提升通孔工艺窗口的opc方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种提升通孔工艺窗口的opc方法。
背景技术：2.随着工艺节点的减小，芯片制造过程中光学临近效应(ope)对芯片良率产生的影响越来越大。目前，光学临近效应造成的光刻图形变形和失真现象主要分为以下几类：密集图形和孤立图形尺寸差异，掩膜版尺寸与晶片上图形尺寸比例非线性，拐角圆化及线端(line end)缩短等。因此，光学临近效应修正(optical proximity correction，opc)已经成为芯片制造中提升良率不可缺少的环节。
3.在版图出版过程中，光学临近效应中最显著的特征图形就是所添加的各种辅助图形。而为了获得更高分辨率，需要对版图目标图形进行修正，同时在目标图形周围添加亚分辨率辅助图形(sraf，sub resolution assist feature)。在曝光的过程中，亚分辨率辅助图形只起到对光线的散射作用，而不会被曝光在光刻胶上形成图形，从而使目标图形中排布稀疏部分的光刻胶受到的光照强度基本等于排布较密集部分的光刻胶受到的光照强度，进而达到校正邻近效应的目的。
4.在版图中，孔状图形具有较小的工艺窗口，因此，sraf的应用是非常有必要的。在孔层中，边缘处或者图形分布比较稀疏的图形对比度更低。而对于特殊孔层，比如通孔分布复杂的稀疏孔层，通孔四周sraf添加的一致性以及修正后稀疏处和密集处尺寸的大小的一致性是非常具有挑战性的。
技术实现要素：5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提升通孔工艺窗口的opc方法，用于解决现有的一类特殊孔层(通孔分布复杂的稀疏孔层)中的通孔因sraf添加不合理导致其周围sraf不一致或者epe(边缘放置误差)较大的问题。
6.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提升通孔工艺窗口的opc方法，所述方法包括：
7.提供一孔层图形，并从所述孔层图形中选出主目标通孔及位于所述主目标通孔两侧的次目标通孔；
8.根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的第一sraf在预设方向上的长度值、所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一sraf的最小缩短值及最大缩短值；
9.根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到n种不同长度的所述第一sraf，并将各所述第一sraf添加于所述主目标通孔的一侧以得到n种不同添加方式下的sraf层；
10.于各所述sraf层的整个孔层添加第二sraf以得到n种目标层；
11.将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔及所述次目标通孔周边不同方位处的epe值，以选择出所述第一sraf的最佳添加方式；
12.其中，n为大于等于1的正整数。
13.可选地，根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的所述第一sraf在预设方向上的长度值、所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一sraf的所述最小缩短值及所述最大缩短值的方法包括：
14.根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值及所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值计算得到所述第一sraf在预设方向上的最大长度值，其计算公式为：
15.maxsbl＝s1-2*sm；
16.根据所述第一sraf在预设方向上的最大长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最小缩短值，其计算公式为：
17.extmin＝0.5*(la-maxsbl)；
18.根据所述第一sraf在预设方向上的最小长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最大缩短值，其计算公式为：
19.extmax＝0.5*(la-minsbl)；
20.其中，s1表示相邻两个所述主目标通孔之间的距离值，la表示所述主目标通孔在预设方向上的长度值，sm表示所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值，minsbl表示所述第一sraf在预设方向上的最小长度值，且所述最小长度值是根据所述孔层图形进行设定的。
21.可选地，根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到n种不同长度的所述第一sraf的方法包括：在所述最小缩短值及所述最大缩短值范围内以预设步长改变所述第一sraf的长度以得到n种不同长度的所述第一sraf。
22.可选地，将各所述第一sraf添加于所述主目标通孔的一侧以得到n种不同添加方式下的sraf层时，添加于所述主目标通孔一侧的各所述第一sraf的尾端与位于所述主目标通孔其中一侧的所述次目标通孔之间的距离大于所述最大缩短值与间距值之和，其中，所述间距值为所述主目标通孔与所述次目标通孔在预设方向上的间距值。
