本技术属于电池，特别涉及一种新型光伏电池。
背景技术：
1、目前，日益严重的能源危机问题和气候变暖问题已经严重地影响到人类的生存与发展。
2、为了解决上述问题，现在全世界都在大力推广太阳能光伏电池发电。但是，传统的光伏电池不仅光电转换率低，而且发电功率也较小。
3、有鉴于此，光伏业界一直在花费大量的财力和人力，去寻找光伏发电装置的新结构、新材料、新工艺，以提高光伏电池的光电转换率和发电功率。
技术实现思路
1、为了解决以上问题，本实用新型提供了一种新型光伏电池。
2、为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案如下：
3、一种新型光伏电池，所述光伏电池的电池主体包括相互接触的半导体a和半导体b，所述半导体a为重掺的p型半导体，所述半导体b为重掺的n型半导体，所述半导体a与所述半导体b相互接触形成一个重掺的pn结；所述半导体a的外侧设有金属层ⅰ，所述金属层ⅰ为栅状，所述金属层ⅰ作为所述光伏电池的负极；所述半导体b的外侧设有金属层ⅱ，所述金属层ⅱ作为所述光伏电池的正极。
4、进一步的，所述金属层ⅱ与所述半导体b外侧面的形状、面积相同。
5、进一步的，所述半导体a和半导体b的基础材料均为半导体硅。
6、本新型光伏电池与现有光伏技术相比，所取得的技术进步在于：
7、本实用提供的光伏电池在太阳光的照射下，整个光伏电池内自由电子浓度更大，光电转换率可达到40 %以上，该方案经过多次实验表明，在同样面积下，本实用新型的发电功率比传统光伏电池发电功率高出120%以上。本实用新型结构简单、成本低廉，无需采用特殊的半导体基础材料、复杂的工艺措施及光学装置，即可具有很高的光电转换率和发电功率，能够产生巨大的经济效益和社会效益。
1.一种新型光伏电池，其特征在于：所述光伏电池的电池主体包括相互接触的半导体a和半导体b，所述半导体a为重掺的p型半导体，所述半导体b为重掺的n型半导体；所述半导体a的外侧设有金属层ⅰ，所述金属层ⅰ为栅状，所述金属层ⅰ作为所述光伏电池的负极；所述半导体b的外侧设有金属层ⅱ，所述金属层ⅱ作为所述光伏电池的正极。
2.根据权利要求1所述的一种新型光伏电池，其特征在于：所述金属层ⅱ与所述半导体b外侧面的形状、面积相同。
3.根据权利要求2所述的一种新型光伏电池，其特征在于：所述半导体a和半导体b的基础材料均为半导体硅。
