1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术：2.随着增强现实(augmented reality，简称ar)产品和虚拟现实(virtualreality，简称vr)产品的发展，对于液晶显示器件(liquid crystal display，简称lcd)每英寸所拥有的像素数目，即高像素密度(pixels per inch，ppi)的需求越来越高。如果lcd显示ppi提升，像素开口率也会进一步降低。因此，如何提高光效、降低功耗是目前急需解决的问题之一。
技术实现要素：3.有鉴于此，本技术的目的在于提出一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
4.基于上述目的，本技术提供了显示基板，包括：
5.衬底基板；
6.多个像素单元，阵列排布在所述衬底基板上；
7.其中，所述像素单元包括：
8.薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上；
9.第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，包括第一过孔；
10.色阻，设置在所述第一绝缘层上；
11.第二绝缘层，设置在所述色阻上，包括第二过孔；
12.像素电极，设置在所述第二绝缘层上；
13.其中，所述像素电极和所述薄膜晶体管的源极分别通过所述第二过孔和所述第一过孔与设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的连接电极层电连接。
14.本技术实施例还提供一种显示面板，包括显示基板、对侧基板以及位于显示基板和对侧基板之间的液晶分子层；所述显示基板为如前任一项所述的显示基板。
15.本技术实施例还提供一种显示装置，包括如前所述的显示面板。
16.本技术实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：
17.提供衬底基板；
18.在所述衬底基板上形成多个像素单元，阵列排布在所述衬底基板上；
19.其中，所述像素单元包括：
20.薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上；
21.第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，包括第一过孔；
22.色阻，设置在所述第一绝缘层上；
23.第二绝缘层，设置在所述色阻上，包括第二过孔；
24.像素电极，设置在所述第二绝缘层上；
25.其中，所述像素电极和所述薄膜晶体管的源极分别通过所述第二过孔和所述第一过孔与设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的连接电极层电连接。
26.从上面所述可以看出，本技术提供的本技术实施例提供的显示基板，通过设置衬底基板；以及多个像素单元，阵列排布在所述衬底基板上；其中，所述像素单元包括：薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，包括第一过孔；色阻，设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在所述色阻上，包括第二过孔；像素电极，设置在所述第二绝缘层上；其中，所述像素电极和所述薄膜晶体管的源极分别通过所述第二过孔和所述第一过孔与设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的连接电极层电连接。这样，无需在色阻上设置过孔，即可实现像素电极与薄膜晶体管的源极的电连接，避免在色阻设置过孔导致的开口率或光效损失等。
附图说明
27.为了更清楚地说明本技术或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1为相关技术中的液晶显示基板的示例性的剖面结构示意图；
29.图2示出了相关技术中的液晶显示基板的示例性的平面结构示意图。
30.图3(a)为本技术实施例的示例性的显示基板的剖面结构示意图。
31.图3(b)为本技术实施例的示例性的显示基板的第一像素单元的剖面结构示意图。
32.图4为本技术实施例的示例性的显示基板的简化的剖面结构示意图。
33.图5示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
34.图6示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
35.图7示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
36.图8示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
37.图9示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
38.图10示出了申请实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
