1.本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种高压电源电路及高压电源装置。
背景技术：2.随着晶体管的发展，各式半导体器件包括光电耦合器以及各类光隔离器件正在被大量使用，使得集成电路在各个领域的应用越来越广泛。在集成电路生产时，需要保证各类元器件的可靠性，需要对元器件进行测试，以保证其性能正常。在测试光隔离器件，例如mos管或者半桥驱动器类芯片的时候，需要在芯片的输出驱动端的高边使用高压浮动电源，在测试光电耦合器输出端的集电极和发射级的击穿电压时，也需要用到高压电源。
技术实现要素：3.发明人发现，普通的高压电源，输出高压电压范围有限，电流负载能力差，输出精度无法满足要求，并且，很少能满足恒定电压和脉冲电压模式的切换需求。鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种高压电源电路及高压电源装置。
4.第一方面，本发明实施例提供一种高压电源电路，包括：信号发生器、第一运算放大器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、变压器、倍压电路、第二运算放大器、第一电容、第一电阻、第二电阻和pwm控制芯片；
5.所述第一运算放大器的同相输入端接地，所述第一运算放大器的反相输入端分别连接所述信号发生器和所述第二运算放大器的输出端，所述第一运算放大器的输出端连接所述第三mos管的栅极；
6.所述第三mos管的源极外接输入电压端，所述第三mos管的漏极连接第一mos管的源极；
7.所述第一mos管的栅极连接所述输入电压端和所述pwm控制芯片的第二输出端，所述第一mos管的漏极连接所述第二mos管的漏极；
8.所述第二mos管的栅极连接所述pwm控制芯片的第一输出端并接地，所述第二mos管的漏极连接所述变压器的第三端并接地；
9.所述变压器的第一端连接于所述第一mos管的漏极与所述第二mos管的漏极之间，所述变压器的第二端和第四端分别连接所述倍压电路的输入端；
10.所述倍压电路的输出端通过第一电容连接所述第二运算放大器的同相输入端，并通过第一电阻连接所述第二运算放大器的反相输入端；
11.所述第二运算放大器的同相输入端接地，所述第二运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第二电阻；所述第一电阻的阻值大于所述第二电阻的阻值；
12.所述信号发生器能够输出预设恒定电压信号或脉冲电压信号；
13.所述pwm控制芯片能够输出预设的方波信号。
14.在一个或一些可选的实施例中，所述第一运算放大器的反相输入端与所述信号发
生器之间连接第三电阻，所述第一运算放大器的反相输入端与所述第二运算放大器的输出端之间连接第四电阻。
15.在一个或一些可选的实施例中，所述倍压电路包括第一二极管、第二二极管、第二电容和第三电容；
16.所述第一二极管和所述第二二极管反向并联连接，所述第二电容连接于所述变压器的第三端与所述第一二极管和所述第二二极管的公共端，所述第三电容连接于所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极之间。
17.在一个或一些可选的实施例中，所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第三二极管。
18.在一个或一些可选的实施例中，所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第二电容和第五电阻。
19.在一个或一些可选的实施例中，所述高压电源电路还包括：第四mos管、第六电阻和第七电阻；
20.所述第四mos管的栅极与所述pwm控制芯片的第二输出端之间连接所述第六电阻，所述第四mos管的源极接地，且所述第四mos管的源极与栅极之间连接所述第七电阻，所述第四mos管的漏极连接所述第一mos管的栅极。
21.在一个或一些可选的实施例中，所述高压电源电路还包括：设置于所述第一mos管的栅极与所述输入电压端之间的第八电阻；
