1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种混合显示器件、混合显示器件的制作方法及显示终端。
背景技术：2.在micro-led显示器中，r和g芯片的效率以及稳定性远不如qled与oled器件，因此提出了micro-led+qled的混合显示器件结构。先在将micro-led芯片转移至所述驱动背板上并在所述驱动背板上制备qled发光单元，再制作共阴极。从制作成本及制作精度角度考量，micro-led+qled的混合显示器件结构的共阴极一般采用整面蒸镀的方式形成，而采用整面蒸镀的方式形成所述共阴极会使得所述共阴极与所述micro-led的阳极发生短路，造成器件失效。
技术实现要素：3.有鉴于此，本技术提供一种能够避免micro-led的阳极发生短路而造成器件失效的混合显示器件、混合显示器件的制作方法及显示终端。
4.为解决上述问题，本技术提供的技术方案如下：
5.第一方面，本技术提供一种混合显示器件，包括：
6.一驱动背板，包括依次叠设的驱动电路层、第一钝化保护层及耐压层；所述第一钝化保护层形成在所述驱动电路层上，所述耐压层形成在所述第一钝化保护层上；所述驱动背板上设置有至少一个底切槽，所述底切槽贯穿所述第一钝化保护层及所述耐压层；及
7.一发光结构层，包括一第一电极层、一共阴极、多个发光元件及多个第一发光单元；所述第一电极层形成在所述耐压层上且与所述驱动电路层电连接，所述发光元件及第一发光单元均形成在所述第一电极层上，所述共阴极形成在所述第一发光单元上；
8.其中，所述第一电极层包括多个第一阳极、多个辅助阴极及多个第二阳极，所述发光元件通过所述第一阳极及辅助阴极绑定在所述驱动背板上，所述第一发光单元形成在所述第二阳极与所述共阴极之间；所述底切槽毗邻所述第一阳极，所述共阴极在所述底切槽处断开，所述共阴极与所述第一阳极之间具有间隙。
9.在本技术一可选实施例中，所述驱动电路层包括第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管包括第一源极和第一漏极；一个所述底切槽包括一第一沟槽及一第二沟槽，所述第一沟槽贯穿所述耐压层，所述第二沟槽贯穿所述第一钝化保护层；所述第一沟槽与所述第二沟槽相对设置，所述第一沟槽临近所述第二沟槽的开口的尺寸小于所述第二沟槽的临近所述第一沟槽的开口的尺寸；
10.部分所述第一漏极从所述第二沟槽内裸露出来，所述第一阳极与所述第一漏极电连接。
11.在本技术一可选实施例中，每个所述第一驱动晶体管还包括一个第一信号输入端子，所述第一信号输入端子与所述第一源极和第一漏极同层设置，所述辅助阴极与所述第
一信号输入端子电连接。
12.在本技术一可选实施例中，所述辅助阴极与所述共阴极电连接。
13.在本技术一可选实施例中，所述第一驱动晶体管对应的所述耐压层的厚度小于所述第一阳极对应的所述耐压层的厚度。
14.在本技术一可选实施例中，所述驱动背板还包括遮光层，所述遮光层形成在所述耐压层上且与所述第一驱动晶体管位置相对；所述遮光层远离所述第一驱动晶体管的表面与所述第一阳极的远离所述耐压层的表面处于同一水平面上。
15.在本技术一可选实施例中，所述驱动背板还包括多个第二驱动晶体管及多个第三驱动晶体管；所述第一电极层还包括多个第三阳极；
16.所述第二阳极与所述第二驱动晶体管对应设置，所述第二阳极电连接所述第二驱动晶体管；
17.所述发光结构层还包括多个第二发光单元，每个所述第二发光单元形成在所述第三阳极与所述共阴极之间，所述第三阳极与所述第三驱动晶体管电连接。
18.在本技术一可选实施例中，所述第二驱动晶体管及所述第三驱动晶体管对应的所述耐压层的厚度小于所述第一阳极对应的所述耐压层的厚度。
19.在本技术一可选实施例中，所述发光元件为发蓝光的发光二极管元件，所述第一发光单元为发绿光的有机发光单元或量子点发光单元，所述第二发光单元为发红光的有机发光单元或量子点发光单元。
20.在本技术一可选实施例中，所述发光结构层还包括形成在所述耐压层上的多个第一挡墙、多个第二挡墙及多个第三挡墙，所述共阴极覆盖所述第一挡墙、所述第二挡墙及所述第三挡墙；
21.所述第一挡墙位于所述辅助阴极与所述第二阳极之间；所述第二挡墙位于所述第二阳极与所述第三阳极之间，所述第三挡墙位于所述第三阳极的外侧；
22.所述第一挡墙与所述第二挡墙之间具有一第一像素开口，所述第二挡墙与所述第三挡墙之间具有一第二像素开口；
23.所述第一发光单元位于所述第一像素开口内，所述第二发光单元位于所述第二像素开口内。
24.在本技术一可选实施例中，在同一刻蚀液中，所述耐压层的耐刻蚀性能优于所述第一钝化保护层的耐刻蚀性能。
25.本技术第二方面提供一种混合显示器件的制作方法，包括：
