1.本发明涉及半导体清洗技术领域，尤其涉及一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液。
背景技术：2.半导体是通过在硅上面掺杂其他金属来形成可控的电阻率，是一种导电性介于导体和绝缘体之间的材料，芯片就是半导体产品的统称，是集成电路的载体。此外，芯片应用的范围很广，已广泛应用到日常生活中的汽车、路由器、手机、电视机等产品中。在半导体材料的制备过程中，每一个制作过程都可能带来杂质，例如：精准的掺杂区和掺杂的交界区可能出现可移动金属离子(mic)的污染，由于它们本身具有较强的迁移性会在半导体内移动从而导致器件电性能失效。其中常见的mic主要包括钠、钾、铁、铜、镍、铝等等。因此每一制作工序都涉及到清洗工艺，而且清洗的好坏不仅会直接影响下一道工序，还可能影响产品的成品率。目前，由于芯片尺寸的不断减小，制作流程对于芯片表面杂质的要求更加严格，并且芯片生产中每一道工序都可能对制造出的芯片造成污染，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质都可能会对半导体芯片的物理性质产生影响，从而破坏半导体器件的正常性能。因此，为了避免随机原因进入器件的有害杂质造成芯片的失效，就需要对芯片进行彻底的清洗。
3.根据污染物的组成情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物四类，不同的污染物的处理方法也不同。虽然针对不同的污染物都有特定的去除方法，但是由于芯片制造过程中的每一步都会对最终的产品造成或多或少的影响。就目前已制成的清洗液而言，清洁效果不理想，且在清洗过程中产生的污染物难以去除容易造成新的污染。因此，急需一种既能高效清洁芯片并且污染度低的清洁液。
技术实现要素：4.有鉴于此，本发明的目的是提供一种用于清洗半导体电子芯片的清洗液，同时公开了该清洗液的使用方法，所要解决的问题是：因氧化层难以去除去造成的清洗效果不理想以及清洗过程中残留的氟离子、氯离子等污染离子以及金属离子重新沉积在芯片表面给芯片带来的新的污染。
5.本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：
6.一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其制备方法步骤如下：
7.(1)制备清洗液a：将hf和hcl混合后得混合溶液，用水稀释至ph＝2-2.5，随后将混合溶液在20-25℃保温待用。
8.(2)制备清洗液b：将谷氨酸二乙酸钠、聚丙烯酰胺、高碳脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基糖苷加入蒸馏水中混合均匀边搅拌边加热到60-70℃；随后降温至50℃后恒温，加入苯并三唑搅拌均匀，再加入导电聚合物和交联剂超声使其混合均匀；在50℃下恒温，加入羧甲基纤维素钠边搅拌边冷却至40℃得到清洗液b。
9.hf在ph为2-2.5，温度为20-25℃的条件下具有较强的腐蚀性，能够溶解二氧化硅，并去除硅片表面生成的氧化层，同时将吸附氧化层上的微粒及金属。除此之外，还可以在芯片表面形成硅氢键而使硅表面呈疏水性的作用，但cu和ag等金属离子于遇hf溶液时会沉积到si表面，沉淀过程是一个电化学过程，在光照条件下，铜的表面沉积速度加快，而加入了hcl后大量的氯离子可形成可溶性的高亚铜氯化物合成体抑制铜离子沉积，但若加入的氯离子较少，就会催化cu2+/cu+反应，增加cu的沉积，因此需要严格控制氟离子和氯离子的量，在适合的浓度范围条件下，尽可能的去除硅片表面生成的氧化层，防止cu沉积，造成二次污染。
10.谷氨酸二乙酸钠能与金属离子形成稳定的水溶性络合物，且形成的络合物在较宽的ph值范围内具有较高的溶解性，因此谷氨酸二乙酸钠可以进一步提高清洗液的去污能力，谷氨酸二乙酸钠与清洁液中的高碳脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基糖苷产生良好的协同作用，可以高效吸附芯片上的颗粒，当高碳脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基糖苷进行复配时，不仅可以增加谷氨酸二乙酸钠的溶解度，还可以增加谷氨酸二乙酸钠与芯片表面的接触，去除金属离子的同时还可以促使芯片上的杂质颗粒脱落，而加入的聚丙烯酰胺中的阳离子可以与清洗液a中的氟离子和氯离子进行电荷中和，降低电动电位，压缩扩散层，当电动电势降低到接近零时可以吸收芯片上的杂质颗粒，进一步清洁芯片，导电聚合物、交联剂和羧甲基纤维素钠将上述协同配合的原料制成凝胶，进一步吸附溶液中的金属离子、杂质颗粒、有机物，防止其附着于芯片上形成二次污染。
