1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环环切标志位结构及其制造方法。
背景技术：2.通过太鼓减薄工艺制备出的太鼓环，可以在制造中为晶片提供支撑力，减小晶片翘曲的问题，在晶片切割和封装前需要去除该太鼓环。环切作为去除太鼓环的主要方法之一，先使用激光束环切太鼓环与晶片主体区域的交界处，从而在该交界处产生切割缝，然后再通过取环工艺移除太鼓环。
3.相关技术中，在太鼓环和晶片主体的交界处形成有太鼓环环切标志位结构，该太鼓环环切标志位结构用于确定环切的起点或终点等位置。在环切完成后所形成的割缝穿过该太鼓环环切标志位结构。
4.然而，太鼓环环切标志位结构通常为粘附在介质层上的金属层，且该金属层所占面积较大，从而在环切过程中受到较大的摩擦拉力，容易在割缝出现金属层剥离介质层的问题。
技术实现要素：5.本技术提供了一种太鼓环环切标志位结构及其制造方法，可以解决相关技术中容易在割缝出现金属层剥离介质层的问题。
6.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术的第一方面提供一种太鼓环环切标志位结构，所述太鼓环环切标志位结构位于太鼓环和晶片主体交界处的标志位区域，包括：基底层、层间介质层和金属标志结构；
7.所述金属标志结构包括金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上；
8.所述金属标志结构还包括多个相互间隔的金属接触孔，每个所述金属接触孔向上与所述金属层相连，每个所述金属接触孔向下穿过所述层间介质层伸入到所述基底层中。
9.可选地，所述金属层包括若干个的金属段，相邻两个金属段之间被分割道分隔。
10.可选地，所述分割道位于所述标志位区域中，两个相邻的所述金属接触孔之间位置处；
11.每个所述金属段与至少一个所述金属接触孔接触相连。
12.可选地，所述分割道位于所述标志位区域中，所述金属接触孔所在的位置处；
13.每个所述金属段与至少一个所述金属接触孔接触相连；
14.位于所述分割道位置处的金属接触孔与相邻两个金属段的交界处接触相连。
15.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术的第二方面提供一种太鼓环环切标志位结构的制造方法，所述太鼓环环切标志位结构的制造方法包括以下步骤：
16.提供晶片，所述晶片包括太鼓环和晶片主体；
17.在所述晶片的标志位区域中刻蚀形成多个相互间隔的接触孔，每个所述接触孔向
下穿过所述晶片的层间介质层伸入到基底层中；所述标志位区域位于所述太鼓环和所述晶片主体的交界处；
18.向所述接触孔淀积金属形成金属接触孔；
19.淀积金属，使得在所述标志位区域中形成金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上。
20.可选地，在所述淀积金属，使得在所述标志位区域中形成金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上的步骤完成后还进行步骤：
21.在所述标志位区域刻划形成分割道，所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段。
22.可选地，所述在所述标志位区域刻划形成分割道，所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段的步骤包括：
23.在所述标志位区域中，每两个相邻的所述金属接触孔之间的位置处刻划形成分割道；
24.使得所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段，各个所述金属接触孔向上对应连接一金属段。
25.可选地，所述在所述标志位区域刻划形成分割道，所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段的步骤包括：
26.在所述标志位区域中，各个所述金属接触孔所在的位置处刻划形成分割道；
27.使得所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段，各个所述金属接触孔向上对应连接在相邻两个所述金属段的相连交界处。
28.本技术技术方案，至少包括如下优点：通过金属接触孔向下穿过层间介质层伸入到基底层中，向上与金属层相连，能够在环切该金属标志结构时，对金属层增加牵引力，降低金属层在环切时从层间介质层上剥落的概率。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30.图1示出了本技术实施例提供的太鼓环环切标志位结构所在位置示意图；
31.图2示出了本技术一实施例提供的太鼓环环切标志位结构的剖视结构示意图；
32.图3示出了在图2所示实施例的基础上的另一太鼓环环切标志位结构的剖视结构示意图；
33.图4示出了在图2所示实施例的基础上的另一太鼓环环切标志位结构的剖视结构示意图；
34.图5示出用于形成图2所示太鼓环环切标志位结构的制造方法流程图。
具体实施方式
35.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的
实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