26.提供一驱动基板并在所述驱动基板上形成一耐压层，得到驱动背板；所述驱动基板包括驱动电路层及形成在所述驱动电路层上的第一钝化保护层，所述耐压层形成在所述第一钝化保护层上；
27.在所述耐压层上形成第一电极层并自所述耐压层向所述驱动电路层形成至少一第一沟槽，部分所述第一钝化保护层自所述第一沟槽内裸露出来，所述第一电极层包括第一阳极、辅助阴极及第二阳极，所述第一沟槽毗邻所述第一阳极；
28.刻蚀自所述第一沟槽裸露出来的第一钝化保护层，形成第二沟槽；一个所述第一沟槽与与之对应的一个所述第二沟槽形成一底切槽；
29.提供多个发光元件及多个第一发光单元，将所述发光元件绑定在所述第一阳极及
所述辅助阴极上，并将所述第一发光单元形成在所述第二阳极上；及
30.通过整面镀方法在所述发光元件、第一发光单元及所述耐压层上形成共阴极，以形成发光结构层；所述共阴极在所述底切槽处断开，所述共阴极与所述第一阳极之间具有间隙。
31.在本技术一可选实施例中，所述辅助阴极与所述共阴极电连接。
32.在本技术一可选实施例中，所述驱动电路层包括第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管对应的所述耐压层的厚度小于所述第一阳极对应的所述耐压层的厚度，所述耐压层的远离所述第一驱动晶体管的表面处于同一水平面上；在“刻蚀自所述第一沟槽裸露出来的第一钝化保护层，形成第二沟槽”的步骤之后，还包括步骤：
33.在所述耐压层的与所述第一驱动晶体管位置相对的表面上形成遮光层；
34.所述遮光层远离所述第一驱动晶体管的表面与所述第一阳极的远离所述耐压层的表面处于同一水平面上。
35.本技术第三方面提供一种显示终端，包括主体部及如上所述的混合显示器件，所述混合显示器件形成在所述主体部上。
36.本技术提供的混合显示器件及其制作方法、显示终端，在现有的所述驱动背板的第一钝化保护层上形成一耐压层，在耐压层上形成第一阳极、辅助阴极及第二阳极，在驱动基板的耐压层和第一钝化保护层的毗邻所述第一阳极的位置处形成底切槽，将发光元件绑定在所述第一阳极及所述辅助阴极上，并将发光单元形成在第一阳极上，最后再形成共阴极；由于所述底切槽的存在，所述共阴极在所述底切槽处断开，以切断所述共阴极与所述第一阳极之间的电接触，从而，可以能够避免因所述共阴极与所述第一阳极之间的搭接而引起的所述第一阳极发生短路而造成器件失效。
附图说明
37.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
38.图1为本技术较佳实施例提供的一种混合显示器件的剖视图。
39.图2为本技术较佳实施例提供的一种混合显示器件的制作流程示意图。
40.图3为本技术较佳实施例提供的一种带有第一电极层的驱动背板的剖视图。
41.图4为在图3所示的驱动背板上形成遮光层、底切槽及挡墙后的剖视图。
42.图5为将发光元件转移到图4所示的驱动背板上之后的剖视图。
43.图6为在图5所示的驱动背板上形成第一发光单元和第二发光单元后的剖视图。
具体实施方式
44.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
45.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。
46.本技术可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
47.以下将结合具体实施例及附图对本技术提供的混合显示器件、混合显示器件的制作方法及显示终端进行详细描述。
48.请参阅图1，本技术较佳实施例提供一种混合显示器件100，所述混合显示器件100包括一驱动背板110及一发光结构层120。所述发光结构层120位于所述驱动背板110的一侧。所述驱动背板110用于驱动所述发光结构层120发光。
49.其中，所述驱动背板110包括一基板10、一驱动电路层30、一第一钝化保护层40及一耐压层50。所述驱动电路层30形成在所述基板10上，所述第一钝化保护层40形成在所述驱动电路层30上，所述耐压层50形成在所述第一钝化保护层40上。所述发光结构层120形成在所述耐压层50上。
50.其中，所述驱动背板110上还设置有至少一个底切槽510，所述底切槽510贯穿所述第一钝化保护层40及所述耐压层50。具体地，一个所述底切槽510包括一第一沟槽51及一第二沟槽41，所述第一沟槽51贯穿所述耐压层50，所述第二沟槽41贯穿所述第一钝化保护层40；所述第一沟槽51与所述第二沟槽41相对设置，所述第一沟槽51临近所述第二沟槽41的开口的尺寸小于所述第二沟槽41临近所述第一沟槽51的开口的尺寸。