11.苯并三唑与腐蚀过程生成的金属离子可以相互作用而形成沉淀膜或不溶性配合膜，在金属表面进一步聚合形成沉淀保护膜，从而阻止了混合溶液腐蚀芯片，提高芯片的成品率和合格率。
12.进一步，所述hf和hcl的体积比为1：(2-5)。
13.进一步，所述高碳脂肪醇聚氧乙烯醚为aeo3、aeo7、aeo9中的一种。
14.进一步，所述蒸馏水、谷氨酸二乙酸钠、聚丙烯酰胺、高碳脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基多糖苷和苯并三唑的添加比例为3l：(3-5)kg：(5-8)kg：(3-5)kg：(2-4)kg：(0.5-0.66)kg。进一步，导电聚合物为聚苯胺、聚噻吩、聚3,4-乙撑二氧噻吩中的一种。
15.进一步，交联剂为环氧氯丙烷、戊二醛、乙二醛中的一种。
16.进一步，谷氨酸二乙酸钠、导电聚合物、交联剂、羧甲基纤维素钠的质量比为1：(0.05-0.08)：(0.08-0.15)：(1.2-1.5)。
17.进一步，所述清洗液的使用方法如下：
18.(1)将芯片置于瓶内在紫外光的照射下向通入臭氧持续反应5-10min。其中，短波紫外光波长为185nm和254nm。
19.(2)将步骤(1)清洁后的芯片浸入清洗液a中，清洗液a温度保持在20-25℃，浸泡8-10min。
20.(3)将步骤(2)清洁后的芯片浸入到清洗液b中，清洗液b温度保持在80-90℃，浸泡10-20min。
21.两种波长的光子能量可以直接打开和切断有机物分子中的共价键，使有机物分子活化，分解成离子、游离态原子、受激分子等，与此同时，185nm波长紫外光的光能量能将空气中的氧气(o2)分解成臭氧(o3)；而254nm波长的紫外光的光能量能将o3分解成o2和活性氧
(o)，这个光敏氧化反应过程是连续进行的，在这两种短波紫外光的照射下，臭氧会不断的生成和分解，活性氧原子就会不断的生成，而且越来越多，由于活性氧原子(o)有强烈的氧化作用，与活化了的有机物(即碳氢化合物)分子发生氧化反应，生成挥发性气体(如co2，co，h2o，no等)逸出物体表面，从而彻底清除了粘附在物体表面上的有机污染物，紫外-臭氧清洗可以在有效去除硅片表面的有机杂质基础上不损害硅片表面，并且改善硅片表面氧化层的质量，便于后续清洗液去除氧化层，除此之外，芯片经过紫外-臭氧处理后可以极大缩减hf和hcl混合的混合溶液用量，使溶液中的氟离子和氯离子适量，防止cu的沉积同时提高清洗液的清洗效率。
22.本发明清洗液a处理芯片可以有效去除金属污染物、原生氧化物和化学氧化物，使氧化层中的金属元素(mg、ca、cu等)发生氧化还原反应，形成金属离子被除去，而且不影响硅片表层的硅。针对清洗液a清洗后残留的粒子，使用清洗液b继续处理芯片，清洗液b不仅可以吸收清洗液a中残留的氟离子、氯离子等污染离子还可以避免已经反应的金属离子重新沉积在芯片表面，并且清洗液b中的各成分协同作用具有更强的吸附性，可以将芯片上附着的蜡质层、有机污染物和各种颗粒洗脱完全。
23.本发明的有益效果是：
24.1、本发明清洗液a将hf和hcl配合使用实现了对硅片表面生成的氧化层的高效去除，提高了清洗效果，有效防止cu沉积，避免造成二次污染。同时氟离子和氯离子可以通过加入丙烯酰胺进行电荷中和，降低电动电位，压缩扩散层,当电动电势降低到接近零时可以吸收芯片上的杂质颗粒，进一步清洁芯片。
25.2、清洗液b通过提高谷氨酸二乙酸钠的溶解度和其与芯片的接触面积，同时谷氨酸二乙酸钠与清洁液中的高碳脂肪醇聚氧乙烯醚和烷基糖苷产生良好的协同作用。可以有效去除金属离子，高效吸附芯片上的颗粒，进一步提高芯片的清洗效果。
26.3、本发明中清洗液b还包括导电聚合物、交联剂和羧甲基纤维素钠与清洗液中的有机溶剂协同配合共同形成凝胶，进一步吸附溶液中的金属离子、杂质颗粒、有机物等，提高了离子剥离能力，防止其附着于芯片上形成二次污染。
具体实施方式
27.以下将结合具体实施例对本发明进行详细说明：
28.实施例1：芯片清洗一：
29.进行芯片清洗前需要先配置芯片清洗液，芯片清洗液的制作步骤如下：
