1.本发明涉及硅片清洗领域，尤其涉及一种硅片清洗方法及装置、系统。
背景技术：2.硅片是制作光伏产品、晶体管和集成电路等产品的原料。在利用硅片进行生产的过程中，需要利用药液对硅片进行清洗，以清除硅片表面的杂质，避免因杂质的污染导致各种缺陷。
3.现有技术中，利用药液对硅片进行清洗时，药液中的杂质逐渐累积，会影响清洗的效果，因此，需要进行频繁的换液(即更换药液)，这造成了大量的能源和药液的损失，硅片清洗的成本较高。
技术实现要素：4.本发明提供一种硅片清洗方法及装置、系统，用以解决现有技术中存在的换液频繁，清洗成本较高的问题，有效延长了药液的使用时间，减少了换液的频率，节省了能源和药液，有效降低了硅片清洗的成本。
5.本发明提供一种硅片清洗方法，包括：
6.在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息；
7.基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量；
8.按照目标补液量向药液容器补充原液。
9.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量，包括：
10.获取预设的对应关系，对应关系包括每个补液级别对应的第二数量信息和补液量；补液级别中，每清洗预设片数的硅片补充一次原液，补液级别对应的第二数量信息用于表征预设片数；
11.基于第一数量信息以及对应关系，确定目标补液量。
12.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，基于第一数量信息以及对应关系，确定目标补液量，包括：
13.若第一数量信息为对应关系中的一个补液级别对应的第二数量信息的整数倍，将一个补液级别对应的补液量，作为目标补液量；
14.若第一数量信息为对应关系中的多个补液级别对应的第二数量信息的整数倍，将多个补液级别对应的第二数量信息最大的补液级别对应的补液量，作为目标补液量。
15.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，补液级别对应的第二数量信息越大，补液级别越高，补液量越大。
16.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，原液包括双氧水溶液和碱溶液；按照目标补液量向药液容器补充原液，包括：
17.若目标补液量对应的补液级别为最高级别，按照目标补液量向药液容器补充双氧水溶液和碱溶液的混合溶液；
18.若目标补液量对应的补液级别低于最高级别，按照目标补液量向药液容器补充双氧水溶液。
19.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，原液包括双氧水溶液，药液容器内的药液的温度为25-35摄氏度。
20.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，原液包括清洗剂；按照目标补液量向药液容器补充原液，包括：
21.按照目标补液量向药液容器补充清洗剂；
22.或者，按照目标补液量向药液容器补充清洗剂和碱溶液。
23.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，按照目标补液量向药液容器补充原液，包括：
24.控制设置于储液罐的进口的第一阀门开启，并控制抽液泵将原液抽取至储液罐中；
25.控制储液罐的出口的第二阀门开启，按照目标补液量将储液罐中的原液从出口补充至药液容器。
26.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，储液罐还设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于初始液位之上的第二液位传感器，第二液位传感器与第一液位传感器的高度差基于目标补液量确定；
27.控制抽液泵将原液抽取至储液罐中，包括：
28.当第二液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位时，关闭第一阀门；
29.按照目标补液量将储液罐中的原液从出口补充至药液容器，包括：
30.当第一液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，关闭第二阀门。
31.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，储液罐还设置有位于第一液位传感器之下的第三液位传感器和/或位于第二液位传感器之上的第四液位传感器，硅片清洗方法还包括：
32.当第三液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，发出报警信号；和/或，当第四液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位，发出报警信号。
33.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，利用循环泵和过滤装置将药液容器内的药液循环过滤。
34.根据本发明提供的一种硅片清洗方法，在基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量之前，还包括：
35.确定第一数量信息是否达到设定阈值；
36.若确定第一数量信息达到设定阈值，确定需要更换药液容器内的药液；
37.若确定第一数量信息未达到设定阈值，确定需要向药液容器内补充药液对应的原液。
38.本发明还提供一种硅片清洗装置，包括：
39.数量信息确定模块，用于在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息；
40.补液量确定模块，用于基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量；
41.补液模块，用于按照目标补液量向药液容器补充原液。
42.本发明还提供一种硅片清洗系统，包括药液容器和控制设备；
43.药液容器用于盛放清洗硅片的药液；
44.控制设备用于执行硅片清洗方法。
45.根据本发明提供的硅片清洗系统，
46.还包括：储液罐，抽液泵，设置于储液罐的进口的第一阀门和设置于储液罐的出口的第二阀门；
47.和/或，药液容器中设置有循环泵和过滤装置。
48.根据本发明提供的硅片清洗系统，储液罐上设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于初始液位之上的第二液位传感器，第二液位传感器与第一液位传感器的高度差基于目标补液量确定；
49.或者，储液罐上设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于初始液位之上的第二液位传感器，第二液位传感器与第一液位传感器的高度差基于目标补液量确定，储液罐还设置有位于第一液位传感器之下的第三液位传感器和/或位于第二液位传感器之上的第四液位传感器。
50.本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时实现如上述任一种硅片清洗方法。
