1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术：2.有机发光二极管(organic light emitting display，oled)和量子点发光二极管(qled，quantum dot lightemitting diodes)等发光器件以其具有自发光，色彩丰富，响应速度快，视角广，重量轻，可做成柔性显示屏等优点而受到广泛关注。无论是oled，还是qled的工艺中，像素限定层结构(bank)作为阻挡量子点或发光材料液滴在印刷时溢出的有效结构，是不可缺少的；同时，在micro-led、mini-led和qd色转换层等显示结构中，bank结构能够起到阻挡发光器件斜视角光泄露，从而减少发光像素之间的颜色串扰的作用；因此，能够获得具有特定功能的bank结构是非常重要的。
3.目前的bank结构主要是通过光刻技术加工得到的，而且bank主要是由光刻胶和黑色或者白色粒子等组成的。在光刻过程中，如果要得到高膜厚bank结构，由于黑色材料对光的吸收，或白色材料对光的反射，导致光束很难照射到bank膜层内部，从而导致高膜厚bank内部无法被显影液去除掉，因此导致光刻技术加工bank结构时的解析度较低，制备得到的bank结构分辨率较低，这就限制了其在高分辨率显示上的应用。
4.因此，现有显示面板存在像素限定层(bank)的光刻技术制备工艺限制了其在高分辨率显示上的应用的技术问题，需要改进。
技术实现要素：5.本发明提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有像素限定层(bank)的光刻技术制备工艺存在的限制了其在高分辨率显示上的应用的技术问题。
6.为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
7.本发明实施例提供一种显示面板，包括：
8.衬底；
9.多个发光器件，位于所述衬底上；
10.第一电极，位于所述衬底上方，所述第一电极设有多个第一开口；
11.像素限定层，位于所述第一电极上，所述像素限定层设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上，并暴露多个所述发光器件。
12.在本发明实施例提供的显示面板中，所述像素限定层的材料包括纳米粒子，所述纳米粒子表面具有配体。
13.在本发明实施例提供的显示面板中，所述配体包括带有胺基、羧基、巯基基团的配体、正辛硫醇、三辛基膦、peg-cooh、带有长链聚合物的配体中的至少一种。
14.在本发明实施例提供的显示面板中，所述纳米粒子包括黑色纳米粒子，所述黑色纳米粒子包括炭黑、铜铬黑、炭化的二氧化钛或炭化的二氧化硅中的至少一种；和/或，所述纳米粒子包括白色纳米粒子，所述白色纳米粒子包括聚合物纳米球、二氧化钛纳米粒子、包
覆二氧化钛纳米粒子的聚合物、碳酸钙纳米粒子或碳酸钡纳米粒子中的至少一种。
15.在本发明实施例提供的显示面板中，所述像素限定层的厚度小于1微米，所述纳米粒子的尺寸范围为10至50纳米；或者，所述像素限定层的厚度范围为1至5微米，所述纳米粒子的尺寸范围为10至200纳米；或者，所述像素限定层的厚度大于5微米，所述纳米粒子的尺寸范围为50至500纳米。
16.在本发明实施例提供的显示面板中，所述像素限定层与所述第一电极的形状相同，所述像素限定层的边缘的至少部分超出所述第一电极的边缘。
17.在本发明实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括多个像素电极，所述多个像素电极位于多个所述第一开口内，且所述第一电极和所述多个像素电极同层设置且材料相同。
18.进一步的，本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括：
19.提供衬底；
20.在所述衬底上方制备第一电极，所述第一电极设有多个第一开口；
21.在所述第一电极上制备像素限定层，所述像素限定层设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上；以及
22.在所述衬底上制备多个发光器件，多个所述发光器件暴露于多个所述第二开口。
23.在本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，所述的在所述第一电极上制备像素限定层的步骤包括：
24.在所述第一电极上涂布纳米粒子溶液，所述纳米粒子溶液中的纳米粒子处于带电状态；