23.可选地，将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔及所述次目标通孔周边不同方位处的epe值，以选择出所述第一sraf最佳添加方式的方法包括：
24.获取各所述目标层中所述主目标通孔及所述次目标通孔在上下左右四个方位处epe值，并从中选出最小的epe值；
25.根据所述主目标通孔及所述次目标通孔的epe值得到n个不同添加方式下的epe矩阵，并计算每个所述epe矩阵的配比均方根；
26.根据各所述epe矩阵的配比均方根及最小的epe值选择出所述第一sraf最佳添加方式；
27.其中，所述配比均方根的计算公式为：
[0028][0029]
其中，m表示权重系数，i等于1，m表示epe值的个数。
[0030]
可选地，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔及所述次目标通孔时，所述主目
标通孔及所述次目标通孔满足的条件为：所述主目标通孔包括2列；所述次目标通孔至少包括2列且设于2列所述主目标通孔所形成区域的两侧。
[0031]
可选地，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔及所述次目标通孔时，所述主目标通孔及所述次目标通孔满足的条件为：所述主目标通孔大于2列，且以2列为一组；所述次目标通孔至少包括2列且设于所有所述主目标通孔所形成区域的两侧，或设于每组所述主目标通孔所形成区域的两侧。
[0032]
可选地，各列所述主目标通孔错位排布，每列中所述主目标通孔的数目至少为2；各列所述次目标通孔对称排布，每列中所述次目标通孔的数目至少为2，其中，每列中相邻2个所述主目标通孔中心之间的距离与每列中相邻2个次目标通孔中心之间的距离相同。
[0033]
可选地，每列中相邻2个所述主目标通孔之间的距离及每列中相邻2个所述次目标通孔之间的距离均允许插入至少3条具有最小长度值的所述第一sraf。
[0034]
可选地，在提供所述孔层图形时，设定所述孔层图形中相邻两个通孔之间允许插入所述第一sraf及所述第二sraf的距离的最小值、所述第一sraf及所述第二sraf的最小宽度值、具有最小宽度值的所述第一sraf之间的距离及具有最小宽度值的所述第二sraf之间的距离。
[0035]
如上所述，本发明的一种提升通孔工艺窗口的opc方法，在主目标通孔的一侧添加不同长度的亚分辨率辅助图形(sraf)以得到不同添加方式下的图层，在各所述图层中通过测量获取所述主目标通孔及次目标通孔在不同方位处的epe值，并由所述epe值得到不同添加方式下的epe矩阵，计算得到各所述epe矩阵的配比均方根，根据不同添加方式下的配比均方根及epe最小值选择出sraf最佳的添加方式，保证所述主目标通孔处添加的sraf的一致性，从而提升通孔的工艺窗口。
附图说明
[0036]
图1显示为本发明提供的一种提升通孔工艺窗口的opc方法的流程图。
[0037]
图2显示为本发明的sraf层示意图。
[0038]
图3显示为本发明的目标层示意图。
[0039]
图4显示为本发明的另一种目标层的示意图。
[0040]
图5显示为现有的一种目标层的示意图。
[0041]
图6显示为本发明主目标通孔的opc模拟效果图。
[0042]
图7显示为现有的主目标通孔的opc模拟效果图。
具体实施方式
[0043]
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0044]
请参阅图1至图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其
组件布局形态也可能更为复杂。
[0045]
如图1所示，本实施例提供了一种提升通孔工艺窗口的opc方法，所述方法包括：
[0046]
提供一孔层图形，并从所述孔层图形中选出主目标通孔a及位于所述主目标通孔两侧的次目标通孔b；
[0047]
根据相邻两个所述主目标通孔a之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔a之间的第一sraf(亚分辨率辅助图形)在预设方向上的长度值、所述第一sraf与所述主目标通孔a之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一sraf的最小缩短值及最大缩短值；
[0048]
根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到n种不同长度的所述第一sraf，并将各所述第一sraf添加于所述主目标通孔a的一侧以得到n种不同添加方式下的sraf层；
[0049]
于各所述sraf层的整个孔层添加第二sraf以得到n种目标层；
[0050]
将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔a及所述次目标通孔b周边不同方位处的epe(边缘放置误差)值，以选择出所述第一sraf的最佳添加方式；
[0051]
其中，n为大于等于1的正整数。
[0052]
