1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术：2.目前，显示面板分辨率越来越高，像素单元越来越小，因为曝光机能力限制，线宽和沟道不能继续缩小，导致光线穿透能力下降。通常在色阻和有机膜之间，导入透明ito电极，替代传统的金属公共电极，然而，在像素电极及后序的工序中，激光修复点/线不良时，经常会出现像素电极分别与源/漏电极、透明ito电极以及栅极之间发生短路，从而导致良率损失；并且激光修复点位难以确定，会造成点位修复错位等问题。
3.因此，针对现有技术中存在的缺陷，急需进行改进。
技术实现要素：4.本技术的目的在于提供一显示面板和显示装置，可以解决现有技术中像素电极分别与源/漏电极、透明ito电极以及栅极之间发生短路，从而导致良率损失的问题。
5.本技术实施例提供一种阵列基板，具有多个像素单元，包括：衬底基板；辅助电极层，设置于所述衬底基板的一侧；以及像素电极，设置于所述辅助电极层背离所述衬底基板的一侧，且与所述辅助电极层电连接；其中所述辅助电极层对应所述像素电极的位置设置有第一开孔。
6.可选地，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：源/漏电极，设置于所述辅助电极层靠近所述衬底基板的一侧，且与所述像素电极电连接；其中所述辅助电极层对应所述源/漏电极的位置设置有第二开孔。
7.可选地，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：栅极，设置于所述衬底基板上，且位于所述源/漏电极靠近所述衬底基板的一侧；其中所述辅助电极层对应所述栅极的位置设置有第三开孔。
8.可选地，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：公共电极，与所述栅极同层设置；栅极绝缘层，设置于所述栅极背离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述栅极；有源层，设置于所述栅极绝缘层与所述源/漏电极之间，且与所述源/漏电极电连接；层间绝缘层，设置于所述源/漏电极背离所述有源层的一侧；色阻层，设置于所述层间绝缘层与所述辅助电极层之间；以及平坦层，设置于所述辅助电极层背离所述色阻层的一侧；其中所述公共电极与所述像素电极电连接。
9.可选地，在本技术的一些实施例中，所述像素电极通过第一过孔与所述源/漏电极电连接，所述像素电极通过第二过孔与所述辅助电极层电连接，所述像素电极通过第三过孔与所述公共电极电连接；其中所述第一过孔依次贯穿所述平坦层、所述色阻层以及所述层间绝缘层；所述第二过孔贯穿所述平坦层；所述第三过孔依次贯穿所述平坦层、所述色阻层、所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层。
10.可选地，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括：对位标记，所述对位标
记与所述像素电极同层设置，且与所述第一开孔对应。
11.可选地，在本技术的一些实施例中，所述对位标记与所述像素电极材料相同。
12.可选地，在本技术的一些实施例中，任一所述像素单元包括至少一子像素单元，所述对位标记设置于相邻的两个所述子像素单元之间。
13.可选地，在本技术的一些实施例中，所述辅助电极为透明电极。
14.相应地，本技术还提供一种显示面板，包括对置基板以及与所述对置基板相对设置的阵列基板；其中所述阵列基板为上述实施例中任一项所述的阵列基板。
15.相较于现有技术，本技术中所述阵列基板，具有多个像素单元，包括：衬底基板、设置于所述衬底基板的一侧的栅极、设置于所述栅极背离所述衬底基板的一侧的源/漏电极、设置于所述源/漏电极背离所述栅极的一侧的辅助电极层、以及设置于所述辅助电极层背离所述源/漏电极的一侧的像素电极，所述像素电极分别与所述源/漏电极和所述辅助电极层电连接；其中所述辅助电极层对应所述像素电极的位置设置有第一开孔。在所述阵列基板产生点位不良需要进行修复时，由于所述像素电极对应位置并没有所述辅助电极层，因而也就避免了所述像素电极与所述辅助电极层之间发生短路。优选地，所述辅助电极层对应所述源/漏电极的位置设置有第二开孔，以及所述辅助电极层对应所述栅极的位置设置有第三开孔。在所述阵列基板产生点位不良需要进行修复时，由于所述源/漏电极、对应位置并没有所述辅助电极层，因而也就避免了所述源/漏电极、与所述辅助电极层、之间发生短路。在所述阵列基板、产生点位不良需要进行修复时，由于所述栅极、对应位置并没有所述辅助电极层，因而也就避免了所述栅极与所述辅助电极层之间发生短路。