22.设置于所述第一mos管的栅极与第四mos管的漏极之间的第九电阻；
23.设置于所述第二mos管的栅极与所述输入电压端之间的第十电阻；
24.设置于所述第二mos管的栅极与所述pwm控制芯片的第一输入端之间的第十一电阻。
25.在一个或一些可选的实施例中，所述高压电源电路还包括：设置于所述第三mos管的栅极和漏极之间的第十二电阻和设置于所述第三mos管的栅极与所述第一运算放大器之间的第十三电阻。
26.在一个或一些可选的实施例中，所述高压电源电路还包括：设置于电压输出端与所述倍压电路的输出端之间的电阻矩阵。
27.设置于所述第一mos管的栅极与第四mos管的漏极之间的第九电阻。
28.第二方面，本发明实施例提供一种高压电源装置，包括：上述任一项所述的高压电源电路。
29.本发明实施例提供的上述技术方案的有益效果至少包括：
30.本发明实施例提供的高压电源电路，利用运算放大器输入端的虚地特性，构成一个基尔霍夫电路，根据基尔霍夫电流定律(kcl)，运算放大器的反相输入端的电流和为零，从而能够根据信号发生器的输出电压调整运算放大器的输出端的电压，接着，根据第二运算放大器连接的第一电阻和第二电阻实现反相比例运算，确定第二运算放大器的反相输入端的电压，即预设的输出电压；由于第三mos管的栅极连接第一运算放大器的输出端，使得第二运算放大器的输出端与反相输入端之间构成闭环回路，通过第一运算放大器实现自动调整第三mos管的可变电阻区，保证该闭环回路的稳定，进而，实现通过第三mos管来调整第一mos管的源极电压，实现回路电压的自动调整，提高了电路的调节精度；使用pwm控制芯片
配合第一mos管和第二mos管构成的推挽电路来驱动变压器，并通过倍压电路来把供电电压升压到该预设的输出电压。根据实际电压需求，通过控制信号发生器即可实现恒定电压模式和脉冲电压模式的切换，输出的高压范围可控，提升了电流负载能力，输出精度更高，电路整体结构简单、易操作。
31.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
32.下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
33.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
34.图1为本发明实施例提供的高压电源电路的结构示意图；
35.图2为本发明实施例提供的包括pwm控制芯片的高压电源局部电路结构示意图；
36.图3为本发明实施例提供的半桥驱动器类芯片ir2110的功能模块示意图；
37.图4为图3所示的ir2110芯片的时间参数测试电路结构示意图；
38.图5为图3所示的ir2110芯片的开关时间的波形示意图。
具体实施方式
39.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
40.为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
41.本发明实施例提供一种高压电源电路，参照图1所示，包括：信号发生器、第一运算放大器u1、第一mos管q1、第二mos管q2、第三mos管q3、变压器t1、倍压电路、第二运算放大器u2、第一电容c1、第一电阻r1、第二电阻r2和pwm控制芯片u3；
42.所述第一运算放大器u1的同相输入端接地，所述第一运算放大器u1的反相输入端分别连接所述信号发生器和所述第二运算放大器u2的输出端，所述第一运算放大器u1的输出端连接所述第三mos管q3的栅极；
43.所述第三mos管q3的源极外接输入电压端，所述第三mos管q3的漏极连接第一mos管q1的源极；
44.所述第一mos管q1的栅极连接所述输入电压端和所述pwm控制芯片u3的第二输出端dv2，所述第一mos管q1的漏极连接所述第二mos管q2的漏极；
45.所述第二mos管q2的栅极连接所述pwm控制芯片u3的第一输出端dv1并接地，所述第二mos管q2的漏极连接所述变压器t1的第三端并接地；