25.在远离所述纳米粒子溶液的上方放置一面电极板；
26.向所述第一电极和所述面电极板通电，以使所述纳米粒子溶液在所述第一电极上形成所述像素限定层，其中，所述第一电极的电压电性与所述纳米粒子的电性不同，所述面电极板的电压电性与所述纳米粒子的电性相同。
27.在本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，所述显示面板还包括多个像素电极，所述多个像素电极对应所述第一开口的位置设置；所述的在所述第一电极上制备像素限定层的步骤包括：
28.在所述第一电极和所述多个像素电极的上方涂布纳米粒子溶液，所述纳米粒子溶液中的纳米粒子处于带电状态；
29.向所述第一电极和所述多个像素电极通电，以在所述第一电极上形成所述像素限定层，其中，所述第一电极的电压电性与所述纳米粒子的电性不同，所述多个像素电极的电压电性与所述纳米粒子的电性相同。
30.本发明的有益效果为：本发明提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板包括衬底、多个发光器件、第一电极及像素限定层，所述多个发光器件位于所述衬底上，所述第一电极位于所述衬底上方，且设有多个第一开口，所述像素限定层位于所述第一电极上，且设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上，并暴露多个所述发光器件。本发明实施例通过利用第一电极形成电场来控制形成像素限定层结构，制备方法简单方便。
附图说明
31.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
32.图1为本发明实施例提供的第一种显示面板的截面结构示意图；
33.图2为本发明实施例提供的纳米粒子外溢到第一电极外面的截面结构示意图；
34.图3为本发明实施例提供的第二种显示面板的截面结构示意图；
35.图4a至图4e为本发明实施例提供的第一种显示面板的制备过程示意图；
36.图4f至图4h为本发明实施例提供的第二种显示面板的制备过程示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
38.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
39.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。
40.针对现有显示面板存在的像素限定层(bank)的光刻技术制备工艺限制了其在高分辨率显示上的应用的技术问题，本发明实施例可以得以解决。
41.为了解决上述问题，本技术提供了一种显示面板，具体的，本技术提供的显示面板包括衬底、多个发光器件、第一电极及像素限定层，所述多个发光器件位于所述衬底上，所述第一电极位于所述衬底上方，且设有多个第一开口，所述像素限定层位于所述第一电极上，且设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上，并暴露多个所述发光器件。
42.下面通过具体实施例对本技术提供的显示面板进行详细的阐述。
43.在一种实施例中，请参阅图1、图2及图3。如图1所示，本发明实施例提供的显示面板，包括：
44.衬底11；
45.多个发光器件(图中未示出)，位于所述衬底上；
46.第一电极12，位于所述衬底11上方，所述第一电极12设有多个第一开口14；
47.像素限定层13，位于所述第一电极12上，所述像素限定层13设有多个第二开口15，多个所述第二开口15位于多个所述第一开口14上，并暴露多个所述发光器件。
48.需要说明的是，在本实施例中，所述第一电极12也称为bank电极(像素限定层电极)；在本发明实施例中，利用所述第一电极形成电场来控制形成像素限定层结构，通过对所述第一电极的图案化设计，则可以实现所述像素限定层结构的图案化加工；该方法利用光刻法制备高精度的第一电极，以此来实现高精度的像素限定层结构，所述像素限定层的形状与所述第一电极的形状相同，所述像素限定层的厚度可以在十几纳米到十几微米范围内精确调整，且方法简单方便，适合于多种类型的像素限定层材料，适宜大规模商业化生产。
49.即本发明提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板包括衬底、多个发光器件、第一电极及像素限定层，所述多个发光器件位于所述衬底上，所述第一电极位于所述衬底上方，且设有多个第一开口，所述像素限定层位于所述第一电极上，且设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上，并暴露多个所述发光器件。本发明实施例通过利用第一电极形成电场来控制形成像素限定层结构，制备方法简单方便。
