本技术涉及晶圆电镀，具体是集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置。
背景技术：
1、导通和防漏是晶圆电镀wafer holder的两大功能。导通的功能关键在电流分布的均匀性，但是其前提则需建立在wafer holder完美的防漏基础之下，否则电路将会在暴露药水之内造成短路，从而丧失挂具的正常电性功能。因此密封圈将起到决定性的作用。但是业界一般对于测漏均采目视的观察方式进行解决，但是此法无法起到预防作用。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、本实用新型的技术方案是：一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，包括有底座，所述底座的上端用以设置晶圆，所述晶圆的边缘均设置有导通压环和金属导通点，所述金属导通点设置在导通压环的下端，同时所述金属导通点通过金属导通线和挂具端子进行连接，所述挂具端子设置在挂具真空探测口上的侧边，所述挂具真空探测口的端口上部设置有真空探测器，且所述真空探测器和挂具真空探测口之间相连接。
3、更进一步地讲，所述真空探测器的检测管上安装有真空锁。
4、更进一步地讲，所述导通压环、金属导通点和晶圆之间、底座和上盖之间均设置有密封圈。
5、更进一步地讲，所述挂具端子的表面设置有金金属，同时所述晶圆通过挂具端子电性连接金金属。
6、更进一步地讲，所述晶圆正面向下时的下端设置有光阻和ubm，同时所述晶圆正面向下时，所述光阻设置在ubm的下端，且所述ubm设置在晶圆正面的下端。
7、更进一步地讲，所述密封圈的材质设置为橡胶材质，且所述密封圈的截面的右边长度和左边长度不同。
8、本实用新型通过改进在此提供集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，与现有技术相比，具有如下改进及优点：
9、本实用新型利用改善后的密封圈进行真空测试，并获取最佳真空值后，于完全无漏的状态下，对挂具端子的表面进行镀金处理，且增加相应的导通接触点数量，同时阴极端利用增加导通点、阴极分割等方式，搭配阳极端使用阳极分割，于挂具端子表面进行高硬度高导电度的金属表面处理，且对于四组分割后的阴阳极分别使用4组独立的电流供应器，进行独立的定电流控制，从而避免了原本挂具端子之间由于阻抗差异，发生抢电与电走快捷的现象，同时增加了金属导通点和独立定电流控制，提高了电流分布的均匀性。
1.一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，其特征在于，包括有底座(12)，所述底座(12)的上端用以设置晶圆(7)，所述晶圆(7)的边缘均设置有导通压环(5)和金属导通点(6)，所述金属导通点(6)设置在导通压环(5)的下端，同时所述金属导通点(6)通过金属导通线(11)和挂具端子(4)进行连接，所述挂具端子(4)设置在挂具真空探测口(3)上的侧边，所述挂具真空探测口(3)的端口上部设置有真空探测器(1)，且所述真空探测器(1)和挂具真空探测口(3)之间相连接。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，其特征在于，所述真空探测器(1)的检测管上安装有真空锁(2)。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，其特征在于，所述导通压环(5)、金属导通点(6)和晶圆(7)之间、底座(12)和上盖(13)之间均设置有密封圈(10)。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，其特征在于，所述挂具端子(4)的表面设置有金金属，同时所述晶圆(7)通过挂具端子(4)电性连接金金属。
5.根据权利要求1或3所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，其特征在于，所述晶圆(7)正面向下时的下端设置有光阻(8)和ubm(9)，同时所述晶圆(7)正面向下时，所述光阻(8)设置在ubm(9)的下端，且所述ubm(9)设置在晶圆(7)正面的下端。
6.根据权利要求3所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，其特征在于，所述密封圈(10)的材质设置为橡胶材质，且所述密封圈(10)的截面的右边长度和左边长度不同。