46.所述变压器t1的第一端连接于所述第一mos管q1的漏极与所述第二mos管q2的漏极之间，所述变压器t1的第二端和第四端分别连接所述倍压电路的输入端；
47.所述倍压电路的输出端通过第一电容c1连接所述第二运算放大器u2的同相输入
端，并通过第一电阻r1连接所述第二运算放大器u2的反相输入端；
48.所述第二运算放大器u2的同相输入端接地，所述第二运算放大器u2的反相输入端与输出端之间连接第二电阻r2；所述第一电阻r1的阻值大于所述第二电阻r2的阻值；
49.所述信号发生器能够输出预设恒定电压信号或脉冲电压信号；
50.所述pwm控制芯片u3能够输出预设的方波信号。
51.本发明实施例中，该信号发生器可以通过数模转换(da)芯片来实现，通过控制输入数字信号使得da芯片输出预设恒定电压信号或脉冲电压信号，该脉冲电压信号可以是阶梯递增信号或者阶梯递减信号。按照预设的周期改变输入数字信号，即可得到需要的脉冲电压信号，例如，按照1ms为周期输入变化的数字信号，则可以得到间隔为1ms的输出脉冲电压信号，又例如，输入恒定的数字信号，则输出即为持续的直流电平，即预设恒定电压信号。
52.本发明实施例中，通过第一mos管q1和第二mos管q2构成推挽电路，为了防止第一mos管q1和第二mos管q2同时导通，该pwm控制芯片u3输出的方波信号需要设置死区时间，并设置合理的占空比，基于此，该pwm控制芯片u3的具体型号和规格可以根据实际电路需求进行选择，例如可以是sg3525芯片。参照图2所示，可以根据sg3525的器件手册指导，来设置电路中元器件的型号和规格，使sg3525芯片的第一输出端dv1和第二输出端dv2输出合适占空比和死区时间的方波信号，具体来讲，可以是，根据占空比要求选择连接的r16、r17、c7和c8的大小，并通过选择r18、c9、c10、c11以及调整电位器rv2的阻值来实现调节得到想要的方波波形，同时，通过调整电位器rv1的阻值来实现频率调节。
53.本发明实施例中，通过pwm控制芯片u3的第一输出端dv1和第二输出端dv2输出合适占空比和死区时间的方波信号，第一mos管q1和第二mos管q2，使变压器t1的初级线圈产生相应的方波，那么在变压器t1的次级线圈就会产生等比放大后的方波，接着通过倍压电路对变压器t1输出的电压进行放大，即可得到高压电源电路的输出电压。
54.本发明实施例中，该变压器t1的变压倍数可以根据实际需求进行选择，例如可以选择500倍或1000倍的变压器。
55.在一个具体实施例中，参照图1所示，该倍压电路可以是半桥倍压电路，该半桥倍压电路包括第一二极管d1、第二二极管d2、第二电容c2和第三电容c3；
56.所述第一二极管d1和所述第二二极管d2反向并联连接，所述第二电容c2连接于所述变压器t1的第三端与所述第一二极管d1和所述第二二极管d2的公共端，所述第三电容c3连接于所述第一二极管d1的阳极和所述第二二极管d2的阴极之间。本发明实施例中，通过图1所示的半桥倍压电路可以实现对变压器t1的输出电压再放大两倍，得到该输出电压hvout+，本领域技术人员根据实际的电路需求还可以选择其他方式实现该倍压电路，也可以通过选择第一二极管d1、第二二极管d2、第二电容c2和第三电容c3的型号和规格来改变该图1所示的半桥倍压电路的放大倍数，具体的实现过程可以参照相关技术的详细描述，在此不再赘述。
57.参照图1所示，该高压电流电路还包括：设置于电压输出端与所述倍压电路的输出端之间的电阻矩阵。该电阻矩阵为限流电阻矩阵，通过设置限流电阻矩阵，得到预设的输出电压hvsout，通过设置电阻矩阵来实现限制电流，防止电路短路，实现保护高压电源和被测器件。
58.本发明实施例中所描述的电阻矩阵可以是由一些列的继电器开关和电阻进行串
并联而成的，通过控制不同继电器开关的通断，控制接入该高压电源电路中的电阻值，具体的电阻矩阵及其继电器开关的控制方式，可以根据相关技术的详细描述来实现，在此不再赘述。