16.进一步地，所述阵列基板还包括对位标记，所述对位标记与所述像素电极同层设置，且与所述第一开孔对应。所述对位标记的设置能够在所述像素电极的一侧就直接确定所述第一开孔的位置，从而在所述第一开孔的位置进行修复，有利于减小修复时产生的修复点位误差。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1是本技术实施例所述阵列基板的截面结构示意图；
19.图2是本技术实施例所述阵列基板的部分结构的平面示意图一；
20.图3是本技术实施例所述阵列基板的部分结构的平面示意图二；
21.图4是本技术实施例所述阵列基板的部分结构的平面示意图三；
22.图5是本技术实施例所述阵列基板的部分结构的平面示意图四；
23.图6是本技术实施例所述阵列基板的部分结构的平面示意图五；
24.图7是本技术实施例所述显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
26.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
27.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
28.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
29.具体地，请参阅图1至图3，本技术实施例提供一种阵列基板10，包括衬底基板101、栅极102、公共电极103、栅极绝缘层104、有源层105、源/漏电极106、层间绝缘层107、色阻层108、辅助电极层109、平坦层1010以及像素电极1011；所述栅极102设置于所述衬底基板101的一侧；所述公共电极103设置于所述衬底基板101的一侧，且与所述栅极102同层设置；所述栅极绝缘层104设置于所述栅极102背离所述衬底基板101的一侧，且覆盖所述栅极102；所述有源层105设置于所述栅极绝缘层104背离所述栅极102的一侧；所述源/漏电极106设置于所述栅极102背离所述栅极绝缘层104的一侧，与所述有源层105电连接，所述层间绝缘层107设置于所述源/漏电极106背离所述有源层105的一侧；所述色阻层108设置于所述层间绝缘层107背离所述源/漏电极106的一侧；所述辅助电极层109设置于所述色阻层108背离所述层间绝缘层107一侧；所述平坦层1010设置于所述辅助电极层109背离所述色阻层108一侧；所述像素电极1011设置于所述辅助电极层109背离所述平坦层1010的一侧，分别与所述公共电极103、所述源/漏电极106以及所述辅助电极层109电连接；其中，所述辅助电极层109对应所述像素电极1011的位置设置有第一开孔1091。在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，通常采用激光修复，在激光修复过程中，相邻两个电极层之间会因为金属熔断而连接到一起，从而产生短路，本技术所述辅助电极层109对应所述像素电极1011的位置设置有第一开孔1091，在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，由于所述像素电极1011对应位置并没有所述辅助电极层109，因而也就避免了所述像素电极1011与所述辅助电极层109之间发生短路。
30.如图3所示，可以理解的是，所述辅助电极层109对应所述像素电极1011的位置设置有第一开孔1091，也就是说，所述第一开孔1091位于所述辅助电极层109在所述像素电极1011上的正投影区域内。
31.在本技术中，所述像素电极1011通过第一过孔1012与所述源/漏电极106电连接，所述像素电极1011通过第二过孔1013与所述辅助电极层109电连接，所述像素电极1011通过第三过孔1014与所述公共电极103电连接；其中所述第一过孔1012依次贯穿所述平坦层
1010、所述色阻层108以及所述层间绝缘层107；所述第二过孔贯穿所述平坦层1010；所述第三过孔1014依次贯穿所述平坦层1010、所述色阻层108、所述层间绝缘层107以及所述栅极绝缘层104。所述辅助电极层109为透明电极层，所述辅助电极层109的设置能够替代部分所述公共电极103的功能，以使所述阵列基板10内金属电极的面积减小，增大所述阵列基板10的透过率，从开增大像素开口率，提升显示效果。
32.如图4所示，在一实施例中，所述辅助电极层109对应所述源/漏电极106的位置设置有第二开孔1092，也就是说，所述第二开孔1092位于所述辅助电极层109在所述源/漏电极106上的正投影区域内。在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，由于所述源/漏电极106对应位置并没有所述辅助电极层109，因而也就避免了所述源/漏电极106与所述辅助电极层109之间发生短路。