51.其中，在同一刻蚀液中，所述耐压层50的耐刻蚀性能优于所述第一钝化保护层40的耐刻蚀性能，以便于在所述第一钝化保护层40及所述耐压层50的接触面上发生侧向刻蚀，形成所述第二沟槽41及所述底切槽510。
52.其中，所述驱动电路层30还包括多个第一驱动晶体管31、多个第二驱动晶体管32及多个第三驱动晶体管33，所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及所述第三驱动晶体管33分别设置在所述基板10上，所述第一钝化保护层40包覆所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及所述第三驱动晶体管33。
53.具体地，所述驱动电路层30还包括有源层(图中未标号)、栅极绝缘层(图中未标号)、栅极(图中未标号)、第一层间绝缘层(图中未标号)及源漏极层(图中未标号)，所述有源层形成在所述基板10之上，所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述有源层之间，所述第一层间绝缘层位于所述栅极与所述源漏极层之间，所述第一钝化保护层40包覆所述源漏极层。其中，所述有源层包括第一半导体(图中未标号)、第二半导体(图中未标号)及第三半导体(图中未标号)，所述栅极包括第一栅极(图中未标号)、第二栅极(图中未标号)及第三栅极(图中未标号)，所述源漏极层包括第一源极(图中未标号)和第一漏极311、第二源极(图中未标号)和第二漏极(图中未标号)及第三源极(图中未标号)和第三漏极(图中未标号)。其中，所述第一半导体、所述第一栅极及所述第一源极和第一漏极311位置相对，以形成所
述第一驱动晶体管31。所述第二半导体、所述第二栅极及所述第二源极和第二漏极位置相对，以形成所述第二驱动晶体管32。所述第三半导体、所述第三栅极及所述第三源极和第三漏极位置相对，以形成所述第三驱动晶体管33。部分所述第一源极和第一漏极311自所述底切槽510内裸露出来。
54.其中，所述第一驱动晶体管31还包括第一信号输入端子312，所述第一信号输入端子312与所述第一源极和第一漏极311同层设置且材料相同。所述第一信号输入端子312用于输入共阴极的驱动信号。
55.在本技术一可选实施例中，所述耐压层50的厚度为3～5μm。
56.其中，所述耐压层50还可以作为所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及所述第三驱动晶体管33的缓冲层，在所述驱动背板110受到外界撞击或碰撞等时，可以减缓所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及所述第三驱动晶体管33受到的冲击。
57.在本实施例中，所述耐压层50的材质为有机光阻材料。
58.在本技术一可选实施例中，所述驱动背板110还包括金属屏蔽层20及第二层间绝缘层24，所述金属屏蔽层形成在所述基板10上，所述第二层间绝缘层24包覆所述金属屏蔽层。所述金属屏蔽层包括第一金属屏蔽部21、第二金属屏蔽部22及第三金属屏蔽部23，所述第一金属屏蔽部21正对所述第一驱动晶体管31且与所述第一漏极311电连接，所述第二金属屏蔽部22正对所述第二驱动晶体管32且与所述第二漏极电连接，所述第三金属屏蔽部23正对所述第三驱动晶体管33且与所述第三漏极电连接。其中，所述第一金属屏蔽部21除了用于屏蔽外界杂散光线外还充当所述第一驱动晶体管31的驱动信号输入端子，所述第二金属屏蔽部22除了用于屏蔽外界杂散光线外还充当所述第二驱动晶体管32的驱动信号输入端子，所述第三金属屏蔽部23除了用于屏蔽外界杂散光线外还充当所述第三驱动晶体管33的驱动信号输入端子。
59.在本技术一可选实施例中，对应所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及第三驱动晶体管33中的至少一个的所述耐压层50的厚度小于不对应所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及第三驱动晶体管33的所述耐压层50的厚度，且所述耐压层50平行于所述基板10且远离所述第一驱动晶体管31的表面处于同一水平面上。
60.在本技术一可选实施例中，所述驱动背板110还包括一遮光层72，所述遮光层72形成在所述耐压层50上且与所述第一驱动晶体管31位置相对。其中，所述遮光层72不仅能够用于遮挡自所述发光结构层120方向射来的外界杂散光，还能够通过调节所述遮光层72的厚度。