36.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
37.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
38.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
39.图1示出了本技术实施例提供的太鼓环环切标志位结构所在位置示意图，从图1中可以看出，该太鼓环环切标志位结构100位于太鼓环和晶片主体交界处101的标志位区域102。
40.图2示出了本技术一实施例提供的太鼓环环切标志位结构的剖视结构示意图，从图2中可以看出该太鼓环环切标志位结构100包括基底层110、层间介质层120和金属标志结构130。
41.该金属标志结构130包括金属层131，所述金属层131覆盖在所述层间介质层120上。
42.该金属标志结构130还包括多个相互间隔的金属接触孔132，每个所述金属接触孔132向上与所述金属层131相连，每个所述金属接触孔132向下穿过所述层间介质层120并伸入到所述基底层110中。
43.本实施例通过金属接触孔向下穿过层间介质层伸入到基底层中，向上与金属层相连，能够在环切该金属标志结构时，对金属层增加牵引力，降低金属层在环切时从层间介质层上剥落的概率。
44.参照图3，其示出了在图2所示实施例的基础上的另一太鼓环环切标志位结构的剖视结构示意图。图3所示实施例，为了进一步降低金属层从层间介质层上剥落的概率，在图2所示实施例的基础上，该金属层131包括若干个的金属段1311，相邻两个金属段1311之间被分割道140分隔。
45.将金属层131分割为若干个的金属段1311，相对与一整片金属层来说，其在环切过程中能够更可靠地贴附在层间介质层120上，避免翘起剥离。
46.图3所示实施例中，所述标志位区域中的分割道140位于两个相邻的所述金属接触孔132之间位置处，相邻两个分割道140将金属层131分割形成金属段1311，可选地，相邻两个分割道140之间至少间隔一个金属接触孔132。每个所述金属段1311至少与一个金属接触孔132接触相连，在图3所示实施例中的金属段1311与多个金属接触孔132相连，从而能够提
高金属段1311与层间介质层120之间的附着力，避免在环切时出现金属段1311剥落的问题。
47.参照图4，其示出了在图2所示实施例的基础上的另一太鼓环环切标志位结构的剖视结构示意图。图4所示实施例，为了进一步降低金属层从层间介质层上剥落的概率，所述金属层131包括若干个的金属段1311，相邻两个金属段1311之间被分割道140分隔。
48.将金属层131分割为若干个的金属段1311，相对与一整片金属层，其在环切过程中能够更可靠地贴附在层间介质层120上，避免翘起剥离。
49.图4所示实施例中，分割道140位于所述标志位区域中，金属接触孔132所在的位置处，即分割道140穿过所述金属接触孔132。可选地，在所述标志位区域中，相邻两个分割道140之间间隔至少一个金属接触孔132。相邻两个分割道140将金属层131分割形成金属段1311，每个金属段1311至少与一个金属接触孔132接触相连，位于所述分割道140位置处的金属接触孔132与相邻两个金属段1311的交界处接触相连。
50.在图4所示实施例中的金属段1311与多个金属接触孔132相连，从而能够提高金属段1311与层间介质层120之间的附着力，避免在环切时出现金属段1311剥落的问题。
51.参照图5，其示出用于形成图2所示太鼓环环切标志位结构的制造方法流程图，从图5中可以看出，该太鼓环环切标志位结构的制造方法包括以下依次进行的步骤s1至步骤s4：
52.步骤s1：提供晶片，所述晶片包括太鼓环和晶片主体。
53.步骤s2：在所述晶片的标志位区域中刻蚀形成多个相互间隔的接触孔，每个所述接触孔向下穿过所述晶片的层间介质层伸入到基底层中；所述标志位区域位于所述太鼓环和所述晶片主体的交界处。
54.参照图1可以看出位于太鼓环和所述晶片主体之间交界处101的标志位区域102。
55.在进行该步骤s2时，可采用光刻工艺，先在晶片的层间介质层上通过光刻胶定义出接触孔图案，然后基于该接触孔图案进行刻蚀，从而在该标志位区域形成穿过所述晶片的层间介质层伸入到基底层中的接触孔。
56.步骤s3：向所述接触孔淀积金属形成金属接触孔。
57.在向所述接触孔淀积金属形成金属接触孔，还可以通过化学机械研磨工艺使得器件表面平坦化。
58.步骤s4：淀积金属，使得在所述标志位区域中形成金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上，从而形成图2所示的太鼓环环切标志位结构。
59.本实施例通过金属接触孔向下穿过层间介质层伸入到基底层中，向上与金属层相连，能够在环切该金属标志结构时，对金属层增加牵引力，降低金属层在环切时从层间介质层上剥落的概率。
60.为了进一步降低金属层从层间介质层上剥落的概率，在完成步骤s4后还可以进行以下步骤：
61.在所述标志位区域刻划形成分割道，所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段。
62.通过分割道将金属层分割为若干个的金属段，相对与一整片金属层，其在环切过程中能够更可靠地贴附在层间介质层上，避免翘起剥离。
