1.本发明涉及整流桥领域，特别是涉及一种贴片式大功率整流桥。
背景技术：2.电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。
3.整流桥是将数个整流管封在一个壳内构成一个完整的整流电路，当功率进一步增加或由于其他原因要求多相整流时三相整流电路就被提了出来。目前整流桥的功耗高，功率较小，在电路中使用效果欠佳。
技术实现要素：4.为解决上述技术问题，本发明提供一种低功耗、高效能的贴片式大功率整流桥。
5.本发明采用如下技术方案：
6.一种贴片式大功率整流桥，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干芯片；所述第一中框架的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚；所述第三中框架通过第一连接引脚线连接有第三引脚，所述第四中框架通过第二连接引脚线连接有第四引脚；所述若干芯片分别设于所述第一中框架、第二中框架的上方及下方。
7.对上述技术方案的进一步改进为，所述壳体为无卤环氧树脂壳。
8.对上述技术方案的进一步改进为，所述第一中框架、第二中框架均为交流中框架。
9.对上述技术方案的进一步改进为，第一引脚、第二引脚均为交流极引脚。
10.对上述技术方案的进一步改进为，所述第三中框架为正极中框架。
11.对上述技术方案的进一步改进为，所述第四中框架为负极中框架。
12.对上述技术方案的进一步改进为，所述第三引脚为正极引脚。
13.对上述技术方案的进一步改进为，所述第四引脚为负极引脚。
14.对上述技术方案的进一步改进为，所述芯片的数量为八个，八个芯片包括分别设于所述第一中框架、第二中框架上方的四个上层芯片及分别设于所述第一中框架、第二中框架下方的四个下层芯片。
15.10、对上述技术方案的进一步改进为，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚为j型引脚或g型引脚。
16.本发明的有益效果为：
17.本发明为三层特殊组装结构的贴片式整流桥，紧凑型本体贴片式桥，有利于装板的g脚外形，实现可组装有八颗芯片，多芯同体利于温度均衡，正向压降低，正向电流高，具备低功耗、高效能、高抗浪涌能力，有效提高50％的能效。
附图说明
18.图1为本发明的贴片式大功率整流桥的实施例1的结构示意图；
19.图2为图1的贴片式大功率整流桥的实施例1的侧视图；
20.图3为本发明的贴片式大功率整流桥的实施例2的结构示意图；
21.图4为图3的贴片式大功率整流桥的实施例2的侧视图。
具体实施方式
22.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
24.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
25.实施例1
26.如图1及图2所示，一种贴片式大功率整流桥，包括壳体10、分别设置于所述壳体10内部的第一中框架20、第二中框架30、第三中框架40、第四中框架50、若干芯片60；所述第一中框架20的一端延伸设有第一引脚21，第二中框架30的一端延伸设有第二引脚31；所述第三中框架40通过第一连接引脚线41连接有第三引脚42，所述第四中框架50通过第二连接引脚线51连接有第四引脚52；所述若干芯片60分别设于所述第一中框架20、第二中框架30的上方及下方。
27.进一步地，所述壳体10为无卤环氧树脂壳。
28.进一步地，所述第一中框架20、第二中框架30均为交流中框架。
29.进一步地，第一引脚21、第二引脚31均为交流极引脚。
30.进一步地，所述第三中框架40为正极中框架。
31.进一步地，所述第四中框架50为负极中框架。
32.进一步地，所述第三引脚42为正极引脚。
33.进一步地，所述第四引脚52为负极引脚。
34.进一步地，所述芯片60的数量为八个，八个芯片60包括分别设于所述第一中框架20、第二中框架30上方的四个上层芯片60及分别设于所述第一中框架20、第二中框架30下方的四个下层芯片60。
35.进一步地，所述第一引脚21、第二引脚31、第三引脚42、第四引脚52为j型引脚。
36.实施例2
37.如图3及图4所示，一种贴片式大功率整流桥，包括壳体10、分别设置于所述壳体10内部的第一中框架20、第二中框架30、第三中框架40、第四中框架50、若干芯片60；所述第一中框架20的一端延伸设有第一引脚21a，第二中框架30的一端延伸设有第二引脚31a；所述第三中框架40通过第一连接引脚线41连接有第三引脚42a，所述第四中框架50通过第二连接引脚线51连接有第四引脚52a；所述若干芯片60分别设于所述第一中框架20、第二中框架30的上方及下方。
38.进一步地，所述壳体10为无卤环氧树脂壳。
39.进一步地，所述第一中框架20、第二中框架30均为交流中框架。
40.进一步地，第一引脚21a、第二引脚31a均为交流极引脚。
41.进一步地，所述第三中框架40为正极中框架。
42.进一步地，所述第四中框架50为负极中框架。
43.进一步地，所述第三引脚42a为正极引脚。
44.进一步地，所述第四引脚52a为负极引脚。
45.进一步地，所述芯片60的数量为八个，八个芯片60包括分别设于所述第一中框架20、第二中框架30上方的四个上层芯片60及分别设于所述第一中框架20、第二中框架30下方的四个下层芯片60。
46.与实施例1的不同之处在于，所述第一引脚21a、第二引脚31a、第三引脚42a、第四引脚52a为g型引脚。
47.本发明为三层特殊组装结构的贴片式整流桥，紧凑型本体贴片式桥，有利于装板的g脚外形，实现可组装有八颗芯片60，多芯同体利于温度均衡，正向压降低，正向电流高，具备低功耗、高效能、高抗浪涌能力，有效提高50％的能效。
48.以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
技术特征：1.一种贴片式大功率整流桥，其特征在于，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干芯片；所述第一中框架的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚；所述第三中框架通过第一连接引脚线连接有第三引脚，所述第四中框架通过第二连接引脚线连接有第四引脚；所述若干芯片分别设于所述第一中框架、第二中框架的上方及下方。2.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述壳体为无卤环氧树脂壳。3.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述第一中框架、第二中框架均为交流中框架。4.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，第一引脚、第二引脚均为交流极引脚。5.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述第三中框架为正极中框架。6.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述第四中框架为负极中框架。7.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述第三引脚为正极引脚。8.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述第四引脚为负极引脚。9.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述芯片的数量为八个，八个芯片包括分别设于所述第一中框架、第二中框架上方的四个上层芯片及分别设于所述第一中框架、第二中框架下方的四个下层芯片。10.根据权利要求1所述的贴片式大功率整流桥，其特征在于，所述第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚为j型引脚或g型引脚。
技术总结本发明涉及整流桥领域，特别是涉及一种贴片式大功率整流桥，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干芯片；所述第一中框架的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚；所述第三中框架通过第一连接引脚线连接有第三引脚，所述第四中框架通过第二连接引脚线连接有第四引脚；所述若干芯片分别设于所述第一中框架、第二中框架的上方及下方。本发明提供一种低功耗、高效能的贴片式大功率整流桥。整流桥。整流桥。
技术研发人员：王焕东
受保护的技术使用者：广东慧芯电子科技有限公司
技术研发日：2022.06.06
技术公布日：2022/11/1
