和第一临时键合胶154的组份含量，实现对于第二解键合温度和第一解键合温度的调节。
149.在一些实施方式中，将第二承载片与信号传输部远离晶圆一侧的表面临时键合之后，光敏元件的制备方法还包括：
150.在晶圆远离信号传输部的一侧，对晶圆进行减薄处理。
151.在一些实施方式中，在对晶圆110进行减薄处理时，如图13所示，可以翻转第二承载本体112，使得晶圆110远离信号传输部130一侧的表面向上，也即是使得光敏元件100的受光面126能够向上。
152.在第二承载片142的支撑和保护下，对晶圆110远离信号传输部130的一侧进行减薄，降低晶圆110碎裂的风险，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
153.在一些实施方式中，可以采用打磨的方式，对晶圆110远离信号传输部130的一侧进行减薄。在一些实施方式中，在打磨减薄之后，还可以采用化学机械抛光工艺(cmp，chemical mechanical polishing)，对晶圆110远离信号传输部130的一侧进行抛光，提高光敏元件100的受光面126的平滑性，从而提高了光敏元件100的使用可靠性。在一些实施方式中，减薄后晶圆110的厚度可以在100μm至150μm之间。
154.由上述可知，如图13中箭头方向所示，外界光线沿受光面126至背光面128的方向
照射光敏元件100，这样一来，通过对晶圆110远离信号传输部130的一侧进行减薄，能够减小晶圆110的厚度，从而减小了外界光线与光敏部120之间的距离，进一步增大了照射至光敏部120的光线强度，使得光敏元件100能够获取到微弱的光信号，提高了光敏元件100的使用性能。
155.在一些实施方式中，对晶圆进行减薄处理之后，光敏元件的制备方法还包括：
156.在晶圆远离信号传输部一侧的表面涂覆抗反射涂层。
157.如图14所示，在对晶圆110进行减薄处理之后，在晶圆110远离信号传输部130一侧的表面覆盖抗反射涂层148，也即是在光敏元件100的受光面126涂覆抗反射涂层148，使得抗反射涂层148能够覆盖受光面126。
158.可以理解地，抗反射涂层148能够减少光线的反射作用。从而，当外界光线照射光敏元件100的受光面126时，抗反射涂层148能够减小外界光线照的反射作用，进一步提高照射至光敏部120内的光线强度，从而提高光敏元件100的使用性能。在一些实施方式中，抗反射涂层148的材质包括二氧化硅。
159.在一些示例中，如图15所示，可以在形成抗反射涂层148之后，将第一承载片144与抗反射涂层148远离信号传输部层130一侧的表面临时键合，也即是抗反射涂层148位于受光面126和第一临时键合胶154之间，使得第一承载片144能够与晶圆110临时键合。
160.在一些实施方式中，在将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合之后，光敏元件的制备方法还包括：
161.对第二承载片进行解键合。
162.示例的，如图15所示，可以翻转晶圆110，以使得第二承载片142向上。如图9所示，在第一承载片144的支撑和保护下，对第二承载片142进行解键合，降低了晶圆110在解键合过程中碎裂的风险。
163.由上述可知，第二临时键合胶152具有第二解键合温度。故而，在对第二承载片142进行解键合时，可以将温度升高至第二解键合温度，使得第二临时键合胶152的粘度降低，通过滑动第二承载片142的方式，将第二承载片142与信号传输部130远离晶圆110一侧的表面分离，进一步降低了晶圆110碎裂的风险。
164.并且，由上述可知，第二解键合温度小于第一解键合温度，从而在对第二承载片142进行解键合时，不会对晶圆110与第一承载片144之间的临时键合造成影响，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。在一些实施方式中，在对第二承载片进行解键合之后，光敏元件的制备方法还包括：
165.清洗信号传输部与第二承载片临时键合的一面。
166.可以理解地，如图9所示，在对第二承载片142进行解键合之后，对信号传输部130与第二承载片142临时键合的一面进行清洗，以去除信号传输部130远离晶圆110一侧表面的第二临时键合胶152，降低第二临时键合胶152对信号传输部130的导电效果造成的影响，提高了光敏元件100的使用可靠性。
167.在将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合之后，如图4所示，光敏元件的制备方法还包括：