51.本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种硅片清洗方法。
52.本发明还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种硅片清洗方法。本发明提供的硅片清洗方法，在硅片清洗过程中，结合表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息，合理确定所需的原液的目标补液量，基于此，对药液容器内的药液进行原液的补充，如此，采用合理补液的方式可以提升药液的清洗效果，从而延长药液的使用时长，无需频繁换液，减少了能源和药液的损失，降低了硅片清洗的成本。
附图说明
53.为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
54.图1是本发明提供的硅片清洗方法的流程示意图之一；
55.图2是本发明提供的硅片清洗方法的流程示意图之二；
56.图3是本发明提供的硅片清洗系统的结构示意图；
57.图4是本发明提供的硅片清洗方法的流程示意图之三；
58.图5是本发明提供的硅片清洗系统的结构示意图之二；
59.图6是本发明提供的硅片清洗装置的结构示意图；
60.图7是本发明提供的电子设备的结构示意图。
61.附图标记：
62.1：药液容器；2：观测管路；3：第四液位传感器；4：第二液位传感器；5：原液容器；6：第一液位传感器；7：第三液位传感器；8：第二阀门；9：第一阀门；10：储液罐；11：送液管道；12：抽液泵。
具体实施方式
63.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
64.硅片是制作光伏产品、晶体管和集成电路等产品的原料。在利用硅片进行生产的过程中，需要利用药液对硅片进行清洗，以清除硅片表面的杂质，避免因杂质的污染导致各种缺陷。
65.现有技术中，利用药液对硅片进行清洗时，药液中的杂质逐渐累积，会影响清洗的效果，因此，需要进行频繁的换液，这造成了大量的能源和药液的损失，硅片清洗的成本较高。
66.以单晶硅片为例，目前单晶硅片向大尺寸、薄片化快速发展，市场竞争激烈，低成本、高效率、高品质的光伏产品备受欢迎，清洗单晶硅片的主要流程包括超声溢流漂洗、清洗剂超声清洗、超声溢流漂洗、双氧水清洗(温度为45-65摄氏度(℃))和超声溢流漂洗，药液容器内的硅粉、颗粒杂质等随着清洗的进行不断累积，严重影响清洗硅片的效果，为此，每班或每日均需换液，造成部分能源、药液损失，清洗成本高。
67.为此，本发明提供了一种硅片清洗方法，可以通过结合表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息进行补液的方式延长清洗所用的药液的使用时长，提高了清洗效率和产能，进一步降低了硅片清洗环节的生产成本，硅片清洗方法可以应用于硅片清洗系统中，由硅片清洗系统中的软件和/或硬件执行，示例性的，可以由控制设备控制执行，该控制设备可以控制硅片清洗系统中的各个部分，该控制设备可以但不限于为手机、电脑、平板等具有控制功能的电子设备。
68.下面结合图1-图5详细描述本发明提供的硅片清洗方法。
69.图1是本发明提供的硅片清洗方法的流程示意图之一。
70.如图1所示，本实施例提供一种硅片清洗方法，该方法至少包括：
71.步骤101、在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息。
72.步骤102、基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量。
73.步骤103、按照目标补液量向药液容器补充原液。
74.其中药液容器为用于盛装药液的容器，在实际应用中，药液容器可以为药液槽。
75.其中，硅片可以为单晶硅片，也可以为多晶硅片。按照掺杂类型，硅片可以为n型硅片，也可以为p型硅片，例如，可以为n型单晶硅片或者p型单晶硅片。实际应用中，在药液容
器内放好药液之后，即可以将硅片一批一批的放入药液容器内清洗，药液容器内的药液的杂质逐渐累积，清洗效果随之降低，为了延长药液的使用时长，可以对药液对应的原液进行补充，也称补液。在实现本发明的过程中，发明人发现，药液的清洗效果与药液容器内的药液已清洗硅片的片数相关，药液容器内的药液已清洗硅片的片数越多，杂质累积的也越多，清洗效果也越差，可以结合已清洗硅片的片数，来合理确定原液的补液量以提升清洗效果，该补液量也即向药液中补充的原液的量，当前需要向药液中补充的原液的补液量，即目标补液量。补液量可以是补充的原液的体积与药液容器内的药液的体积的比值，一般药液容器内的药液的体积会维持在一个固定体积，例如固定体积为300升(l)，因此，以药液容器内的药液的体积为参考，来衡量补液量，非常准确，如果补液量为1％，则需要补充的原液的体积为药液容器内的药液的体积与补液量的乘积，例如，300l*1％＝3l。
76.第一数量信息可以表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数，该第一数量信息可以是药液容器内的药液已清洗硅片的片数本身，也可以是药液容器内的药液已清洗硅片的批次，可以设置清洗的每批硅片的片数相同，药液容器内的药液已清洗硅片的批次与每批硅片的片数的乘积即为药液容器内的药液已清洗硅片的片数。举例来说，药液容器内的药液已清洗硅片的片数为3.2万片，第一数量信息可以为3.2万片，也可以为80批次，相应的，每批硅片的片数为400片。
77.实施中，药液容器内可以安装感应装置，该感应装置用于在每批硅片进入药液容器内清洗时产生检测到硅片的感应信号。基于此，确定第一数量信息，具体可以包括：当感应装置产生检测到硅片的感应信号时，记录的药液容器内的药液已清洗硅片的批次加1；将当前药液容器内的药液已清洗硅片的批次作为第一数量信息。如此，可以自动确定第一数量信息，利于提高清洗效率。
78.药液容器内安装的感应装置包括但不限于红外线感应器、电磁感应器或者光感应器，等等。示例性的，药液容器内安装的为红外线感应器，每当硅片进入药液容器内时触发红外线感应器，视为进行一批硅片的清洗，记录的药液容器内的药液已清洗硅片的批次加1。
79.需要说明的是，也可以通过其它方式确定第一数量信息，例如，可以获取用户输入的第一数量信息，等等。第一数量信息也可以是其它的能够表征已清洗硅片的片数的信息，例如药液容器内的药液的清洗时长，等等。由于在硅片清洗过程中会不可避免的产生一部分杂质并对药液进行一定的消耗，现有技术中是直接将药液进行整体的更换，而本实施例中，在硅片清洗过程中，结合表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息，合理确定所需的原液的目标补液量，基于此，对药液容器内的药液进行原液的补充，如此，采用合理补液的方式可以提升药液的清洗效果，延长药液的使用时长，无需频繁换液，减少了能源和药液的损失，降低了硅片清洗的成本。
80.在示例性实施例中，基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量，如图2所示，具体实施方式可以包括：
81.步骤201、获取预设的对应关系，对应关系包括每个补液级别对应的第二数量信息和补液量；补液级别中，每清洗预设片数的硅片补充一次原液，补液级别对应的第二数量信息用于表征预设片数；步骤202、基于第一数量信息以及对应关系，确定目标补液量。