30.(1)制备清洗液a：
31.分别量取氢氟酸0.67l，盐酸1.34l。混合后得到混合溶液，用蒸馏水稀释至ph＝2.5，随后将混合溶液在20℃保温，得到清洗液a；
32.(2)制备清洗液b：
33.分别称取4kg谷氨酸二乙酸钠，7kg聚丙烯酰胺，4kg aeo3，3kg烷基多糖苷溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到60℃，随后降温至50℃加入0.6kg苯并三唑，在50℃恒温条件下搅拌均匀后加入0.25kg噻吩和0.45kg环氧氯丙烷超声混合，随后5.5kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到清洗液b。
34.以碳化硅作为衬底的射频芯片在经过后段制程的研磨、抛光工序后，上面残留了
大量的蜡、抛光粉残留物、抛光液残留物等，使用本发明的上述实施例清洗液对芯片进行清洗，清洗步骤如下：
35.(1)将芯片置于瓶内在紫外光的照射下向通入臭氧持续反应8min；
36.(2)将步骤(1)清洁后的芯片浸入清洗液a中，保持温度在24℃，浸泡9min；
37.(3)将步骤(2)清洁后的芯片浸入到清洗液b中，保持温度为85℃，浸泡15min；
38.(4)将步骤(3)处理后的芯片用超纯水反复冲洗4次。
39.实施例2：芯片清洗二：
40.进行芯片清洗前需要先配置芯片清洗液，芯片清洗液的制作步骤如下：
41.(1)制备清洗液a：
42.分别量取氢氟酸0.5l,盐酸1.5l。混合后得到混合溶液，用蒸馏水稀释至ph＝2.5，随后将混合溶液在20℃保温，得到清洗液a；
43.(2)制备清洗液b：
44.分别称取3kg谷氨酸二乙酸钠，5kg聚丙烯酰胺，3kg aeo7，2kg烷基多糖苷溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到60℃，降温至50℃加入0.5kg苯并三唑，搅拌均匀后加入0.15kg聚苯胺和0.24kg环氧氯丙烷超声混合，3.6kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到凝胶。
45.以碳化硅作为衬底的射频芯片在经过后段制程的研磨、抛光工序后，上面残留了大量的蜡、抛光粉残留物、抛光液残留物等，使用本发明的上述实施例清洗液对芯片进行清洗，清洗步骤如下：
46.(1)将芯片置于瓶内在紫外光的照射下向通入臭氧持续反应5min；
47.(2)将步骤(1)清洁后的芯片浸入清洗液a中，保持温度在20℃，浸泡10min；
48.(3)将步骤(2)清洁后的芯片浸入到清洗液b中，保持温度为80℃，浸泡20min；
49.(4)将步骤(3)处理后的芯片用超纯水反复冲洗3次。
50.实施例3：芯片清洗三：
51.进行芯片清洗前需要先配置芯片清洗液，芯片清洗液的制作步骤如下：
52.(1)制备清洗液a：
53.分别量取氢氟酸0.34l，盐酸1.36l。混合后得到混合溶液，用蒸馏水稀释至ph＝2.5，随后将混合溶液在20℃保温，得到清洗液a。
54.(2)制备清洗液b：
55.分别称取5kg谷氨酸二乙酸钠，8kg聚丙烯酰胺，5kg aeo9，4kg烷基多糖苷溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到70℃，降温至50℃加入苯并三唑0.66g，搅拌均匀后加入0.4kg聚3.4-乙撑二氧噻吩和0.75kg环氧氯丙烷超声混合，7.5kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到凝胶。
56.以碳化硅作为衬底的射频芯片在经过后段制程的研磨、抛光工序后，上面残留了大量的蜡、抛光粉残留物、抛光液残留物等，使用本发明的上述实施例清洗液对芯片进行清洗，清洗步骤如下：
57.(1)将芯片置于瓶内在紫外光的照射下向通入臭氧持续反应10min；
58.(2)将步骤(1)清洁后的芯片浸入清洗液a中，保持温度在25℃，浸泡8min；
59.(3)将步骤(2)清洁后的芯片浸入到清洗液b中，保持温度为90℃，浸泡10min；
60.(4)将步骤(3)处理后的芯片用超纯水反复冲洗5次。
61.实施例4：芯片清洗四：
62.本实施例的清洗过程仅采用清洗液a清洗，清洗前需制备清洗液a。
63.分别量取氢氟酸1l，盐酸1l。混合后得到混合溶液，用蒸馏水稀释至ph＝2.5，随后将混合溶液在20℃保温，得到清洗液a。