168.步骤s104，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部，任一个电连接部与信号传输部电连接。
169.由上述可知，如图9所示，在将第一承载片144与晶圆110远离信号传输部130一侧的表面临时键合之后，对第二承载片142进行解键合，使得第二承载片142与信号传输部130之间相互分离，从而使得信号传输部130远离晶圆110一侧的表面能够裸露出来。
170.如图16所示，在第一承载片144的支撑和保护作用下，在信号传输部130远离晶圆110一侧的表面形成多个电连接部146，降低了晶圆110在形成电连接部146的过程中碎裂的风险。
171.具体地，任一个电连接部146与信号传输部130电连接，使得光敏部120转换的电信号能够经由信号传输部130传输至电连接部146，并经由电连接部146向外传输。由上述可知，信号传输部130包括第一信号传输部132和第二信号传输部134。在一些实施方式中，第一信号传输部132可以与一个或多个电连接部146电连接，第二信号传输部134同样可以与一个或多个信号传输部146电连接，使得第一掺杂部122和第二掺杂部124上的电信号均能够通过电连接部146向外传输，确保了电信号的传输可靠性。
172.在一些实施方式中，电连接部146可以为金属材质，例如金属铜或者金属铝，确保了电连接部146的导电效果。可以理解地，电连接部146与信号传输部130的材质可以相同，也可以不同。
173.下面对在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成电连接部的方法进行举例说明。在一些实施方式中，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部包括：
174.通过焊接工艺，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部。
175.由上述可知，第一临时键合胶154具有第一解键合温度。在一些实施方式中，第一解键合温度大于焊接工艺的焊接温度，从而能够通过焊接工艺，在信号传输部130远离晶圆110一侧的表面形成多个电连接部，避免了焊接工艺对于第一承载片144与晶圆110之间的临时键合造成影响，确保了第一承载片144与晶圆110之间的临时键合效果，从而确保了第一承载片144对于晶圆110的支撑和保护效果，进一步提高了光敏元件的制备方法的可靠性。此外，通过焊接工艺形成电连接部146，工艺简单，降低光敏元件100的生产成本。
176.在一些实施方式中，焊接工艺可以为回流焊工艺。可以理解地，回流焊工艺的温度通常在150℃至250℃之间，而电镀工艺的温度通常在100℃以内。
177.可以理解地，设置第一解键合温度大于焊接工艺的焊接温度，从而不仅能够通过焊接工艺形成电连接部146，还可以通过工艺温度低于焊接工艺的其他工艺(例如电镀工艺)形成电连接部，进一步降低了第一临时键合胶154对于后续工艺的限制，提高了光敏元件的制备方法的灵活性。
178.在一些实施方式中，过焊接工艺，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部包括：
179.通过焊接工艺，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个金属焊球，任一个金属焊球与信号传输部电连接。
180.如图16所示，通过焊接工艺，在信号传输部130远离晶圆110一侧的表面形成多个金属焊球，任一个金属焊球与信号传输部130电连接，使得信号传输部130上的电信号能够通过金属焊球向外其他元器件进行传输，提高了电信号传输的可靠性。
181.在导电部远离晶圆一侧的表面形成电连接部之后，如图4所示，光敏元件的制备方法还包括：
182.步骤s105，对第一承载片进行解键合。
183.由上述可知，第一临时键合胶154具有第一解键合温度。如图17所示，在形成电连接部146之后，将温度升高至第一解键合温度，使得第一临时键合胶154的粘度降低。从而通过滑动第一承载片144的方式，即可使得第一承载片144与晶圆110之间相互分离，操作简单，进一步降低了晶圆110碎裂的风险，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
184.在一些实施方式中，在对第一承载片进行解键合之后，光敏元件的制备方法还包括：
185.清洗晶圆与第一承载片临时键合的一面。