61.在本技术一可选实施例中，所述驱动背板110还包括一第二钝化保护层71，所述第二钝化保护层71形成在所述述耐压层50上且与所述第一驱动晶体管31位置相对，所述遮光层72形成在所述第二钝化保护层71上。其中，所述第二钝化保护层71不仅用于在所述耐压层50的对应所述第一驱动晶体管31的区域不平整时，调节所述耐压层50的远离所述第一驱动晶体管31的表面的平整度，还能够在一定程度上降低所述遮光层72的厚度。
62.其中，所述发光结构层120包括一第一电极层60、一共阴极84、多个发光元件81及多个第一发光单元82；所述第一电极层60形成在所述耐压层50上且与所述驱动电路层30电连接，所述发光元件81及所述第一发光单元82均形成在所述第一电极层60上，所述共阴极84形成在所述第一发光单元82上。所述共阴极84还形成在所述遮光层72上。
63.其中，所述第一电极层60包括多个第一阳极61、多个辅助阴极62及多个第二阳极63，所述发光元件81通过所述第一阳极61及所述辅助阴极62绑定在所述驱动背板110上，所述第一发光单元82形成在所述第二阳极63上且位于所述第二阳极63与所述共阴极84之间。所述底切槽510毗邻所述第一阳极61，所述共阴极84在所述底切槽510处断开，所述共阴极84与所述第一阳极61之间具有间隙，也即，所述共阴极84与所述第一阳极61之间无搭接。如此，可以切断所述共阴极84与所述第一阳极61之间的电接触，从而，可以能够避免因所述共阴极84与所述第一阳极61之间的搭接而引起的所述第一阳极61发生短路而造成器件失效。
64.具体地，所述第一阳极61与所述第一驱动晶体管31的第一漏极311电连接，所述辅助阴极62与所述第一信号输入端子312电连接且与所述共阴极84电连接。所述第二阳极63与所述第二驱动晶体管32的第二漏极电连接。
65.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层60还包括多个第三阳极64，所述第三阳极64与所述第三驱动晶体管33的第三漏极电连接。
66.在本技术一可选实施例中，所述发光结构层120还包括多个第二发光单元83，所述第二发光单元83形成在所述第三阳极64上且位于所述第三阳极64与所述共阴极84之间。
67.当然，在本技术其他实施例中，所述发光结构层120还可以包括不止一个所述发光元件81及/或不止一个发光单元，可以根据实际需要进行设计。
68.其中，所述发光元件81与所述第一发光单元82和所述第二发光单元83的发光原理不同，所述发光元件81、所述第一发光单元82及所述第二发光单元83发出光的颜色不同。在本实施例中，所述发光元件81发蓝光，所述第一发光单元82发绿光，所述第二发光单元83发红光。当然，在其他实施例中，所述发光元件81、所述第一发光单元82及所述第二发光单元83发出光的颜色并不局限于红绿蓝，还可以是其他颜色的光。
69.在本技术一可选实施例中，所述发光元件81为发光二极管(led)芯片，在其他实施例中，所述发光元件81为还可以为次毫米发光二极管(mini-led)芯片或微米发光二极管(micro-led)芯片等。
70.在本技术一可选实施例中，所述第一发光单元82及所述第二发光单元83的发光方式均为量子点发光，在其他实施例中，所述第一发光单元82及所述第二发光单元83的发光方式还可以为有机材料发光等。
71.其中，所述第一发光单元82及所述第二发光单元83均包括发光材料层及电子注入层、空穴注入层、电子传输层、空穴传输层等，所述电子注入层、所述空穴注入层、所述电子传输层及所述空穴传输层的位置与现有技术中的量子点发光二极管或有机发光材料的发光二极管中的电子注入层、空穴注入层、电子传输层及空穴传输层的位置一致。在此不再一一赘述。
72.在本技术一可选实施例中，对应所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及第三驱动晶体管33中的至少一个的所述耐压层50的厚度小于对应所述第一阳极61、所述辅助阴极62、所述第二阳极63及所述第三阳极64的所述耐压层50的厚度，如此，可以降低所述第一驱动晶体管31和所述第二驱动晶体管32上方区域的所述耐压层50与所述第一阳极61和所述辅助阴极62之间的断差。
73.当所述发光元件81为micro-led时，micro-led芯片的体积小且连接端子的高度仅有1-2μm。而在现有技术中，因现有技术的驱动所述micro-led芯片的驱动晶体管的上表面
与现有技术中的用于绑定micro-led芯片的第一阳极及辅助阴极之间的断差较大，当绑定所述micro-led芯片时，所述高度差将导致micro-led芯片上的连接端子不能很好地与驱动背板上的第一阳极及辅助阴极键合，导致所述micro-led芯片的转移和绑定良率偏低，进而出现暗灯、掉灯、暗点等问题。从而，在本技术中，降低所述第一驱动晶体管31和所述第二驱动晶体管32上方区域的所述耐压层50与所述第一阳极61和所述辅助阴极62之间的断差，可以提升所述发光元件81的转移和绑定良率，从而能够避免所述混合显示器件100出现暗灯、掉灯及暗点等问题。