50.在一种实施例中，所述像素限定层13的材料包括纳米粒子，所述纳米粒子表面具有配体；具体的，在本发明实施例中，利用电场驱动带电的纳米粒子运动并聚集到所述第一电极12上，进而形成紧密堆积的纳米粒子薄膜，所述纳米粒子薄膜在所述第一电极12上形成所述像素限定层13。
51.进一步的，为了实现纳米粒子的带电，则需要对纳米粒子进行表面修饰，如使用配体来修饰纳米粒子表面。
52.在一种实施例中，所述配体包括带有胺基、羧基、巯基基团的配体、正辛硫醇、三辛基膦、peg-cooh、带有长链聚合物的配体中的至少一种；进一步的，对于其溶剂的选择主要依赖于纳米粒子的分散性，可选pgmea，辛烷，正己烷，dmf，dmso，乙醇等。
53.优选的，为了提高纳米粒子的带电性，则可以选择能够在溶剂中电离的配体，而溶剂则选择如乙醇、dmf、pgmea等极性溶剂。
54.优选的，为了实现纳米粒子能够稳定的沉积在第一电极上，而不被后续的加工过程所去除掉，则需要对纳米粒子的表面进行特殊的设计，如使用带有peg等长链聚合物的配体修饰纳米粒子表面，该类型配体在电场的作用下电场力克服粒子间斥力，从而彼此靠近，该类型长链配体通过分子间作用力吸附到一起，从而聚集到一起，进而从溶液中析出，不再溶解在溶液里面，从而稳定地沉积在第一电极上；更进一步的设计，则可以在溶液中添加聚合物单体，该单体能够与配体相互作用，并且在光照下与配体反应，从而聚合到一起，从而形成更稳定的像素限定层结构。
55.在一种实施例中，所述纳米粒子包括黑色纳米粒子，所述黑色纳米粒子包括炭黑、铜铬黑、炭化的二氧化钛或炭化的二氧化硅中的至少一种；和/或，所述纳米粒子包括白色
纳米粒子，所述白色纳米粒子包括聚合物纳米球、二氧化钛纳米粒子、包覆二氧化钛等纳米粒子的聚合物、碳酸钙纳米粒子或碳酸钡纳米粒子中的至少一种；具体的，所述黑色纳米粒子形成的像素限定层结构能够有效地阻挡像素发光的斜角度发射，从而减少不同颜色发光像素之间的串扰；而白色纳米粒子形成的像素限定层结构不仅可以阻挡串扰，还能够减少像素限定层对发光像素的吸收，并且将光反射回去，从而使得更多的光从正视角出射，因此可以有效地提高micro-led、mini-led和qd色转换层等显示技术的光效。
56.进一步的，在另一种实施例中，所述像素限定层为灰色，该所述灰色像素限定层则是通过按照特定比例混合的黑色纳米粒子和白色纳米粒子来沉积实现的。
57.在一种实施例中，所述像素限定层13的厚度小于1微米，所述纳米粒子的尺寸范围为10至50纳米；或者，所述像素限定层13的厚度范围为1至5微米，所述纳米粒子的尺寸范围为10至200纳米；或者，所述像素限定层13的厚度大于5微米，所述纳米粒子的尺寸范围为50至500纳米；可以理解的是，对于不同厚度需求的像素限定层结构，则可以选择不同尺寸的纳米粒子；当像素限定层结构小于1微米时，则可以选择10至50纳米的纳米粒子，基于电沉积薄膜的堆积密度随着电场强度提高而提高的原理，利用该尺寸的纳米粒子在更强的电场强度下，则可以得到更高堆积密度的像素限定层薄膜，从而提高像素限定层结构的反射率(白色像素限定层)或者吸收率(黑色像素限定层)；而当像素限定层厚度在1至5微米时，则可以选择10至200纳米的纳米粒子；而当像素限定层厚度大于5微米时，则可以选择50至500纳米的纳米粒子。
58.在一种实施例中，所述像素限定层13与所述第一电极12的形状相同，所述像素限定层13的边缘的至少部分超出所述第一电极12的边缘；具体的，在本发明实施例中，利用电场驱动带电的纳米粒子运动到与带电纳米粒子电性相反的第一电极12上，并在第一电极12上沉积和聚集，从而形成像素限定层13；所形成的像素限定层13与所述第一电极12的形状相同，所述像素限定层13的尺寸可以与所述第一电极12的尺寸相同，也可以略大于所述第一电极12的尺寸，即所述像素限定层13的边缘的至少部分超出所述第一电极12的边缘。
59.具体的，当纳米粒子尺寸较大时，得到的所述像素限定层13的尺寸比所述第一电极12的尺寸大，如图2所示，因为纳米粒子会略微外溢到所述第一电极12外面；因此，纳米粒子尺寸越小，所述像素限定层13的尺寸与所述第一电极12的尺寸就越接近。