82.在本实施例中，不同的补液级别，预设片数不同。第二数量信息可以为预设片数本
身，也可以为表征预设片数的硅片的批次，等等。举例来说，预设片数为1.6万片，第二数量信息可以为1.6万片，也可以为40批次，相应的，每批硅片的片数为400片。
83.补液级别用于反映每补充一次原液所需要的补液量的大小的程度，可以设置需要的补液量越大，补液级别越高。考虑到第一数量信息越大，也就是说清洗的硅片的片数越多，清洗效果降低越明显，可以增大补液量，以有效提升清洗效果，基于此，补液级别对应的第二数量信息越大，补液级别越高，补液量越大。
84.补液级别的数量可以根据实际情况设置，示例性的，可以设置两个补液级别，包括一级补液和二级补液，二级补液对应的补液量高于一级补液，那么，一级补液也称小补液，二级补液也称大补液。当然，也可以根据实际情况设置更多的补液级别。
85.本实施例中，设置了多个补液级别，可以按照第二数量信息，进行多级补液，补液量更加合理，并且多个补液级别循环补液，进一步节省了药液和能源。
86.示例性的，若补液级别低于最高级别，对应的补液量则可以小于药液容器内的药液所加入原液的初始量，若补液级别为最高级别，对应的补液量可以为药液容器内的药液所加入原液的初始量，如此，补液级别达到最高级别时，虽然杂质增多，但是补液量增大到初始量，再加上溶液中原来已加入的原液，可以使得清洗效果得到有效保障。
87.具体的，基于第一数量信息以及对应关系，确定目标补液量，可以包括：
88.若第一数量信息为对应关系中的一个补液级别对应的第二数量信息的整数倍，将一个补液级别对应的补液量，作为目标补液量；
89.若第一数量信息为对应关系中的多个补液级别对应的第二数量信息的整数倍，将多个补液级别对应的第二数量信息最大的补液级别对应的补液量，作为目标补液量。
90.另外，需要说明的是，若第一数量信息不是任何补液级别对应的第二数量信息的整数倍，则不进行补液。
91.仍以设置一级补液和第二补液两个补液级别举例来说，若一级补液对应的第二数量信息为3.2万片，一级补液对应的补液量为1％，二级补液对应的第二数量信息为12.8万片，二级补液对应的补液量为2％，当第一数量信息为一级补液对应的第二数量信息的整数倍时，例如，第一数量信息为3.2万片，则将一级补液对应的补液量作为目标补液量，当第一数量信息同时为一级补液和二级补液对应的第二数量信息的整数倍时，例如，第一数量信息为12.8万片，将二级补液对应的补液量作为目标补液量；当第一数量信息既不是一级补液对应的第二数量信息的整数倍也不是二级补液对应的第二数量的整数倍，例如，第一数量信息为1.6万片，不进行补液。
92.本实施例中，在第一数量信息同时满足多个级别补液的要求时，只进行最高级别的补液，通过这样的方式可以有效避免重复补液，避免资源的浪费。
93.实际应用中，药液的原液可以根据硅片的清洗需求选择。示例性的，药液容器用于对硅片进行双氧水清洗，药液容器的原液可以包括双氧水溶液，还可以包括碱溶液(例如氢氧化钾溶液等)。
94.相应的，目标补液量至少包括双氧水溶液的目标补液量，还可以包括碱溶液的目标补液量。
95.相应的，按照目标补液量向药液容器补充原液，具体可以包括：
96.若目标补液量对应的补液级别为最高级别，按照目标补液量向药液容器补充双氧
水溶液和碱溶液的混合溶液；
97.若目标补液量对应的补液级别低于最高级别，按照目标补液量向药液容器补充双氧水溶液。
98.原液为双氧水溶液和氢氧化钾溶液时，药液容器内工作原理为：利用双氧水的氧化性将硅片表面的硅氧化成二氧化硅，然后利用氢氧化钾的强腐蚀性将二氧化硅腐蚀成可溶性的硅酸钾，经过双氧水氧化和氢氧化钾腐蚀的过程后，可以有效的将硅片表面细小的划痕、划伤等去除掉，并且还可以将划痕内潜藏的杂质暴露出来将其彻底清除干净。
99.现有技术中，采用双氧水清洗硅片时，采用高温清洗，需要加热至高温45-65℃，由于双氧水加热易分解形成大量泡沫，泡沫会导致硅片脏污，影响硅片的清洗效果，因此在后续流程中需要加大清洗力度，会导致各项成本的提高，为此，发明人改进了双氧水清洗的方式，若药液容器中的药液的原液包括双氧水溶液，药液容器内的药液的温度为常温，示例性的，药液容器内的药液的温度为25-35℃，如此，在清洗过程中，药液容器内的药液不进行加热，与现有技术的高温清洗相比，本实施例中，采用双氧水清洗硅片时，进行低温清洗，避免了高温造成的双氧水快速分解，减少泡沫的产生，如此，在良好实现对硅片表面进行杀菌清洁等目标的同时，减缓药液不必要的分解速率和减轻后续流程的工作压力，可以提高硅片最终表面清洁度，为提升基于硅片制作的电池效率打下良好基础。
100.下面以原液包括双氧水溶液和氢氧化钾溶液为例，示意上述对应关系，参见表1。不同浓度的原液，相应的补液量不同，这里，以浓度30％的双氧水溶液和浓度45％的氢氧化钾溶液进行举例,补液量为浓度30％的双氧水溶液的体积与药液容器内的药液的体积的比值。
101.表1原液包括双氧水溶液和氢氧化钾溶液时的对应关系
[0102][0103][0104]
从上表1可以看出，当目标补液量对应的补液级别为最高级别即二级补液时，补液量包括双氧水溶液和氢氧化钾溶液二者的补液量，具体而言为：浓度30％的双氧水溶液补液量为2％-3％，浓度45％的氢氧化钾溶液补液量为0.5％-0.75％。当目标补液量对应的补液量低于最高级别如一级补液时，只补充双氧水溶液，即补液量只包括浓度30％的双氧水溶液1％-1.5％。
[0105]
在本实施例中，由于双氧水槽内氢氧化钾溶液的消耗很少，所以在一级补液时不需要对氢氧化钾溶液进行补充，二级补液时也只补充少量的氢氧化钾溶液，这样合理的补充原液可以很大程度上避免资源的浪费。
[0106]
或者，药液容器用于对硅片进行清洗剂清洗，药液容器的原液也可以包括清洗剂，或者包括清洗剂和碱溶液。
[0107]
基于此，按照目标补液量向药液容器补充原液，具体可以包括：按照目标补液量向药液容器补充清洗剂；或者，按照目标补液量向药液容器补充清洗剂和碱溶液。
[0108]
在示例性实施例中，清洗剂选用的是多组分清洗剂，示例性的，清洁剂包括清洗剂a液和清洗剂b液。清洗剂a液包括络合剂，络合剂用于络合沉淀药液容器内的金属原子、金属离子以及其他杂质，变成稳定的、分子量更大的化合物，使金属原子和金属离子生成性质完全不同的络合物，便于通过循环泵和过滤装置将杂质除去。清洗剂b液包括表面活性剂和碱溶液，其中表面活性剂通过乳化、润湿、增溶等作用机理，可以有效清洗去除硅片表面的蜡、油脂等疏水性杂质，此外表面活性剂还能起到分散作用，可以有效的将药液容器内药液中的有效成分分散开来，增强清洗效果；碱溶液则主要是起到帮助溶解油脂的作用。
[0109]
此外，清洗剂清洗还可以使用单组分清洗剂，单组分清洗剂即将络合剂、表面活性剂以及碱溶液等有效组分混合在一起使用，并不区分清洗剂a液和清洗剂b液。虽然单组分清洗剂中已经包含碱溶液的组分，但是，由于碱的浓度过高会导致其析出，单组分清洗剂中的强碱溶度是较低的，不足以满足清洗剂清洗的要求，因此，在使用清洗剂清洗的过程中，还需要额外添加一定量的碱溶液以对碱浓度进行一定的补充。
[0110]
下面以原液包括清洗剂为例，示意上述对应关系，该清洗剂包括清洗剂a液和清洗剂b液，参见表2。
[0111]
表2原液包括清洗剂时的对应关系
[0112][0113]
