本发明涉及半导体发光，具体涉及一种用于ar/vr全彩显示的微led芯片、微led显示面板及其制备方法。
背景技术：
1、随着ar/vr技术的快速发展，用户对视觉体验的要求日益提高，传统的显示技术已难以满足其需求。micro-led作为新一代显示技术，凭借其高亮度、高对比度、高色彩饱和度以及长寿命等特性，成为了ar/vr全彩显示领域的重要选择，在ar/vr设备中，micro-led全彩显示面板能够带来更为真实的虚拟世界体验。通过全彩透视技术，相机捕捉到实时画面后，将虚拟世界和真实世界合成，呈现多种色彩的显示画面。这种技术不仅解决了vr设备视野遮挡的问题，还极大地拓展了用户的活动场景，使得用户可以在更广阔的空间内自由活动，享受更加沉浸式的体验。micro-led全彩显示面板以其卓越的性能优势，正逐步成为ar/vr领域的重要显示技术。如何改善micro-led显示面板的制备工艺，以促进其应用于ar/vr领域，这是业界广泛关注的问题。
技术实现思路
1、本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种用于ar/vr全彩显示的微led芯片、微led显示面板及其制备方法。
2、为实现上述目的，本发明提出的一种用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
3、提供一衬底，所述衬底包括第一区域以及第二区域，所述第一区域为所述衬底的中间区域，所述第二区域为所述衬底的外围区域，所述第二区域围绕所述第一区域。
4、在所述第一区域形成多个第一凹槽，在所述第二区域形成多个第二凹槽，所述第二凹槽的个数大于所述第一凹槽的个数。
5、在多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽中沉积介电材料，以在所述第一凹槽中形成第一介电块以及在所述第二凹槽中形成第二介电块。
6、接着在所述衬底上形成缓冲层，并对所述缓冲层进行平坦化处理。
7、接着在所述衬底上外延生长外延功能层。
8、接着在所述在所述外延功能层上形成多个第一电极和多个第二电极。
9、提供一临时载板，将所述衬底设置在所述临时载板上，且使得所述外延功能层朝向所述临时载板。
10、接着对所述衬底进行解离处理，以去除所述衬底；
11、接着对所述外延功能层进行切割处理，以形成多个微led芯片。
12、作为优选的技术方案，所述第一区域的面积和所述第二区域的面积相同，所述衬底为蓝宝石衬底。
13、作为优选的技术方案，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一凹槽和所述第二凹槽，且所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度。
14、作为优选的技术方案，所述第一介电块以及所述第二介电块的材质包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铪、氮氧化硅中的一种，所述第一介电块以及所述第二介电块的制备工艺为化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺或磁控溅射工艺形成。
15、作为优选的技术方案，所述第一介电块的厚度小于所述第一凹槽的深度，且所述第二介电块的厚度小于所述第二凹槽的深度。
16、作为优选的技术方案，在所述衬底上形成缓冲层的过程中，所述缓冲层的一部分嵌入到所述第一凹槽和所述第二凹槽中。
17、作为优选的技术方案，在所述衬底上外延生长外延功能层之前，在平坦化处理后的所述缓冲层上形成过渡层。
18、本发明还提出一种用于ar/vr全彩显示的微led芯片，其采用上述用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法制造形成的。
19、本发明还提出一种用于ar/vr全彩显示的微led显示面板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供一驱动基板，提供上述用于ar/vr全彩显示的微led芯片，将所述微led芯片转移至所述驱动基板上，以形成用于ar/vr全彩显示的微led显示面板。
20、本发明还提出一种用于ar/vr全彩显示的微led显示面板，采用上述用于ar/vr全彩显示的微led显示面板的制备方法制造形成的。
21、本发明的有益效果在于：
22、在本申请的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法中，通过在生长衬底的第一区域形成多个第一凹槽，且在生长衬底的第二区域形成多个第二凹槽，进而设置第二凹槽的个数大于第一凹槽的个数，然后再在第一凹槽中形成第一介电块以及在第二凹槽中形成第二介电块，然后再形成缓冲层和外延功能层，通过第一凹槽和第二凹槽的设置，且在第一凹槽和第二凹槽中分别设置第一介电块以及第二介电块，进而在后续工序中便于解离生长衬底，进而提高微led芯片的制备良率。且在本申请中，通过设置第一介电块的厚度小于所述第一凹槽的深度，且所述第二介电块的厚度小于所述第二凹槽的深度，进而在形成缓冲层的过程中，缓冲层的一部分嵌入到第一凹槽和第二槽中，进而解离生长衬底后，缓冲层的该部分形成凸起结构，进而可以调整部分微led芯片的出光方式，进而可以提高微led芯片的出光效率。
1.一种用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，其特征在于：所述第一区域的面积和所述第二区域的面积相同，所述衬底为蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，其特征在于：通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一凹槽和所述第二凹槽，且所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度。
4.根据权利要求1所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，其特征在于：所述第一介电块以及所述第二介电块的材质包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铪、氮氧化硅中的一种，所述第一介电块以及所述第二介电块的制备工艺为化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺或磁控溅射工艺形成。
5.根据权利要求4所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，其特征在于：所述第一介电块的厚度小于所述第一凹槽的深度，且所述第二介电块的厚度小于所述第二凹槽的深度。
6.根据权利要求1所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，其特征在于：在所述衬底上形成缓冲层的过程中，所述缓冲层的一部分嵌入到所述第一凹槽和所述第二凹槽中。
7.根据权利要求1所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法，其特征在于：在所述衬底上外延生长外延功能层之前，在平坦化处理后的所述缓冲层上形成过渡层。
8.一种用于ar/vr全彩显示的微led芯片，其特征在于，采用权利要求1-7中任一项所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片的制备方法制造形成的。
9.一种用于ar/vr全彩显示的微led显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：提供一驱动基板，提供权利要求8所述的用于ar/vr全彩显示的微led芯片，将所述微led芯片转移至所述驱动基板上，以形成用于ar/vr全彩显示的微led显示面板。
10.一种用于ar/vr全彩显示的微led显示面板，其特征在于，采用权利要求9所述的用于ar/vr全彩显示的微led显示面板的制备方法制造形成的。