186.如图17所示，在对第一承载片144进行解键合之后，对晶圆110与第一承载片144临时键合的一面进行清洗，以去除第一临时键合胶154，从而能够提高受光面126透光性，减小第一临时键合胶154对光线造成阻挡，提高照射至光敏部120的光线强度，进一步提高了光敏元件100的光电转换性能。
187.示例的，当抗反射涂层148位于第一承载片144和受光面126之间时，在对第一承载片144进行解键合之后，对抗反射涂层148远离信号传输部层130的一侧表面进行清洗，提高照射至光敏部120的光线强度。在一些实施方式中，在对第一承载片进行解键合之后，光敏元件的制备方法还包括：
188.将封装基板与电连接部电连接。
189.如图18所示，在对第一承载片144解键合之后，将封装基板116与电连接部146电连接，从而使得第一信号传输部132和第二信号传输部132上的电信号能够通过电连接部146传输至封装基板116，并通过封装基板116向外传输。并且，封装基板116还能够对晶圆110起到保护的作用，延长晶圆110的使用寿命。
190.在一些实施方式中，在对第一承载片144进行解键合之后，可以将晶圆110与其他的承载结构，例如封装承载板之间键合，在封装承载片的支撑和保护作用下，将封装基板116与电连接部146电连接，降低晶圆110碎裂的风险。
191.在一些实施方式中，在对第一承载片进行解键合之后，将封装基板与电连接部电连接之前，光敏元件的制备方法还包括：
192.切割晶圆。
193.可以理解地，晶圆110上形成有多个阵列排布的光敏元件100和多个其他元器件。对晶圆110进行切割，使得多个阵列排布的光敏元件100能够与其他元器件进行分离，避免晶圆110上的其他元器件对封装基板116与电连接部146之间的电连接造成影响，提高了封装基板116与电连接部146之间电连接的便捷性，从而提高光敏元件的制备方法的可靠性。
194.在一些实施方式中，在切割晶圆110之前，可以将晶圆110与其他的承载结构，例如切割承载板之间键合，通过切合承载板对晶圆起到保护和支撑的作用，降低晶圆110碎裂的风险。
195.在另一些实施方式中，将封装基板与电连接部电连接之后，光敏元件的制备方法还包括：
196.切割晶圆。
197.将封装基板116与电连接部146电连接之后，再对晶圆110进行切割，使得封装基板116能够对晶圆110起到保护和支撑的作用，进一步降低了晶圆110在切割时碎裂的风险。
198.第二方面，如图2所示，本发明的实施例提供了一种光敏探测器200。光敏探测器200包括电路板210和多个采用如上述的光敏元件的制备方法制备的光敏元件100。电路板210上设置有模数转换电路、比较电路和放大电路中至少之一。多个光敏元件100阵列排布，任一个光敏元件100与电路板210电连接。
199.本发明的实施例提供的光敏探测器200包括采用如上述的光敏元件的制备方法制备的光敏元件100，因此具有上述的全部有益效果，在此不再赘述。
200.可以理解地，电路板210能够对来自光敏元件100的电信号进行模数转换、比较或者放大等处理，从而满足不同电信号的处理需求，提高了光敏探测器200的适用性。
201.第三方面，如图1所示，本发明的实施例提供了一种成像装置300。成像装置300包括发射器310、如上述第二方面的光敏探测器200和处理器320。发射器310用于发射光线。光敏探测器200用于接收穿过待检测物体的光线。处理器320与光敏探测器200电连接，用于根据光敏探测器200输出的电信号生成待检测物体的图像信息。
202.本发明的实施例提供的成像装置300包括上述第二方面的光敏探测器200，因此具有上述第二方面的全部有益效果，在此不再赘述。
203.在一些实施方式中，发射器310用于发射不可见光线，例如x射线，确保了光线对于待检测物体的穿透效果。在一些实施方式中，成像装置300还可以包括传送带，传送带用于承载待检测物体向发射器310移动，提高了成像装置300的使用便捷性。
204.在一个具体实施例中，提供了一种光敏元件的制备方法。具体地，光敏元件100为背照式光电二极管。背照式光电二极管在晶圆110上进行制备，晶圆110上制备有多个阵列排布的背照式光电二极管。
205.在一些实施方式中，如图19所示，光敏元件的制备方法包括：
206.步骤s401，对晶圆的第一区域进行第一类掺杂，以形成第一掺杂部。
207.步骤s402，对晶圆的第二区域进行第二类掺杂，以形成第二掺杂部。
208.步骤s403，在晶圆的一侧形成金属布线层。
209.步骤s404，在金属布线层内嵌入第一信号传输部，第一信号传输部与第一掺杂部电连接。