33.如图5所示，在一实施例中，所述辅助电极层109对应所述栅极102的位置设置有第三开孔1093，也就是说，所述第三开孔1093位于所述辅助电极层109在所述栅极102上的正投影区域内。在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，由于所述栅极102对应位置并没有所述辅助电极层109，因而也就避免了所述栅极102与所述辅助电极层109之间发生短路。可以理解的是，所述第三开孔1093能够与所述第二开孔1092部分重合，也就是说所述第三开孔1093与所述第二开孔1092能够共同组成一异形孔。
34.可以理解的是，所述辅助电极层109覆盖所述色阻层108的表面，只是对应所述像素电极1011的位置设置有第一开孔1091，对应所述源/漏电极106的位置设置有第二开孔1092，以及对应所述栅极102的位置设置有第三开孔1093。
35.如图6所示，在一实施例中，所述阵列基板10还包括对位标记1015，所述对位标记1015与所述像素电极1011同层设置，且与所述第一开孔1091对应。所述对位标记1015与所述像素电极1011材料相同。所述对位标记1015与所述像素电极1011设置在相同膜层，从而能够同时制作所述对位标记1015和所述像素电极1011，并且在制作所述像素电极1011膜层时能够控制所述对位标记1015与相邻的所述像素电极1011间的距离。可以理解的是，所述对位标记1015实际是与所述像素电极1011同时制备出来的，由于所述像素电极1011制备完成后，所述辅助电极层109上的所述第一开孔1091被所述像素电极1011遮住，从而在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，无法快速确定所述第一开孔1091的位置。而所述对位标记1015的设置能够在所述像素电极1011的一侧就直接确定所述第一开孔1091的位置，从而在所述第一开孔1091的位置进行修复。进一步地，所述对位标记1015还可以对应所述第二开孔1092和/或所述第三开孔1093设置，以便于确定所述第二开孔1092和/或所述第三开孔1093的位置。
36.在一实施例中，任一所述像素单元包括至少一子像素单元，所述对位标记1015设置于相邻的两个所述子像素单元之间。也就是说，所述对位标记1015位于所述子像素单元的开孔区之外，并不会影响所述子像素单元的开孔区的大小。优选地，所述对位标记1015的长度l与所述第一开孔的宽度d相同。
37.在本技术中，所述栅极绝缘层104或所述层间绝缘层107的材料包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种。而本技术中的其他膜层的材料采用本领域常规材料即可，本技术不再赘述。
38.如图7所示，本技术还提供一种显示面板1，包括对置基板20以及与所述对置基板
20相对设置的所述阵列基板10。所述阵列基板10的具体结构参见上一实施例。
39.本技术中所述显示面板1可以应用于任意显示装置中，所述显示装置包括：可穿戴智能手环、智能手表、vr、移动电话机、电子书、电子报纸、电视机、个人便携电脑等，但不仅限于此。
40.综上，本技术中所述阵列基板10，具有多个像素单元，包括：衬底基板101、设置于所述衬底基板101的一侧的栅极102、设置于所述栅极102背离所述衬底基板101的一侧的源/漏电极106、设置于所述源/漏电极106背离所述栅极102的一侧的辅助电极层109、以及设置于所述辅助电极层109背离所述源/漏电极106的一侧的像素电极1011，所述像素电极1011分别与所述源/漏电极106和所述辅助电极层109电连接；其中所述辅助电极层109对应所述像素电极1011的位置设置有第一开孔1091。在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，由于所述像素电极1011对应位置并没有所述辅助电极层109，因而也就避免了所述像素电极1011与所述辅助电极层109之间发生短路。优选地，所述辅助电极层对应所述源/漏电极106的位置设置有第二开孔1092，以及所述辅助电极层对应所述栅极102的位置设置有第三开孔1093。在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，由于所述源/漏电极106对应位置并没有所述辅助电极层109，因而也就避免了所述源/漏电极106与所述辅助电极层109之间发生短路。在所述阵列基板10产生点位不良需要进行修复时，由于所述栅极102对应位置并没有所述辅助电极层109，因而也就避免了所述栅极102与所述辅助电极层109之间发生短路。