如图2所示，本实施例中，所述预设方向为所述主目标通孔a进行排列的纵向(也即是图中的竖直方向)。所述主目标通孔a及所述次目标通孔b的形状及大小可以相同也可以不相同，其形状包括但不限于长方形、正方形或者圆形。而针对长方形或正方形的所述主目标通孔a及所述次目标通孔b，其预设方向上的长度值为竖直方向上的边长，而针对圆形的所述主目标通孔a及所述次目标通孔b，其预设方向上的长度值为其直径。可选地，本实施例中所述主目标通孔a的形状为正方形，所述次目标通孔b的形状为长方形，且所述主目标通孔a及所述次目标通孔b的长度值不同。
[0053]
一示例中，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔a及所述次目标通孔b时，所述主目标通孔a及所述次目标通孔b满足的条件为：所述主目标通孔a包括2列；所述次目标通孔b至少包括2列且设于2列所述主目标通孔a所形成区域的两侧。
[0054]
另一示例中，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔a及所述次目标通孔b时，所述主目标通孔a及所述次目标通孔b满足的条件为：所述主目标通孔a大于2列，且以2列为一组；所述次目标通孔b至少包括2列且设于所有所述主目标通孔a所形成区域的两侧，或设于每组所述主目标通孔a所形成区域的两侧。
[0055]
具体的，各列所述主目标通孔a错位排布，每列中所述主目标通孔a的数目至少为2；各列所述次目标通孔b对称排布，每列中所述次目标通孔b的数目至少为2，其中，每列中相邻2个所述主目标通孔a中心之间的距离与每列中相邻2个次目标通孔b中心之间的距离相同。
[0056]
进一步地，每列中相邻2个所述主目标通孔a之间的距离及每列中相邻2个所述次目标通孔b之间的距离均允许插入至少3条具有最小长度值的所述第一sraf。
[0057]
更进一步地，本实施例中所述孔层图形中还可以包括第三目标通孔c，所述第三目标通孔c包括至少2列，且对称排布于所述主目标通孔a及所述次目标通孔b所形成区域的两侧。每列中所述第三目标通孔c的数目至少为2，且每列中相邻2个所述第三目标通孔c中心之间的距离与每列中相邻2个所述主目标通孔a中心之间的距离相等。而且，所述第三目标通孔c的形状与所述主目标通孔a的形状相同，并为正方形。
[0058]
具体的，在提供所述孔层图形时，设定所述孔层图形中相邻两个通孔之间允许插入所述第一sraf及所述第二sraf的距离的最小值、所述第一sraf及所述第二sraf的最小宽度值、具有最小宽度值的所述第一sraf之间的距离及具有最小宽度值的所述第二sraf之间的距离。
[0059]
具体的，根据相邻两个主目标通孔a之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔a之间的所述第一sraf在预设方向上的长度值、所述第一sraf与所述主目标通孔a之间的距离值及所述主目标通孔a在预设方向上的长度值得到所述第一sraf的所述最小缩短值extmin及所述最大缩短值extmax的方法包括：
[0060]
根据相邻两个所述主目标通孔a之间的距离值及所述第一sraf与所述主目标通孔a之间的距离值计算得到所述第一sraf在预设方向上的最大长度值，其计算公式为：
[0061]
maxsbl＝s1-2*sm；
[0062]
根据所述第一sraf在预设方向上的最大长度值maxsbl及所述主目标通孔a在预设方向上的长度值la得到所述最小缩短值extmin，其计算公式为：
[0063]
extmin＝0.5*(la-maxsbl)；
[0064]
根据所述第一sraf在预设方向上的最小长度值minsbl及所述主目标通孔a在预设方向上的长度值la得到所述最大缩短值extmax，其计算公式为：
[0065]
extmax＝0.5*(la-minsbl)；
[0066]
其中，s1表示相邻两个所述主目标通孔a之间的距离值，la表示所述主目标通孔a在预设方向上的长度值，sm表示所述第一sraf与所述主目标通孔a之间的距离值，minsbl表示所述第一sraf在预设方向上的最小长度值，且所述最小长度值是根据所述孔层图形进行设定的。
[0067]
具体的，根据所述最小缩短值ex tmin及所述最大缩短值extmax得到n种不同长度的所述第一sraf的方法包括：在所述最小缩短值extmin及所述最大缩短值extmax范围内以预设步长改变所述第一sraf的长度以得到n种不同长度的所述第一sraf。本实施例中，所述预设步长为1nm。
[0068]
具体的，将各所述第一sraf添加于所述主目标通孔a的一侧以得到n种不同添加方式下的sraf层时，添加于所述主目标通孔a一侧的各所述第一sraf的尾端与位于所述主目标通孔a其中一侧的所述次目标通孔b之间的距离大于所述最大缩短值extmax与间距值s3之和，其中，所述间距值s3为所述主目标通孔及所述次目标通孔在预设方向上的间距值。
[0069]
图2中示出了具有2列所述主目标通孔a的情况，且所述次目标通孔b位于2列所述主目标通孔a所形成区域的两侧，其中，箭头1表示左侧列，箭头2表示右侧列。本实施例中，为了减小所述次目标通孔b的epe值而将所述第一sraf添加于所述主目标通孔a的一侧，对于左侧列的所述主目标通孔a，为了仅将所述第一sraf添加于其右侧，而限制所述第一sraf尾端与位于所述主目标通孔a左侧的所述次目标通孔b之间的距离，且所述距离大于所述最大缩短值extmax及所述间距值s3之和；同样地，对于右侧列的所述主目标通孔a，为了仅将所述第一sraf添加于其左侧，而限制所述第一sraf尾端与位于所述主目标通孔a右侧的所述次目标通孔b之间的距离，且所述距离大于所述最大缩短值extmax及所述间距值s3之和。
[0070]
