本技术涉及led发光及透明树脂层出光的，尤其涉及一种led器件及一种发光器件。
背景技术：
1、现有的白光led，可采用蓝光芯片与片状光转换层结合：由蓝光芯片发出蓝光，经光转换激发出白光；单面出光的白光led，会采用高反射白胶墙(反光墙)包围芯片和保护层(光转换层)的四周，把五面出光的led芯片转换成单面出光，同时防止漏蓝。目前，采用的光转换层多为常规矩形光转换层，虽然其制备和切割精度要求较低，但出光时会有出光折射和全反射损耗(参考图2)。而若为了提高出光，定制光转换层切割模具、控制切割精度制备特定的倒梯形结构来作为光转换层，但这样又会导致制备和切割精度的难度大大提高。
技术实现思路
1、为了克服现有技术存在的问题，本实用新型目的在于提供一种led器件，其能辅助光转换层的侧面出光，提高led器件的出光效率。
2、本实用新型的第二个目的在于提供一种发光器件。
3、为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
4、一种led器件，包括一芯片，所述芯片具有下表面、与下表面相对的上表面、上表面与下表面之间的四周的侧面，所述下表面具有导电组结构：
5、还包括在芯片的上表面由下而上设置的n层保护层，n大于等于2，所述第一保护层紧贴所述芯片的上表面；
6、以及以周向包围的方式覆盖芯片侧面的第一透明树脂层；
7、以及以周向包围的方式覆盖除最上部的保护层外的保护层的侧面的透明树脂层，每一层保护层外对应覆盖一层透明树脂层；
8、以及以周向包围的方式包围芯片、透明树脂层、保护层的反光墙，反光墙沿着每层透明树脂层形成与该层透明树脂层接触的反射墙。
9、作为优选，
10、所述第一保护层的顶部投影面积大于芯片的顶部投影面积；
11、位置相对靠上的保护层的顶部投影面积大于位置相对靠下的保护层的顶部投影面积；
12、所述第一透明树脂层至少一部分与第一保护层紧贴；
13、每一层保护层外包围的透明树脂层都至少有一部分与其上一层的保护层紧贴。
14、作为优选，单层所述透明树脂层的宽度从底部往上增加；所述透明树脂层的纵截面的外侧边是底部至顶部的曲线。
15、作为优选，n层所述透明树脂层的纵截面的外侧边大致是连续线。
16、作为优选，所述保护层包含氧化钛或/和氧化铝或/和氧化锆或/和氧化硅。
17、作为优选，所述保护层包含波长转换材料。
18、作为优选，所述第一反射墙与芯片侧面的夹角的范围为10°～70°；反射墙与其所接触的透明树脂层所包围的保护层的侧面的夹角的范围为10°～70°。
19、作为优选，所述保护层的厚度范围为50～200微米。
20、一种发光器件，包含一基板，基板上固定连接所述的led器件，在基板、反光墙和保护层上覆盖透镜。
21、本实用新型的有益效果为：
22、通过上述结构，本实用新型所述的led器件及发光器件，解决了虽然常规矩形光转换层制备和切割精度要求较低，但出光时会有出光折射和全反射损耗，而为提高出光，需要定制光转换层切割模具，需要控制切割精度制备特定的倒梯形结构，导致制备难度提高的问题。本实用新型采用矩形光转化层(保护层)搭配双层或多层透明树脂层辅助光转换层的侧面出光，提供出光效率，同时可降低光转换层切割精度要求。且本实用新型所述的led器件中，通过设置多层透明树脂层(即透明导光层)，以及通过透明树脂层的角度、设置位置及外侧面的形状，以控制反射墙的角度，从而增大出光角度和发光面积，同时也使荧光膜不需要特殊成型工艺制作斜面。
1.一种led器件，包括一芯片，所述芯片具有下表面、与下表面相对的上表面、上表面与下表面之间的四周的侧面，所述下表面具有导电组结构，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的led器件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的led器件，其特征在于，单层所述透明树脂层的宽度从底部往上增加；所述透明树脂层的纵截面的外侧边是底部至顶部的曲线。
4.根据权利要求3所述的led器件，其特征在于，n层所述透明树脂层的纵截面的外侧边大致是连续线。
5.根据权利要求1至4任一权利要求所述的led器件，其特征在于，所述保护层包含氧化钛或/和氧化铝或/和氧化锆或/和氧化硅。
6.根据权利要求1至4任一权利要求所述的led器件，其特征在于，所述保护层包含波长转换材料。
7.根据权利要求2所述的led器件，其特征在于，所述反射墙与芯片侧面的夹角的范围为10°～70°；反射墙与其所接触的透明树脂层所包围的保护层的侧面的夹角的范围为10°～70°。
8.根据权利要求2所述的led器件，其特征在于，所述保护层的厚度范围为50～200微米。
9.一种发光器件，包含一基板，基板上固定连接权利要求1至权利要求8任一权利要求所述的led器件，在基板、反光墙和保护层上覆盖透镜。