74.优选地，所述耐压层50平行于所述基板10且远离所述第一驱动晶体管31的表面处于同一水平面上。
75.在本技术一可选实施例中，所述遮光层72远离所述第一驱动晶体管31的表面与所述第一阳极61的远离所述耐压层50的表面处于同一水平面上，所述第一驱动晶体管31和所述第二驱动晶体管32上方区域的所述耐压层50与所述第一阳极61和所述辅助阴极62之间的断差为0，可以进一步提升所述发光元件81的转移和绑定良率。
76.在本技术一可选实施例中，所述发光结构层120还包括形成在所述耐压层50上的第一挡墙91、第二挡墙92及第三挡墙93，所述共阴极84覆盖所述第一挡墙91、所述第二挡墙92及所述第三挡墙93。所述第一挡墙91位于所述辅助阴极62与所述第二阳极63之间，所述第二挡墙92位于所述第二阳极63与所述第三阳极64之间，所述第三挡墙93位于所述第三阳极64的外侧；所述第一挡墙91与所述第二挡墙92之间具有一第一像素开口94，所述第二挡墙92与所述第三挡墙93之间具有一第二像素开口95，所述第一发光单元82位于所述第一像素开口94内，所述第二发光单元83位于所述第二像素开口95内。
77.在其他实施例中，所述发光结构层120包括的挡墙的数量取决于其包括的发光单元的数量，所述挡墙的数量比所述发光单元的数量多一个。
78.请参阅图2-图5，本技术第二方面提供一种混合显示器件的制作方法，包括步骤：
79.s1：请参阅图2及图3，提供一驱动基板130并在所述驱动基板130上形成一耐压层50，得到驱动背板110；所述驱动基板130包括驱动电路层30及形成在所述驱动电路层30上的第一钝化保护层40，所述耐压层50形成在所述第一钝化保护层40上。
80.其中，在同一刻蚀液中，所述耐压层50的耐刻蚀性能优于所述第一钝化保护层40的耐刻蚀性能。
81.在本技术一可选实施例中，所述耐压层50的厚度为3～5μm。
82.其中，所述耐压层50还可以作为所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及所述第三驱动晶体管33的缓冲层。
83.在本实施例中，所述耐压层50的材质为有机光阻材料。
84.其中，所述驱动基板130还包括一基板10，所述驱动电路层30形成在所述基板10上。
85.其中，所述驱动电路层30还包括多个第一驱动晶体管31、多个第二驱动晶体管32及多个第三驱动晶体管33，所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及所述第三驱动晶体管33分别设置在所述基板10上，所述第一钝化保护层40包覆所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及所述第三驱动晶体管33。
86.具体地，所述驱动电路层30还包括有源层(图中未标号)、栅极绝缘层(图中未标
号)、栅极(图中未标号)、第一层间绝缘层(图中未标号)及源漏极层(图中未标号)，所述有源层形成在所述基板10之上，所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述有源层之间，所述第一层间绝缘层位于所述栅极与所述源漏极层之间，所述第一钝化保护层40包覆所述源漏极层。其中，所述有源层包括第一半导体(图中未标号)、第二半导体(图中未标号)及第三半导体(图中未标号)，所述栅极包括第一栅极(图中未标号)、第二栅极(图中未标号)及第三栅极(图中未标号)，所述源漏极层包括第一源极(图中未标号)和第一漏极311、第二源极(图中未标号)和第二漏极(图中未标号)及第三源极(图中未标号)和第三漏极(图中未标号)。其中，所述第一半导体、所述第一栅极及所述第一源极和第一漏极311位置相对，以形成所述第一驱动晶体管31。所述第二半导体、所述第二栅极及所述第二源极和第二漏极位置相对，以形成所述第二驱动晶体管32。所述第三半导体、所述第三栅极及所述第三源极和第三漏极位置相对，以形成所述第三驱动晶体管33。
87.其中，所述第一驱动晶体管31还包括第一信号输入端子312，所述第一信号输入端子312与所述第一源极和第一漏极311同层设置且材料相同。所述第一信号输入端子312用于输入共阴极的驱动信号。
