本申请属于半导体制作，具体涉及一种匀胶方法。
背景技术：
1、在半导体制造领域，光刻工艺无疑是核心环节，它直接决定了芯片上各功能区图形尺寸的制作精准度。与此同时，光刻工艺的优劣还会对晶圆上芯片的良率与产出产生直接影响。在光刻工艺进行时，光刻胶被涂覆于晶圆表面，然而，靠近晶圆边缘的光刻胶往往容易在晶圆的正面和背面出现堆胶现象。这种边缘堆胶问题会致使晶圆边缘在曝光时制作精度降低，并且在显影后出现图形不规则或者胶层脱落的缺陷。
2、在当下的光刻工艺中，为了消除由边缘堆胶引发的缺陷，通常会采用去边工艺来清除晶圆边缘堆积的光刻胶。但这一工艺会使晶圆边缘数个毫米甚至更大面积无法得到利用，从而减少了单片晶圆上芯片的产量，造成了一定的成本损失。
技术实现思路
1、因此，本申请要解决的技术问题在于提供一种匀胶方法，旨在克服现有光刻工艺中晶圆边缘堆胶问题带来的不良影响，同时避免传统去边工艺造成的晶圆可用面积减少和成本损失。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种匀胶方法，包括：
3、粘贴背胶膜至晶圆的背面；
4、旋涂光刻胶至晶圆的正面；
5、移除背胶膜。
6、可选的，移除背胶膜，包括：
7、曝光背胶膜。
8、可选的，晶圆的厚度为300um～800um。
9、可选的，背胶膜的厚度为50um～100um。
10、可选的，晶圆与背胶膜的轴心线重合。
11、可选的，晶圆的直径为a，50mm≤a≤150mm，背胶膜的直径为b，5mm≤b-a≤15mm。
12、可选的，背胶膜由聚合物基底、光敏感树脂、光引发剂和添加剂组成。
13、可选的，光刻胶旋涂时转速为1000rpm～6000rpm。
14、可选的，背胶膜曝光的光照强度大于20mw/cm2。
15、可选的，背胶膜解胶所需的总曝光能量大于1000mj/cm2。
16、有益效果
17、本发明的实施例中所提供的匀胶方法，通过先将背胶膜粘贴至晶圆的背面，然后旋涂光刻胶至晶圆的正面，最后移除背胶膜。实现了在不采用去边工艺的情况下，有效解决光刻胶边缘堆胶问题，提高晶圆上芯片的制作精准度和良率，同时充分利用晶圆的面积，降低生产成本。
1.一种匀胶方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的匀胶方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的匀胶方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的匀胶方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的匀胶方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的匀胶方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的匀胶方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的匀胶方法，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的匀胶方法，其特征在于，
10.根据权利要求2所述的匀胶方法，其特征在于，
