1.本技术涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法。
背景技术：2.非感光聚酰亚胺(polyimide)材料，因其具有优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性、耐介质性，被广泛地应用在半导体制造封装、涂布和黏粘的材料，以形成器件的保护膜或者作为多层配线的层间绝缘层。
3.相关技术中在制作非感光聚酰亚胺层时，由于涂布后的非感光聚酰亚胺粘稠度较高且厚度较厚，需要先通过加热板对涂布有非感光聚酰亚胺的晶片进行软烘操作，然后再进行洗边和背洗工艺。
4.但是通过该制作工艺制作非感光聚酰亚胺层时，聚酰亚胺材料在软烘过程中会溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响。
技术实现要素：5.本技术提供了一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，可以解决相关技术在制作非感光聚酰亚胺层时，聚酰亚胺溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。
6.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术提供一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，所述晶片非感光聚酰亚胺层制作方法包括以下依次进行的步骤：
7.在晶片上涂布非感光聚酰亚胺层；
8.通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；
9.对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；
10.通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。
11.可选地，所述通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤的步骤，包括：
12.在175摄氏度至185摄氏度的温度范围内，通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤。
13.可选地，所述通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤的步骤，包括：
14.在175摄氏度至185摄氏度的温度范围内，通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤160秒至170秒。
15.可选地，所述对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层的步骤，包括：
16.通过甲基吡咯烷酮溶液，对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层。
17.可选地，所述通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化的步骤包括：
18.在115摄氏度至125摄氏度的温度范围内，通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。
19.可选地，所述通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化的步骤包括：
20.在115摄氏度至125摄氏度的温度范围内，通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤175秒至185秒，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。
21.可选地，所述对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层的步骤，包括：
22.使得非感光聚酰亚胺层固化后的晶片旋转；
23.向所述晶片的边缘上、下表面位置处喷淋洗液，对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层。
24.本技术技术方案，至少包括如下优点：通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；再对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；然后通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化，能够有效地避免聚酰亚胺材料在软烘过程中溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1示出了本技术一实施例提供的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法流程图；
27.图2出了通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤一种实施例的示意图；
28.图3示出了对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺的示意图；
29.图4示出了步骤s4中通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤的示意图。
具体实施方式
30.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
31.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
32.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
33.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
34.图1示出了本技术一实施例提供的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法流程图，从图1中可以看出，该晶片非感光聚酰亚胺层制作方法包括以下依次进行的步骤s1至步骤s4：
35.步骤s1：在晶片上涂布非感光聚酰亚胺层。
36.步骤s2：通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤。
37.参照图2，其示出了通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤一种实施例的示意图，从图2中可以看出，可以通过支撑脚100将涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片200从加热盘300上托起，使得该涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片200避免接触该加热盘300。
38.可选地，可以在175摄氏度至185摄氏度的温度范围内，通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤160秒至170秒，以使得晶片上的非感光聚酰亚胺层基本固化，后续不会发生溢流的问题。
39.步骤s3：对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层。
40.参照图3，其示出了对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺的示意图，从图3中可以看出，将非感光聚酰亚胺层固化后的晶片200置于旋转台400上，喷嘴500设于晶片200边缘位置处的上、下两侧，能够向晶片200边缘的上、下表面喷淋出洗液，通过旋转台400带动晶片的旋转实现对晶片200进行洗边和背洗的操作。
41.可选地，在对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层时，可以通过甲基吡咯烷酮溶液，对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层。
42.步骤s4：通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。
43.参照图4，其示出了步骤s4中通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤的示意图。
44.从图4中可以看出，完成洗边和背洗操作的晶片200置于加热盘600上，直接与该加热盘600接触以进行接触式烘烤，以使得晶片200上的非感光聚酰亚胺层完全固化。
45.可选地，可以在115摄氏度至125摄氏度的温度范围内，通过加热盘对所述晶片进
行接触式烘烤175秒至185秒，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。在进行步骤s4对晶片再次烘烤时，采用了与步骤s2不同的加热盘，以避免因使用同一加热盘而带来切换加热温度影响工作效率的问题。
46.本实施例先通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；再对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；然后通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化，能够有效地避免聚酰亚胺材料在软烘过程中溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。
47.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。
技术特征：1.一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，其特征在于，所述晶片非感光聚酰亚胺层制作方法包括以下依次进行的步骤：在晶片上涂布非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。2.如权利要求1所述的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，其特征在于，所述通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤的步骤，包括：在175摄氏度至185摄氏度的温度范围内，通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤。3.如权利要求2所述的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，其特征在于，所述通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤的步骤，包括：在175摄氏度至185摄氏度的温度范围内，通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤160秒至170秒。4.如权利要求1所述的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，其特征在于，所述对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层的步骤，包括：通过甲基吡咯烷酮溶液，对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层。5.如权利要求1所述的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，其特征在于，所述通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化的步骤包括：在115摄氏度至125摄氏度的温度范围内，通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。6.如权利要求5所述的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，其特征在于，所述通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化的步骤包括：在115摄氏度至125摄氏度的温度范围内，通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤175秒至185秒，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。7.如权利要求1所述的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，其特征在于，所述对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层的步骤，包括：使得非感光聚酰亚胺层固化后的晶片旋转；向所述晶片的边缘上、下表面位置处喷淋洗液，对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层。
技术总结本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片非感光聚酰亚胺层制作方法。所述晶片非感光聚酰亚胺层制作方法包括以下依次进行的步骤：在晶片上涂布非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对涂布有非感光聚酰亚胺层的晶片进行无接触式烘烤；对非感光聚酰亚胺层固化后的晶片进行洗边和背洗工艺，去除靠近所述晶片边缘和位于所述晶片背面的非感光聚酰亚胺层；通过加热盘对所述晶片进行接触式烘烤，使得所述晶片上的非感光聚酰亚胺层固化。本申请提供了的晶片非感光聚酰亚胺层制作方法，可以解决相关技术在制作非感光聚酰亚胺层时，聚酰亚胺溢流至加热板上，沾污该加热板，使得后续对其他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。他晶片的软烘操作造成不利影响的问题。
技术研发人员：刘希仕 姚振海 王绪根 朱联合 闻旭
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2022.07.25
技术公布日：2022/11/1