88.在本技术一可选实施例中，所述驱动背板110还包括一金属屏蔽层及一第二层间绝缘层24，所述金属屏蔽层形成在所述基板10上，所述第二层间绝缘层24包覆所述金属屏蔽层。所述金属屏蔽层包括第一金属屏蔽部21、第二金属屏蔽部22及第三金属屏蔽部23，所述第一金属屏蔽部21正对所述第一驱动晶体管31且与所述第一漏极311电连接，所述第二金属屏蔽部22正对所述第二驱动晶体管32且与所述第二漏极电连接，所述第三金属屏蔽部23正对所述第三驱动晶体管33且与所述第三漏极电连接。
89.s2：请再次参阅图2及图3，在所述耐压层50上形成第一电极层60并自所述耐压层50向所述驱动电路层30形成至少一第一沟槽51，部分所述第一钝化保护层40自所述第一沟槽51内裸露出来，所述第一电极层60包括多个第一阳极61、多个辅助阴极62及多个第二阳极63，所述第一沟槽51毗邻所述第一阳极61。
90.具体地，所述第一阳极61与所述第一驱动晶体管31的第一源极和第一漏极311电连接，所述辅助阴极62与所述第一信号输入端子312电连接。所述第二阳极63与所述第二驱动晶体管32的第二源极和第二漏极电连接。
91.在本技术一可选实施例中，所述第一电极层60还包括多个第三阳极64，所述第三阳极64与所述第三驱动晶体管33的第三源极和第三漏极电连接。
92.其中，对应所述第一驱动晶体管31、所述第二驱动晶体管32及第三驱动晶体管33中的至少一个的所述耐压层50的厚度小于对应所述第一电极层60的所述耐压层50的厚度，如此，可以降低所述第一驱动晶体管31和所述第二驱动晶体管32上方区域的所述耐压层50与所述第一阳极61和所述辅助阴极62之间的断差。优选地，所述耐压层50平行于所述基板10且远离所述第一驱动晶体管31的表面处于同一水平面上。
93.s3：请参阅图2及图4，刻蚀自所述第一沟槽51裸露出来的所述第一钝化保护层40，形成第二沟槽41；一个所述第一沟槽51与与之对应的一个所述第二沟槽41形成一底切槽510。
94.其中，所述第二沟槽41贯穿所述第一钝化保护层40。
95.其中，所述s3还包括步骤：在对应所述第一驱动晶体管31的所述耐压层50上形成
一遮光层72，所述遮光层72不仅能够用于遮挡自所述发光结构层120方向射来的外界杂散光，还能够通过调节所述遮光层72的厚度。其中，所述遮光层72可以在形成所述第二沟槽41之间形成，也可以在形成所述第二沟槽41之后形成。
96.在本技术一可选实施例中，所述遮光层72远离所述第一驱动晶体管31的表面与所述第一阳极61的远离所述耐压层50的表面处于同一水平面上，所述第一驱动晶体管31和所述第二驱动晶体管32上方区域的所述耐压层50与所述第一阳极61和所述辅助阴极62之间的断差为0，可以进一步提升所述发光元件81的转移和绑定良率。
97.在本技术一可选实施例中，所述驱动背板110还包括一第二钝化保护层71，所述第二钝化保护层71形成在所述述耐压层50上且与所述第一驱动晶体管31位置相对，所述遮光层72形成在所述第二钝化保护层71上。其中，所述第二钝化保护层71不仅用于在所述耐压层50的对应所述第一驱动晶体管31的区域不平整时，调节所述耐压层50的远离所述第一驱动晶体管31的表面的平整度，还能够在一定程度上降低所述遮光层72的厚度。
98.s4：请参阅图2及图5，提供多个发光元件81及多个第一发光单元82，将所述发光元件81绑定在所述第一阳极61及所述辅助阴极62上，并将所述第一发光单元82形成在所述第二阳极63上。
99.在步骤s4中，还包括步骤：在所述耐压层50上形成多个第一挡墙91、多个第二挡墙92及多个第三挡墙93，所述第一挡墙91位于所述辅助阴极62与所述第二阳极63之间，所述第二挡墙92位于所述第二阳极63与所述第三阳极64之间，所述第三挡墙93位于所述第三阳极64的外侧；所述第一挡墙91与所述第二挡墙92之间具有一第一像素开口94，所述第二挡墙92与所述第三挡墙93之间具有一第二像素开口95，所述第一发光单元82位于所述第一像素开口94内，所述第二发光单元83位于所述第二像素开口95内。其中，所述第一挡墙91、所述第二挡墙92及所述第三挡墙93可以在“将所述发光元件81绑定在所述第一阳极61及所述辅助阴极62上”的步骤之后形成，也可以在“将所述发光元件81绑定在所述第一阳极61及所述辅助阴极62上”的步骤之前形成。
100.s5：请参阅图1及图2，通过整面镀方法在所述发光元件81、所述第一发光单元82及所述耐压层50上形成共阴极84，以形成发光结构层120；所述共阴极84在所述底切槽510处断开，所述共阴极84与所述第一阳极61之间具有间隙。
101.其中，所述辅助阴极62与所述共阴极84电连接。
102.当然，在本技术其他实施例中，所述发光结构层120还可以包括不止一个所述发光元件81及/或不止一个发光单元，可以根据实际需要进行设计。
