一种封装结构、封装器件和封装基板的制作方法

专利2026-07-06  91


本技术实施例涉及封装,尤其涉及一种封装结构、封装器件和封装基板。


背景技术:

1、封装的目的之一是使元器件免受外部气体的影响,因此,封装的形式可分为气密性封装和非气密性封装两类。

2、其中,气密性封装能够实现元器件与外部环境的隔绝(包括温度、湿度、气氛等)以及起到保护、电气绝缘、向外散热等作用。一般来说,气密性封装可靠性高,但现有的气密性封装结构依然存在气密性差,防辐射能力弱等问题。


技术实现思路

1、本实用新型实施例提供了一种封装结构、封装器件和封装基板,以提高封装结构的气密性和防辐射性。

2、根据本实用新型的一方面,提供了一种封装结构,包括:

3、第一封装基板;

4、第二封装基板,与所述第一封装基板层叠设置;

5、容纳腔,位于所述第一封装基板与所述第二封装基板之间;其中,所述容纳腔的腔壁上覆盖有封装金属层;所述封装金属层的金属原子序数大于21,所述容纳腔用于容置电子器件。

6、可选的,所述第二封装基板包括第二基板;

7、所述第一封装基板包括第一基板,所述第一基板相对于所述第二基板的一侧设有第一凹槽,所述第一凹槽与所述第二基板构成所述容纳腔,

8、其中所述封装金属层至少覆盖所述第一凹槽的槽壁以及所述第二基板正对于所述第一凹槽的一侧的表面。

9、可选的,所述第二基板相对于所述第一凹槽的位置设有第二凹槽,所述第一凹槽与所述第二凹槽构成所述容纳腔,所述封装金属层还覆盖所述第二凹槽的槽壁。

10、可选的,所述第一基板和/或所述第二基板还包括:

11、至少一个通孔及设置于所述通孔内的金属连接体;

12、焊盘,位于所述容纳腔外,其中所述金属连接体用于电连接焊盘及位于所述容纳腔内的电子器件。

13、可选的,所述通孔位于所述第一凹槽的底部,所述金属连接体与位于所述第一基板上的所述封装金属层一体设置。

14、可选的,所述第一封装基板包括第一结合区,所述第一结合区围绕所述容纳腔的边缘设置;所述第二封装基板包括第二结合区,所述第二结合区与所述第一结合区相对设置;

15、其中,所述第一结合区设置有结合层,和/或,所述第二结合区设置有结合层以将所述第一封装基板及第二封装基板结合。

16、可选的,所述结合层为金属焊料层。

17、可选的,所述封装金属层还覆盖所述第一结合区,位于所述第一结合区的所述封装金属层位于所述第一基板与所述结合层之间,和/或,

18、所述封装金属层还覆盖所述第二结合区,位于所述第二结合区的所述封装金属层位于所述第二基板与所述结合层之间。

19、可选的,所述第一基板包括硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、熔融石英中的一种;所述第二基板包括玻璃基板、陶瓷基板、玻纤板、聚酰亚胺膜中的一种。

20、根据本实用新型的另一方面,提供了一种封装器件,包括:

21、电子器件;

22、如本实用新型任一实施例所述的封装结构,其中所述电子器件设置于所述封装结构的容纳腔内。

23、根据本实用新型的另一方面,提供了一种封装基板,用于与另一封装基板结合,包括:

24、多个凹槽,设于所述封装基板的表面,其中,所述凹槽的槽壁设有封装金属层,所述封装金属层的金属原子序数大于21,所述凹槽用于容置电子器件,所述封装基板用于与所述另一封装基板结合后切割成多个封装单元,每所述封装单元具有至少一所述凹槽。

25、本实用新型实施例提供了一种封装结构、封装器件和封装基板,其中封装结构包括:第一封装基板;第二封装基板,与第一封装基板层叠设置;容纳腔,位于第一封装基板与第二封装基板之间;其中,容纳腔的腔壁上覆盖有封装金属层;封装金属层的金属原子序数大于21,容纳腔用于容置电子器件。本实用新型提供的技术方案,通过在容纳腔的腔壁上覆盖金属原子序数大于21的封装金属层,使得封装金属层具有耐高温、高压、高辐射以及硬度高的特点,在封闭腔内可以提高气密性以及防辐射性。

26、更进一步的,第一封装基板包括第一基板,第二封装基板包括第二基板,将第一基板和第二基板中的至少一个设置为玻璃基板,可以降低封装结构的成本。在提高了封装结构的气密性、防辐射性的同时,降低了成本。

27、应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本实用新型的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本实用新型的范围。本实用新型的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。



技术特征:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第二基板相对于所述第一凹槽的位置设有第二凹槽,所述第一凹槽与所述第二凹槽构成所述容纳腔,所述封装金属层还覆盖所述第二凹槽的槽壁。

4.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第一基板和/或所述第二基板还包括:

5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述通孔位于所述第一凹槽的底部,所述金属连接体与位于所述第一基板上的所述封装金属层一体设置。

6.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述结合层为金属焊料层。

8.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,

9.根据权利要求2~8任一所述的封装结构,其特征在于,所述第一基板包括硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、熔融石英中的一种;所述第二基板包括玻璃基板、陶瓷基板、玻纤板、聚酰亚胺膜中的一种。

10.一种封装器件,其特征在于,包括:

11.一种封装基板,用于与另一封装基板结合,其特征在于,包括:


技术总结
本技术公开了一种封装结构、封装器件和封装基板,其中封装结构包括:第一封装基板;第二封装基板,与第一封装基板层叠设置;容纳腔,位于第一封装基板与第二封装基板之间;其中,容纳腔的腔壁上覆盖有封装金属层;封装金属层的金属原子序数大于21,容纳腔用于容置电子器件。本技术提供的技术方案,提高了封装结构的气密性和防辐射性。

技术研发人员:徐洪光
受保护的技术使用者:玻芯成(重庆)半导体科技有限公司
技术研发日:20240319
技术公布日:2024/11/11
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