具体的，将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔a及所述次目标通孔b周边不同方位处的epe值，以选择出所述第一sraf最佳添加方式的方法包括：
[0071]
获取各所述目标层中所述主目标通孔a及所述次目标通孔b在上下左右四个方位处epe值，并从中选出最小的epe值；
[0072]
根据所述主目标通孔a及所述次目标通孔b的epe值得到n个不同添加方式下的epe矩阵，并计算每个所述epe矩阵的配比均方根；
[0073]
根据所述epe矩阵的配比均方根及所述最小的epe值选择出所述第一sraf最佳添加方式；
[0074]
其中，所述配比均方根的计算公式为：
[0075][0076]
其中，w表示权重系数，i等于1，m表示epe值的个数。
[0077]
本实施例中，添加于各所述sraf层的所述第二sraf可根据模型进行选择或根据规则进行选择，并将其添加于整个所述sraf层中的通孔周围。本实施例中所述epe值的数目为8，也即是m的值为8。所述权重系数w的取值可根据需要进行选择，这对实施例没有什么影响。可选地，本实施例中，所述w的取值为10％。
[0078]
所述epe最小值的计算公式为epemin＝min{epe
ku
、epe
kd
、epe
kl
、epe
kr
}，其中，k∈(a，b)，epe
au
、epe
ad
、epe
al
、epe
ar
分别表示所述主目标通孔a在上、下、左、右四个方位的epe值，epe
bu
、epe
bd
、epe
bl
、epe
br
分别表示所述次目标通孔b在上、下、左、右四个方位的epe值。
[0079]
表1给出了在所述最大缩短值及所述最小缩短值的范围内，以1nm为步长得到的6种不同缩短量的所述第一sraf，也即是得到6种不同的添加方式(s1、s2、s3、s4、s5、s6)，通过测量获取6种不同添加方式下的所述主目标通孔a及所述次目标通孔b在上下左右四个方位处的epe值，并提供了权重系数w。根据所得到的epe最小值和epe矩阵的配比均方根rms的较小值以得到所述第一sraf最佳添加方式。通过计算可知，表1中缩短量为16nm时(也即是s1表示的添加方式)，所述主目标通孔a与所述次目标通孔b的总的8个epe值中的最小值及epe矩阵的配比均方根rms满足条件，因此，缩短量为16nm的所述第一sraf为最佳的sraf添加方式，而且，该种添加方式与未采用本实施所提供的添加方式相比，工艺窗口提升了2nm(如图6及图7所示)。
[0080]
表1
[0081][0082]
本实施例中，图3及图4表示为利用本实施例所述提供的方法于所述主目标通孔a一侧添加所述第一sraf所形成的两个目标层示意图，图5为利用现有方法于所述主目标通孔一侧添加sraf所形成的一种目标层的示意图，从图中可以看出，通过本实施例提供的方
法所形成的目标层中，各所述主目标通孔a周围的sraf的一致性得到保证。
[0083]
综上所述，本发明的一种提升通孔工艺窗口的opc方法，在主目标通孔的一侧添加不同长度的亚分辨率辅助图形(sraf)以得到不同添加方式下的图层，在各所述图层中通过测量获取所述主目标通孔及次目标通孔在不同方位处的epe值，并由所述epe值得到不同添加方式下的epe矩阵，计算得到各所述epe矩阵的配比均方差，根据不同添加方式下的配比均方差及epe最小值选择出sraf最佳的添加方式，保证所述主目标通孔处添加的sraf的一致性，从而提升通孔的工艺窗口。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0084]
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
技术特征：1.一种提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，所述方法包括：提供一孔层图形，并从所述孔层图形中选出主目标通孔及位于所述主目标通孔两侧的次目标通孔；根据相邻所述两个主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的第一sraf在预设方向上的长度值、所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一sraf的最小缩短值及最大缩短值；根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到n种不同长度的所述第一sraf，并将各所述第一sraf添加于所述主目标通孔的一侧以得到n种不同添加方式下的sraf层；于各所述sraf层的整个孔层添加第二sraf以得到n种目标层；将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔及所述次目标通孔周边不同方位处的epe值，以选择出所述第一sraf的最佳添加方式；其中，n为大于等于1的正整数。2.