本技术涉及一种topcon电池用正面叠层膜及topcon电池。
背景技术：
1、pid(potential induced degradation)是晶硅太阳能电池中常见的主要的衰减类型之一，pid现象会严重降低光伏组件的性能，严重情况下，功率损失甚至高达30％以上。
2、已知的pid一共有三种模式，pid-s(分流型)，pid-p(去极化型)及pid-c(腐蚀型)。pid-s主要是当太阳能电池相对于组件玻璃板处于负电位时，na+从玻璃通过抗反射钝化叠层膜迁移到si基体中，并在si内部的层错处积累，穿透p-n结，造成电池的分流现象，在太阳能电池层面，正面抗反射钝化叠层膜在抑制pid效应方面发挥着重要作用，通过增加抗反射钝化叠层薄膜的折射率，电池将不太容易受到pid-s效应的影响。而在pid-p过程中，当太阳能电池相对于组件玻璃板处于负电位时，正电荷被驱动到抗反射钝化叠层膜中，导致叠层膜中的负电荷减少，降低了叠层膜的场钝化效应，从而降低了电池的开压和短路电流，这一类型的pid无法再通过增加抗反射钝化叠层膜的折射率来缓减。目前n-topcon电池的正面pid就属于pid-p类型，不同的正面抗反射钝化叠层薄膜结构，所造成的功率损失是不一样。
3、目前n-topcon电池的正面的叠层膜层结构为alox层和sinx层的叠加结构，这种结构的n-topcon电池，pid-p造成的功率损失高达25％。
技术实现思路
1、本实用新型的目的是提供一种topcon电池用正面叠层膜及topcon电池。
2、为达到上述目的，本实用新型采用的一种技术方案是：
3、一种topcon电池用正面叠层膜，包括由内向外依次沉积在n型硅基底正面的硼发射极、第一减反射钝化层、第二减反射钝化层、第三减反射钝化层、第四减反射钝化层、第五减反射钝化层，所述的第一减反射钝化层的材质为氧化硅，所述的第二减反射钝化层的材质为氧化铝，所述的第三减反射钝化层的材质为氧化硅，所述的第四减反射钝化层的材质为氮化硅，所述的第五减反射钝化层的材质为氧化硅。
4、在一些实施方式中，所述的第一减反射钝化层的电阻率为1015-1016ω.cm。
5、在一些实施方式中，所述的第三减反射钝化层的电阻率为109-1014ω.cm。
6、在一些实施方式中，所述的第五减反射钝化层的电阻率为109-1014ω.cm。
7、在一些实施方式中，所述的第一减反射钝化层的厚度为4nm-6nm。
8、在一些实施方式中，所述的第二减反射钝化层的厚度为8nm-15nm。
9、在一些实施方式中，所述的第三减反射钝化层的厚度为8nm-12nm。
10、在一些实施方式中，所述的第四减反射钝化层的厚度为70nm-85nm。
11、在一些实施方式中，所述的第五减反射钝化层的厚度为8nm-12nm。
12、在一些实施方式中，所述的第四减反射钝化层设置有多层。
13、在一些实施方式中，所述的第四减反射钝化层设置有三层，由靠近硅基底向远离硅基底的方向依次为第一sinx层、第二sinx层、第三sinx层，所述的第一sinx层的折射率范围为2.1-2.2，该层厚度为15-25nm；所述的第二sinx层的折射率为2.0-2.1，该层厚度为20-30nm；所述的第三sinx层的折射率为1.9-2.0，该层厚度为30-40nm。
14、本实用新型采用的另一种技术方案是：
15、一种太阳能电池，包括太阳能硅片以及所述的topcon电池用正面叠层膜。
16、由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
17、本实用新型提供的topcon电池用正面叠层膜，可以在提高太阳能电池片抗pid性能的同时进一步地提高太阳能电池片的效率。
1.一种topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，包括由内向外依次沉积在n型硅基底正面的硼发射极、第一减反射钝化层、第二减反射钝化层、第三减反射钝化层、第四减反射钝化层、第五减反射钝化层，所述的第一减反射钝化层的材质为氧化硅，所述的第二减反射钝化层的材质为氧化铝，所述的第三减反射钝化层的材质为氧化硅，所述的第四减反射钝化层的材质为氮化硅，所述的第五减反射钝化层的材质为氧化硅。
2.根据权利要求1所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第一减反射钝化层的电阻率为1015-1016ω.cm。
3.根据权利要求1所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第三减反射钝化层的电阻率为109-1014ω.cm。
4.根据权利要求1所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第五减反射钝化层的电阻率为109-1014ω.cm。
5.根据权利要求2所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第一减反射钝化层的厚度为4nm-6nm；所述的第三减反射钝化层的厚度为8nm-12nm。
6.根据权利要求1所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第五减反射钝化层的厚度为8nm-12nm。
7.根据权利要求1所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第二减反射钝化层的厚度为8nm-15nm；所述的第四减反射钝化层的厚度为70nm-85nm。
8.根据权利要求1所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第四减反射钝化层设置有多层。
9.根据权利要求8所述的topcon电池用正面叠层膜，其特征在于，所述的第四减反射钝化层设置有三层，由靠近硅基底向远离硅基底的方向依次为第一sinx层、第二sinx层、第三sinx层，所述的第一sinx层的折射率范围为2.1-2.2，该层厚度为15-25nm；所述的第二sinx层的折射率为2.0-2.1，该层厚度为20-30nm；所述的第三sinx层的折射率为1.9-2.0，该层厚度为30-40nm。
10.一种topcon电池，其特征在于，包括太阳能硅片以及权利要求1-9任意一项所述的topcon电池用正面叠层膜。