210.步骤s405，在金属布线层内嵌入第二信号传输部，第二信号传输部与第二掺杂部电连接。
211.步骤s406，在第二承载片和信号传输部远离晶圆一侧的表面之间形成第二临时键合胶，第二临时键合胶具有第二解键合温度。
212.步骤s407，在晶圆远离信号传输部的一侧，对晶圆进行减薄处理。
213.步骤s408，在晶圆信号传输部层一侧的表面涂覆抗反射涂层。
214.步骤s409，提供第一承载片，第一承载片的直径与晶圆的直径相同。
215.步骤s410，在第一承载片和晶圆远离信号传输部一侧的表面之间形成第一临时键合胶，第一临时键合胶具有第一解键合温度。
216.其中，第二解键合温度小于第一解键合温度。
217.步骤s411，对第二承载片进行解键合。
218.步骤s412，清洗信号传输部与第二承载片临时键合的一面。
219.步骤s413，通过焊接工艺，在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个金属焊球，
任一个金属焊球与信号传输部电连接。
220.其中，第一解键合温度大于焊接工艺的焊接温度。
221.步骤s414，对第一承载片进行解键合。
222.步骤s415，清洗晶圆与第一承载片临时键合的一面。
223.步骤s416，切割晶圆。
224.步骤s417，将封装基板与金属焊球电连接。
225.在步骤s401中，对晶圆110的第一区域进行第一类掺杂，可以为对晶圆110的第一区域掺杂正三价硼元素，以形成第一掺杂部122，也即是p型掺杂部。在步骤s402中，对晶圆110的第二区域进行第二类掺杂，可以为对晶圆110的第二区域掺杂正五价磷元素，以形成第二掺杂部124，也即是n型掺杂部。第一区域和第二区域间隔设置，使得p型掺杂部和n型掺杂部能够形成光敏部120，也即是pn结，从而使得光敏元件100实现光电转换功能。
226.在步骤s403中，在晶圆110的一侧形成金属布线层150，可以理解地，金属布线层150包括层间介质和多层金属布线，层间介质的材质可以为二氧化硅。
227.在步骤s404和步骤s405中，可以在金属布线层150的层间介质远离晶圆110一侧的表面开设第一通孔和第二通孔，第一通孔和第二通孔贯穿金属布线层150的层间介质。
228.第一信号传输部132嵌入于第一通孔内，第二信号传输部134嵌入于第二通孔内，使得第一信号传输部132能够与第一掺杂部122电连接，第二信号传输部134能够与第二掺杂部124电连接，从而使得第一掺杂部122的电信号能够通过第一信号传输部132向外传输，第二掺杂部124的电信号能够通过第二信号传输部134向外传输。
229.示例的，第一信号传输部132远离第一掺杂部122一侧的外表面与金属布线层150远离晶圆110一侧的外表面相平齐，第二信号传输部134远离第二掺杂部124一侧的外表面与金属布线层150远离晶圆110一侧的外表面相平齐。
230.在步骤s406中，可以在第二承载片142的表面涂覆第二临时键合胶152，并将第二承载片142涂覆第二临时键合胶152一侧的表面与金属布线层150远离晶圆110一侧的表面相接触，使得第二承载片142和信号传输部130远离晶圆110一侧的表面能够通过第二临时键合胶152临时键合，形成第二承载本体112。具体地，第二承载片142为圆形，并且直径与晶圆110的直径相同。第二临时键合胶152为低温临时键合胶，也即是第二临时键合胶152的第二解键合温度较低。
231.在步骤s407中，在形成第二承载本体112之后，翻转第二承载本体112，通过打磨和化学机械抛光工艺(cmp，chemical mechanical polishing)，对晶圆110远离信号传输部130的一侧进行减薄和抛光。具体地，可以将晶圆110的厚度减薄至小于150μm，从而增大照射至光敏部120的光线强度。
232.在步骤s408中，在晶圆110远离信号传输部130一侧的表面涂覆抗反射涂层148，减小外界光线照射光敏元件100使得反射，提高照射至光敏部120的光线强度。
233.在步骤s409中，提供与晶圆110直径相同的第一承载片144，从而避免了第一承载片144对于后续工艺操作机台的尺寸造成限制，提高了光敏元件的制备方法的适用性。
234.在步骤s410中，通过第一临时键合胶154，将第一承载片144与晶圆110远离信号传输部130一侧的表面临时键合，以形成第一承载本体114。第一临时键合胶154为高温临时键合胶，也即是第一解键合温度较高。