从上表2可以看出，二级补液的清洗剂a液的补液量大于一级补液的清洗剂a液的补液量，二级补液的清洗剂b液的补液量大于一级补液的清洗剂b液的补液量，从而可以提升清洗效果。
[0114]
实际应用中，可以人工补液，为了增加补液的准确性、及时性，降低员工劳动强度与安全风险，还可以进行自动补液，本发明提供了可以实现自动补液的硅片清洗系统，下面结合图3所示的硅片清洗系统的结构示意图对上述自动补液进行详细介绍。
[0115]
参见图3，本实施例提供的硅片清洗系统可以包括药液容器1、原液容器5和控制设备；药液容器1用于盛放清洗硅片的药液，原液容器5用于盛放药液的原液，在实际应用中，原液容器可以为原液槽。
[0116]
在示例性实施例中，硅片清洗系统还可以包括：储液罐10和抽液泵12；设置于储液罐10的进口的第一阀门9；设置于储液罐10的出口的第二阀门8。
[0117]
其中，储液罐10用于盛放向药液容器内补充的原液。抽液泵12用于在第一阀门开启状态下，从原液容器5中抽取原液并运送至储液罐10。具体的，抽液泵12通过送液管道11
与储液罐10的进口连通。抽液泵12将从原液容器5中抽取的原液通过送液管道11运送至储液罐10。在第二阀门开启状态下，储液罐10中的原液可以流入原液容器5中。
[0118]
第一阀门和第二阀门具体可以为电磁阀。第一阀门和第二阀门与控制设备连接。抽液泵与控制设备连接。
[0119]
基于此，在示例性实施例中，如图4所示，按照目标补液量向药液容器补充原液具体可以包括：
[0120]
步骤401、控制设置于储液罐的进口的第一阀门开启，并控制抽液泵将原液抽取至储液罐中；
[0121]
步骤402、控制储液罐的出口的第二阀门开启，按照目标补液量将储液罐中的原液从出口补充至药液容器。
[0122]
本实施例中，通过设置储液罐，便于控制按照目标补液量精准的向药液容器内进行补液。
[0123]
实际应用中，储液罐的进口可以设置在储液罐的上方，储液罐的出口可以设置在储液罐的下方，这样，当设置于储液罐出口的第二阀门打开后，储液罐内的药液原液即可在重力的作用下自由流下，而不需再额外提供动力来源，节省能源。
[0124]
参见图3，储液罐10上设置有位于初始液位的第一液位传感器6以及位于初始液位之上的第二液位传感器4，第二液位传感器4与第一液位传感器6的高度差基于目标补液量确定。
[0125]
在本实施例中，储液罐10具有观测管路2，观测管路的第一端与储液罐的顶部连通，第二端与储液罐的底部连通。观测管路的材质可以为透明材质，例如，观测管路选用的是透明pp管，在其他实施例中观测管路也可以选用其他材质。观测管路2与储液罐10的上下相连，内部空气压力一致，液位高度也相同，第一液位传感器6和第二液位传感器4设置于储液罐10的观测管路2上。
[0126]
实际应用中，第二液位传感器4与第一液位传感器6之间的高度差是基于目标补液量确定的。示例性的，储液罐10为圆柱形，因此，高度差的具体计算方式可以为：使用目标补液量对应的实际需要进行补充的原液的体积除以储液罐10的内横截面积，得到目标补液量所对应的高度差。
[0127]
下面举例来说明高度差的计算方法：
[0128]
假设第二液位传感器所对应的目标补液量为1％，在药液容器内药液的体积为300l的前提下，实际需要进行补充的原液的体积为300l*1％＝3l，即3000立方厘米(cm3)，再假设储液罐为标准的圆柱体，其内表面横截面积为1000平方厘米(cm2)，则此目标补液量所对应的高度为3000cm3/1000cm2＝3厘米(cm)，在第一液位传感器的位置已经确定的前提下，那么，第二液位传感器和第一液位传感器的高度差即是3cm。
[0129]
值得注意的是，由于储液罐10一侧安装有观测管路2，因此使用上述计算方式计算得到的高度差也会存在少许误差，本实施例提供的误差补偿方法为：
[0130]
补液之前，将储液罐10中的与目标补液量对应的原液收集，并计量其与所需的目标补液量之间的误差值，若误差值大于或者等于预设误差值，根据误差值再次调整第一液位传感器6和第二液位传感器4之间的高度差；重复上述步骤，直至误差值小于预设误差值。
[0131]
其中，预设误差值可以根据实际需要设置，示例性的，该预设误差值为0.1l。
[0132]
由于本发明提供的补液方法可以提供多个补液级别，各补液级别的补液量不同，因此，可以针对每个补液级别设置补液级别对应的第二液位传感器。
[0133]
第一液位传感器与第二液位传感器均与控制设备连接。
[0134]
那么，控制抽液泵将原液抽取至储液罐中，具体可以包括：当第二液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位时，关闭第一阀门。按照目标补液量将储液罐中的原液从出口补充至药液容器，具体可以包括：当第一液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，关闭第二阀门。
[0135]
当需要向药液容器内进行补充药液时，先将药液原液添加至储液罐中，储液罐中的第二液位传感器一开始检测不到液位，储液罐中的原液的液位随着原液的添加逐渐上升，直到上升至第二液位传感器的安装位置处时，第二液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位，其向控制设备发送信号，此时，控制设备控制关闭第一阀门，停止向储液罐中补充原液。之后，控制设备控制开启第二阀门，储液罐中的原液在重力的作用下经由第二阀门流出，原液的液位又开始下降，直到下降至第一液位传感器的安装位置，当液位刚刚到达第一液位传感器时，第一液位传感器是可以感受到液位的，但是下一时刻，液位便下降到了第一液位传感器之下，第一液位传感器便感应不到液位了，第一液位传感器向控制设备发送信号，此时，控制设备控制关闭第二阀门，储液罐中的原液停止下流，结束此次补液。
[0136]
参见图3，储液罐10在第一液位传感器6之下还可以设置有第三液位传感器7，在第二液位传感器4之上还可以设置有第四液位传感器3。
[0137]
第三液位传感器与第四液位传感器均与控制设备连接。
[0138]
那么，硅片清洗方法还可以包括：
[0139]
当第三液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，发出报警信号；和/或，当第四液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位，发出报警信号。
[0140]
第三液位传感器7和第四液位传感器3均是为了防止发生故障而设置的，正常情况下，储液罐10中的药液的原液在补液的过程中，液位上升到第二液位传感器4后就会触发第二液位传感器4以关闭第一阀门9停止注液，在液位下降到第一液位传感器6后就会触发第一液位传感器6以关闭第二阀门8，但是，如果出现意外情况，如第一液位传感器6发生故障，则可能导致向药液容器1内补加的药液的原液的目标补液量不准确，当第二液位传感器4发生故障时，储液罐10中的原液可能会过多，为此，本实施例提供了第三液位传感器7和第四液位传感器，分别设置于第一液位传感器6对应的液位以下和第二液位传感器4对应的液位以上，当第三液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，可以发出报警信号，当第四液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位，可以发出报警信号，提示工作人员补液发生异常。