103.其中，所述发光元件81与所述第一发光单元82和所述第二发光单元83的发光原理不同，所述发光元件81、所述第一发光单元82及所述第二发光单元83发出光的颜色不同。在本实施例中，所述发光元件81发蓝光，所述第一发光单元82发绿光，所述第二发光单元83发红光。当然，在其他实施例中，所述发光元件81、所述第一发光单元82及所述第二发光单元83发出光的颜色并不局限于红绿蓝，还可以是其他颜色的光。
104.在本技术一可选实施例中，所述发光元件81为发光二极管(led)芯片，在其他实施例中，所述发光元件81为还可以为次毫米发光二极管(mini-led)芯片或微米发光二极管(micro-led)芯片等。
105.在本技术一可选实施例中，所述第一发光单元82及所述第二发光单元83的发光方
式均为量子点发光，在其他实施例中，所述第一发光单元82及所述第二发光单元83的发光方式还可以为有机材料发光等。
106.请参阅图6，本技术还提供一种显示终端1000，所述显示终端1000包括主体部200及如上所述的混合显示器件100，所述混合显示器件100形成在所述主体部200上。
107.本技术提供的混合显示器件及其制作方法、显示终端，在现有的所述驱动背板的第一钝化保护层上形成一耐压层，在耐压层上形成第一阳极、辅助阴极及第二阳极，在驱动基板的耐压层和第一钝化保护层的毗邻所述第一阳极的位置处形成底切槽，将发光元件绑定在所述第一阳极及所述辅助阴极上，并将发光单元形成在第一阳极上，最后再形成共阴极；由于所述底切槽的存在，所述共阴极在所述底切槽处断开，以切断所述共阴极与所述第一阳极之间的电接触，从而，可以能够避免因所述共阴极与所述第一阳极之间的搭接而引起的所述第一阳极发生短路而造成器件失效。
108.另外，对应所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管及第三驱动晶体管中的至少一个的所述耐压层的厚度小于对应所述第一阳极、所述辅助阴极、所述第二阳极及所述第三阳极的所述耐压层的厚度，如此，可以降低所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管上方区域的所述耐压层与所述第一阳极和所述辅助阴极之间的断差，可以提升所述发光元件的转移和绑定良率，从而能够避免所述混合显示器件出现暗灯、掉灯及暗点等问题。
109.再者，所述遮光层远离所述第一驱动晶体管的表面与所述第一阳极的远离所述耐压层的表面处于同一水平面上，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管上方区域的所述耐压层与所述第一阳极和所述辅助阴极之间的断差为0，可以进一步提升所述发光元件的转移和绑定良率。
110.综上所述，虽然本技术已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本技术的保护范围以权利要求界定的范围为准。
技术特征：1.一种混合显示器件，其特征在于，包括：一驱动背板，包括依次叠设的驱动电路层、第一钝化保护层及耐压层；所述驱动背板上设置有至少一个底切槽，所述底切槽贯穿所述第一钝化保护层及所述耐压层；及一发光结构层，包括一第一电极层、一共阴极、多个发光元件及多个第一发光单元；所述第一电极层形成在所述耐压层上且与所述驱动电路层电连接，所述发光元件及第一发光单元均形成在所述第一电极层上，所述共阴极形成在所述第一发光单元上；其中，所述第一电极层包括多个第一阳极、多个辅助阴极及多个第二阳极，所述发光元件通过所述第一阳极及辅助阴极绑定在所述驱动背板上，所述第一发光单元形成在所述第二阳极与所述共阴极之间；所述底切槽毗邻所述第一阳极，所述共阴极在所述底切槽处断开，所述共阴极与所述第一阳极之间具有间隙。2.如权利要求1所述的混合显示器件，其特征在于，所述驱动电路层包括多个第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管包括第一源极和第一漏极；一个所述底切槽包括一第一沟槽及一第二沟槽，所述第一沟槽贯穿所述耐压层，所述第二沟槽贯穿所述第一钝化保护层；所述第一沟槽与所述第二沟槽相对设置，所述第一沟槽临近所述第二沟槽的开口的尺寸小于所述第二沟槽的临近所述第一沟槽的开口的尺寸；部分所述第一漏极从所述第二沟槽内裸露出来，所述第一阳极与所述第一漏极电连接。3.如权利要求2所述的混合显示器件，其特征在于，每个所述第一驱动晶体管还包括一第一信号输入端子，所述第一信号输入端子与所述第一源极和第一漏极同层设置，所述辅助阴极与所述第一信号输入端子电连接。4.如权利要求1所述的混合显示器件，其特征在于，所述辅助阴极与所述共阴极电连接。5.如权利要求2所述的混合显示器件，其特征在于，所述第一驱动晶体管对应的所述耐压层的厚度小于所述第一阳极对应的所述耐压层的厚度。