本技术涉及半导体封装，特别是mems wlcsp封装器件。
背景技术：
1、晶圆级芯片封装wlcsp是裸芯片封装，不仅在所有ic封装形式中面积最小，而且还具有出色的电气和热性能，归功于直接互连的低电阻和低热阻，并且在芯片与应用pcb之间的电感低。mems wlcsp是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。主要由传感器、作动器(执行器)和微能源三大部分组成。mems wlcsp系统涉及物理学、半导体、光学、电子工程、化学、材料工程、机械工程、医学、信息工程及生物工程等多种学科和工程技术，为智能系统、消费电子、可穿戴设备、智能家居、系统生物技术的合成生物学与微流控技术等领域开拓了广阔的用途。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供mems wlcsp封装器件，以解决高密度封装结构中空间效率以及电性效率问题。
2、mems芯片沿垂直方向焊接在asic芯片的正面，包括mems芯片、铜柱、mems功能层；铜柱的底端生长于mems功能层正面，铜柱的顶端焊接在asic功能层正面；mems功能层形成于mems芯片正面；asic功能层形成于asic芯片正面；树脂填充物填充在mems功能层正面；pi层生长于asic功能层正面，并留有焊接位，用来与mems芯片相连；焊接柱生长于asic功能层正面；焊球焊接在焊接柱的正面；asic芯片导热胶粘合在asic芯片的背面；mems芯片导热胶粘合在mems芯片的背面。
3、进一步的，mems功能层正面长有铜柱，铜柱与mems功能层之间为电性连接，铜柱与asic功能层之间为电性连接。
4、进一步的，mems功能层与mems芯片之间为电性连接，asic功能层与asic芯片之间为电性连接。
5、进一步的，树脂填充物填充在mems功能层正面并包裹住铜柱，与mems功能层以及铜柱之间为非电性结合。
6、进一步的，pi层与asic功能层之间为非电性结合。
7、进一步的，焊接柱与asic功能层之间为电性连接。
8、进一步的，焊球与焊接柱之间为电性连接。
9、进一步的，asic芯片导热胶粘合与asic芯片之间为非电性结合。mems芯片导热胶与mems芯片之间为非电性连接。
10、本实用新型与现有技术相比，其显著优点是：
11、1、通过设计倒装mems芯片沿垂直方向堆叠在asic芯片的正面，通过两种芯片对接结构实现了mems芯片与asic芯片的连接，该设计提高了芯片空间利用率，利于产品的高度的微型化；
12、2、通过mems芯片倒装焊接在asic芯片的表面，使电性的传输路径变小，从而传输速率增加，有利于产品的电性能提升；
13、3、通过mems芯片直接连接在asic芯片的方式，较短的传输路径降低了运行能耗，有利于产品的经济性。
14、4、通过增高mems芯片焊接柱的厚度，使mems芯片背面增加了散热层，并使得memswlcsp传感封装器件实现了双向散热，提升了散热性。
1.mems wlcsp封装器件，包括mems芯片(21)以及asic芯片(11)，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的mems wlcsp封装器件，其特征在于：mems功能层(212)正面长有铜柱(211)，铜柱(211)与mems功能层(212)之间为电性连接，铜柱(211)与asic功能层(111)之间为电性连接。
3.根据权利要求2所述的mems wlcsp封装器件，其特征在于：mems功能层(212)与mems芯片(21)之间为电性连接，asic功能层(111)与asic芯片(11)之间为电性连接。
4.根据权利要求1所述的mems wlcsp封装器件，其特征在于：树脂填充物(31)填充在mems功能层(212)正面并包裹住铜柱(211)，与mems功能层(212)以及铜柱(211)之间为非电性结合。
5.根据权利要求1所述的mems wlcsp封装器件，其特征在于：pi层(112)与asic功能层(111)之间为非电性结合。
6.根据权利要求1所述的mems wlcsp封装器件，其特征在于：焊接柱(114)与asic功能层(111)之间为电性连接。
7.根据权利要求1所述的mems wlcsp封装器件，其特征在于：焊球(13)与焊接柱(114)之间为电性连接。
8.根据权利要求1所述的mems wlcsp封装器件，其特征在于：asic芯片导热胶(12)与asic芯片(11)之间为非电性结合，mems芯片导热胶(22)与mems芯片(21)之间为非电性连接。