64.具体的清洗过程如下：
65.(1)将芯片置于瓶内在紫外光的照射下向通入臭氧持续反应5min；
66.(2)将步骤(1)清洁后的芯片浸入清洗液a中，保持温度在24℃，浸泡8min；
67.(3)将步骤(2)处理后的芯片用超纯水反复冲洗4次。
68.实施例5：芯片清洗五：
69.本实施例的清洗过程仅采用清洗液b清洗，清洗前需制备清洗液b。
70.分别称取4kg谷氨酸二乙酸钠，7kg聚丙烯酰胺，4kg aeo3，3kg烷基多糖苷溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到60℃，降温至50℃加入0.6kg苯并三唑，搅拌均匀后加入0.25kg聚噻吩和0.45kg环氧氯丙烷超声混合，5.5kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到凝胶。
71.具体的清洗过程如下：
72.(1)将芯片置于瓶内在紫外光的照射下向通入臭氧持续反应8min；
73.(2)将步骤(2)清洁后的芯片浸入到清洗液b中，保持温度为85℃，浸泡15min；
74.(3)将步骤(3)处理后的芯片用超纯水反复冲洗4次。
75.对比例1：
76.本对比例为实施例1的对照，本对比例与实施例1的主要区别在于对比例1的清洗液a的制备过程中hf与hcl的比例不同，清洗液a具体制备方法如下：
77.分别量取氢氟酸1.5l，盐酸0.5l。混合后得到混合溶液，用蒸馏水稀释至ph＝2.5，随后将混合溶液在20℃保温，得到清洗液a。
78.清洗液b原料配比和制备步骤与实施例1相同，制得清洗液i。
79.对比例2：
80.本对比例为实施例1的对照，本对比例与实施例1的主要区别在于对比例1的清洗液b制备过程中不加谷氨酸二乙酸钠，清洗液b具体制备方法如下：
81.分别称取7kg聚丙烯酰胺，4kg aeo3，3kg烷基多糖苷溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到60℃，随后降温至50℃加入0.6kg苯并三唑，在50℃恒温条件下搅拌均匀后加入0.25kg聚噻吩和0.45kg环氧氯丙烷超声混合，随后5.5kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到清洗液b。
82.清洗液a原料配比和制备步骤与实施例1相同，制得清洗液ii。
83.对比例3：
84.本对比例为实施例1的对照，本对比例与实施例1的主要区别在于对比例1的清洗液b制备过程中不加聚丙烯酰胺，清洗液b具体制备方法如下：
85.分别称取4kg谷氨酸二乙酸钠，4kg aeo3，3kg烷基多糖苷溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到60℃，随后降温至50℃加入0.6kg苯并三唑，在50℃恒温条件下搅拌均匀后加入0.25kg聚噻吩和0.45k环氧氯丙烷g超声混合，随后5.5kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到清洗液b。
86.清洗液a原料配比和制备步骤与实施例1相同，制得清洗液iii。
87.对比例4：
88.本对比例为实施例1的对照，本对比例与实施例1的主要区别在于对比例1的清洗液b制备过程中不加高碳脂肪醇聚氧乙烯醚，清洗液b具体制备方法如下：
89.分别称取4kg谷氨酸二乙酸钠，7kg聚丙烯酰胺，3kg烷基多糖苷溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到60℃，随后降温至50℃加入0.6kg苯并三唑，在50℃恒温条件下搅拌均匀后加入0.25kg聚噻吩和0.45kg环氧氯丙烷超声混合，随后5.5kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到清洗液b。
90.清洗液a原料配比和制备步骤与实施例1相同，制得清洗液iii。
91.对比例5：
92.本对比例为实施例1的对照，本对比例与实施例1的主要区别在于对比例1的清洗液b制备过程中不加入交联剂，清洗液b具体制备方法如下：
93.分别称取4kg谷氨酸二乙酸钠，7kg聚丙烯酰胺，4kg aeo3，烷基多糖苷3kg溶于3l蒸馏水搅拌混合加热到60℃，随后降温至50℃加入0.6kg苯并三唑，在50℃恒温条件下搅拌均匀后加入0.25kg聚噻吩超声混合，随后5.5kg羧甲基纤维钠边搅拌边冷却至40℃得到清洗液b。