[0141]
上文的第一液位传感器、第二液位传感器、第三液位传感器、第四液位传感器可以但不限于为光学传感器、电磁传感器或者红外线传感器，本实施例中所使用的为红外线传感器，当储液罐内的液体液位到达红外线传感器时，红外线传感器所接收到的信号出现变化，红外线传感器即发送信号给控制设备，由控制设备根据信号控制硅片清洗系统的运作，变化包括：从感应不到液位变化为感应到液位和从感应到液位变化为感应不到液位。
[0142]
在示例性实施例中，药液容器1中还可以设置有循环泵和过滤装置。循环泵和过滤装置与控制设备连接。基于此，在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，利用循环泵和
过滤装置将药液容器内的药液循环过滤。
[0143]
其中，循环泵和过滤装置的具体结构可以参考相关技术实施，此处不做赘述。循环泵和过滤装置与控制设备连接。
[0144]
随着药液容器内的药液不断地使用，清洗硅片产生的杂质也在不断的在药液容器内进行累积，本实施例提供的清洗方法通过多级补液的方式解决了药液浓度降低的问题，但是杂质依旧在药液容器内累积，为此本实施例提供了循环泵和过滤装置，循环泵设置于药液容器内，不断的将药液容器内的药液抽出送入过滤装置中滤去杂质，过滤去除杂质的药液再通过循环泵输送回药液容器中，可增加药液均匀性和洁净度，从而进一步提升清洗效果。
[0145]
值得注意的是，在步骤101之后，步骤102之前还包括如下步骤：确定第一数量信息是否达到设定阈值；
[0146]
若确定第一数量信息达到设定阈值，确定需要更换药液容器内的药液；
[0147]
若确定第一数量信息未达到设定阈值，确定需要向药液容器内补充药液对应的原液。
[0148]
其中，设定阈值的具体值可以根据实际需要设置。
[0149]
举例来说，设定阈值为102.4万片，若确定第一数量信息达到102.4万片，则可以进行换液。
[0150]
本实施例中，当硅片清洗较少时，即第一数量信息未达到设定阈值时，可以通过向药液容器内补充药液对应的原液，来提升清洗效果，当硅片清洗较多时，累积的杂质到一定程度，补液的方式对清洗效果的提升可能会降低，可以通过对药液容器内的药液进行换液，彻底更换药液从而彻底除去杂质，以保证清洗效果。
[0151]
需要说明的是，药液容器内还安装有第五液位传感器。第五液位传感器设置于药液容器的药液的体积为上述固定体积时的位置。若第五液位传感器感应到药液容器内的药液的液位下降，则进行补水，使药液容器内的药液的体积保持稳定，以此方式避免药液容器内的药液的体积由于清洗的进行而大幅度减少，一定程度上可以缓解由于药液的消耗带来的清洗效果变差的问题。
[0152]
第五液位传感器与上文第一液位传感器、第二液位传感器、第三液位传感器、第四液位传感器同样可以但不限于为光学传感器、电磁传感器或者红外线传感器，本实施例中第五液位传感器所使用的同样为红外线传感器，举例来说，药液容器内的药液的体积需要控制在300l，当第五液位传感器感应到药液容器内的药液的液位所表征的药液的体积低于300l时，则会向控制设备发送信号，由控制设备控制向药液容器内补水，当第五液位传感器感应到药液容器内的药液的液位所表征的药液的体积达到300l时，再次向控制设备发送信号，控制设备控制停止向药液容器内补水。
[0153]
下面以n型单晶硅片为例对硅片清洗方法进行更加详细地说明。
[0154]
在本实施例中，药液容器为药液槽。相应的，药液容器用于使用清洗剂对硅片进行清洗时，可以称为清洗剂槽。溶液容器用于使用双氧水溶液和碱溶液的混合溶液对硅片进行清洗时，可以称为双氧水槽。
[0155]
图5是本实施例提供的硅片清洗系统，包括上料槽、清洗剂槽、漂洗槽、双氧水槽、慢提拉槽和烘箱。
[0156]
其中，上料槽用于将待清洗的硅片传送至此硅片清洗系统中，并且在上料槽中对待清洗的硅片进行溢流漂洗；漂洗槽用于对硅片进行溢流漂洗；慢提拉槽用于对硅片进行慢提拉溢流漂洗，慢提拉溢流漂洗和上述溢流漂洗的区别在于温度高并且提拉速率慢，便于硅片进行脱水干燥，利于后续的烘干步骤。烘箱用于对硅片进行烘干，除去硅片表面因清洗而附着的水分。其中，清洗剂槽和双氧水槽均设置有如上文的循环泵和过滤装置以对药液进行循环过滤除去杂质。基于如图5所示的硅片清洗系统，本实施例提供的n型单晶硅片的清洗方法，包括：
[0157]
第一步、溢流漂洗。
[0158]
具体的，在上料槽中使用纯水对n型单晶硅片进行2次溢流漂洗，溢流漂洗的温度为40-60℃，溢流漂洗的时间为160-200秒(s)，溢流漂洗过程中开启超声波，超声波频率为20-40千赫兹(khz)，溢流量为8-15升每分钟(l/min)。示例性的，溢流漂洗的温度为50℃，溢流漂洗的时间为180s，超声波频率为30khz，溢流量为11l/min。
[0159]
第二步、清洗剂清洗。
[0160]
具体的，在清洗剂槽中使用双组份清洗剂和纯水进行3次清洗剂清洗，清洗剂的初始量是，清洗剂a液的体积占比为1％-2％，清洗剂b液的体积占比为0.5％-1％。这里的体积占比是指在清洗剂槽的药液的体积中的占比。清洗温度为45-55℃，清洗时间为160-200s，清洗过程中开启超声波，超声波频率为20-40khz，示例性的，清洗剂a液的体积占比为2％，清洗剂b液的体积占比为1％，清洗温度为50℃，清洗时间为180s，超声波频率为30khz。
[0161]
在清洗剂清洗的过程中使用循环泵和过滤装置对清洗剂槽内的药液进行循环过滤，清洗剂槽内还安装有第五液位传感器，以对清洗剂槽进行实时补水，使清洗剂槽内的药液的体积控制在一定的值，示例性的，将清洗剂槽内的药液控制在300l。并且，在清洗的过程中，根据已清洗的硅片的片数进行多级补液，补液方式可以参见上表2对应的实施例，具体为，每清洗3.2万片硅片进行一级补液，每清洗12.8万片进行二级补液，其中，一级补液时，补充的清洗剂a液的体积为清洗剂槽内的药液的体积的0.5％-1％，即补液量，补充的清洗剂b液的体积为清洗剂槽内的药液的体积的0.25％-0.5％，示例性的，补充的清洗剂a液的体积为清洗剂槽内的药液的体积的1％(即300l*1％＝3l)，补充的清洗剂b液的体积为清洗剂槽内的药液的体积的0.5％；其中，二级补液时，补充的清洗剂a液的体积为清洗剂槽内的药液的体积的1％-2％，补充的清洗剂b液的体积为清洗剂槽内的药液的体积的0.5％-1％，示例性的，补充的清洗剂a液的体积为清洗剂槽内的药液的体积的2％，补充的清洗剂b剂的体积为清洗剂槽内的药液的体积的1％。此外，在清洗剂清洗的过程中每清洗102.4万片硅片，对清洗剂槽内的药液进行重新配液。
[0162]
本步骤中，进行补液时，采用图3所示的储液罐10、抽液泵12、第一阀门9、第二阀门8、第一液位传感器6、第二液位传感器4、原液容器5、第三液位传感器7、第四液位传感器3、送液管道11形成的自动补液装置进行自动补液，具体的实现方式可以参考以上相关实施例，此处不做赘述。
[0163]
清洗剂槽内可以安装感应装置，当感应装置产生检测到硅片的感应信号时，记录的清洗剂槽内的药液已清洗硅片的批次加1；将当前清洗剂槽内的药液已清洗硅片的批次作为第一数量信息，该第一数量信息能够反映已清洗的硅片的片数。清洗硅片时，硅片放入花篮中，花篮放入清洗剂槽中进行清洗。1批次硅片的片数为1批次的花篮数与每个花篮中
