本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
背景技术：
1、随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3d)闪存存储器结构应运而生，例如3d nor(3d或非)闪存和3d nand(3d与非)闪存。
2、其中，3d nand存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
3、晶圆键合是半导体制造过程中的一个重要步骤。但是，当前的晶圆键合工艺中，由于键合对准标记本身的缺陷，导致键合过程中不能准确的识别对准标记，从而易出现对准偏差甚至是错位，影响晶圆键合质量。
4、因此，如何提高对准标记识别的准确度，从而提高半导体产品的良率，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本发明提供一种半导体结构及其形成方法，用于解决现有技术中对准标记识别准确度低的问题，以改善半导体产品的良率。
2、为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；
4、对准标记，位于所述半导体层上方；
5、介质层，位于所述半导体层上方，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。
6、可选的，所述第一重复结构单元的材料为第一金属材料，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第一波长光线下的吸收率差。
7、可选的，所述第一重复结构单元的形状为圆形、椭圆形或者任意多边形。
8、可选的，所述介质层位于所述半导体层的顶面，所述顶层互连层贯穿所述介质层，所述对准标记位于所述介质层中。
9、可选的，所述介质层位于所述半导体层的顶面，所述顶层互连层贯穿所述介质层；所述半导体结构还包括：
10、隔离层，覆盖所述介质层和所述顶层互连层，所述对准标记位于所述隔离层中，在沿垂直于所述半导体层顶面的方向上，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元的投影环绕所述对准标记的投影的外周分布。
11、可选的，所述对准标记包括若干个主体部，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元环绕所述主体部的外周分布。
12、可选的，所述对准标记包括多个相互分离的所述主体部，且多个所述主体部呈风车状或者八角状排布。
13、可选的，每个所述主体部内具有呈周期性排布的多个第二重复结构单元，所述第二重复结构单元与所述第一重复结构单元对第二波长光线的吸收率不同。
14、可选的，所述第二重复结构单元的材料为第二金属材料，所述第二金属材料在所述第二波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第二波长光线下的吸收率差。
15、可选的，所述第二重复结构单元的形状与所述第一重复结构单元的形状相同。
16、可选的，所述第二重复结构单元的尺寸与所述第一重复结构单元的尺寸不同。
17、为了解决上述问题，本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：
18、提供衬底，所述衬底上包括半导体层；
19、形成位于所述半导体层上方的对准标记、顶层互连层和介质层，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。
20、可选的，形成位于所述半导体层上方的对准标记、顶层互连层和介质层的具体步骤包括：
21、形成覆盖所述半导体层顶面的介质层；
22、于所述介质层中形成所述对准标记、所述顶层互连层以及环绕所述对准标记外周分布的多个第一开口；
23、填充第一金属材料至所述第一开口内，形成呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第一波长光线下的吸收率差。
24、可选的，形成位于所述半导体层上方的对准标记、顶层互连层和介质层的具体步骤包括：
25、形成覆盖所述半导体层顶面的介质层；
26、于所述介质层中形成所述顶层互连层以及多个第二开口；
27、填充第一金属材料至所述第二开口内，形成呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元；
28、形成覆盖所述介质层和所述顶层互连层的隔离层；
29、于所述隔离层中形成对准标记，使得在沿垂直于所述半导体层顶面的方向上，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元的投影环绕所述对准标记的投影的外周分布，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第一波长光线下的吸收率差。
30、可选的，所述第一重复结构单元的形状为圆形、椭圆形或者任意多边形。
31、可选的，于所述隔离层中形成对准标记的具体步骤包括：
32、于所述隔离层中定义若干主体区域；
33、于每个所述主体区域中形成呈周期性排布的多个第二重复结构单元，所述第二重复结构单元与所述第一重复结构单元对第二波长光线的吸收率不同。
34、可选的，于每个所述主体区域中形成呈周期性排布的多个第二重复结构单元的具体步骤包括：
35、刻蚀所述主体区域的所述隔离层，形成呈周期性排布的多个第三开口；
36、填充第二金属材料至所述第三开口内，于每个所述主体区域中形成呈周期性排布的多个第二重复结构单元，所述第二金属材料在所述第二波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第二波长光线下的吸收率差。
37、可选的，所述主体区域的数量为多个，且多个所述主体区域呈风车状或者八角状排布。
38、可选的，所述第二重复结构单元的形状与所述第一重复结构单元的形状相同。
39、可选的，所述第二重复结构单元的尺寸与所述第一重复结构单元的尺寸不同。
40、本发明提供的半导体结构及其形成方法，通过在介质层中形成环绕对准标记外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，利用呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元增强所述对准标记与所述介质层之间的明暗对比度，从而使得在利用所述对准标记进行定位的过程中，能够提高对对准标记识别的准确度与清晰度，有助于提高半导体产品的良率，改善半导体产品的性能。
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一重复结构单元的形状为圆形、椭圆形或者任意多边形。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述对准标记包括多个相互分离的所述主体部，且多个所述主体部呈风车状或者八角状排布。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二重复结构单元的形状与所述第一重复结构单元的形状相同。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二重复结构单元的尺寸与所述第一重复结构单元的尺寸不同。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿垂直于所述半导体层延伸方向所在平面的方向上，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元的投影环绕所述对准标记的投影的外周分布。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括顶层互连层，所述顶层互连层至少部分贯穿所述介质层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括衬底，所述衬底位于所述半导体层远离所述介质层的一侧。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属材料对第一波长光线的吸收率，小于所述第一金属对所述第一波长光线的吸收率；以及所述第二金属材料对第一波长光线的反射率，大于所述第一金属对所述第一波长光线的反射率。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属材料对第二波长光线的吸收率，小于所述第一金属对所述第二波长光线的吸收率。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，所述第一金属材料的偶极谐振能够提高对所述第一波长光线的吸收率，以增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属材料能够提高所述对准标记对第二波长光线的反射率，所述第一金属材料能够提高所述介质层对所述第二波长光线的吸收率。
13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述半导体层一侧的对准标记、介质层和隔离层的具体步骤包括：
15.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一重复结构单元的形状为圆形、椭圆形或者任意多边形。
16.根据权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述隔离层中形成对准标记的具体步骤包括：
17.根据权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于每个所述主体区域中形成呈周期性排布的多个第二重复结构单元的具体步骤包括：刻蚀所述主体区域的所述隔离层，形成呈周期性排布的多个第三开口；
18.根据权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述主体区域的数量为多个，且多个所述主体区域呈风车状或者八角状排布。
19.根据权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二重复结构单元的形状与所述第一重复结构单元的形状相同。
20.根据权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二重复结构单元的尺寸与所述第一重复结构单元的尺寸不同。