39.图11示出了本技术实施例的示例性的显示面板的结构示意图。
40.图12示出了本技术实施例的示例性的显示基板的制备方法。
41.图13(a)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的中间体结构示意图；
42.图13(b)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
43.图13(c)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
44.图13(d)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
45.图13(e)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
46.图13(f)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
47.图13(g)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
48.图13(h)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
49.图13(i)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
50.图13(j)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
51.图13(k)为本技术实施例的示例性的显示基板制备时的又一中间体结构示意图；
52.图13(l)为本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图；
53.图13(m)为本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
具体实施方式
54.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本技术进一步详细说明。
55.需要说明的是，除非另外定义，本技术实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
56.液晶显示器件作为目前主流的显示器件，具有耗电量低、体积小、辐射低等优势。而液晶显示面板为非自发光面板，需要配合背光模组使用。液晶显示器件的显像原理，是将液晶置于彩色滤光片基板和薄膜晶体管阵列基板之间，通过在两片基板上施加驱动电压，引起液晶分子扭曲的电场效应，以控制背光源透射或遮蔽功能，从而将影像显示出来。
57.coa(color filter on array)技术是将彩色滤光层制备在阵列基板上的技术，可以提高开口率，并省却彩色滤光片基板和薄膜晶体管阵列基板后期的对准工艺。
58.本技术实施例提供的显示基板为液晶显示基板，该液晶显示基板可用于被动式显示模式中，可以应用于高ppi显示，例如虚拟现实(virtual reality，简称vr)、增强现实(augmented reality，简称ar)、混合现实(mixed reality，简称mr)等轻薄化的近眼显示、光场显示以车载显示等领域。
59.图1为相关技术中的液晶显示基板的示例性的剖面结构示意图。
60.如图1所示，液晶显示基板包括多个薄膜晶体管200，多个色阻310和多个像素电极400。所述多个色阻310和所述多个像素电极400分别与所述多个薄膜晶体管200一一对应设置。其中，像素电极400通过贯穿色阻的过孔311与薄膜晶体管200(例如源极)电连接。过孔311内填充有连接金属 (例如像素电极用的金属材质)。
61.图2示出了相关技术中的液晶显示基板的示例性的平面结构示意图。
62.如图2所示，在色阻310设上开设有贯穿色阻310的过孔311。对于高 ppi的显示基板，ppi可达2000ppi～3000ppi，单个像素的尺寸往往较小，这时在色阻310上开设过孔，由于色阻310的有机材料的特性，过孔311的孔径较大，这样会导致光效降低。因此，coa工艺对开口率和透过率的提升会因色阻的过孔占用面积比例增加而无法体现。
63.基于此，本技术实施例提供了通过色阻的侧面连接像素电极和薄膜晶体管，或者在对色阻的开孔进行填孔，能够在一定程度上解决色阻过孔光效降低的光效降低的问题。
64.图3(a)和图3(b),图4分别示出了本技术实施例的示例性的显示基板的结构示意
图。其中，图3(a)为本技术实施例的示例性的显示基板的剖面结构示意图。图3(b)为本技术实施例的示例性的显示基板的一个像素单元的剖面结构示意图。图4为本技术实施例的示例性的显示基板的简化的剖面结构示意图。
65.如图3(a)和图4所示，本技术实施例提供的显示基板10可以包括：
