1.本发明涉及半导体制造领域，具体为一种改善硅片真空吸附度异常的方法。
背景技术：2.硅片经过机械研磨之后，通过化学药液与硅片进行化学反应，通过化学减薄，达到去除机械研磨损伤层的目的，对于单面抛光片来说，在腐蚀之后硅片背面的结构便已经确定为腐蚀面，在fab厂设备加工过程中，需要使用吸盘吸附硅片背面，于是不同的腐蚀工艺会影响吸盘的吸附力，以往采用单一的腐蚀方式，即利用纯酸或纯碱，该工艺会导致硅片表面粗糙度异常，从而导致硅片吸附异常。
技术实现要素：3.本发明提供了一种改善硅片真空吸附度异常的方法。
4.一种改善硅片真空吸附度异常的方法，使用混合腐蚀工艺，混合腐蚀工艺分为酸腐蚀工艺和碱腐蚀工艺；
5.其中，酸腐蚀工艺利用混合酸(hf,hno3,ch3cooh)与硅片表层发生化学反应，其中冰醋酸(ch3cooh)作为缓释剂存在，不参与化学反应；
6.硅被hno3氧化，反应为：3si+4hno3→37.用hf去除sio2层，反应为：
8.总反应为：3si+4hno3+18hf
→
3h2[sif6]_d
[0009]
其中，硅片碱腐蚀利用koh腐蚀剂，通过化学反应，去除掉硅片因双面研磨造成的损伤层，原理是koh溶液与硅片表层发生化学反应：
[0010]
si+2koh+2k2sio3+2h2↑
。
[0011]
优选的，所述混合腐蚀工艺的顺序为先进行酸腐蚀工艺，后进行碱腐蚀工艺。
[0012]
优选的，所述混合腐蚀工艺的顺序为先进行碱腐蚀工艺，后进行酸腐蚀工艺。
[0013]
与现有技术相比，本发明的有益效果是：结合酸腐蚀和碱腐蚀各自的优点，使用混合腐蚀工艺(先酸后碱/先碱后酸)来改变硅片的粗糙度及光泽度，来匹配不同硅片加工设备的真空吸附度。
附图说明
[0014]
图1本发明的效果图。
具体实施方式
[0015]
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0016]
一种改善硅片真空吸附度异常的方法，使用混合腐蚀工艺，混合腐蚀工艺分为酸腐蚀工艺和碱腐蚀工艺，混合腐蚀工艺的顺序分为两种，一种是先进行酸腐蚀工艺，后进行碱腐蚀工艺，另一种是先进行碱腐蚀工艺，后进行酸腐蚀工艺。
[0017]
其中，酸腐蚀工艺的主要原理是利用混合酸(hf,hno3,ch3cooh)与硅片表层发生化学反应，从而达到去除硅片表面损伤层和金属(主要是铁离子)的目的。其中冰醋酸(ch3cooh)作为缓释剂存在，不参与化学反应。
[0018]
硅被hno3氧化，反应为：3si+4hno3→3[0019]
用hf去除sio2层，反应为：
[0020]
总反应为：3si+4hno3+18hf
→
3h2[sif6]_d
[0021]
其中，硅片碱腐蚀：利用koh腐蚀剂，通过化学反应，去除掉硅片因双面研磨造成的损伤层，并使硅片表面及几何参数满足规范要求。主要原理是koh溶液与硅片表层发生化学反应：
[0022]
si+2koh+2k2sio3+2h2↑
。
[0023]
本发明的混合腐蚀工艺效果如图1所示。
[0024]
本发明结合酸腐蚀和碱腐蚀各自的优点，使用混合腐蚀工艺(先酸后碱/先碱后酸)来改变硅片的粗糙度及光泽度，来匹配不同硅片加工设备的真空吸附度。
[0025]
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点,对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
[0026]
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包括一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
技术特征：1.一种改善硅片真空吸附度异常的方法，其特征在于：使用混合腐蚀工艺，混合腐蚀工艺分为酸腐蚀工艺和碱腐蚀工艺，其中，酸腐蚀工艺利用混合酸(hf,hno3,ch3cooh)与硅片表层发生化学反应，其中冰醋酸(ch3cooh)作为缓释剂存在，不参与化学反应；硅被hno3氧化，反应为：3si+4hno3→
3用hf去除sio2层，反应为：总反应为：3si+4hno3+18hf
→
3h2[sif6]+4no
↑
；其中，硅片碱腐蚀利用koh腐蚀剂，通过化学反应，去除掉硅片因双面研磨造成的损伤层，原理是koh溶液与硅片表层发生化学反应：si+2koh+2＝k2sio3+2h2↑
。2.根据权利要求1所述的改善硅片真空吸附度异常的方法，其特征在于：所述混合腐蚀工艺的顺序为先进行酸腐蚀工艺，后进行碱腐蚀工艺。3.根据权利要求1所述的改善硅片真空吸附度异常的方法，其特征在于：所述混合腐蚀工艺的顺序为先进行碱腐蚀工艺，后进行酸腐蚀工艺。
技术总结本发明公开了一种改善硅片真空吸附度异常的方法，使用混合腐蚀工艺，混合腐蚀工艺分为酸腐蚀工艺和碱腐蚀工艺，其中，酸腐蚀工艺利用混合酸与硅片表层发生化学反应，其中冰醋酸作为缓释剂存在，不参与化学反应；总反应为：3Si+4HNO3+18HF
技术研发人员：陆鑫浩 林涛
受保护的技术使用者：中环领先半导体材料有限公司
技术研发日：2022.07.14
技术公布日：2022/11/1
