本公开涉及半导体制造，特别涉及一种掩模板的图案修正方法及其系统。
背景技术：
1、光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一道重要工序；光刻工艺是利用曝光和显影将光掩模版上的图形转移到光刻胶层上。然而在光刻工艺中，掩模版上的图形通过曝光显影转移到光刻胶层上的时候，由于光学系统的不完善性和衍射效应，会使得光刻胶层上的图形和光掩模版上的图形出现偏差，在基于光刻胶上的图形形成产品时，会影响产品的性能。 光学临近修正（optical proximity correction，opc）是目前常用的一种修正方法，在opc过程中，为了防止图形出现短接或断开，通常是根据设定掩模版最小尺寸规则值(maskrule constraints，mrc)(包括线宽值和间距值)对图形的线宽和间距进行检测，然而，mrc的引入会对opc的收敛度产生较大影响，影响修正的准确性，导致误差较大，从而影响产品的性能。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，有待提出一种新的掩模板的图案修正方法及其系统。
2、根据本公开的一方面，提供了一种掩模板的图案修正方法，包括：
3、获取目标图案；
4、对所述目标图案的光刻图案进行光学临近修正；
5、判断沿第一方向相邻的所述光刻图案的间距是否小于预设距离，若判断结果为否，输出所述光刻图案；以及
6、若判断结果为是，沿第二方向在所述目标图案的边缘添加辅助图案以更新所述目标图案或者调整所述辅助图案的尺寸以增大所述目标图案沿所述第二方向上的边缘长度，并返回所述对所述目标图案的光刻图案进行光学临近修正的步骤，
7、其中，所述第一方向垂直于所述第二方向，
8、沿所述第二方向，所述光刻图案的尺寸随所述目标图案的尺寸增大而增大。
9、可选地，所述沿第二方向在所述目标图案的边缘添加辅助图案的步骤包括：沿所述第二方向，在所述目标图案的一侧或两侧边缘添加所述辅助图案。
10、可选地，所述辅助图案靠近邻接所述间距小于所述预设距离的所述光刻图案的所述目标图案的边缘。
11、可选地，所述辅助图案为矩形，且所述辅助图案的长和宽均小于所述光学临近修正的最小尺寸。
12、可选地，所述获取目标图案步骤中的所述目标图案呈矩形，更新后的所述目标图案呈h形或凸字形。
13、可选地，所述调整所述辅助图案的尺寸的步骤包括采用迭代法更新所述辅助图案的长和宽。
14、根据本公开的另一方面，提供了一种掩模板的图案修正系统，包括：
15、获取模块，用于获取目标图案；
16、光学临近修正模块，用于对所述目标图案的光刻图案进行光学临近修正；
17、判断模块，用于判断沿第一方向相邻的所述光刻图案的间距是否小于预设距离，若所述判断模块的判断结果为否，输出所述光刻图案；以及
18、图形修正模块，用于在所述判断模块的判断结果为是的情况下，沿第二方向在所述目标图案的边缘添加辅助图案以更新所述目标图案或者调整所述辅助图案的尺寸，并将更新后的所述目标图案发送至所述光学临近修正模块，
19、其中，所述第一方向垂直于所述第二方向，
20、沿所述第二方向，所述光刻图案的尺寸随所述目标图案的尺寸增大而增大。
21、可选地，所述图形修正模块用于沿所述第二方向，在所述目标图案的一侧或两侧边缘分别添加辅助图案以增大所述目标图案沿所述第二方向上的边缘长度。
22、可选地，所述辅助图案靠近邻接所述间距小于所述预设距离的所述光刻图案的所述目标图案的边缘。
23、可选地，所述辅助图案为矩形，且所述辅助图案的长和宽均小于所述光学临近修正的最小尺寸。
24、上述技术方案中的一个技术方案具有如下意想不到的技术效果：
25、为了保证沿第一方向相邻光刻图案的距离不小于预设距离，需要再第一方向上限定光刻图案的尺寸（例如限定了光刻图案的宽度），此时，可以通过增加辅助图案使得目标图案沿第二方向上的边缘长度增大，在光学临近修正步骤之后光刻图案沿第二方向上的尺寸也会随之增大（例如增大了光刻图案的长度），从而保证了光刻图案的面积达到预设面积，在保证光刻图案符合掩模版最小尺寸规则值的同时，可以提高目标图案的收敛度和准确度，保证光刻的准确性，进一步保证了产品的性能。
26、在一些实施例中，通过让辅助图案的长和宽均小于光学临近修正的最小尺寸，从而使得在光学临近修正的步骤中，仅改变光刻图案在第一、第二方向上的尺寸比例，而不改变光刻图案的整体形貌，从而使得最终的产品满足设计要求。
27、应当说明的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的并不能限制本公开。
1.一种掩模板的图案修正方法，包括：
2.根据权利要求1所述的图案修正方法，其中，所述沿第二方向在所述目标图案的边缘添加辅助图案的步骤包括：沿所述第二方向，在所述目标图案的一侧或两侧边缘添加所述辅助图案。
3.根据权利要求1或2所述的图案修正方法，其中，所述辅助图案靠近邻接所述间距小于所述预设距离的所述光刻图案的所述目标图案的边缘。
4.根据权利要求1或2所述的图案修正方法，其中，所述辅助图案为矩形，且所述辅助图案的长和宽均小于所述光学临近修正的最小尺寸。
5.根据权利要求1或2所述的图案修正方法，其中，所述获取目标图案的步骤中的所述目标图案呈矩形，更新后的所述目标图案呈h形或凸字形。
6.根据权利要求4所述的图案修正方法，其中，所述调整所述辅助图案的尺寸的步骤包括采用迭代法更新所述辅助图案的长和宽。
7.一种掩模板的图案修正系统，包括：
8.根据权利要求7所述的图案修正系统，其中，所述图形修正模块用于沿所述第二方向，在所述目标图案的一侧或两侧边缘分别添加辅助图案以增大所述目标图案沿所述第二方向上的边缘长度。
9.根据权利要求7或8所述的图案修正系统，其中，所述辅助图案靠近邻接所述间距小于所述预设距离的所述光刻图案的所述目标图案的边缘。
10.根据权利要求7或8所述的图案修正系统，其中，所述辅助图案为矩形，且所述辅助图案的长和宽均小于所述光学临近修正的最小尺寸。
