本公开涉及集成电路制造，尤其涉及离子密度检测装置及其离子密度测量方法。
背景技术：
1、目前的半导体等离子去胶设备、等离子刻蚀设备、等离子薄膜沉积设备等，这些设备反应腔室内晶圆表面的离子密度分布是一个重要的数据，可以为工艺反应现象提供理论依据并能一定程度上指导工艺调节的方向，但目前尚未有能便于测量晶圆表面不同区域离子密度的仪器。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本公开的目的在于提供离子密度检测装置及其离子密度测量方法，解决相关技术中的问题。
2、本公开第一方面提供一种离子密度检测装置，应用于等离子体工艺设备；所述装置包括：离子接收部件，包括：晶圆、离子接收分布图案及多条电性线路；所述晶圆供放置于所述等离子体工艺设备的反应腔室内；所述离子接收分布图案，形成于所述晶圆表面，包括：设置于所述晶圆表面不同区域的可导电的多个离子接收部；其中，所述离子接收部供与所述反应腔室内的等离子体导电接触；所述多条电性线路，设于所述晶圆内，并分别与每个所述离子接收部电性相连；所述离子接收分布图案包括：位于所述晶圆表面中心的一个离子接收部、以及围绕所述晶圆表面中心环形设置的包含至少一个离子接收部的子图案；每个所述离子接收部具有根据其形状可确定的面积；处理电路部件，包括：信号采集单元，连接所述多条电性线路，所述信号采集单元包括多个信号采集电路，一一对应地连接每条电性线路，所述信号采集电路包括：串联于所述电性线路的电阻及电源，通过所述等离子体导电连接反应腔室上的地端以形成回路，用于采集每条回路中的电信号值以供获取对应的电流值；所述电信号值被用于计算回路中电流的电流值，所述电流值用于被计算它与对应的离子接收部的面积之间比值以得到每个离子接收部的电流密度值，作为每个离子接收部所在晶圆表面区域的离子密度信息；所述信号采集电路还包括：用于测量流过所述回路中电信号值的测量单元；所述处理电路部件还包括：离子密度计算单元，与每个所述测量单元连接以计算每个所述电流密度值；所述信号采集单元与离子密度计算单元之间有线通信连接，所述信号采集单元与离子密度计算单元与晶圆一同放置于等离子体工艺设备的反应腔室中，所述离子密度计算单元与外部无线通信连接；或者，所述信号采集单元与离子密度计算单元之间无线通信连接，所述信号采集单元与晶圆一同放置于所述反应腔室中，所述离子密度计算单元被放置于所述反应腔室外。
3、在第一方面的示例中，所述子图案包括间隔分布的多个离子接收部。
4、在第一方面的示例中，所述子图案中离子接收部的数量同其与晶圆表面中心的间距之间正相关。
5、在第一方面的示例中，每个所述子图案由环形的一离子接收部所形成。
6、在第一方面的示例中，所述环形的离子接收部的分布密集程度同相对晶圆表面中心的间距正相关。
7、在第一方面的示例中，所述测量单元包括：与所述电阻串联的电流测量器或并联的电压测量器。
8、本公开第二方面提供一种离子密度测量方法，应用于等离子体工艺设备，所述方法包括：设置第一方面中任一项所述的离子密度检测装置的晶圆于等离子体工艺设备的反应腔室；在所述反应腔室中形成等离子体的情况下，通过所述离子密度检测装置得到晶圆各离子接收部对应的电流密度值。
9、如上所述，本公开涉及集成电路制造技术领域，提供离子密度检测装置及其离子密度测量方法。装置包括：离子接收部件和处理电路部件；离子接收部件包括晶圆、分布于晶圆表面的离子接收分布图案及晶圆内的电性线路，离子接收分布图案包括多个离子接收部；多条电性线路分别与每个离子接收部电性相连；处理电路部件包括信号采集单元和离子密度计算单元，信号采集单元连接多条电性线路，以获取每条电性线路的回路对应的电流值；离子密度计算单元根据每个电流值与对应的离子接收部的面积比值可计算表示每个晶圆表面区域的离子密度信息的电流密度值，并可无线传输。由此，利用晶圆离子接收分布图案得到表示晶圆表面各区域离子密度的电流密度值，实现准确高效测量。
1.一种离子密度检测装置，其特征在于，应用于等离子体工艺设备；所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的离子密度检测装置，其特征在于，所述子图案包括间隔分布的多个离子接收部。
3.根据权利要求2所述的离子密度检测装置，其特征在于，所述子图案中离子接收部的数量同其与晶圆表面中心的间距之间正相关。
4.根据权利要求1所述的离子密度检测装置，其特征在于，每个所述子图案由环形的一离子接收部所形成。
5.根据权利要求4所述的离子密度检测装置，其特征在于，所述环形的离子接收部的分布密集程度同相对晶圆表面中心的间距正相关。
6.根据权利要求1所述的离子密度检测装置，其特征在于，所述测量单元包括：与所述电阻串联的电流测量器或并联的电压测量器。
7.一种离子密度测量方法，应用于等离子体工艺设备，所述方法包括：
