本发明涉及使用化学气相沉积法(cvd)制备薄膜或涂层的，特别是涉及一种提高cvd生长均匀性和制备效率的制备技术。
背景技术：
1、管式真空高温生长炉的进气端和出气端一般分别位于炉体的两端，在cvd生长中，反应气体由进气端进入，反应后的废气由出气端排出，因此沿反应气体的流动方向，由于反应气体随着流经高温区逐渐反应损耗，导致工艺腔内各处的cvd生长速率沿气体流动方向逐渐变低，最终得到的产品表面均匀性差异较大。
2、以cvd制备石墨烯为例，石墨烯是一种力学、光学、电学性能都较为优异的材料，目前，在石墨烯的制备方法中，利用管式真空高温生长炉使用cvd法制造石墨烯导电织物的工艺，通常采用静态生长工艺，如图2所示，将玻璃纤维布等基材放置在cvd生长区后，升至工艺温度然后通入碳源，经过一定时间后停止通入碳源，降温，然后将玻璃纤维布等基材取出，这一方法由于碳源随着流经高温生长区逐渐损耗，导致cvd生长区各处的cvd生长速率沿气体流动方向逐渐变低，最终得到的产品表面均匀性差异较大；为了解决产品表面均匀性问题，一种做法是采用卷对卷动态生长方式，如图3所示，位于放样腔的卷进行放样，位于收样腔的卷同步进行收样，使玻璃纤维布匀速地经过整个高温生长区，从而保证产品表面均匀性接近一致，例如中国专利申请文件cn104988471a公开了一种快速冷却卷对卷等离子体增强cvd连续生长炉，上述公开的技术方案使用了卷对卷动态生长方式，但此方法受石英管内径所限，只能适用小宽幅玻璃纤维布，且cvd生长速度缓慢，耗时长，效率低。
3、因此亟需研究一种在实现cvd均匀生长的同时能保持较高制备效率的cvd法制备技术。
技术实现思路
1、针对管式真空高温生长炉在cvd生长中，由于反应气体随着流经高温区逐渐损耗，导致cvd生长区各处的cvd生长速率沿气体流动方向逐渐变低，最终得到的产品表面均匀性差异较大的问题。针对这一问题，本发明采用静态与动态相结合的方式，先使基材整体在cvd生长区内进行cvd生长，到达一定时间后，拖动基材沿气流反向方向以一定的速度移出cvd区，使生长速率快的区域先行结束生长，生长速率慢的区域生长更长时间，从而大幅度改善产品表面的均匀性。
2、针对上述存在的局限性，本发明提出了一种cvd方法及系统。
3、一种cvd方法，包括以下步骤：
4、步骤(1)：将衬底材料放置在cvd生长区，升温至第一温度，然后通入反应气体，所述反应气体由cvd生长区的一端流向另一端，开始cvd生长；
5、步骤(2)：经过静态生长时间后，将衬底材料以预设速度沿反应气体流动方向的反方向移出cvd生长区；
6、步骤(3)：将全部衬底材料移出cvd生长区，cvd生长结束。
7、进一步地：所述预设速度为动态移动速度，所述动态移动速度为：
8、
9、其中，a为生长区起始点的生长速率，b为生长区结束点的生长速率，l为cvd生长区长度，t为静态生长时间。
10、进一步地：所述衬底材料呈平面状，或卷绕成卷状；卷绕成卷状的所述衬底材料的轴向与所述反应气体的流动方向平行。
11、进一步地：反应气体从距离所述生长区起始点大于等于0.2米处进入所述cvd生长区。
12、进一步地：所述衬底材料为耐高温纤维布或金属箔，所述反应气体为碳源气体，用于在衬底材料表面沉积石墨烯。
13、进一步地：所述cvd生长区长度为1.0-2.0米，所述第一温度为500-1200℃，所述碳源气体的流量为200-2000标准毫升/分，所述静态生长时间为50-500分钟。
14、一种cvd系统，包括：放样腔：所述衬底材料从所述放样腔中进行放样；
15、传动装置：所述传动装置将所述衬底材料送入或移出所述cvd生长区；
16、cvd生长区：在所述cvd生长区中使用cvd法进行薄膜或涂层生长；
17、进气装置和出气装置：所述进气装置和出气装置分别位于所述cvd生长区的两侧；
18、所述cvd系统使用所述的cvd方法制备薄膜或涂层。
19、进一步地：所述传动装置包括放样带、传动机构，所述传动机构驱动所述放样带在所述放样腔和所述cvd生长区之间移动，所述衬底材料放置在所述放样带上，所述传动机构驱动所述放样带将所述衬底材料送入或移出所述cvd生长区。
20、进一步地：在所述cvd生长区设置加热装置、进气口、出气口，所述反应气体从所述进气口流入，从所述出气口流出；在所述出气口后端设置所述出气装置。
21、进一步地：所述进气装置为进气管，所述反应气体从所述进气管进入所述进气口，所述进气管距离所述生长区起始点的距离大于等于0.2米。与相关技术相对比，本发明具有以下优点：
22、本发明第一方面提供的cvd制备方法，采用静态与动态相结合的方式制备薄膜，相对静态生长方式可以大幅改善产品表面的均匀性，相对动态生长方式可以实现大幅宽衬底材料上的生长，并且极大地提高了生长效率。
23、本发明第二方面提供的cvd制备系统，由于设置了放样腔、传动装置，采用静态与动态相结合的方式制备薄膜，相对静态生长方式可以大幅改善产品表面的均匀性，相对动态生长方式可以实现大幅宽衬底材料上的生长，并且极大地提高了生长效率。
1.一种cvd方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：
7.一种cvd系统，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于：
9.根据权利要求7所述的系统，其特征在于：
10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于：