60.在一种实施例中，如图3所示，所述显示面板还包括多个像素电极16，所述多个像素电极16位于多个所述第一开口14内，且所述第一电极12和所述多个像素电极16同层设置且材料相同；具体的，对于利用qd色转换层技术的显示器件来说，如果利用电沉积方法加工qd像素结构，则需要在像素区域加工上像素电极16，所述像素电极16位于所述第一开口14内，所述第一电极12和所述多个像素电极16的材料都为氧化铟锡(ito)时，则可以利用同一步光刻来制作所述第一电极12和所述多个像素电极16，即所述第一电极12和所述多个像素电极16同层设置且材料相同。
61.可以理解的是，在另一种实施例中，所述第一电极12的材料包括银或铝等金属，则所述第一电极12可以有效的反射底部的蓝色背光，减少所述像素限定层13对蓝光的吸收，从而提高蓝背光的利用效率。
62.进一步的，本技术实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：
63.提供衬底；
64.在所述衬底上方制备第一电极，所述第一电极设有多个第一开口；
65.在所述第一电极上制备像素限定层，所述像素限定层设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上；以及
66.在所述衬底上制备多个发光器件，多个所述发光器件暴露于多个所述第二开口。
67.现结合图3、图4a至图4h对本技术实施例提供的显示面板的制备方法进行说明。
68.在一种实施例中，以oled、qled和/或micro/mini-led为例，来说明显示面板的制备方法。如图4a至图4e所示，本技术提供的显示面板的制备方法包括以下步骤：
69.步骤1、提供一衬底。
70.具体的，如图4a所示，提供一基板，作为所述显示面板的衬底11，所述衬底11的材料包括玻璃、有机玻璃、硬质绝缘膜材、软质绝缘膜材等。
71.步骤2、在衬底上方制备第一电极。
72.具体的，如图4b所示，在所述衬底11的上方制备第一电极12，所述第一电极12设有多个第一开口；所述第一电极12的材料包括氧化铟锡(ito)、石墨烯、金、银、铜、铝等金属、过渡金属硫属化合物(mos2、mose2、ws2、wse2)等。
73.步骤3、在第一电极上制备像素限定层。
74.具体的，所述像素限定层位于所述第一电极上，所述像素限定层设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上；所述像素限定层的材料包括纳米粒子，所述像素限定层的形状与所述第一电极的形状相同。
75.进一步的，所述的在所述第一电极上制备像素限定层的步骤包括：
76.步骤31、在第一电极上涂布纳米粒子溶液。
77.具体的，如图4c所示，将纳米粒子溶液刮涂或者滴涂到所述第一电极12上，形成均匀的纳米粒子溶液层，所述纳米粒子表面具有配体，所述纳米粒子溶液中的纳米粒子处于带电状态；所述纳米粒子是通过配体来修饰其表面以实现带电，所述纳米粒子包括黑色纳米粒子和/或白色纳米粒子，所述黑色纳米粒子包括炭黑、铜铬黑、炭化的二氧化钛或炭化的二氧化硅中的至少一种；所述白色纳米粒子包括聚合物纳米球、二氧化钛纳米粒子、包覆二氧化钛等纳米粒子的聚合物、碳酸钙纳米粒子或碳酸钡纳米粒子中的至少一种。
78.步骤32、在远离纳米粒子溶液的上方放置面电极板。
79.具体的，如图4d所示，利用一个整面的面电极板19放置在远离所述纳米粒子溶液的上方，使其与所述衬底11形成cell结构。
80.步骤33、在第一电极上形成像素限定层。
81.如图4e所示，向所述第一电极12(图中被像素限定层13遮挡)和所述面电极板19通电，以使所述纳米粒子溶液在所述第一电极12上形成所述像素限定层13，其中，所述第一电极12的电压电性与所述纳米粒子的电性不同，所述面电极板19的电压电性与所述纳米粒子的电性相同；具体的，在所述面电极板19与所述衬底11形成cell结构后，分别给上边的面电极板19和下边衬底11上的第一电极12施加特定的电压(0v-1000v)，从而形成上下的垂直电场，在电场(电场强度0v/μm-20v/μm)的作用下，带电粒子运动到第一电极12的对应位置上；其中，如果纳米粒子带负电，则给第一电极12施加正电；如果纳米粒子带正电，则给第一电极12施加负电；第一电极12的形状则是所得到的像素限定层13的形状；像素限定层13的厚度可以通过提高电场强度或提升纳米粒子的浓度和含量来提高。
82.步骤4、在衬底上制备多个发光器件。
83.具体的，在所述衬底上制备多个发光器件(图中未示出)，多个所述发光器件暴露于多个所述第二开口；所述发光器件包括oled发光器件或led灯珠。
84.最后，去掉所述面电极板19，至此，完成显示面板的制备。
