1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环(taiko)取环装置。
背景技术：2.通过太鼓减薄工艺制备出的太鼓环，可以在制造中为晶片提供支撑力，减小晶片翘曲的问题，在晶片切割和封装前需要去除该太鼓环，同时需要保持晶片边缘的完整性。
3.激光环切作为去除太鼓环的主要方法之一，先使用激光束轰击太鼓环与晶片主体区域的交界处，从而在该交界处产生切割缝，然后再通过取环工艺移除太鼓环。
4.参照图1，示出了相关技术中的太鼓环取环示意图，在太鼓环取环前，带有太鼓环的晶片101表面贴附有保护膜102，在取环时，该晶片101放置在吸附平台103上，且吸附平台102通过吸附该保护膜102以调节该保护膜102的松紧。然后取环刀从保护膜102与太鼓环101a之间的形成的入刀空间104中，以特定角度进行入刀，从而使得太鼓环101a与晶片主体101b在切割缝101c处断裂。
5.但是，相关技术中由于吸附平台需要通过吸附该保护膜以调节该保护膜的松紧，而保护膜的紧张程度影响到入刀空间的大小，当保护膜过紧，容易使得太鼓环挤压晶片主体的边缘，造成挤压晶片主体开裂，当保护膜过松，不利于太鼓环的稳定，当保护膜的松紧调节到合适紧张程度时，会出现入刀空间不满足要求的情况，并且合适紧张程度窗口较小。综上，相关技术中存在入刀角度和保护膜的紧张程度难以兼顾的问题。
技术实现要素：6.本技术提供了一种太鼓环取环装置，可以解决相关技术中入刀角度和保护膜的紧张程度难以兼顾的问题。
7.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术提供一种太鼓环取环装置，所述太鼓环取环装置包括：能够与保护膜的裙边下表面处接触的保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环；所述保护膜能够粘附在带有太鼓环的晶片表面，且所述保护膜的裙边延伸出所述太鼓环外；
8.所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外，能够上下移动调节所述保护膜的张紧程度；
9.所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧，能够上下移动调节所述保护膜的裙边与太鼓环下表面之间的夹角，所述夹角为入刀角度。
10.可选地，所述保护膜紧张度调节环吸附所述保护膜裙边的第一位置，对所述保护膜裙边的第一位置施加向下的吸附力；
11.所述入刀角度调节环支撑所述保护膜裙边的第二位置，对所述保护膜裙边的第二位置施加向上的支撑力；
12.所述保护膜裙边的第二位置，位于所述保护膜裙边的第一位置与所述太鼓环的边
缘位置之间。
13.可选地，所述第二位置与所述太鼓环的边缘位置之间的保护膜裙边为第一裙边部；
14.所述第一裙边部从所述太鼓环的边缘位置开始逐渐向下倾斜，且所述第一裙边部与所述太鼓环下表面之间的夹角为入刀角度。
15.可选地，所述保护膜紧张度调节环为真空调节环。
16.可选地，所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧2mm-15mm位置处。
17.可选地，所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外2mm-15mm位置处。
18.可选地，所述入刀角度调节环的环宽为2mm-10mm。
19.本技术技术方案，至少包括如下优点：通过保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环两个调节环控制保护膜，靠内侧的入刀角度调节环限制保护膜裙边的倾斜方向以限定入刀空间，以控制入刀方向，使得取环刀在该入刀空间中按照特定的入刀角度，从太鼓环下表面与保护膜的粘接处进行入刀取环操作即能够将太鼓环从保护膜上取下。靠外侧的保护膜紧张度调节环能够控制保护膜的张紧程度，扩大取环张紧程度窗口，避免太鼓环取环过程挤压晶片主体部分201b边缘，降低边缘裂纹率。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1示出了相关技术中的太鼓环取环示意图；
22.图2示出了本技术一实施例提供的太鼓环取环半剖结构示意图。
具体实施方式
23.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
24.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
25.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人
员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
26.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
27.参照图2，其示出了本技术一实施例提供的太鼓环取环半剖结构示意图，从图2中可以看出，晶片201经过太鼓减薄后，晶片201的中间部分被减薄至需要厚度形成晶片主体部分201b，晶片201的边缘部分未被减薄而形成太鼓环201a。减薄后的晶片主体部分201b厚度为20um-250um。
28.在使用本实施例提供的太鼓环取环装置进行取环前，需要先对晶片的表面粘贴保护膜202，然后再进行激光环切，在激光环切产生切割缝201c后，太鼓环201a与晶片主体部分201b在该保护膜202粘性的作用下仍粘附在该保护膜202上，需要取环装置以取下粘附在该保护膜202上的太鼓环201a。
29.继续参照图2，本实施例中提供的太鼓环取环装置包括：能够与保护膜202裙边222下表面接触的保护膜紧张度调节环203和入刀角度调节环204。图2所示的保护膜202包括保护膜裙边222，该保护膜裙边222延伸出太鼓环201a外。