63.根据刻划分割道的位置不同，本实施例还可以包括以下两种实施方式，以分别形
成图3所示的太鼓环环切标志位结构和图4所示的太鼓环环切标志位结构。
64.在所述标志位区域中，在两个相邻的所述金属接触孔之间的位置处刻划形成分割道，且相邻两个分割道之间至少间隔一个金属接触孔；使得所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段，每个所述金属段至少与一个金属接触孔接触相连，从而形成图3所示的太鼓环环切标志位结构。
65.在所述标志位区域中，在所述金属接触孔所在的位置处刻划形成分割道，相邻两个分割道之间至少间隔一个金属接触孔；使得所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段，每个所述金属段至少与一个金属接触孔接触相连，位于所述分割道位置处的金属接触孔与相邻两个金属段的交界处接触相连，从而形成图4所示的太鼓环环切标志位结构。
66.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。
技术特征：1.一种太鼓环环切标志位结构，其特征在于，所述太鼓环环切标志位结构位于太鼓环和晶片主体交界处的标志位区域，包括：基底层、层间介质层和金属标志结构；所述金属标志结构包括金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上；所述金属标志结构还包括多个相互间隔的金属接触孔，每个所述金属接触孔向上与所述金属层相连，每个所述金属接触孔向下穿过所述层间介质层伸入到所述基底层中。2.如权利要求1所述的太鼓环环切标志位结构，其特征在于，所述金属层包括若干个的金属段，相邻两个金属段之间被分割道分隔。3.如权利要求2所述的太鼓环环切标志位结构，其特征在于，所述分割道位于所述标志位区域中，两个相邻的所述金属接触孔之间位置处；每个所述金属段与至少一个所述金属接触孔接触相连。4.如权利要求2所述的太鼓环环切标志位结构，其特征在于，所述分割道位于所述标志位区域中，所述金属接触孔所在的位置处；每个所述金属段与至少一个所述金属接触孔接触相连；位于所述分割道位置处的金属接触孔与相邻两个金属段的交界处接触相连。5.一种太鼓环环切标志位结构的制造方法，其特征在于，所述太鼓环环切标志位结构的制造方法包括以下步骤：提供晶片，所述晶片包括太鼓环和晶片主体；在所述晶片的标志位区域中刻蚀形成多个相互间隔的接触孔，每个所述接触孔向下穿过所述晶片的层间介质层伸入到基底层中；所述标志位区域位于所述太鼓环和所述晶片主体的交界处；向所述接触孔淀积金属形成金属接触孔；淀积金属，使得在所述标志位区域中形成金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上。6.如权利要求5所述的太鼓环环切标志位结构的制造方法，其特征在于，在所述淀积金属，使得在所述标志位区域中形成金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上的步骤完成后还进行步骤：在所述标志位区域刻划形成分割道，所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段。7.如权利要求6所述的太鼓环环切标志位结构的制造方法，其特征在于，所述在所述标志位区域刻划形成分割道，所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段的步骤包括：在所述标志位区域中，在两个相邻的所述金属接触孔之间的位置处刻划形成分割道；使得所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段，每个所述金属段与至少一个所述金属接触孔接触相连。8.如权利要求6所述的太鼓环环切标志位结构的制造方法，其特征在于，所述在所述标志位区域刻划形成分割道，所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段的步骤包括：在所述标志位区域中，在所述金属接触孔所在的位置处刻划形成分割道；使得所述分割道将所述金属层分割为干个的金属段，每个所述金属段与至少一个所述金属接触孔接触相连，位于所述分割道位置处的金属接触孔与相邻两个金属段的交界处接触相连。
技术总结本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环环切标志位结构及其制造方法。该太鼓环环切标志位结构位于太鼓环和晶片主体交界处的标志位区域，包括：基底层、层间介质层和金属标志结构；金属标志结构包括金属层，金属层覆盖在层间介质层上；金属标志结构还包括多个相互间隔的金属接触孔，每个金属接触孔向上与金属层相连，每个金属接触孔向下穿过层间介质层伸入到基底层中。制造方法包括：提供晶片；在晶片的标志位区域中刻蚀形成多个相互间隔的接触孔，每个接触孔向下穿过晶片的层间介质层伸入到基底层中；向接触孔淀积金属形成金属接触孔；淀积金属，使得在标志位区域中形成金属层，金属层覆盖在层间介质层上。金属层覆盖在层间介质层上。金属层覆盖在层间介质层上。
技术研发人员：张志明 谭建兵 马栋 蔡永慧 李晴 赵蕴琦 王岩 郭星
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2022.07.19
技术公布日：2022/11/1