85.根据上述描述可知，本技术提供的显示面板的制备方法中，通过利用第一电极形成电场来控制形成像素限定层结构，制备方法简单方便，适合于多种类型的像素限定层材料，适宜大规模商业化生产。
86.在另一种实施例中，以qd色转换层技术的显示器件为例，来说明显示面板的制备方法。如图3、图4f至图4h所示，本技术提供的显示面板还包括多个像素电极16，所述多个像素电极16对应所述第一开口14的位置设置；该显示面板的制备方法包括以下步骤：
87.步骤1、提供一衬底。
88.具体的，如图4a所示，提供一基板，作为所述显示面板的衬底11，所述衬底11的材料包括玻璃、有机玻璃、硬质绝缘膜材、软质绝缘膜材等。
89.步骤2、在衬底上方制备第一电极和像素电极。
90.具体的，如图4f所示，在所述衬底11的上方制备第一电极12，所述第一电极12设有多个第一开口，多个像素电极16对应所述第一开口的位置设置；所述第一电极12的材料包括氧化铟锡(ito)、石墨烯、金、银、铜、铝等金属、过渡金属硫属化合物(mos2、mose2、ws2、wse2)等；所述像素电极16包括氧化铟锡(ito)等透明电极材料；所述第一电极12和所述多个像素电极16的材料都为氧化铟锡(ito)时，利用同一步光刻来制作所述第一电极12和所述多个像素电极16；所述像素电极16可以通过下方挖孔的方式走线实现外部电路给电，或者所述第一电极12通过下方挖孔的方式连接导线实现外部电路给电。
91.步骤3、在第一电极上制备像素限定层。
92.具体的，所述像素限定层位于所述第一电极上，所述像素限定层设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上；所述像素限定层的材料包括纳米粒子，所述像素限定层的形状与所述第一电极的形状相同。
93.进一步的，所述的在所述第一电极上制备像素限定层的步骤包括：
94.步骤31、在第一电极和多个像素电极的上方涂布纳米粒子溶液。
95.具体的，如图4g所示，将纳米粒子溶液刮涂或者滴涂到所述第一电极12和所述多个像素电极16上，形成均匀的纳米粒子溶液层，所述纳米粒子表面具有配体，所述纳米粒子溶液中的纳米粒子处于带电状态；所述纳米粒子是通过配体来修饰其表面以实现带电，所述纳米粒子包括黑色纳米粒子和/或白色纳米粒子，所述黑色纳米粒子包括炭黑、铜铬黑、炭化的二氧化钛或炭化的二氧化硅中的至少一种；所述白色纳米粒子包括聚合物纳米球、二氧化钛纳米粒子、包覆二氧化钛等纳米粒子的聚合物、碳酸钙纳米粒子或碳酸钡纳米粒子中的至少一种。
96.步骤32、在第一电极上形成像素限定层。
97.如图4h所示，向所述第一电极12(图中被像素限定层13遮挡)和所述多个像素电极16通电，以在所述第一电极12上形成所述像素限定层13，其中，所述第一电极12的电压电性与所述纳米粒子的电性不同，所述多个像素电极16的电压电性与所述纳米粒子的电性相同；具体的，分别给像素电极16和第一电极12施加特定的正负电场，从而实现纳米粒子在第
一电极上的沉积和聚集，进而在第一电极12上形成像素限定层13。
98.步骤4、在像素电极上沉积qd。
99.具体的，如图3所示，在所述多个像素电极16上利用电沉积方法加工qd像素结构，所述qd暴露于多个所述第二开口；其中，所述qd包括红色的qd17和绿色的qd18；通过对qd材料和纳米粒子材料的尺寸设计，使得沉积的像素限定层13和qd的尺寸略大于第一电极12和像素电极16的尺寸，从而将第一电极12和像素电极16之间的空隙填补上，这样就可以防止蓝背光的泄露。
100.至此，完成显示面板的制备。
101.根据上述描述可知，本技术提供的显示面板的制备方法中，通过利用第一电极形成电场来控制形成像素限定层结构，制备方法简单方便，适合于多种类型的像素限定层材料，适宜大规模商业化生产。
102.相应的，本技术实施例还提供一种显示面板的制备设备，使用如上实施例中显示面板的制备方法制备显示面板。
103.根据上述实施例可知：
104.本发明提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板包括衬底、多个发光器件、第一电极及像素限定层，所述多个发光器件位于所述衬底上，所述第一电极位于所述衬底上方，且设有多个第一开口，所述像素限定层位于所述第一电极上，且设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上，并暴露多个所述发光器件。本发明实施例通过利用第一电极形成电场来控制形成像素限定层结构，制备方法简单方便，适合于多种类型的像素限定层材料，适宜大规模商业化生产。