66.衬底基板100；该衬底基板100上可以设置有多个像素单元(例如，第一像素单元100a、第二像素单元100b和第三像素单元100c)。在一些实施例中，这些像素单元可以是在衬底基板100上阵列排布的，并可以进一步包括以下结构。应当理解的是，第一像素单元100a、第二像素单元100b和第三像素单元100c可以均为子像素单元，例如分别为红色子像素单元、绿色子像素和蓝色子像素，以发出不同颜色的光，组成一个彩色像素。以下以第一像素单元100a中为例，来说明像素单元的结构。
67.参照图3(b)所示，第一像素单元100a可以包括，第一薄膜晶体管200a 设置在所述衬底基板上。第一绝缘层500a，设置在所述第一薄膜晶体管200a 上，包括第一过孔510a。第一色阻320a，设置在所述第一绝缘层500a上。第二绝缘层600a，设置在所述第一色阻320a上，包括第二过孔620a。第一像素电极410a，设置在所述第二绝缘层600a上。
68.其中，所述第一像素电极410a和所述第一薄膜晶体管200a的源极分别通过所述第二过孔620a和所述第一过孔510a与设置在所述第一绝缘层500a 和所述第二绝缘层600a上的第一连接电极层710a电连接。可以理解的是，如图4所示，本技术实施例提供的显示基板中的色阻和像素电极分别与薄膜晶体管对应设置。
69.本技术实施例提供的显示基板10，通过在衬底基板100设置第一薄膜晶体管200a，并在第一绝缘层500a开设与所述第一薄膜晶体管200a对应的第一过孔510a；在第一绝缘层500a与第二绝缘层600a之间设置第一连接电极层710a；在第二绝缘层600a设置第二过孔620a；能够使第一像素电极410a 通过所述第二过孔620a与所述第一连接电极层710a电连接，而第一连接电极层710a又通过第二过孔620a与所述第一薄膜晶体管200a的源极电连接，这样，实现了第一像素电极410a与第一薄膜晶体管200a的源极的电连接，无需在第一色阻320a设置过孔，避免了在第一色阻320a设置过孔导致的开口率或光效损失等。
70.在一些实施例中，衬底基板100可以为透明的基板，例如，衬底基板100 为玻璃基板，具有支撑和承载的作用。
71.在一些实施例中，第一薄膜晶体管200a可以为垂直薄膜晶体管。例如图 3(b)所示，具体可以包括在远离衬底基板100的方向依次设置的漏极层210a、漏极绝缘层220a、源极层230a、氧化物半导体层240a、源极绝缘层250a和栅极层260a。其中，源极层230a可以包括第一源极和第二源极，所述第一源极和所述第二源极对称设置在所述薄膜晶体管的两侧，且所述第一源极和所述第二源极同层设置。这样，通过设置垂直薄膜晶体管，相较于普通的源极层与漏极层同层设置的薄膜晶体管，能够在一定程度上提高显示基板的开口率，例如提高10％左右。
72.在一些实施例中，第一像素单元100a的第一薄膜晶体管、第二像素单元 100b的第二薄膜晶体管和第三像素单元100c的第三薄膜晶体管的结构可以相同，例如可以均为图3(b)所示的垂直薄膜晶体管的结构。第一像素单元100a、第二像素单元100b和第三像素单元100c中的第一绝缘层和第二绝缘层的结构也可以均为相同。
73.在一些实施例中，第一绝缘层500a可以为钝化层，钝化层可以选用氧化物、氮化物
或者氧氮化合物等。钝化层可以是单层，也可以是多层。钝化层可以起到保护薄膜晶体管的作用。在第一绝缘层500a上第一过孔510a贯穿所述第一绝缘层500a，并与第一薄膜晶体管200a的源极对应电连接。应当理解的是，过孔内填充有连接金属。
74.在一些实施例中，回到图3(b)，第二绝缘层600a可以覆盖在第一像素单元100a中的第一色阻320a上，也即设置在第一色阻320a远离衬底基板 100的一侧。
75.在一些实施例中，在所述第二绝缘层600a的第二过孔620a中可以填充有第二绝缘层材料。第二绝缘层材料在衬底基板100的正投影与连接金属在衬底基板100的正投影不重叠。这样，可以将第二绝缘层600a中的过孔内的空隙填充，有利于减小光效损失。
76.在一些实施例中，所述第二绝缘层的第二过孔620a中还可以填充与所述第一色阻的颜色相同的滤光材料。这样，可以将第二绝缘层600a中第二过孔 620a内的空隙填充，有利于减小光效损失。
77.在一些实施例中，所述显示基板还包括设置在相邻的所述像素单元之间的黑矩阵层，可以在所述黑矩阵层中可以设置与所述第二过孔同轴的过孔，并填充与所述色阻的颜色相同的滤光材料。这样，可以在外围将第二绝缘层 600a中过孔内的空隙填充，有利于减小光效损失。
78.可以理解的是，第一色阻320a的颜色可以是红色、绿色或蓝色中的任意一种。本技术实施例对此不做限定。
79.在一些实施例中，第一像素单元的第一色阻，第二像素单元的第二色阻和第三像素单元中的第三色阻在第一绝缘层上可以为间隔设置，也可以为相邻色阻之间存在重叠的设置(例如图6)，只要后续的工艺能够使得重叠部分平坦即可。
80.图5示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