94.清洗液a原料配比和制备步骤与实施例1相同，制得清洗液vi。
95.一、手机芯片清洗实验
96.实验芯片：共10组，每组分别取1cm
×
1cm的将经过研磨、抛光后的碳化硅芯片3个。
97.1、去污率测定：分别测重w1，于芯片两侧均匀涂覆一种5g的污垢，于60℃下烘干1.5小时，分别测重w2。其中，污垢由松香3g，氧化铜1g，铝1g，加热至50℃混合均匀制成。
98.清洗方法：用上述实施例1-5的清洗液及清洗步骤分别对其中5组实验芯片进行清洗，上述对比例1-5的配置的清洗液i-v采用与实施例1同样的清洗步骤分别对剩下的5组手机芯片进行清洗。清洗液没过实验芯片即可，清洗完成后用烘箱进行烘干，分别测重w3。用重量法得出去污率。
99.去污率＝[(w2-w3)/(w2-w1)]
×
100％。具体结果见表1
[0100]
表1：去污率测试结果表
[0101] 去污率％实施例199实施例299实施例399实施例474实施例582对比例185对比例284对比例387对比例487对比例576
[0102]
2、每组随机抽取一个经过去污率测试的芯片，采用金相显微镜放大200倍观察表面颗粒残余，观察结果如下表2：
[0103]
表2
[0104] 实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5颗粒个数2023223928 对比例1对比例2对比例3对比例4对比例5颗粒个数3234303341
[0105]
3、采用xps方法分析表面金属离子含量，得到主要金属离子在硅片表面残留率见表3。
[0106]
表3
[0107] mg
2+
ca
2+
cu
2+
f-实施例10.040.020.010.01实施例20.030.040.020.01实施例30.030.030.010.02实施例410.2712.4111.7610.68实施例519.4320.1216.2918.47对比例118.1716.5527.1820.57对比例220.3223.6715.9317.71对比例37.6917.2515.4421.76对比例419.5320.1215.6317.29对比例518.8419.7920.1620.17
[0108]
实验结果分析：
[0109]
1、由表1的数据可知，实施例1-3的去污率最好，可以达到99％，实施例4和对比例6的去污率都较差，仅有74％和76％。由此可以说明，仅使用常规的无机试剂处理的手段不能很好的清除杂质，使用清洗a和清洗液b配合使用来处理芯片可以更好的将芯片上的污垢剥离。
[0110]
2、由表2的数据可知，实施例1-3的残留微粒个数相差不大，但实施例4-5、对比例1-5的残留微粒明显高于实施例1，其中对比例5的残留微粒数量最多，有41个。由此可以说明本发明制备的清洗液a和清洗液b共同作用于芯片提高了清洗效果，尽可能的去除了杂质颗粒。便于后续制作工程对芯片进行加工，提高成品率。其中降低清洗液a中hf的用量，可以减少氟离子浓度，降低清洗液的危害性，便于后续清洗液的处理。
[0111]
3、由表3的数据可知，实施例1的各主要金属离子的表面残留率均小于实施例4-5和对比例1-5。其中对比例1的铜离子残留率与实施例1差距最大，较实施例1铜离子残留率高27.17％，氟离子的残留率也较高，较实施例1高20.56％。对比例1的hf含量高于实施例1，若hf含量过高铜离子会沉积到芯片表面难以去除，导致用清洗液b清洗后铜离子和氟离子的含量仍然残留于芯片表面，导致清洗效果降低。
[0112]
3、对比例2未添加谷氨酸二乙酸钠与实施例1相比，镁离子和钙离子残留率最高，增加了20.28％和23.65％。由此说明，谷氨酸二乙酸钠可与金属离子形成较为稳定的络合物，并且形成的络合物具有很好的溶解度，从而使金属离子离开芯片表面。对比例3未添加聚丙烯酰胺与实施例1相比，氟离子残留率最高，增加了21.75％。由此说明聚丙烯酰胺具有很好的去除氟离子能力。对比例4未添加高碳脂肪醇聚氧乙烯醚与实施例1相比，镁离子和
钙离子残留率都较高，增加了19.49％和20.10％。由此可以说明，高碳脂肪醇聚氧乙烯醚与烷基糖苷复配后提高了谷氨酸二乙酸钠的溶解度和接触面积，在去除金属离子的同时使芯片上的杂质颗粒脱落，进一步提高芯片的清洗效果。
[0113]