105.综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
技术特征：1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底；多个发光器件，位于所述衬底上；第一电极，位于所述衬底上方，所述第一电极设有多个第一开口；像素限定层，位于所述第一电极上，所述像素限定层设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上，并暴露多个所述发光器件。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定层的材料包括纳米粒子，所述纳米粒子表面具有配体。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述配体包括带有胺基、羧基、巯基基团的配体、正辛硫醇、三辛基膦、peg-cooh、带有长链聚合物的配体中的至少一种。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子包括黑色纳米粒子，所述黑色纳米粒子包括炭黑、铜铬黑、炭化的二氧化钛或炭化的二氧化硅中的至少一种；和/或，所述纳米粒子包括白色纳米粒子，所述白色纳米粒子包括聚合物纳米球、二氧化钛纳米粒子、包覆二氧化钛纳米粒子的聚合物、碳酸钙纳米粒子或碳酸钡纳米粒子中的至少一种。5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定层的厚度小于1微米，所述纳米粒子的尺寸范围为10至50纳米；或者，所述像素限定层的厚度范围为1至5微米，所述纳米粒子的尺寸范围为10至200纳米；或者，所述像素限定层的厚度大于5微米，所述纳米粒子的尺寸范围为50至500纳米。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定层与所述第一电极的形状相同，所述像素限定层的边缘的至少部分超出所述第一电极的边缘。7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括多个像素电极，所述多个像素电极位于多个所述第一开口内，且所述第一电极和所述多个像素电极同层设置且材料相同。8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上方制备第一电极，所述第一电极设有多个第一开口；在所述第一电极上制备像素限定层，所述像素限定层设有多个第二开口，多个所述第二开口位于多个所述第一开口上；以及在所述衬底上制备多个发光器件，多个所述发光器件暴露于多个所述第二开口。9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述的在所述第一电极上制备像素限定层的步骤包括：在所述第一电极上涂布纳米粒子溶液，所述纳米粒子溶液中的纳米粒子处于带电状态；在远离所述纳米粒子溶液的上方放置一面电极板；向所述第一电极和所述面电极板通电，以使所述纳米粒子溶液在所述第一电极上形成所述像素限定层，其中，所述第一电极的电压电性与所述纳米粒子的电性不同，所述面电极板的电压电性与所述纳米粒子的电性相同。10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板还包括多个像素电极，所述多个像素电极对应所述第一开口的位置设置；所述的在所述第一电极上
制备像素限定层的步骤包括：在所述第一电极和所述多个像素电极的上方涂布纳米粒子溶液，所述纳米粒子溶液中的纳米粒子处于带电状态；向所述第一电极和所述多个像素电极通电，以在所述第一电极上形成所述像素限定层，其中，所述第一电极的电压电性与所述纳米粒子的电性不同，所述多个像素电极的电压电性与所述纳米粒子的电性相同。
技术总结本发明提供一种显示面板及其制备方法；该显示面板包括衬底、多个发光器件、第一电极及像素限定层，多个发光器件位于衬底上，第一电极位于衬底上方，且设有多个第一开口，像素限定层位于第一电极上，且设有多个第二开口，多个第二开口位于多个第一开口上，并暴露多个发光器件。本发明实施例通过利用第一电极形成电场来控制形成像素限定层结构，制备方法简单方便。便。便。
技术研发人员：赵金阳
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.13
技术公布日：2022/11/1