81.在一些实施例中，在第一像素单元100a中，设置在第一色阻320a表面的第一连接电极层710a可以包括依次连接的第一连接电极部711a和第二连接电极部712a。所述第一连接电极部711a设置在所述第一色阻320a远离所述衬底基板100的表面，通过所述第二过孔620a与所述第一像素电极410a 电连接；所述第二连接电极部712a设置在所述第一绝缘层500a远离所述衬底基板100的表面，通过所述第一过孔510a与所述第一薄膜晶体管200a的源极电连接。具体地，参阅图5所示，所述第一连接电极部711a可以分别设置在色阻320a远离所述衬底基板100的表面(也即所述第一色阻320a的上表面)和第一色阻320a的两个侧表面(也即与上表面相邻的两个表面)。这样，第一连接电极层710a可以通过第一连接电极部711a与第二过孔620a电连接，并通过第二过孔620a与像素电极410a电连接。所述第二连接电极部 712a可以设置在所述第一绝缘层500a远离所述衬底基板100的表面，且第二连接电极部712a靠近所述第一缘层500a的表面可以与所述第一过孔510a 电连接。这样，第一连接电极层710a可以通过第二连接电极部712a与所述第一过孔510a电连接，并通过所述第一过孔510a与所述第一薄膜晶体管 200a的源极电连接。
82.这样，可以通过在第一色阻320a远离衬底基板100的一侧和第一色阻 320a的侧部设置的第一连接电极层710a，从第一色阻320a的侧部与薄膜晶体管200a的源极电连接，无需在第一色阻320a设置色阻开孔，即可实现第一像素电极410a与第一薄膜晶体管200a的源极电连接，有效提升光效。
83.在一些实施例中，在第一像素单元100a、第二像素单元100b和第三像素单元100d
中对应的像素电极与对用的薄膜晶体管的源极之间的连接方式，可以相同，例如，均为第一像素电极410a和第一薄膜晶体管200a的源极之间的连接方式相同。例如图3(a)所示。在一些实施方式中，第二像素单元100b和第三像素单元100c中的色阻上可以分别设置有对应的与第一连接电极层710a的结构相同的第二连接电极层和第三连接电极层，例如图5 所示。也可以与第一连接电极层710a的结构不同。
84.图6示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
85.在一些实施例中，第二像素单元100b还可以包括与第一连接电极层710a 的结构不同的第二连接电极层。在一些实施例中，所述第二连接电极层至少包括第三连接电极部711b。所述第三连接电极部711b设置在色阻320b靠近所述衬底基板100的表面。例如图6所示，所述第三连接电极部711b设置在第二色阻320b靠近所述衬底基板100的表面。这样，即实现了无需设置第二色阻320b的色阻开孔。同时，该结构的第二连接电极层，可以与第一连接电极层710a同层间隔设置，从而一次沉积并经过图形化处理后，即可同时形成第一连接电极层710a从而简化工艺。第三像素单元100c的第三连接电极层可以与像素单元100b的第二连接电极层结构相同。
86.在一些实施例中，第三像素单元100c中，第三色阻320c可以与第二像素单元100b中的第二色阻320b交叠设置。具体地，第三色阻320c在衬底基板的正投影可以与第二色阻320b在衬底基板的正投影部分重叠。以防止第二色阻320b和第三色阻320c的边缘漏光。第二像素单元100b中的第二过孔620b设置在所述第二连接电极层远离第三像素单元100c中的第三连接电极层的端部；第三像素单元100c的第二过孔620c设置在第三连接电极层远离所述第二连接电极层的端部。
87.图7示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
88.在一些实施例中，所述第二连接电极层还包括与所述第三连接电极部 711b连接的第四连接电极部712b；所述第四连接电极部712b设置在所述色阻320b远离所述衬底基板100的表面；所述第三连接电极部711b通过所述第四连接电极部712b与第二过孔620b电连接。参考图7所示，可以通过第四连接电极部712b靠近所述第二绝缘层600的表面的中部与第二过孔620b 电连接。在第三像素单元100c中，第三连接电极层与第二连接电极层的结构可以相同。
89.参考图6所示，第二色阻320b与第三色阻320c和第一色阻320a分别相邻设置。应当理解的是，第一色阻320a、第二色阻320b和第三色阻320c的颜色均不相同，例如可以分别为红色、蓝色和绿色，或者分别为绿色、蓝色和红色，或者分别为绿色、红色和蓝色、再或者分别为蓝色、红色和绿色等。这样，三者可以构成一个彩色的像素单元。
90.图8示出了本技术实施例的示例性的显示基板的又一结构示意图。
91.在一些实施例中，还可以包括第四像素单元，其像素电极410d与薄膜晶体管200d的源极之间的连接方式，不同于像素电极410a和薄膜晶体管200a 的源极之间的连接方式。
92.例如图8所示，还可以包括与第一色阻320a结构不同的第四色阻320d。在所述第四色阻320d上可以开设有色阻过孔321。其中，所述色阻过孔321 内可以设置有吸光材料322，以遮挡第四开孔，减小过孔的孔径。
93.在一些实施例里中，所述吸光材料322可以填充在所述第四色阻过孔321 中。例如吸光材料322可以为与第四色阻320d同颜色的色阻材料，如图8所示。或者吸光材料322可以
为黑色遮光材料(例如bm材料)，如图9所示。