4、对比例5未添加交联剂，各离子的残留率显著高于实施例1，其中镁离子高18.80％，钙离子高19.77％，铜离子高20.15％，氟离子高20.15％。由此可以说明，将各有机溶剂制成凝胶可显著提高离子剥离能力，有效防止了芯片的二次污染提高了芯片成品率。
[0114]
5、对比例1-5、实施例4、5的综合对比。说明各清洗液既单独对芯片上的成分起到清洁作用，又可以增强其他成分的清洁能力，并且清洗液a和清洗液b可以更好的发挥协同作用，防止试剂对芯片的二次污染。
[0115]
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。
技术特征：1.一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，所述清洗液的制备方法如下：(1)制备清洗液a：将hf和hcl混合得到混合溶液，用水稀释至ph＝2-2.5，随后将混合溶液在20-25℃保温待用；(2)制备清洗液b：将谷氨酸二乙酸钠、聚丙烯酰胺、高碳脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基糖苷加入蒸馏水中混合均匀边搅拌边加热到60-70℃；随后降温至50℃后恒温，加入苯并三唑搅拌均匀，再加入导电聚合物和交联剂超声使其混合均匀；在50℃下恒温，加入羧甲基纤维素钠边搅拌边冷却至40℃得到清洗液b。2.根据权利要求1所述的一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，所述hf和hcl的体积比为1：(2-5)。3.根据权利要求1所述的一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，所述高碳脂肪醇聚氧乙烯醚为aeo3、aeo7、aeo9中的一种。4.根据权利要求1所述的一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，所述蒸馏水、谷氨酸二乙酸钠、聚丙烯酰胺、高碳脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基多糖苷和苯并三唑的添加比例为3l：(3-5)kg：(5-8)kg：(3-5)kg：(2-4)kg：(0.5-0.66)kg。5.根据权利要求1所述的一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，所述导电聚合物为聚苯胺、聚噻吩、聚3.4-乙撑二氧噻吩中的一种。6.根据权利要求1所述的一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，所述交联剂为环氧氯丙烷、戊二醛、乙二醛中的一种。7.根据权利要求1所述的一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，所述谷氨酸二乙酸钠、导电聚合物、交联剂、羧甲基纤维素钠的质量比为1：(0.05-0.08)：(0.08-0.15)：(1.2-1.5)。8.根据权利要求1所述的一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，其特征在于，清洗液的使用方法包括如下：(1)将芯片置于瓶内在紫外光的照射下通入臭氧持续反应5-10min；(2)将步骤(1)清洁后的芯片浸入清洗液a中，清洗液a温度保持在20-25℃，浸泡8-10min；(3)将步骤(2)清洁后的芯片浸入到清洗液b中，清洗液b温度保持在80-90℃，浸泡10-20min；(4)将步骤(3)处理后的芯片用超纯水反复冲洗3-5次。
技术总结本发明公开了一种高效低污染的半导体电子芯片专用清洗液，属于半导体清洗技术领域，同时公开了清洗液的制备方法和使用方法。所述清洗液的原料包括氢氟酸、盐酸、谷氨酸二乙酸钠、聚丙烯酰胺、高碳脂肪醇聚氧乙烯醚、苯并三唑、导电聚合物、交联剂、羧甲基纤维素钠和超纯水。本发明结合清洗液的作用特性配合相应的使用方法，不仅芯片清洁度高，污染程度低，且其简单的应用环境和条件并不会对后续的芯片制造程序产生阻碍。加快了芯片清洗效率，提高了成品率，降低了芯片制造产业的成本。降低了芯片制造产业的成本。
技术研发人员：梅颜 杜磊 姚欣 林剑豪 吴志鹏
受保护的技术使用者：中科广化（重庆）新材料研究院有限公司
技术研发日：2022.07.25
技术公布日：2022/11/1
