1.本发明涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及晶圆处理装置。
背景技术：2.在基于晶圆形成多个半导体器件之后，需要对晶圆进行切割以将多个半导体器件分隔，在此之前，还需要对晶圆进行修边(trimming)，以便于后续对晶圆的器件区进行切割、封装或其他工艺。
3.现有的切边工艺中采用刀片对晶圆进行修边，在切边过程中还需要采用喷嘴对刀片进行清洗，如果刀片清洗不干净，残留的晶渣会掉落在晶圆上，从而导致晶圆部分区域受损，形成内部缺陷，从而导致不能与其他晶圆键合，造成良率降低。
技术实现要素：4.鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种晶圆处理装置，在刀片整个使用寿命期间都可以清洗刀片，避免刀片上的晶渣清洗不干净引起的晶圆受损。
5.根据本发明的一方面，提供一种晶圆处理装置，包括：第一支撑柱，位于切刀组件的一侧，具有调节槽；喷嘴，经由所述调节槽固定在所述第一支撑柱上；其中，所述喷嘴在所述调节槽中移动以调节所述喷嘴与所述切刀组件之间的倾斜角度。
6.优选地，所述晶圆处理装置还包括：调节螺母，用于调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。
7.优选地，所述晶圆处理装置还包括：控制模块，用于调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。
8.优选地，所述控制模块还用于根据切刀组件的厚度实时调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。
9.优选地，所述晶圆处理装置还包括：承载台，用于承载晶圆；切刀组件，位于所述承载台上方，用于对晶圆进行切边。
10.优选地，所述切刀组件包括固定支架、刀片以及移动机构，其中，所述刀片位于所述固定支架上，所述移动机构与固定支架连接。
11.优选地，所述第一支撑柱与所述固定支架连接，所述第一支撑柱随着固定支架的移动而移动。
12.优选地，所述晶圆处理装置还包括：冷却管路，位于所述切刀组件两侧。
13.优选地，所述晶圆处理装置还包括：第一清洗管路，与喷嘴连接。
14.优选地，所述晶圆处理装置还包括：第二支撑柱，与第一支撑柱固定在一起；第二清洗管路，固定在第二支撑柱上。
15.本发明实施例提供的晶圆处理装置，在喷嘴的第一支撑柱上设置调节槽，调节喷嘴在第一支撑柱上的位置，从而调节喷嘴与切刀组件的倾斜角度，该倾斜角度在切刀组件的使用寿命期间均可清洗切刀组件，从而避免刀片清洗不干净对晶圆造成损伤，提高产品
的良率以及可靠性。
16.进一步地，控制模块根据切刀组件在使用寿命期间的厚度初始值和厚度期末值获取喷嘴与切刀组件的倾斜角度，根据该倾斜角度将调节螺母在调节槽内移动至最佳位置并固定喷嘴，可以通过机械调节的方式进行调节，简单易操作。
17.进一步地，控制模块实时获取切刀组件的厚度，根据切刀组件的厚度获取喷嘴与切刀组件的倾斜角度，根据该倾斜角度实时调节喷嘴与第一支撑柱的固定位置，可以更加精确地控制喷嘴与切刀组件的倾斜角度，提高切刀组件的使用寿命。
附图说明
18.通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
19.图1a和图1b示出现有技术中晶圆处理装置在刀片初期和末期时喷嘴与刀片的位置关系图；
20.图2示出根据本发明实施例的晶圆处理装置的结构示意图；
21.图3示出本发明实施例的晶圆处理装置的主视图。
具体实施方式
22.以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
23.下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
24.本发明中描述的“上方”，是指位于基板平面的上方，可以是指材料之间的直接接触，也可以是间隔设置。
25.在本技术中，术语“半导体结构”指在制造存储器件的各个步骤中形成的整个半导体结构的统称，包括已经形成的所有层或区域。在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。
26.本发明可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
27.图1a和图1b示出现有技术中晶圆处理装置在刀片初期和末期时喷嘴与刀片的位置关系图。现有技术中的晶圆处理装置固定在第一支撑柱上。在刀片使用初期，参见图1a，喷嘴可以清洗到刀片；而在刀片使用末期，由于刀片变薄，而喷嘴的位置没有变，导致喷嘴无法清洗到刀片，从而刀片上残留的晶渣会掉落在晶圆上，从而导致晶圆部分区域受损，形成内部缺陷，从而导致不能与其他晶圆键合，造成良率降低。
28.图2和图3分别示出了根据本发明实施例的晶圆处理装置的结构示意图和主视图。如图2和图3所示，晶圆处理装置包括承载台1、切刀组件2、第一支撑柱3以及喷嘴5。
29.其中，承载台1用于承载晶圆20。
30.切刀组件2位于所述承载台1上方，用于对晶圆20进行切边。
31.在本实施例中，所述切刀组件2包括固定支架21、刀片22以及移动机构23，其中，所述刀片22位于所述固定支架21上，所述移动机构23与固定支架21连接，控制所述固定支架21移动以使刀片移动。例如，移动结构23可以控制固定支架21上下移动以及左右移动将刀
片移动至晶圆20的合适位置进行切边处理。
32.所述喷嘴5固定在所述第一支撑柱3上，用于向清洗切刀组件2。其中，所述第一支撑柱3上具有调节槽31，所述第一喷嘴5经由所述调节槽31固定在所述第一支撑柱3上。
33.在本实施例中，所述第一支撑柱3与所述固定支架21连接，所述喷嘴5随着固定支架21的移动而移动。
34.晶圆处理装置可以通过调节所述喷嘴5在所述第一支撑柱上的固定位置从而调节所述喷嘴5与所述切刀组件2之间的倾斜角度，所述倾斜角度使得所述喷嘴5在切刀组件2的使用寿命期间均可清洗切刀组件5。
35.具体地，所述晶圆处理装置还包括调节螺母6，所述调节螺母6经由调节槽31将所述喷嘴5与所述第一支撑柱3固定在一起。所述喷嘴在所述调节槽31中移动以调节所述喷嘴5与所述切刀组件2支架的倾斜角度。