94.在另一些实施例中，所述吸光材料322可以设置在所述第四色阻320d过孔外围，例如图10所示。此时吸光材料322可以为黑色遮光材料(例如bm 材料)。
95.在一些实施例中，在所述多个像素电极远离所述衬底基板100的一侧还可以设置有第三绝缘层，在所述第三绝缘层上还可以设置有公共电极。
96.基于同一发明构思，与上述任意实施例显示基板10相对应的，本技术还提供了一种显示面板。图11示出了本技术实施例的示例性的显示面板的结构示意图。
97.如图11所示，本技术实施例的显示面板可以包括显示基板10、对侧基板30以及位于显示基板10和对侧基板30之间的液晶分子层20；所述显示基板10为前述显示基板实施例中的显示基板10。
98.上述实施例的显示面板具有前述任一实施例中相应的显示基板10，并且具有相应的显示基板实施例的有益效果，在此不再赘述。
99.基于同一发明构思，与上述任意实施例显示基板10相对应的，本技术还提供了一种显示装置。所述显示装置包括前述显示基板实施例中的显示面板。
100.具体的，显示装置可以为手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等。本实施例在此不加以限制。
101.上述实施例的显示装置具有前述任一实施例中相应的显示基板，并且具有相应的显示基板实施例的有益效果，在此不再赘述。
102.基于同一发明构思，与上述任意实施例显示基板10相对应的，本技术还提供了一种显示基板10的制备方法。图12示出了本技术实施例的示例性的显示基板10的制备方法。
103.参考图12所示，在步骤s1010,可以首先获取衬底基板100。
104.在一些实施例中，若显示基板为普通显示器件，衬底基板100可以是玻璃材质或其他刚性材质，若显示基板为柔性显示器件，衬底基板100可以是聚酰亚胺材质(pi)或其他柔性材质。
105.在步骤s1020,可以在所述衬底基板100上形成多个阵列排布的像素单元。其中，以第一像素单元(例如第一像素单元100a)为例进行说明。
106.在一些实施例中，可以先采用标准方法对衬底基板100进行清洗。然后在衬底基板100上通过溅射、化学气相沉积(cvd)等方法，在衬底基板100 上形成漏极层(例如漏极层210a)，并进行图形化处理，并引出信号线(例如date线)，形成如图13(a)所示的结构。
107.在一些实施例中，可以通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald) 等方式在漏极层(例如漏极层210a)上依次沉积漏极绝缘层(例如漏极绝缘层220a)和源极层(例如源极层230a)，并进行图形化处理，并引出信号线 (例如date线)，形成如图13(b)所示的结构。其中，漏极绝缘层220的材质可以为氧化硅或氧化铝等。厚度可以为1000～10000a。
108.在一些实施例中，可以通过图形化处理等，依次进行源极层(例如源极层230a)刻蚀和漏极绝缘层(例如漏极绝缘层220a)刻蚀，形成沟道，形成在薄膜晶体管的两侧对称设置的第一源极和第二源极，且第一源极和第二源极同层设置，即得到如图13(c)所示的结构。
109.在一些实施例中，可以通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald) 等方式在源极层(例如源极层230a)上沉积氧化物半导体层源极层(例如氧化物半导体层240a)，并进行
图形化处理，得到如图13(d)所示的结构。其中，氧化物半导体层240的材料可以为igzo、itzo或iazo等。
110.在一些实施例中，可以通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald) 等方式依次在氧化物半导体层源极层(例如氧化物半导体层240a)上沉积源极绝缘层(例如源极绝缘层250a)和栅极层(例如栅极层260a)，并进行图形化处理，得到如图13(e)所示的结构。这样，即制备形成了薄膜晶体管。其中，源极绝缘层250a的材料可以为siox，也可采用其他和氧化物半导体兼容的绝缘材料等。siox层的厚度可以为200～3000a。
111.在一些实施例中，在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层(例如第一绝缘层500a)；所述第一绝缘层500a开设有与所述第一薄膜晶体管200a对应的第一过孔510a。例如，可以通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald) 等方式在栅极层260a上沉积第一绝缘层500a，得到图13(f)所示的结构。第一绝缘层500a可以为siox或siox/sinx复合膜层，厚度约1000～10000a。
112.在一些实施例中，在所述第一绝缘层500a上形成多个色阻，包括与所述第一薄膜晶体管200a对应的第一色阻320a；所述第一色阻320a上形成连接电极层；所述连接电极层自所述第一色阻320a层延伸至所述第一过孔510a 中，与所述薄膜晶体管的源极连接。
