一种厚膜电阻及其制备方法与流程

专利2026-06-18  6


本发明涉及电子元器件,特别是一种厚膜电阻及其制备方法。


背景技术:

1、厚膜电阻通常先采用印刷方法把方形图案印在基板上,然后通过高温烧结形成厚膜型电阻,此套工艺成熟,早已实现规模量产。随着应用设备的小型化、微型化,要求厚膜电阻的尺寸越来越小,有些甚至达到了0402尺寸的要求。新能源车的电气系统电压由原来的450v提高到现在的800v,逆变器、转换器中的igbt模块电压也越高,对厚膜电阻的耐电流性能要求越来越高。

2、目前厚膜电阻的可耐电流低,同时,存在散热慢引起的局部受热快,导致使用风险增加,阻碍了厚膜电阻的应用。


技术实现思路

1、本发明实施例要解决的技术问题在于,提供一种厚膜电阻及其制备方法,以解决现有技术中目前厚膜电阻的可耐电流低,同时,存在散热慢引起的局部受热快,导致使用风险增加,阻碍了厚膜电阻应用的问题。

2、本发明公开了一种厚膜电阻,包括:基板,所述基板的底面印刷有第一电极,所述基板的顶面相对的两侧分别印刷有第二电极,且两个所述第二电极之间印刷有至少两个间隔设置的电阻,多个所述电阻并联在两个所述第二电极上。

3、可选地,多个所述电阻的横截面呈矩形结构。

4、可选地,两个所述第二电极之间还印刷有第一保护层,所述第一保护层覆盖所述电阻。

5、可选地,两个所述第二电极之间还印刷有第二保护层,所述第二保护层覆盖所述电阻。

6、可选地,所述基板采用氧化铝陶瓷材料制成。

7、可选地,所述第一电极和所述第二电极均采用金属材料制成。

8、可选地,所述电阻延其长度方向相对的两侧分别形成有第一缺口和第二缺口,所述第一缺口和所述第二缺口在所述电阻上错位设置。

9、本发明还公开了一种厚膜电阻的制造方法,包括以下步骤:

10、取基板,并在所述基板的底面印刷第一电极,并在基板相对的两侧分别印刷第二电极,所述第一电极和所述第二电极干燥后,对所述基板进行烧结固化;

11、在所述基板上印刷多个间隔设置的电阻,所述电阻干燥后,对所述基板进行烧结固化。

12、可选地,厚膜电阻的制造方法还包括:在所述电阻上方印刷第一保护层,所述第一保护层干燥后,对所述基板进行烧结固化,并对所述基板上的电阻进行镭射修正,以使达到所述厚膜电阻的预设阻值。

13、可选地,膜电阻的制造方法还包括:在所述第一保护层上方印刷第二保护层,所述第二保护层干燥后,对所述基板进行烧结固化。

14、与现有技术相比,本发明实施例提供的厚膜电阻及其制备方法的有益效果在于:在基板的底面印刷有第一电极,基板的顶面相对的两侧分别印刷有第二电极,通过在两个所述第二电极之间印刷有至少两个间隔设置的电阻,多个所述电阻并联在两个所述第二电极上,以上设置改变了厚膜电阻印刷的电阻的结构,以上电阻的间隔印刷结构在应用过程中便于电阻的散热,同时,在相同的阻值下,本发明的厚膜电阻的耐受电流与常规结构相比提升了20%。因此,本实施例的厚膜电阻及其制备方法,能够防止常规结构散热慢引起的局部受热快的问题,进而降低了厚膜电阻的使用风险,同时提升了耐受电流,进而提升了厚膜电阻的应用。



技术特征:

1.一种厚膜电阻,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的厚膜电阻,其特征在于,多个所述电阻的横截面呈矩形结构。

3.根据权利要求1所述的厚膜电阻,其特征在于,两个所述第二电极之间还印刷有第一保护层,所述第一保护层覆盖所述电阻。

4.根据权利要求3所述的厚膜电阻,其特征在于,两个所述第二电极之间还印刷有第二保护层,所述第二保护层覆盖所述电阻。

5.根据权利要求1所述的厚膜电阻,其特征在于,所述基板采用氧化铝陶瓷材料制成。

6.根据权利要求1所述的厚膜电阻,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极均采用金属材料制成。

7.根据权利要求1所述的厚膜电阻,其特征在于,所述电阻延其长度方向相对的两侧分别形成有第一缺口和第二缺口,所述第一缺口和所述第二缺口在所述电阻上错位设置。

8.一种厚膜电阻的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

9.根据权利要求8所述的厚膜电阻的制造方法,其特征在于,厚膜电阻的制造方法还包括:

10.根据权利要求9所述的厚膜电阻的制造方法,其特征在于,膜电阻的制造方法还包括:


技术总结
本发明涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种厚膜电阻及其制备方法。厚膜电阻包括基板,所述基板的底面印刷有第一电极,所述基板的顶面相对的两侧分别印刷有第二电极,且两个所述第二电极之间印刷有至少两个间隔设置的电阻,多个所述电阻并联在两个所述第二电极上。本发明的厚膜电阻及其制备方法,能够防止常规结构散热慢引起的局部受热快的问题,进而降低了厚膜电阻的使用风险,同时提升了耐受电流,进而提升了厚膜电阻的应用。

技术研发人员:叶展昭,曾佑,彭幸,沈华生,方超,刘传东
受保护的技术使用者:广东爱晟电子科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/11
转载请注明原文地址: https://tieba.8miu.com/read-21871.html

最新回复(0)