的硅片的片数的乘积。对于每个补液级别，完成一次补液后，统计补液之后清洗的硅片的批次并显示，再完成一次补液后，自动清零，重新统计补液之后清洗的硅片的批次并显示。
[0164]
第三步、溢流漂洗。
[0165]
具体的，清洗剂清洗结束后，使用漂洗槽对硅片进行一次溢流漂洗，温度为40-60℃，时间为160-200s，溢流漂洗过程中开启超声波，超声波频率为20-40khz，溢流量为8-15l/min。示例性的，溢流漂洗的温度为50℃，溢流漂洗的时间为180s，超声波频率为30khz，溢流量为11l/min。
[0166]
第四步、双氧水清洗。
[0167]
具体的，在双氧水槽中使用双氧水溶液和氢氧化钾溶液进行双氧水清洗，所选用的药液的原液为浓度30％的双氧水溶液和浓度45％的氢氧化钾溶液，浓度30％的双氧水溶液和浓度45％的氢氧化钾溶液的初始量是，浓度30％的双氧水溶液的体积占比为4％-6％，浓度45％的氢氧化钾溶液的体积占比为1％-1.5％。这里的体积占比是指在双氧水槽的药液的体积中的占比。双氧水清洗过程中采用25-35℃的常温温度，清洗时间为160-200s，示例性的，浓度30％的双氧水体积占比为5％，浓度45％的氢氧化钾溶液体积占比为1.25％，双氧水清洗过程中采用30℃的常温温度，清洗时间为180s。
[0168]
在双氧水清洗的过程中使用循环泵和过滤装置对双氧水槽内的药液进行循环过滤，双氧水槽内还安装有第五液位传感器，以对双氧水槽进行实时补水，使双氧水槽内的药液的体积控制在一定的值，示例性的，将双氧水槽内的药液控制在300l。并且，在清洗的过程中，根据已清洗的硅片的片数进行多级补液，补液方式可以参见上表1对应的实施例，具体为，每清洗1.6万片硅片进行一级补液，每清洗12.8万片进行二级补液，其中一级补液只补充浓度30％的双氧水溶液，补充的浓度30％的双氧水溶液的体积为双氧水槽内的药液的体积的1％-1.5％，即补液量，示例性的，补充的浓度30％的双氧水溶液的体积为双氧水槽内的药液的体积的1.25％(即300l*1.25％＝3.75l)；其中，二级补液时，补充的浓度30％的双氧水溶液的体积为双氧水槽内的药液的体积的2％-3％，补充的浓度45％的氢氧化钾溶液的体积为双氧水槽内药液的体积的0.5％-0.75％，示例性的，补充的浓度30％的双氧水溶液的体积为双氧水槽内的药液的体积的2.5％，补充的浓度45％的氢氧化钾溶液的体积为双氧水槽内的药液的体积的0.625％。此外在双氧水清洗的过程中每清洗102.4万片硅片，对双氧水槽内的药液进行重新配液。
[0169]
本步骤中，进行补液时，采用图3所示的储液罐10、抽液泵12、第一阀门9、第二阀门8、第一液位传感器6、第二液位传感器4、原液容器5、第三液位传感器7、第四液位传感器3、送液管道11形成的自动补液装置进行自动补液，具体的实现方式可以参考以上相关实施例，此处不做赘述。
[0170]
双氧水槽内可以安装感应装置，当感应装置产生检测到硅片的感应信号时，记录的双氧水槽内的药液已清洗硅片的批次加1；将当前双氧水槽内的药液已清洗硅片的批次作为第一数量信息，该第一数量信息能够反映已清洗的硅片的片数。清洗硅片时，硅片放入花篮中，花篮放入双氧水槽中进行清洗。1批次硅片的片数为1批次的花篮数与每个花篮中的硅片的片数的乘积。对于每个补液级别，完成一次补液后，统计补液之后清洗的硅片的批次并显示，再完成一次补液后，自动清零，重新统计补液之后清洗的硅片的批次并显示。
[0171]
第五步、溢流漂洗。
[0172]
具体的，双氧水清洗结束后再次使用漂洗槽进行3次溢流漂洗，漂洗槽内为纯水，示例性的，温度为40-60℃，清洗时间为160-200s，超声波频率为20-40khz，溢流量为8-15l/min。
[0173]
第六步、慢提拉溢流漂洗。
[0174]
具体的，在慢提拉槽中使用纯水进行一次慢提拉溢流漂洗，慢提拉溢流漂洗的温度为70-80℃，时间为160-200s，溢流量为8-15l/min，慢提拉提升速度为10-15厘米每分钟(cm/min)，慢提拉溢流漂洗的过程中使用超声波，超声波频率为20-40khz，示例性的，慢提拉溢流漂洗的温度为75℃，溢流漂洗的时间为180s，超声波频率为30khz，溢流量为11l/min，慢提拉速度为13cm/min。慢提拉溢流漂洗的目的在于预脱水，便于后续进行烘干步骤。
[0175]
第七步、烘箱烘干。
[0176]
具体的，慢提拉溢流漂洗结束后使用烘箱烘干，烘箱温度为90-110℃，烘干时间为400-600s，示例性的，烘箱的温度为100℃，烘干时间为500s。
[0177]
根据硅片规格设定，烘干后的硅片即可进行分选、包装操作。
[0178]
本实施例的方案至少具有以下有益效果：
[0179]
1、通过对清洗剂槽和双氧水槽的药液进行循环过滤，可增加药液均匀性和洁净度，延长换液时间，采用多级补液进行循环补液的方式，可降低10％-15％药液使用量，降低15％-25％因换液加热造成电能消耗及5％-10％的纯水消耗，节省时间40-60min，提高3％-5％的清洗产能。
[0180]
2、双氧水槽不进行加热，可有效降低双氧水分解，大幅减少泡沫的产生，可降低溢流量，节省10％-15％的纯水和10％-20％电能消耗。
[0181]
3、采用自动补液方式进行，可增加补液的准确性、及时性，降低员工劳动强度与安全风险。
[0182]
下面对本发明提供的硅片清洗装置进行描述，下文描述的硅片清洗装置与上文描述的硅片清洗方法可相互对应参照。
[0183]
图6是本发明提供的硅片清洗装置的结构示意图。
[0184]
如图6所示，本实施例提供一种硅片清洗装置，包括：
[0185]
数量信息确定模块601，用于在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息；
[0186]
补液量确定模块602，用于基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量；
[0187]
补液模块603，用于按照目标补液量向药液容器补充原液。
[0188]
在示例性实施例中，补液量确定模块，具体用于：获取预设的对应关系，对应关系包括每个补液级别对应的第二数量信息和补液量；补液级别中，每清洗预设片数的硅片补充一次原液，补液级别对应的第二数量信息用于表征预设片数；
[0189]
基于第一数量信息以及对应关系，确定目标补液量。
[0190]
在示例性实施例中，补液量确定模块，具体用于：
[0191]
若第一数量信息为对应关系中的一个补液级别对应的第二数量信息的整数倍，将一个补液级别对应的补液量，作为目标补液量；
[0192]
若第一数量信息为对应关系中的多个补液级别对应的第二数量信息的整数倍，将
多个补液级别对应的第二数量信息最大的补液级别对应的补液量，作为目标补液量。
[0193]
在示例性实施例中，原液包括双氧水溶液和碱溶液，补液模块具体用于：若目标补液量对应的补液级别为最高级别，按照目标补液量向药液容器补充双氧水溶液和碱溶液的混合溶液；
[0194]
若目标补液量对应的补液级别低于最高级别，按照目标补液量向药液容器补充双氧水溶液。
[0195]
在示例性实施例中，原液包括双氧水溶液，药液容器内的药液的温度为25-35摄氏度。
[0196]
在示例性实施例中，补液模块具体用于：
[0197]