113.在一些实施例中，在所述第一绝缘层500a远离所述衬底基板100的表面形成第一色阻320a，可以在第一绝缘层500a涂覆第一色阻320a，得到图 13(g)所示的结构。第一色阻320a可以为rgb cf中的一种，厚度可以为 1.2～3um，并根据需要进行图形化。
114.在一些实施例中，在所述第一色阻320a远离所述衬底基板100的表面形成所述第一连接电极层。具体可以在第一色阻320a上沉积ito或其他的透明电极300～1000a，形成第一连接电极层，和第二连接电极层的第三连接电极部。根据需要图形化，将所有连接电极层的电极都分别引到色阻表面。
115.在一些实施例中，在所述第一电连接层远离所述衬底基板100的表面形成第二色阻，所述第二色阻与所述第一色阻320a相邻设置或间隔设置。具体可以在涂覆rgb cf中的另外2种，厚度1.2～3um，并根据需要进行图形化，得到图13(h)所示的结构。
116.在一些实施例中，还可以包括在所述第二色阻远离所述衬底基板100的表面形成第四连接电极部，得到图13(i)所示的结构。具体可以沉积ito或其他的透明电极300～1000a，根据需要图形化，且第四连接电极部712b或第四连接电极部712c都会分别引到各自对应的色阻上表面。
117.在一些实施例中，还包括在所述第一色阻、第二色阻和第三色阻上形成第二绝缘层600a；所述第二绝缘层600a开设有与所述薄膜晶体管200a对应的第二过孔，得到图13(j)或图13(k)所示的结构。具体可以涂覆厚度为 2～4um的pln层，对cf进行平坦，并根据需要进行图形化。
118.在一些实施例中，在所述第二绝缘层600a上形成多个像素电极，分别与所述多个色阻一一对应设置；所述像素电极包括与所述第一薄膜晶体管200a 对应设置的第一像素电极410a，即得到图6或图7所示的显示基板。具体可以沉积像素电极ito 300～1000a，根据需要进行图形化。
119.在一些实施例中，还可以包括在所述像素电极上涂覆厚度为2～4um的 pln层，对pln孔进行平坦，并根据需要进行图形化。并沉积公共电极。最终得到图13(l)或图13(m)所
示的显示基板。
120.所属领域的源极绝缘层普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本技术的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本技术的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本技术实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
121.另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本技术实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(ic)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本技术实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本技术实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路) 以描述本技术的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本技术实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
122.尽管已经结合了本技术的具体实施例对本技术进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态ram(dram))可以使用所讨论的实施例。
123.本技术实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本技术实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
技术特征：1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；以及多个像素单元，阵列排布在所述衬底基板上；其中，所述像素单元包括：薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，包括第一过孔；色阻，设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在所述色阻上，包括第二过孔；像素电极，设置在所述第二绝缘层上；其中，所述像素电极和所述薄膜晶体管的源极分别通过所述第二过孔和所述第一过孔与设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的连接电极层电连接。