6.如权利要求5所述的混合显示器件，其特征在于，所述驱动背板还包括遮光层，所述遮光层形成在所述耐压层上且与所述第一驱动晶体管位置相对；所述遮光层远离所述第一驱动晶体管的表面与所述第一阳极的远离所述耐压层的表面处于同一水平面上。7.如权利要求2所述的混合显示器件，其特征在于，所述驱动背板还包括多个第二驱动晶体管及多个第三驱动晶体管；所述第一电极层还包括多个第三阳极；所述第二阳极与所述第二驱动晶体管对应设置，所述第二阳极电连接所述第二驱动晶体管；所述发光结构层还包括多个第二发光单元，每个所述第二发光单元形成在所述第三阳极与所述共阴极之间，所述第三阳极与所述第三驱动晶体管电连接。8.如权利要求7所述的混合显示器件，其特征在于，所述第二驱动晶体管及所述第三驱动晶体管对应的所述耐压层的厚度小于所述第一阳极对应的所述耐压层的厚度。9.如权利要求7所述的混合显示器件，其特征在于，所述发光元件为发蓝光的发光二极管元件，所述第一发光单元为发绿光的有机发光单元或量子点发光单元，所述第二发光单元为发红光的有机发光单元或量子点发光单元。10.如权利要求7所述的混合显示器件，其特征在于，所述发光结构层还包括形成在所
述耐压层上的多个第一挡墙、多个第二挡墙及多个第三挡墙，所述共阴极覆盖所述第一挡墙、所述第二挡墙及所述第三挡墙；所述第一挡墙位于所述辅助阴极与所述第二阳极之间；所述第二挡墙位于所述第二阳极与所述第三阳极之间，所述第三挡墙位于所述第三阳极的外侧；所述第一挡墙与所述第二挡墙之间具有一第一像素开口，所述第二挡墙与所述第三挡墙之间具有一第二像素开口；所述第一发光单元位于所述第一像素开口内，所述第二发光单元位于所述第二像素开口内。11.如权利要求1-10任一项所述的混合显示器件，其特征在于，在同一刻蚀液中，所述耐压层的耐刻蚀性能优于所述第一钝化保护层的耐刻蚀性能。12.一种混合显示器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一驱动基板并在所述驱动基板上形成一耐压层，得到驱动背板；所述驱动基板包括驱动电路层及形成在所述驱动电路层上的第一钝化保护层，所述耐压层形成在所述第一钝化保护层上；在所述耐压层上形成第一电极层并自所述耐压层向所述驱动电路层形成至少一第一沟槽，部分所述第一钝化保护层自所述第一沟槽内裸露出来，所述第一电极层包括多个第一阳极、多个辅助阴极及多个第二阳极，所述第一沟槽毗邻所述第一阳极；刻蚀自所述第一沟槽裸露出来的第一钝化保护层，形成第二沟槽；一个所述第一沟槽与与之对应的一个所述第二沟槽形成一底切槽；提供多个发光元件及多个第一发光单元，将所述发光元件绑定在所述第一阳极及所述辅助阴极上，并将所述第一发光单元形成在所述第二阳极上；及通过整面镀方法在所述发光元件、第一发光单元及所述耐压层上形成共阴极，以形成发光结构层；所述共阴极在所述底切槽处断开，所述共阴极与所述第一阳极之间具有间隙。13.如权利要求12所述的混合显示器件的制作方法，其特征在于，所述辅助阴极与所述共阴极电连接。14.如权利要求12所述的混合显示器件的制作方法，其特征在于，所述驱动电路层包括第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管对应的所述耐压层的厚度小于所述第一阳极对应的所述耐压层的厚度，所述耐压层的远离所述第一驱动晶体管的表面处于同一水平面上；在“刻蚀自所述第一沟槽裸露出来的第一钝化保护层，形成第二沟槽”的步骤之后，还包括步骤：在所述耐压层的与所述第一驱动晶体管位置相对的表面上形成遮光层；所述遮光层远离所述第一驱动晶体管的表面与所述第一阳极的远离所述耐压层的表面处于同一水平面上。15.一种显示终端，其特征在于，包括主体部及如权利要求1-11任一项所述的混合显示器件，所述混合显示器件形成在所述主体部上。
技术总结本申请提供一种混合显示器件及其制作方法、显示终端，混合显示器件包括：驱动背板，包括依次叠设的驱动电路层、第一钝化保护层及耐压层；所述驱动背板上设置有底切槽，底切槽贯穿第一钝化保护层及耐压层；及发光结构层，包括第一电极层、共阴极、发光元件及第一发光单元；第一电极层形成在耐压层上且与驱动电路层电连接，发光元件及第一发光单元均形成在第一电极层上，共阴极形成在第一发光单元上；第一电极层包括第一阳极、辅助阴极及第二阳极，底切槽毗邻第一阳极，共阴极在底切槽处断开，共阴极与第一阳极之间具有间隙。本申请提供的混合显示器件及其制作方法、显示终端能避免阳极发生短路。发生短路。发生短路。
技术研发人员：罗传宝
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.26
技术公布日：2022/11/1