59.本发明实施例中，参照图1所示，该第一mos管q1为pnp型mos管，该第二mos管q2为npn型mos管，该电压输入端持续为该第一mos管q1的栅极提供电压，若想要该第一mos管q1导通，则需要使其栅极为低电平，由于sg3525芯片的第一输出端dv1和第二输出端dv2为同相端，为了实现对第一mos管q1和第二mos管q2的控制，在该第二输出端dv2还可以连接反相电路，通过反相电路使第二输出端dv2的输出波形反相，使第二输出端dv2为高电平时，该第一mos管q1导通，而该第一输出端dv1为高电平时第二mos管导通。
60.在一个具体实施例中，参照图2所示，该反相电路包括：第四mos管q4、第六电阻r6和第七电阻r7；
61.所述第四mos管q4的栅极与所述pwm控制芯片的第二输出端dv2之间连接所述第六电阻r6，所述第四mos管q4的源极接地，且所述第四mos管q4的源极与栅极之间连接所述第七电阻r7，所述第四mos管q4的漏极连接所述第一mos管q1的栅极。
62.本发明实施例中，该第四mos管q4可以选择bs107a型mos管，当然，本领域技术人员也可以根据相关技术的教导选择其他合适型号的mos管，对此，本发明实施例中可以不作具体限定。
63.在一个具体实施例中，参照图1所示，所述第一运算放大器u1的反相输入端与所述信号发生器之间连接第三电阻r3，所述第一运算放大器u1的反相输入端与所述第二运算放大器u2的输出端之间连接第四电阻r4。
64.本发明实施例中，根据运算放大器输入端的虚地特性，构成一个基尔霍夫电路，运算放大器的反相输入端，即节点tp1为零电位，根据基尔霍夫电流定律(kcl)可知，第三电阻r3和第四电阻r4的电流和为零，那么，参照图1所示，da+/r3＝-utp4/r4，如图1所示，由于设置第三电阻r3和第四电阻r4均为10kω的精密电阻，因此，tp4点的电压等于-dv+，即第二运算放大器u2的输出端的电压为-da+。参照图1所示，该第一电阻r1的阻值远大于该第二电阻r2的阻值，第二运算放大器u2与连接的第一电阻r1和第二电阻r2构成一个反相衰减电路，根据基尔霍夫定律，hvout+/r1＝da+/r2，那么可得hvout+＝200*da+。由此，可以看出，当da+是一个定值时，hvout+也跟着是一个定值，当da+为脉冲电压信号时，hvout+也跟着是一个脉冲信号。本发明实施例中，为了保证电路的可靠性，该信号发生器输出的脉冲电压信号，即da+脉冲信号的宽度可以设置大于10us。
65.在一个具体实施例中，参照图1所示，该第二运算放大器u2的反相输入端与输出端之间还并联一储能电容c5，实现稳定电路的作用。
66.在一个具体实施例中，参照图1所示，该高压电源电路，还包括：设置于所述第三mos管q3的栅极和漏极之间的第十二电阻r12和设置于所述第三mos管q3的栅极与所述第一运算放大器u1之间的第十三电阻r13。
67.本发明实施例中，通过第十二电阻r12第十三电阻r13连接该第三mos管q3，为第三mos管q3提供偏置电压，保证第三mos管q3的正常工作，由于第三mos管的栅极通过第十三电阻r13连接第一运算放大器u1的输出端，使得第二运算放大器u2的输出端与反相输入端之间，该第二运算放大器u2作为该高压电源电路的主运算放大器，构成闭环回路，通过第一运
算放大器u1实现自动调整第三mos管的可变电阻区，保证该闭环回路的稳定，由于第一电阻r1和第二电阻r2的电阻值不可变，因此，该第二运算放大器u2、第一电阻r1和第二电阻r2构成的反向衰减电路的衰减倍数是固定的，因此，通过第三mos管来调整第一mos管的源极电压(即图1中节点tp3处的电压)，实现回路电压的自动调整，提高了电路的调节精度。
68.在一个具体实施例中，参照图1所示，该第一运算放大器的反相输入端与输出端之间还连接第三二极管d3。通过设置第三二极管d3，利用第三二极管d3的单向导通特性，保证输出不偏向负电源，以防电路输出电压过高。
69.在一个具体实施例中，参照图1所示，该第一运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第四电容c4和第五电阻r5。