36.具体地，所述晶圆处理装置根据切刀组件2使用寿命期间的厚度初始值和厚度期末值获取所述喷嘴5与所述切刀组件2之间的倾斜角度，以及根据所述倾斜角度调节所述喷嘴5在所述第一支撑柱3上的固定位置。切刀组件2的厚度值指的是环形刀片22的径向厚度。
37.在本实施例中，可以根据切刀组件2使用寿命期间的厚度初始值和厚度期末值得到喷嘴与切刀组件之间的最佳倾斜角度，将调节螺母拧开，并沿着调节槽移动喷嘴，最终达到最佳倾斜角度，然后将调节螺母拧紧以固定所述喷嘴5，此时，该喷嘴5在切刀组件的整个使用寿命期间均可以清洗刀片从而避免刀片清洗不干净对晶圆造成损伤，提高产品的良率以及可靠性。
38.在一个优选地实施例中，所述晶圆处理装置还包括控制模块32，用于调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。具体地，所述控制模块32实时获取切刀组件2的厚度，以及根据所述切刀组件的厚度实时调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。
39.在本实施例中，控制模块32可以实时检测切刀组件2的厚度，当切刀组件2的厚度发生变化时，沿着调节槽实时调节所述喷嘴5在第一支撑柱3上的位置。
40.在一个优选地实施例中，控制模块32还可以获取切刀组件2的厚度消耗值，根据切刀组件2的厚度消耗值补偿喷嘴5向上的移动值。
41.在本实施例中，所述厚度消耗值为切刀组件2的厚度与切刀组件2的初始厚度值之间的差值。
42.在一个优选地实施例中，所述晶圆处理装置还包括冷却管路9，位于所述切刀组件2两侧，用于向所述切刀组件2喷洒冷却水。
43.在本实施例中，冷却管路9可以向切刀组件喷洒冷却水以降低刀片的温度。
44.所述晶圆处理装置还包括第一清洗管路4，与喷嘴5连接，用于提供清洗液。
45.所述晶圆处理装置还包括第二支撑柱7，与第一支撑柱3固定在一起；第二清洗管路8，固定在第二支撑柱7上，用于清洗晶圆20。
46.本发明实施例提供的晶圆处理装置，在喷嘴的第一支撑柱上设置调节槽，调节喷嘴在第一支撑柱上的位置，从而调节喷嘴与切刀组件的倾斜角度，该倾斜角度在切刀组件的使用寿命期间均可清洗切刀组件，从而避免刀片清洗不干净对晶圆造成损伤，提高产品的良率以及可靠性。
47.进一步地，控制模块根据切刀组件在使用寿命期间的厚度初始值和厚度期末值获
取喷嘴与切刀组件的倾斜角度，根据该倾斜角度将调节螺母在调节槽内移动至最佳位置并固定喷嘴，可以通过机械调节的方式进行调节，简单易操作。
48.进一步地，控制模块实时获取切刀组件的厚度，根据切刀组件的厚度获取喷嘴与切刀组件的倾斜角度，根据该倾斜角度实时调节喷嘴与第一支撑柱的固定位置，可以更加精确地控制喷嘴与切刀组件的倾斜角度，提高切刀组件的使用寿命。
49.在以上的描述中，对于各层的构图、蚀刻等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
50.以上对本发明的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本发明的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本发明的范围之内。
技术特征：1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：第一支撑柱，位于切刀组件的一侧，具有调节槽；喷嘴，经由所述调节槽固定在所述第一支撑柱上；其中，所述喷嘴在所述调节槽中移动以调节所述喷嘴与所述切刀组件之间的倾斜角度。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：调节螺母，用于调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：控制模块，用于调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述控制模块还用于根据切刀组件的厚度实时调节所述喷嘴在所述第一支撑柱上的位置。5.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：承载台，用于承载晶圆；切刀组件，位于所述承载台上方，用于对晶圆进行切边。6.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述切刀组件包括固定支架、刀片以及移动机构，其中，所述刀片位于所述固定支架上，所述移动机构与固定支架连接。7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一支撑柱与所述固定支架连接，所述第一支撑柱随着固定支架的移动而移动。8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：冷却管路，位于所述切刀组件两侧。9.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：第一清洗管路，与喷嘴连接。10.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：第二支撑柱，与第一支撑柱固定在一起；第二清洗管路，固定在第二支撑柱上。
技术总结公开了一种晶圆处理装置，包括第一支撑柱，位于切刀组件的一侧，具有调节槽；喷嘴，经由所述调节槽固定在所述第一支撑柱上；其中，所述喷嘴在所述调节槽中移动以调节所述喷嘴与所述切刀组件之间的倾斜角度。本申请通过第一支撑柱上的调节槽调节喷嘴与切刀组件之间的倾斜角度，使得喷嘴在切刀组件的使用寿命期间均可清洗切刀组件，从而避免刀片清洗不干净对晶圆造成损伤，提高产品的良率以及可靠性。提高产品的良率以及可靠性。提高产品的良率以及可靠性。
技术研发人员：刘丹 张界选 洪义财
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.07.20
技术公布日：2022/11/1
