本发明涉及一种层叠体的制造方法。
背景技术：
1、已知在绝缘层的表面侧层叠有电路图案、且在所述电路图案上安装有电子零件的层叠体。对于所述层叠体，为了释放出从电子零件发出的热，在绝缘层的背面侧层叠有散热片(heat sink)或散热板等基底基板。之前，作为用于将电子零件安装于电路图案上的接合材料，焊料得到广泛使用。
2、近年来，随着电子设备的高性能化及小型化的进展，电子零件的发热量越来越大。例如，使用sic(碳化硅)的半导体芯片(作为一例为sic功率元件)可导通大电流，因此在运行时有时成为高温(例如300℃以上)。另一方面，由于焊料的熔点比较低，因此若使用焊料作为在此种高温下运行的电子零件的接合材料，则在使半导体芯片运行时焊料会再熔融，有可能会导致半导体芯片的剥离或电路图案中的短路等问题。
3、作为解决此种问题的技术，已知使用含有ag纳米粒子或cu纳米粒子等金属纳米粒子的糊作为接合材料的方法(例如参照专利文献1)。在所述方法中，在绝缘基板(绝缘层)设置导电图案(电路图案)后，使含有金属纳米粒子的糊介隔存在于电路图案与电子零件之间，一边对电子零件进行加压一边以规定的温度进行加热，由此使金属纳米粒子烧结而将电路图案与电子零件接合。根据此种使金属纳米粒子烧结的技术，与使用焊料的情况相比较，可获得更高的耐热性。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本专利特开2008-10703号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的问题
2、且说，在对金属纳米粒子进行烧结时，在高温环境下且以高载荷对电子零件进行加压。即，绝缘层也在高温环境下且以高载荷受到加压，因此有可能绝缘层中会产生龟裂、或者绝缘层会剥离。另外，在使用陶瓷基板作为绝缘层的情况下，除了陶瓷基板会破裂以外，还有可能会在陶瓷基板产生翘曲而产生电子零件与电路图案的接合不良、或者电子零件会破裂。另外，因陶瓷基板的翘曲而导致安装的电子零件的平行度或平面度异常，也有可能会在打线接合等后续工序中产生不良情况。
3、鉴于此种现有的问题，本发明的目的在于提供一种层叠体的制造方法，其中即便在使用发热量大的电子零件的情况下也可维持电子零件与电路图案的稳定的接合性并抑制在绝缘层中产生的不良情况。
4、解决问题的技术手段
5、本发明为一种层叠体的制造方法，所述层叠体依次层叠有基底基板、绝缘层、电路图案、以及电子零件，所述制造方法包括：在所述基底基板的表面侧设置所述绝缘层的工序；
6、在所述电路图案的表面侧设置所述电子零件的工序；以及将设置于所述基底基板的所述绝缘层与设置有所述电子零件的所述电路图案层叠的工序。
7、所述层叠体的制造方法优选为于在所述基底基板的表面侧设置所述绝缘层的工序中，使所述绝缘层成为半硬化状态，在将设置于所述基底基板的所述绝缘层与设置有所述电子零件的所述电路图案层叠的工序中，使所述绝缘层成为正式硬化状态。
8、另外，所述层叠体的制造方法中，优选为在所述基底基板的表面侧设置所述绝缘层的工序包括：对涂布于基底片材的树脂组合物进行加热而在所述基底片材上形成半硬化状态的所述绝缘层的工序；以及对配置于所述基底基板上的半硬化状态的所述绝缘层进行加热及加压，其后剥离所述基底片材而将半硬化状态的所述绝缘层转印至所述基底基板的表面侧的工序，将设置于所述基底基板的所述绝缘层与设置有所述电子零件的所述电路图案层叠的工序包括：在转印至所述基底基板的表面侧的半硬化状态的所述绝缘层上配置设置有所述电子零件的所述电路图案并进行加热及加压，从而使所述电路图案临时附着于所述绝缘层的工序；以及对临时附着有所述电路图案的所述绝缘层进行加热及加压而使所述绝缘层成为正式硬化状态的工序。
9、而且，所述层叠体的制造方法优选为在将半硬化状态的所述绝缘层转印至所述基底基板的表面侧的工序中，在温度30℃～180℃下以压力1mpa～25mpa对所述绝缘层进行加压。
10、另外，所述层叠体的制造方法优选为在使所述电路图案临时附着于所述绝缘层的工序中，在温度30℃～180℃下以压力0.1mpa～25mpa对所述绝缘层与所述电路图案进行加压，从而使所述电路图案临时接着于所述绝缘层，进而在温度130℃～200℃下以压力0.1mpa～25mpa对所述绝缘层与所述电路图案进行加压而使所述绝缘层临时硬化，在使所述绝缘层成为正式硬化状态的工序中，在温度150℃～300℃下以压力0mpa～25mpa对所述绝缘层进行加压。
11、而且，所述绝缘层优选为潜在性硬化型树脂组合物的硬化膜。作为所述潜在性硬化型树脂组合物的一例，可列举含有环氧树脂、下述通式(1)所表示的芳香族胺化合物、下述通式(2)所表示的硼-磷络合物、以及下述通式(3)所表示的磷化合物的环氧树脂组合物。
12、[化1]
13、
14、通式(1)中，r1表示烷基，m表示2以上的整数，n表示0以上的整数，且m与n满足m+n≦6。在n为2以上的整数时，存在多个的r1可相互相同也可不同。
15、[化2]
16、
17、通式(2)中，r2与r3各自独立地表示烷基，r表示0以上且5以下的整数，s表示0以上且5以下的整数。在r为2以上的整数时，存在多个的r2可相互相同也可不同。在s为2以上的整数时，存在多个的r3可相互相同也可不同。
18、[化3]
19、
20、通式(3)中，r4表示烷基或烷氧基，t表示0以上且5以下的整数。在t为2以上的整数时，存在多个的r4可相互相同也可不同。
21、发明的效果
22、根据本发明，即便在使用发热量大的电子零件的情况下，也可在维持电子零件与电路图案的稳定的接合性的状态下抑制在绝缘层中产生的不良情况。
1.一种层叠体的制造方法，所述层叠体依次层叠有基底基板、绝缘层、电路图案、以及电子零件，所述层叠体的制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的层叠体的制造方法，其中于在所述基底基板的表面侧设置所述绝缘层的工序中，使所述绝缘层成为半硬化状态，
3.根据权利要求2所述的层叠体的制造方法，其中在所述基底基板的表面侧设置所述绝缘层的工序包括：
4.根据权利要求3所述的层叠体的制造方法，其中在将半硬化状态的所述绝缘层转印至所述基底基板的表面侧的工序中，在温度30℃～180℃下以压力1mpa～25mpa对所述绝缘层进行加压。
5.根据权利要求3或4所述的层叠体的制造方法，其中在使所述电路图案临时附着于所述绝缘层的工序中，在温度30℃～180℃下以压力0.1mpa～25mpa对所述绝缘层与所述电路图案进行加压，从而使所述电路图案临时接着于所述绝缘层，进而在温度130℃～200℃下以压力0.1mpa～25mpa对所述绝缘层与所述电路图案进行加压而使所述绝缘层临时硬化，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠体的制造方法，其中所述绝缘层为潜在性硬化型树脂组合物的硬化膜。