70.在一个具体实施例中，参照图1所示，该高压电源电路还包括：设置于所述第一mos管的栅极与所述输入电压端之间的第八电阻r8；
71.设置于所述第一mos管的栅极与第四mos管的漏极之间的第九电阻r9；
72.设置于所述第二mos管的栅极与所述输入电压端之间的第十电阻r10；
73.设置于所述第二mos管的栅极与所述pwm控制芯片的第一输入端之间的第十一电阻r11。
74.本发明实施例中，通过在第一mos管和第二mos管的栅极设置分压电阻，实现分压，保证电路的稳定性。
75.在一个具体实施例中，参照图1所示，该电压输入端与接地端之间还连接旁路电容c6，来实现电路的滤波，降低电路中的噪音；该电压输入端与所述第八电阻的公共端与接地端之间还连接电解电容e1，实现电路储能。
76.在一个具体实施例中，参照图1所示，该第一mos管的栅极与源极之间还连接电阻r14；该第二mos管的栅极与源极之间还连接电阻r15，实现稳定电路的作用。
77.下面通过一个具体的应用对本发明提供的高压电源电路进行说明：
78.参照图3所示为半桥驱动器类芯片ir2110的功能模块示意图，对应图4所示，为该半桥驱动器类芯片ir2110的时间参数测试电路，将本发明实施例提供的高压电源连接该时间参数测试电路的vs端，并且，在该电路的vb端接浮动电源，在hin端和lin端接激励信号源，提供激励信号，测量得到ho端和lo端的输出波形，参照图5所示为测量的开关时间的波形示意图，通过比较激励信号的波形和该时间参数测试电路的输出波形，即可得到该ir2110芯片的开启时间ton、上升时间tr、关断时间toff和下降时间tf。通过图5的输出波形可以看出，本发明实施例提供的高压电源电路稳定性满足实际被测器件的测试需求。
79.本发明实施例提供的高压电源电路，利用运算放大器输入端的虚地特性，构成一个基尔霍夫电路，根据基尔霍夫电流定律(kcl)，运算放大器的反相输入端，即节点tp1的电流和为零，从而能够根据信号发生器的输出电压调整运算放大器u4的输出端的电压，接着，根据第二运算放大器连接的第一电阻和第二电阻实现反相比例运算，确定第二运算放大器的反相输入端的电压，即预设的输出电压；由于第三mos管的栅极连接第一运算放大器的输出端，使得第二运算放大器的输出端与反相输入端之间构成闭环回路，通过第一运算放大器实现自动调整第三mos管的可变电阻区，保证该闭环回路的稳定，进而，实现通过第三mos管来调整第一mos管的源极电压，实现回路电压的自动调整，提高了电路的调节精度；使用pwm控制芯片配合第一mos管和第二mos管构成的推挽电路来驱动变压器，并通过倍压电路
来把供电电压升压到该预设的输出电压。根据实际电压需求，通过控制信号发生器即可实现恒定电压模式和脉冲电压模式的切换，输出的高压范围可控，提升了电流负载能力，输出精度更高，电路整体结构简单、易操作。
80.本发明实施例中，所采用的上述电器元件的具体规格和型号仅为一个具体的实现方式，本领域技术人员可以根据现有技术的描述，选择合适的电气元件得到本发明的高压电源电路，对于电路所采用的电气元件的具体型号，本发明实施例中，可以不做具体限定。
81.实施例2
82.基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种高压电源装置，包括：上述实施例1中所述的高压电源电路。
83.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则发明也意图包含这些改动和变型在内。
84.除非另外具体陈述，术语比如处理、计算、运算、确定、显示等等可以指一个或更多个处理或者计算系统、或类似设备的动作和/或过程，所述动作和/或过程将表示为处理系统的寄存器或存储器内的物理(如电子)量的数据操作和转换成为类似地表示为处理系统的存储器、寄存器或者其他此类信息存储、发射或者显示设备内的物理量的其他数据。信息和信号可以使用多种不同的技术和方法中的任何一种来表示。例如，在贯穿上面的描述中提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片可以用电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任意组合来表示。