按照目标补液量向药液容器补充清洗剂；
[0198]
或者，按照目标补液量向药液容器补充清洗剂和碱溶液。
[0199]
在示例性实施例中，补液模块具体用于：
[0200]
控制设置于储液罐的进口的第一阀门开启，并控制抽液泵将原液抽取至储液罐中；
[0201]
控制储液罐的出口的第二阀门开启，按照目标补液量将储液罐中的原液从出口补充至药液容器。
[0202]
在示例性实施例中，储液罐还设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于初始液位之上的第二液位传感器，第二液位传感器与第一液位传感器的高度差基于目标补液量确定；
[0203]
补液模块具体用于：
[0204]
当第二液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位时，关闭第一阀门；
[0205]
按照目标补液量将储液罐中的原液从出口补充至药液容器，包括：
[0206]
当第一液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，关闭第二阀门。
[0207]
在示例性实施例中，储液罐还设置有位于第一液位传感器之下的第三液位传感器和/或位于第二液位传感器之上的第四液位传感器，补液模块还用于：
[0208]
当第三液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，发出报警信号；和/或，当第四液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位，发出报警信号。
[0209]
在示例性实施例中，还包括循环过滤模块；
[0210]
循环过滤模块，用于在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，利用循环泵和过滤装置将药液容器内的药液循环过滤。
[0211]
在示例性实施例中，还包括确定模块，确定模块用于在基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量之前，确定第一数量信息是否达到设定阈值；若确定第一数量信息达到设定阈值，确定需要更换药液容器内的药液；若确定第一数量信息未达到设定阈值，确定需要向药液容器内补充药液对应的原液。
[0212]
下面对本发明提供的硅片清洗系统进行描述，下文描述的硅片清洗系统与上文描述的硅片清洗方法可相互对应参照。
[0213]
本实施例提供的一种硅片清洗系统，包括：药液容器和控制设备；
[0214]
药液容器用于盛放清洗硅片的药液；
[0215]
控制设备用于执行如以上任一实施例所提供的硅片清洗方法。
[0216]
在示例性实施例中，还包括：储液罐和抽液泵；
[0217]
设置于储液罐的进口的第一阀门；
[0218]
设置于储液罐的出口的第二阀门。
[0219]
在示例性实施例中，储液罐上设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于初始液位之上的第二液位传感器，第二液位传感器与第一液位传感器的高度差基于目标补液量确定。
[0220]
在示例性实施例中，储液罐还设置有位于第一液位传感器之下的第三液位传感器和/或位于第二液位传感器之上的第四液位传感器。
[0221]
在示例性实施例中，药液容器中设置有循环泵和过滤装置。
[0222]
图7示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图7所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)710、通信接口(communications interface)720、存储器(memory)730和通信总线740，其中，处理器710，通信接口720，存储器730通过通信总线740完成相互间的通信。处理器710可以调用存储器730中的逻辑指令，以执行硅片清洗方法，该方法包括：
[0223]
在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息；
[0224]
基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量；
[0225]
按照目标补液量向药液容器补充原液。
[0226]
此外，上述的存储器730中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0227]
另一方面，本发明还提供一种计算机程序产品，计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上，计算机程序被处理器执行时，计算机能够执行上述各方法所提供的硅片清洗方法，该方法包括：
[0228]
在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息；
[0229]
基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量；
[0230]
按照目标补液量向药液容器补充原液。
[0231]
又一方面，本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的硅片清洗方法，该方法包括：
[0232]
在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息；
[0233]
基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量；
[0234]
按照目标补液量向药液容器补充原液。
[0235]
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
[0236]
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如rom/ram、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分的方法。
[0237]
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