41.进一步地，所述阵列基板10还包括对位标记1015，所述对位标记1015与所述像素电极1011同层设置，且与所述第一开孔1091对应。所述对位标记1015的设置能够在所述像素电极1011的一侧就直接确定所述第一开孔1091的位置，从而在所述第一开孔1091的位置进行修复，有利于减小修复时产生的修复点位误差。
42.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
43.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板10及显示面板1进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
技术特征：1.一种阵列基板，具有多个像素单元，其特征在于，包括：衬底基板；辅助电极层，设置于所述衬底基板的一侧；以及像素电极，设置于所述辅助电极层背离所述衬底基板的一侧，且与所述辅助电极层电连接；其中所述辅助电极层对应所述像素电极的位置设置有第一开孔。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：源/漏电极，设置于所述辅助电极层靠近所述衬底基板的一侧，且与所述像素电极电连接；其中所述辅助电极层对应所述源/漏电极的位置设置有第二开孔。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：栅极，设置于所述衬底基板上，且位于所述源/漏电极靠近所述衬底基板的一侧；其中所述辅助电极层对应所述栅极的位置设置有第三开孔。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：公共电极，与所述栅极同层设置；栅极绝缘层，设置于所述栅极背离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述栅极；有源层，设置于所述栅极绝缘层与所述源/漏电极之间，且与所述源/漏电极电连接；层间绝缘层，设置于所述源/漏电极背离所述有源层的一侧；色阻层，设置于所述层间绝缘层与所述辅助电极层之间；以及平坦层，设置于所述辅助电极层背离所述色阻层的一侧；其中所述公共电极与所述像素电极电连接。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极通过第一过孔与所述源/漏电极电连接，所述像素电极通过第二过孔与所述辅助电极层电连接，所述像素电极通过第三过孔与所述公共电极电连接；其中所述第一过孔依次贯穿所述平坦层、所述色阻层以及所述层间绝缘层；所述第二过孔贯穿所述平坦层；所述第三过孔依次贯穿所述平坦层、所述色阻层、所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：对位标记，所述对位标记与所述像素电极同层设置，且与所述第一开孔对应。7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述对位标记与所述像素电极材料相同。8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，任一所述像素单元包括至少一子像素单元，所述对位标记设置于相邻的两个所述子像素单元之间。9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极为透明电极。10.一种显示面板，其特征在于，包括对置基板以及与所述对置基板相对设置的阵列基板；其中所述阵列基板为权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。
技术总结本申请公开了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板，具有多个像素单元，包括：衬底基板、设置于所述衬底基板的一侧的栅极、设置于所述栅极背离所述衬底基板的一侧的源/漏电极、设置于所述源/漏电极背离所述栅极的一侧的辅助电极层、以及设置于所述辅助电极层背离所述源/漏电极的一侧的像素电极，所述像素电极分别与所述源/漏电极和所述辅助电极层电连接；其中所述辅助电极层对应所述像素电极的位置设置有第一开孔。在所述阵列基板产生点位不良需要进行修复时，由于所述像素电极对应位置并没有所述辅助电极层，因而也就避免了所述像素电极与所述辅助电极层之间发生短路。素电极与所述辅助电极层之间发生短路。素电极与所述辅助电极层之间发生短路。
技术研发人员：王建兵 李毕荣 柴立
受保护的技术使用者：苏州华星光电技术有限公司
技术研发日：2022.07.21
技术公布日：2022/11/1
