本技术涉及芯片框架，尤其涉及一种sot26-14r芯片框架结构。
背景技术：
1、芯片框架是承载集成电路芯片的载体，可以起到对芯片的物理支撑和保护，同时兼顾将芯片工作中所产生的热量导出的功能，芯片可以通过金属丝使得自身内部电路与框架和外部电路之间形成回路，起到芯片与外部电路之间的桥梁作用。
2、现有的芯片框架中，没有针对产品型号为sot26-14r的产品封装框架，同时由于该种芯片尺寸较小，需要在生产过程中对芯片框架进行合理设计，提高产品利用率，同时提高框架与环氧树脂的结合效果，提高封装之后的产品可靠性。
技术实现思路
1、本实用新型要解决的技术问题是提供一种sot26-14r芯片框架结构，以实现sot26-14r芯片的电气性能，提高框架与封胶的结合强度。
2、为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种sot26-14r芯片框架结构，其创新点在于：包括框架本体，其内置有基料，基料被矩阵分隔形成多个芯片固定单元，每个芯片安装框架包括一对基岛，且每个基岛两侧分别设有三个管脚，分别为上管脚和下管脚；所述芯片固定单元的一端设置有镂空部分，且该置于基岛一端的镂空部分为锁胶孔；
3、在幅宽方向上相邻的两个芯片固定单元的端角位置处开有分隔孔，所述分隔孔呈矩形结构；
4、所述管脚包括焊接部和避让部，所述焊接部的宽度大于避让部的宽度，且避让部朝向远离基岛的方向；所述基岛上表面和管脚的焊接部上表面设有电镀涂层；所述基岛的下表面以及管脚的下表面具有通过半蚀刻工艺进行刻蚀的深度为0.695±0.05mm的半刻蚀区域；所述上管脚包括第一管脚、第二管脚和第三管脚；所述下管脚包括第四管脚、第五管脚和第六管脚；且第一管脚与第四管脚对应，第二管脚与第五管脚对应，第三管脚与第六管脚对应；所述第一管脚的焊接部区域小于第四管脚焊接部区域；所述第二管脚焊接部区域大于第五管脚焊接部区域；所述第三管脚焊接部区域大于第六管脚焊接部区域；
5、所述管脚的焊接部距边缘位置的最大缺银允许值为0.05mm。
6、进一步的，所述管脚的焊接部全覆盖有电镀涂层，且电镀涂层的材质为银。
7、本实用新型的优点在于：
8、1）本实用新型中通过在芯片固定单元的一端设置锁胶孔；使得框架与用于封装的胶体连接更紧密，防止在芯片封装之后框架与胶体松脱；采用在管脚上设置焊接部和避让部，且通过焊接部宽度较大的方式，以便于金属线与管脚进行连接，同时通过避让部，使得产品在切割后，金属部分距离较远，防止由于金属切割形成的细小毛刺影响产品性能，提高产品合格率，保证产品爬电距离符合标准；此外，管脚的焊接部进行合理的分配，提高空间利用率，以获取更低的导通电阻，获取良好的电气性能。
1.一种sot26-14r芯片框架结构，其特征在于：包括框架本体，其内置有基料，基料被矩阵分隔形成多个芯片固定单元，每个芯片安装框架包括一对基岛，且每个基岛两侧分别设有三个管脚，分别为上管脚和下管脚；所述芯片固定单元的一端设置有镂空部分，且该置于基岛一端的镂空部分为锁胶孔；
2.根据权利要求1所述的一种sot26-14r芯片框架结构，其特征在于：所述管脚的焊接部全覆盖有电镀涂层，且电镀涂层的材质为银。