235.在步骤s411中，翻转第一承载本体114，在第一承载片144的保护和支撑下，对第二承载片142进行解键合。可以理解地，由于第二解键合温度小于第一解键合温度，从而对第二承载片142解键合，不会对第一承载片144与晶圆110之间的键合造成影响，提高了光敏元件的制备方法的可靠性。
236.在步骤s412中，清洗信号传输部130与第二承载片142临时键合的一面，以去除信号传输部130远离晶圆110一侧表面残留的第二临时键合胶152。
237.在步骤s413中，通过焊接工艺，在信号传输部130远离晶圆110一侧的表面形成多个金属焊球。可以理解地，由于第一临时键合胶154的第一解键合温度大于焊接工艺的温度，从而焊接工艺不会对第一承载片144与晶圆110之间的临时键合造成影响，提高了第一承载片144与晶圆110之间临时键合的可靠性。
238.此外，由于第一临时键合胶154为高温临时键合胶，从而不仅能够通过焊接工艺形成金属焊球，还能够通过其他温度低于焊接温度的工艺，例如电镀工艺等形成金属焊球，降低了第一临时键合胶154对于形成金属焊球的工艺限制，进一步提高了光敏元件的制备方法的灵活性。
239.在步骤s414中，将温度升高至第一解键合温度，使得第一临时键合胶154的粘度降低，滑动第一承载片144，使得第一承载片144与晶圆110相互分离，从而实现对于第一承载片144的解键合，进一步降低了晶圆110碎裂的风险。
240.在步骤s415中，清洗与晶圆110与第一承载片144临时键合的一面，以去除晶圆110表面的第一临时键合胶154。
241.在步骤s416中，对晶圆110进行切割，使得多个阵列排布的光敏元件100能够与其他元器件相互分离，在步骤s417中，采用封装基板116与金属焊球电连接，以实现封装。
242.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
243.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
技术特征：1.一种光敏元件的制备方法，其特征在于，包括：在晶圆内形成光敏部，所述光敏部用于进行光电转换；在所述晶圆的一侧形成信号传输部，所述信号传输部与所述光敏部电连接，以传输所述光敏部转换得到的电信号；将第一承载片与所述晶圆远离所述信号传输部一侧的表面临时键合；在所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面形成多个电连接部，任一个所述电连接部与所述信号传输部电连接；对所述第一承载片进行解键合。2.根据权利要求1所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述将所述第一承载片与所述晶圆远离所述信号传输部一侧的表面临时键合之前，所述光敏元件的制备方法还包括：将第二承载片与所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面临时键合；在所述晶圆远离所述信号传输部的一侧，对所述晶圆进行减薄处理。3.根据权利要求2所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述将所述第一承载片与所述晶圆远离所述信号传输部一侧的表面临时键合之后，所述光敏元件的制备方法还包括：对所述第二承载片进行解键合。4.根据权利要求2所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述将所述第二承载片与所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面临时键合包括：在所述第二承载片和所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面之间形成第二临时键合胶，所述第二临时键合胶具有第二解键合温度；所述将所述第一承载片与所述晶圆远离所述信号传输部一侧的表面临时键合包括：在所述第一承载片和所述晶圆远离所述信号传输部一侧的表面之间形成第一临时键合胶，所述第一临时键合胶具有第一解键合温度；其中，所述第二解键合温度小于所述第一解键合温度。5.根据权利要求4所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述在所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面形成多个所述电连接部包括：通过焊接工艺，在所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面形成多个所述电连接部；其中，所述第一解键合温度大于所述焊接工艺的焊接温度。