技术特征：1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括：在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征所述药液容器内的药液已清洗所述硅片的片数的第一数量信息；基于所述第一数量信息，确定向所述药液容器内补充所述药液对应的原液所需的目标补液量；按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述原液。2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述基于所述第一数量信息，确定向所述药液容器内补充所述药液对应的原液所需的目标补液量，包括：获取预设的对应关系，所述对应关系包括每个补液级别对应的第二数量信息和补液量；所述补液级别中，每清洗预设片数的所述硅片补充一次所述原液，所述补液级别对应的所述第二数量信息用于表征所述预设片数；基于所述第一数量信息以及所述对应关系，确定所述目标补液量。3.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述基于所述第一数量信息以及所述对应关系，确定所述目标补液量，包括：若所述第一数量信息为所述对应关系中的一个所述补液级别对应的所述第二数量信息的整数倍，将所述一个所述补液级别对应的所述补液量，作为所述目标补液量；若所述第一数量信息为所述对应关系中的多个所述补液级别对应的所述第二数量信息的整数倍，将所述多个补液级别对应的所述第二数量信息最大的所述补液级别对应的所述补液量，作为所述目标补液量。4.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述补液级别对应的所述第二数量信息越大，所述补液级别越高，所述补液量越大。5.根据权利要求4所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述原液包括双氧水溶液和碱溶液；所述按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述原液，包括：若所述目标补液量对应的所述补液级别为最高级别，按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述双氧水溶液和所述碱溶液的混合溶液；若所述目标补液量对应的所述补液级别低于最高级别，按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述双氧水溶液。6.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述原液包括双氧水溶液，所述药液容器内的药液的温度为25-35摄氏度。7.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述原液包括清洗剂；所述按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述原液，包括：按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述清洗剂；或者，按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述清洗剂和碱溶液。8.根据权利要求1至7任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述原液，包括：控制设置于储液罐的进口的第一阀门开启，并控制抽液泵将所述原液抽取至所述储液罐中；控制所述储液罐的出口的第二阀门开启，按照所述目标补液量将所述储液罐中的所述原液从所述出口补充至所述药液容器。
9.根据权利要求8所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述储液罐还设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于所述初始液位之上的第二液位传感器，所述第二液位传感器与所述第一液位传感器的高度差基于所述目标补液量确定；所述控制抽液泵将所述原液抽取至所述储液罐中，包括：当所述第二液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位时，关闭所述第一阀门；所述按照所述目标补液量将所述储液罐中的所述原液从所述出口补充至所述药液容器，包括：当所述第一液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，关闭所述第二阀门。10.根据权利要求9所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述储液罐还设置有位于所述第一液位传感器之下的第三液位传感器和/或位于所述第二液位传感器之上的第四液位传感器，所述硅片清洗方法还包括：当所述第三液位传感器从感应到液位变化为感应不到液位时，发出报警信号；和/或，当所述第四液位传感器从感应不到液位变化为感应到液位，发出报警信号。11.根据权利要求1至7任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，还包括：在使用所述药液容器内的药液清洗所述硅片的过程中，利用循环泵和过滤装置将所述药液容器内的药液循环过滤。12.根据权利要求1至7任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述基于所述第一数量信息，确定向所述药液容器内补充所述药液对应的原液所需的目标补液量之前，还包括：确定所述第一数量信息是否达到设定阈值；若确定所述第一数量信息达到所述设定阈值，确定需要更换所述药液容器内的药液；若确定所述第一数量信息未达到所述设定阈值，确定需要向所述药液容器内补充所述药液对应的原液。13.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括：数量信息确定模块，用于在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征所述药液容器内的药液已清洗所述硅片的片数的第一数量信息；补液量确定模块，用于基于所述第一数量信息，确定向所述药液容器内补充所述药液对应的原液所需的目标补液量；补液模块，用于按照所述目标补液量向所述药液容器补充所述原液。14.一种硅片清洗系统，其特征在于，包括：药液容器和控制设备；所述药液容器用于盛放清洗硅片的药液；所述控制设备用于执行如权利要求1至12任一项所述的硅片清洗方法。15.根据权利要求14所述的硅片清洗系统，其特征在于，还包括：储液罐，抽液泵，设置于所述储液罐的进口的第一阀门和设置于所述储液罐的出口的第二阀门；和/或，所述药液容器中设置有循环泵和过滤装置。16.根据权利要求15所述的硅片清洗系统，其特征在于，所述储液罐上设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于所述初始液位之上的第二液位传感器，所述第二液位传感器与所述第一液位传感器的高度差基于所述目标补液量确定；或者，所述储液罐上设置有位于初始液位的第一液位传感器以及位于所述初始液位之
上的第二液位传感器，所述第二液位传感器与所述第一液位传感器的高度差基于所述目标补液量确定，所述储液罐还设置有位于所述第一液位传感器之下的第三液位传感器和/或位于所述第二液位传感器之上的第四液位传感器。
技术总结本发明涉及硅片清洗技术领域，提供了一种硅片清洗方法及装置、系统，其中硅片清洗方法包括在使用药液容器内的药液清洗硅片的过程中，确定用于表征药液容器内的药液已清洗硅片的片数的第一数量信息；基于第一数量信息，确定向药液容器内补充药液对应的原液所需的目标补液量；按照目标补液量向药液容器补充原液。解决了现有技术中存在的药液中的杂质逐渐累积，影响清洗的效果，需要进行频繁换液的技术问题，节省了能源和药液，有效降低了硅片清洗的成本。洗的成本。洗的成本。
技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：三一集团有限公司
技术研发日：2022.07.19
技术公布日：2022/11/1