30.该保护膜紧张度调节环203位于入刀角度调节环204外，能够上下移动(图2中的z方向)调节所述保护膜202的张紧程度。
31.该入刀角度调节环204位于所述保护膜紧张度调节环203所在水平方向的上侧，能够上下移动(图2中的z方向)调节所述保护膜的裙边222与太鼓环201a下表面之间的夹角，所述夹角为入刀角度α。
32.本实施例通过保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环两个调节环控制保护膜，靠内侧的入刀角度调节环限制保护膜裙边的倾斜方向以限定入刀空间，以控制入刀方向，使得取环刀在该入刀空间中按照特定的入刀角度，从太鼓环下表面与保护膜的粘接处进行入刀取环操作即将太鼓环从保护膜上取下。靠外侧的保护膜紧张度调节环能够控制保护膜的张紧程度，扩大取环张紧程度窗口，避免太鼓环取环过程挤压晶片主体部分201b边缘，降低边缘裂纹率。
33.继续参照图2，该保护膜紧张度调节环203吸附所述保护膜裙边222的第一位置211，对所述保护膜裙边222的第一位置211施加向下的吸附力(沿图2所示z方向向下)。
34.所述入刀角度调节环212支撑所述保护膜裙边222的第二位置212，对所述保护膜裙边222的第二位置212施加向上的支撑力(沿图2所示z方向向上)。
35.其中，所述保护膜裙边222的第二位置212，位于所述保护膜裙边222的第一位置211与所述太鼓环201a的边缘位置213之间。
36.所述第二位置212与所述太鼓环201a的边缘位置213之间的保护膜裙边222为第一裙边部，该第一裙边部从所述太鼓环201a的边缘位置213开始逐渐向下倾斜，且所述第一裙边部与所述太鼓环下表面之间的夹角为入刀角度α。通过调节该第一裙边部的倾斜程度，从而控制入刀角度α。
37.其中，图2所示的保护膜紧张度调节环203为真空调节环，能够为保护膜裙边222的第一位置211提供负压，使得保护膜裙边222的第一位置211吸附在保护膜紧张度调节环203上。
38.可选地，入刀角度调节环204位于所述保护膜紧张度调节环203所在水平方向的上
侧2mm-15mm位置处，即入刀角度调节环204与保护膜紧张度调节环203在图2中的高度差y为2mm-15mm。所述保护膜紧张度调节环203位于所述入刀角度调节环204外2mm-15mm位置处，即保护膜紧张度调节环203与入刀角度调节环204在水平方向的距离x为2mm-15mm。该入刀角度调节环的环宽w为2mm-10mm。
39.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。
技术特征：1.一种太鼓环取环装置，其特征在于，所述太鼓环取环装置包括：能够与保护膜的裙边下表面处接触的保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环；所述保护膜能够粘附在带有太鼓环的晶片表面，且所述保护膜的裙边延伸出所述太鼓环外；所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外，能够上下移动调节所述保护膜的张紧程度；所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧，能够上下移动调节所述保护膜的裙边与太鼓环下表面之间的夹角，所述夹角为入刀角度。2.如权利要求1所述的太鼓环取环装置，其特征在于，所述保护膜紧张度调节环吸附所述保护膜裙边的第一位置，对所述保护膜裙边的第一位置施加向下的吸附力；所述入刀角度调节环支撑所述保护膜裙边的第二位置，对所述保护膜裙边的第二位置施加向上的支撑力；所述保护膜裙边的第二位置，位于所述保护膜裙边的第一位置与所述太鼓环的边缘位置之间。3.如权利要求2所述的太鼓环取环装置，其特征在于，所述第二位置与所述太鼓环的边缘位置之间的保护膜裙边为第一裙边部；所述第一裙边部从所述太鼓环的边缘位置开始逐渐向下倾斜，且所述第一裙边部与所述太鼓环下表面之间的夹角为入刀角度。4.如权利要求2所述的太鼓环取环装置，其特征在于，所述保护膜紧张度调节环为真空调节环。5.如权利要求1所述的太鼓环取环装置，其特征在于，所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧2mm-15mm位置处。6.如权利要求1所述的太鼓环取环装置，其特征在于，所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外2mm-15mm位置处。7.如权利要求1所述的太鼓环取环装置，其特征在于，所述入刀角度调节环的环宽为2mm-10mm。
技术总结本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环(Taiko)取环装置。太鼓环取环装置包括：能够与保护膜的裙边下表面处接触的保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环；所述保护膜能够粘附在带有太鼓环的晶片表面，且所述保护膜的裙边延伸出所述太鼓环外；所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外，能够上下移动调节所述保护膜的张紧程度；所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧，能够上下移动调节所述保护膜的裙边与太鼓环下表面之间的夹角，所述夹角为入刀角度。本申请提供的太鼓环取环装置，可以解决相关技术中入刀角度和保护膜的紧张程度难以兼顾的问题。程度难以兼顾的问题。程度难以兼顾的问题。
技术研发人员：孙运龙 肖酉 许有超 朱田
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2022.07.08
技术公布日：2022/11/1