6.根据权利要求5所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述通过所述焊接工艺，在所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面形成多个所述电连接部包括：通过所述焊接工艺，在所述信号传输部远离所述晶圆一侧的表面形成多个金属焊球，任一个所述金属焊球与所述信号传输部电连接。7.根据权利要求1所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述将所述第一承载片与所述晶圆远离所述信号传输部一侧的表面临时键合之前，所述光敏元件的制备方法还包括：提供所述第一承载片，所述第一承载片的直径与所述晶圆的直径相同。8.根据权利要求1所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述在所述晶圆内形成所述光敏部包括：
对所述晶圆的第一区域进行第一类掺杂，以形成第一掺杂部；对所述晶圆的第二区域进行第二类掺杂，以形成第二掺杂部；其中，所述第一区域与所述第二区域间隔设置。9.根据权利要求8所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述在所述晶圆的一侧形成所述信号传输部，所述信号传输部与所述光敏部电连接包括：在所述晶圆的一侧形成金属布线层；在所述金属布线层内嵌入第一信号传输部，所述第一信号传输部与所述第一掺杂部电连接；在所述金属布线层内嵌入第二信号传输部，所述第二信号传输部与所述第二掺杂部电连接。10.根据权利要求3所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述对所述第二承载片进行解键合之后，所述光敏元件的制备方法还包括：清洗所述信号传输部与所述第二承载片临时键合的一面；所述对所述第一承载片进行解键合之后，所述光敏元件的制备方法还包括：清洗所述晶圆与所述第一承载片临时键合的一面。11.根据权利要求2所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行所述减薄处理之后，光敏元件的制备方法还包括：在所述晶圆远离所述信号传输部一侧的表面涂覆抗反射涂层。12.根据权利要求1至11中任一项所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述对所述第一承载片进行解键合之后，所述光敏元件的制备方法还包括：将封装基板与所述电连接部电连接。13.根据权利要求12所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述将所述封装基板与所述电连接部电连接之前，所述光敏元件的制备方法还包括：切割所述晶圆。14.根据权利要求12所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述将所述封装基板与所述电连接部电连接之后，所述光敏元件的制备方法还包括：切割所述晶圆。15.一种光敏探测器，其特征在于，包括：电路板，所述电路板上设置有模数转换电路、比较电路和放大电路中至少之一；多个采用如权利要求1至14中任一项所述的光敏元件的制备方法制备的光敏元件，多个所述光敏元件阵列排布，任一个所述光敏元件与所述电路板电连接。16.一种成像装置，其特征在于，包括：发射器，用于发射光线；如权利要求15所述的光敏探测器，用于接收穿过待检测物体的光线；处理器，与所述光敏探测器电连接，用于根据所述光敏探测器输出的电信号生成待检测物体的图像信息。
技术总结本发明的实施例公开了一种光敏元件的制备方法、光敏探测器和成像装置，涉及光敏元件的技术领域，解决了相关技术中光敏元件的制备方法的可靠性较差这一技术问题。光敏元件的制备方法包括在晶圆内形成光敏部，光敏部用于进行光电转换。在晶圆的一侧形成信号传输部，信号传输部与光敏部电连接，以传输光敏部转换得到的电信号。将第一承载片与晶圆远离信号传输部一侧的表面临时键合。在信号传输部远离晶圆一侧的表面形成多个电连接部，任一个电连接部与信号传输部电连接。对第一承载片进行解键合。本发明的实施例提供的光敏元件的制备方法用于制备光敏元件。用于制备光敏元件。用于制备光敏元件。
技术研发人员：黄垒 刘江辉
受保护的技术使用者：杭州海康威视数字技术股份有限公司
技术研发日：2022.07.21
技术公布日：2022/11/1