85.应该明白，公开的过程中的步骤的特定顺序或层次是示例性方法的实例。基于设计偏好，应该理解，过程中的步骤的特定顺序或层次可以在不脱离本公开的保护范围的情况下得到重新安排。所附的方法权利要求以示例性的顺序给出了各种步骤的要素，并且不是要限于所述的特定顺序或层次。
86.在上述的详细描述中，各种特征一起组合在单个的实施方案中，以简化本公开。不应该将这种公开方法解释为反映了这样的意图，即，所要求保护的主题的实施方案需要清楚地在每个权利要求中所陈述的特征更多的特征。相反，如所附的权利要求书所反映的那样，本发明处于比所公开的单个实施方案的全部特征少的状态。因此，所附的权利要求书特此清楚地被并入详细描述中，其中每项权利要求独自作为本发明单独的优选实施方案。
87.本领域技术人员还应当理解，结合本文的实施例描述的各种说明性的逻辑框、模块、电路和算法步骤均可以实现成电子硬件、计算机软件或其组合。为了清楚地说明硬件和软件之间的可交换性，上面对各种说明性的部件、框、模块、电路和步骤均围绕其功能进行了一般地描述。至于这种功能是实现成硬件还是实现成软件，取决于特定的应用和对整个系统所施加的设计约束条件。熟练的技术人员可以针对每个特定应用，以变通的方式实现所描述的功能，但是，这种实现决策不应解释为背离本公开的保护范围。
88.结合本文的实施例所描述的方法或者算法的步骤可直接体现为硬件、由处理器执行的软件模块或其组合。软件模块可以位于ram存储器、闪存、rom存储器、eprom存储器、eeprom存储器、寄存器、硬盘、移动磁盘、cd-rom或者本领域熟知的任何其它形式的存储介质中。一种示例性的存储介质连接至处理器，从而使处理器能够从该存储介质读取信息，且可向该存储介质写入信息。当然，存储介质也可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质
可以位于asic中。该asic可以位于用户终端中。当然，处理器和存储介质也可以作为分立组件存在于用户终端中。
89.对于软件实现，本技术中描述的技术可用执行本技术所述功能的模块(例如，过程、函数等)来实现。这些软件代码可以存储在存储器单元并由处理器执行。存储器单元可以实现在处理器内，也可以实现在处理器外，在后一种情况下，它经由各种手段以通信方式耦合到处理器，这些都是本领域中所公知的。
90.上文的描述包括一个或多个实施例的举例。当然，为了描述上述实施例而描述部件或方法的所有可能的结合是不可能的，但是本领域普通技术人员应该认识到，各个实施例可以做进一步的组合和排列。因此，本文中描述的实施例旨在涵盖落入所附权利要求书的保护范围内的所有这样的改变、修改和变型。此外，就说明书或权利要求书中使用的术语“包含”，该词的涵盖方式类似于术语“包括”，就如同“包括，”在权利要求中用作衔接词所解释的那样。此外，使用在权利要求书的说明书中的任何一个术语“或者”是要表示“非排它性的或者”。
技术特征：1.一种高压电源电路，其特征在于，包括：信号发生器、第一运算放大器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、变压器、倍压电路、第二运算放大器、第一电容、第一电阻、第二电阻和pwm控制芯片；所述第一运算放大器的同相输入端接地，所述第一运算放大器的反相输入端分别连接所述信号发生器和所述第二运算放大器的输出端，所述第一运算放大器的输出端连接所述第三mos管的栅极；所述第三mos管的源极外接输入电压端，所述第三mos管的漏极连接第一mos管的源极；所述第一mos管的栅极连接所述输入电压端和所述pwm控制芯片的第二输出端，所述第一mos管的漏极连接所述第二mos管的漏极；所述第二mos管的栅极连接所述pwm控制芯片的第一输出端并接地，所述第二mos管的漏极连接所述变压器的第三端并接地；所述变压器的第一端连接于所述第一mos管的漏极与所述第二mos管的漏极之间，所述变压器的第二端和第四端分别连接所述倍压电路的输入端；所述倍压电路的输出端通过第一电容连接所述第二运算放大器的同相输入端，并通过第一电阻连接所述第二运算放大器的反相输入端；所述第二运算放大器的同相输入端接地，所述第二运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第二电阻；所述第一电阻的阻值大于所述第二电阻的阻值；所述信号发生器能够输出预设恒定电压信号或脉冲电压信号；所述pwm控制芯片能够输出预设的方波信号。