根据权利要求1所述的提升通孔工艺窗口opc方法，其特征在于，根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的所述第一sraf在预设方向上的长度值、所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一sraf的所述最小缩短值及所述最大缩短值的方法包括：根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值及所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值计算得到所述第一sraf在预设方向上的最大长度值，其计算公式为：maxsbl＝s1-2*sm；根据所述第一sraf在预设方向上的最大长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最小缩短值，其计算公式为：extmin＝0.5*(la-maxsbl)；根据所述第一sraf在预设方向上的最小长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最大缩短值，其计算公式为：extmax＝0.5*(la-minsbl)；其中，s1表示相邻两个所述主目标通孔之间的距离值，la表示所述主目标通孔在预设方向上的长度值，sm表示所述第一sraf与所述主目标通孔之间的距离值，minsbl表示所述第一sraf在预设方向上的最小长度值，且所述最小长度值是根据所述孔层图形进行设定的。3.根据权利要求1或2所述的提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到n种不同长度的所述第一sraf的方法包括：在所述最小缩短值及所述最大缩短值范围内以预设步长改变所述第一sraf的长度以得到n种不同长度的所述第一sraf。4.根据权利要求3所述的提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，将各所述第一sraf添加于所述主目标通孔的一侧以得到n种不同添加方式下的sraf层时，添加于所述主目标通孔一侧的各所述第一sraf的尾端与位于所述主目标通孔其中一侧的所述次目标通孔之间的距离大于所述最大缩短值与间距值之和，其中，所述间距值为所述主目标通孔与所述次目标通孔在预设方向上的间距值。5.根据权利要求4所述的提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，将各所述目标层
进行修正后模拟来获取所述主目标通孔及所述次目标通孔周边不同方位处的epe值，以选择出所述第一sraf最佳添加方式的方法包括：获取各所述目标层中所述主目标通孔及所述次目标通孔在上下左右四个方位处epe值，并从中选出最小的epe值；根据所述主目标通孔及所述次目标通孔的epe值得到n个不同添加方式下的epe矩阵，并计算每个所述epe矩阵的配比均方根；根据所述epe矩阵的配比均方根及最小的epe值选择出所述第一sraf最佳添加方式；其中，所述配比均方根的计算公式为：其中，w表示权重系数，i等于1，m表示epe值的个数。6.根据权利要求1所述的提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔及所述次目标通孔时，所述主目标通孔及所述次目标通孔满足的条件为：所述主目标通孔包括2列；所述次目标通孔至少包括2列且设于2列所述主目标通孔所形成区域的两侧。7.根据权利要求1所述的提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔及所述次目标通孔时，所述主目标通孔及所述次目标通孔满足的条件为：所述主目标通孔大于2列，且以2列为一组；所述次目标通孔至少包括2列且设于所有所述主目标通孔所形成区域的两侧，或设于每组所述主目标通孔所形成区域的两侧。8.根据权利要求6或7所述的提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，各列所述主目标通孔错位排布，每列中所述主目标通孔的数目至少为2；各列所述次目标通孔对称排布，每列中所述次目标通孔的数目至少为2，其中，每列中相邻2个所述主目标通孔中心之间的距离与每列中相邻2个次目标通孔中心之间的距离相同。9.根据权利要求8所述的提升通孔工艺窗口的opc方法，其特征在于，每列中相邻2个所述主目标通孔之间的距离及每列中相邻2个所述次目标通孔之间的距离均允许插入至少3条具有最小长度值的所述第一sraf。10.根据权利要求1所述的提升通孔工艺窗口opc方法，其特征在于，在提供所述孔层图形时，设定所述孔层图形中相邻两个通孔之间允许插入所述第一sraf及所述第二sraf的距离的最小值、所述第一sraf及所述第二sraf的最小宽度值、具有最小宽度值的所述第一sraf之间的距离及具有最小宽度值的所述第二sraf之间的距离。
技术总结本发明提供一种提升通孔工艺窗口的OPC方法，方法包括：提供一孔层图形，并从孔层图形中选出主目标通孔及次目标通孔；通过计算得到第一SRAF的最小缩短值及最大缩短值；根据最小缩短值及最大缩短值得到N种不同长度的第一SRAF，并将各第一SRAF添加于主目标通孔的一侧以得到N种不同添加方式下的SRAF层；于各SRAF层的整个孔层添加第二SRAF以得到N种目标层；将各目标层进行修正后模拟来获取主目标通孔及次目标通孔周边不同方位处的EPE值，以选择出第一SRAF的最佳添加方式。通过本发明解决了现有通孔因SRAF添加不合理导致其周围SRAF不一致或者EPE较大的问题。一致或者EPE较大的问题。一致或者EPE较大的问题。
技术研发人员：肖燏萍 夏文彬 江志兴
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2022.07.19
技术公布日：2022/11/1