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个像素单元包括第一像素单元，所述第一像素单元包括第一薄膜晶体管、第一色阻、第一像素电极和第一连接电极层；所述第一连接电极层包括依次连接的第一连接电极部和第二连接电极部；所述第一连接电极部设置在所述第一色阻远离所述衬底基板的表面，通过所述第二过孔与所述第一像素电极电连接；所述第二连接电极部设置在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的表面，通过所述第一过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电连接。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述多个像素单元还包括第二像素单元，所述第二像素单元包括第二薄膜晶体管、第二色阻、第二像素电极和第二连接电极层，所述第二连接电极层至少包括设置在所述第二色阻靠近所述衬底基板的表面的第三连接电极部。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二连接电极层还包括与所述第三连接电极部连接的第四连接电极部；所述第四连接电极部设置在所述第二色阻远离所述衬底基板的表面。5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，还包括第三像素单元，所述第三像素单元包括第三薄膜晶体管、第三色阻、第三像素电极和第三连接电极层；所述第二色阻在所述衬底基板的正投影与所述第三色阻在所述衬底基板的正投影部分重叠。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二像素单元的第二过孔设置在所述第二连接电极层远离所述第三连接电极层的端部；所述第三像素单元的第二过孔设置在所述第三连接电极层远离所述第二连接电极层的端部。7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二过孔中填充与所述色阻的颜色相同的滤光材料。8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在相邻的所述像素单元之间的黑矩阵层，所述黑矩阵层中填充与所述色阻的颜色相同的滤光材料。9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括在远离衬底基板的方向上依次设置的漏极层、源极层和栅极层；所述源极层包括第一源极和第二源极，所述第一源极和所述第二源极对称设置在所述薄膜晶体管的两侧，且所述第一源极和所述第二源极同层设置。10.一种显示面板，其特征在于，包括显示基板、对侧基板以及位于显示基板和对侧基
板之间的液晶层；所述显示基板为权利要求1至9任一项所述的显示基板。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。12.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成多个像素单元，阵列排布在所述衬底基板上；其中，所述像素单元包括：薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，包括第一过孔；色阻，设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在所述色阻上，包括第二过孔；像素电极，设置在所述第二绝缘层上；其中，所述像素电极和所述薄膜晶体管的源极分别通过所述第二过孔和所述第一过孔与设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的连接电极层电连接。13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成多个像素单元包括：在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的表面形成第一色阻；形成第一连接电极层；形成第二色阻，所述第二色阻与所述第一色阻间隔设置。14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成第二色阻后，还包括：在所述第二色阻远离所述衬底基板的表面形成第四连接电极部。
技术总结本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。通过在衬底基板设置第一薄膜晶体管，并在第一绝缘层开设与所述第一薄膜晶体管对应的第一过孔；在与所述第一薄膜晶体管对应的第一色阻上设置第一连接电极层；在第二绝缘层设置与所述第一薄膜晶体管对应的第二过孔；能够使第一像素电极通过所述第二过孔与所述第一连接电极层电连接，而第一连接电极层又通过第二过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电连接，这样，实现了第一像素电极与第一薄膜晶体管的源极的电连接，无需在第一色阻设置过孔，避免了在第一色阻设置过孔导致的开口率或光效损失等。或光效损失等。或光效损失等。
技术研发人员：王东方 王利忠 宁策 袁广才
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2022.06.01
技术公布日：2022/11/1