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一运算放大器的反相输入端与所述信号发生器之间连接第三电阻，所述第一运算放大器的反相输入端与所述第二运算放大器的输出端之间连接第四电阻。3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述倍压电路包括第一二极管、第二二极管、第二电容和第三电容；所述第一二极管和所述第二二极管反向并联连接，所述第二电容连接于所述变压器的第三端与所述第一二极管和所述第二二极管的公共端，所述第三电容连接于所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极之间。4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第三二极管。5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间连接第四电容和第五电阻。6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：第四mos管、第六电阻和第七电阻；所述第四mos管的栅极与所述pwm控制芯片的第二输出端之间连接所述第六电阻，所述第四mos管的源极接地，且所述第四mos管的源极与栅极之间连接所述第七电阻，所述第四mos管的漏极连接所述第一mos管的栅极。7.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：设置于所述第一mos管的栅极与所述输入电压端之间的第八电阻；设置于所述第一mos管的栅极与第四mos管的漏极之间的第九电阻；设置于所述第二mos管的栅极与所述输入电压端之间的第十电阻；
设置于所述第二mos管的栅极与所述pwm控制芯片的第一输入端之间的第十一电阻。8.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：设置于所述第三mos管的栅极和漏极之间的第十二电阻和设置于所述第三mos管的栅极与所述第一运算放大器之间的第十三电阻。9.如权利要求1-8任一项所述的电路，其特征在于，还包括：设置于电压输出端与所述倍压电路的输出端之间的电阻矩阵。10.一种高压电源装置，其特征在于，包括：权利要求1-9任一项所述的高压电源电路。
技术总结本发明公开了一种高压电源电路及高压电源装置。该电路中，第一运算放大器的同相输入端接地，反相输入端分别连接信号发生器和第二运算放大器的输出端，输出端连接第三MOS管的栅极；第三MOS管的漏极连接第一MOS管的源极；第一MOS管的栅极连接输入电压端和PWM控制芯片的第二输出端，漏极连接第二MOS管的漏极；第二MOS管的栅极连接PWM控制芯片的第一输出端并接地，漏极连接变压器的第三端并接地；变压器的第一端连接于第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间，第二端和第四端分别连接倍压电路的输入端；第二运算放大器的同相输入端接地，反相输入端与输出端之间连接第二电阻；PWM控制芯片能够输出预设的方波信号。控制芯片能够输出预设的方波信号。控制芯片能够输出预设的方波信号。
技术研发人员：乔晖 南浩 李强 孟德明 段广昌
受保护的技术使用者：北京励芯泰思特测试技术有限公司
技术研发日：2022.07.22
技术公布日：2022/11/1
