一种接口电路及电子设备的制作方法

专利2026-03-03  11


本技术涉及电子设备领域,具体涉及一种接口电路及电子设备。


背景技术:

1、市面上的大部分直流低压电子设备的供电电压范围一般在0至24v之间,通常采用usb等接口供电,开关机时的浪涌电流过高的问题不可避免,过高的电流会对设备的使用寿命造成影响,甚至损坏设备。

2、现有的浪涌电流的抑制方法,包括采用隔离变压器进行隔离,或者采用压敏电阻或tvs管等吸波设备对尖峰电压进行吸收,或者优化设备的布局布线。但隔离变压器隔离存在变压器功能单一,体积重量大,低频时浪涌防护不好的缺陷,只适用于一些特殊场合。压敏电阻的电流吸收能力有限,气体放电管或tvs管等也具有响应速度慢,无法实现精密的控制。而优化设备布局布线,则对技术人员有较高的要求,且研发投入较大。需要设计一种成本可控,易于生产管理,且可靠性兼容性好的浪涌电流抑制手段。


技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种接口电路,能够以较低的成本抑制浪涌电流,提高设备的稳定性,延长设备的寿命,较易实施,且具有良好的通用性和兼容性,可以在不同的设备平台上使用。

2、为解决上述问题,本实用新型所采用的技术方案如下:一种接口电路,包括接口端子、mos管、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、第一开关电路和第二开关电路,所述mos管的源极与所述接口端子的供电引脚连接,所述mos管的漏极与负载连接,所述mos管的栅极和源极之间设置有所述第一分压电阻,所述mos管的栅极通过所述第二分压电阻和所述第一开关电路接地,所述mos管的栅极还通过所述第三分压电阻和所述第二开关电路接地,所述第一开关电路的控制端通过开关与所述接口端子的供电引脚连接,所述第二开关电路的控制端与控制器连接,所述第一开关电路工作时,所述第一分压电阻与所述第二分压电阻串联对所述供电引脚输入的电压进行分压,使所述mos管处于不完全导通状态,所述第二开关电路工作时,所述第一分压电阻与所述第三分压电阻串联对所述供电引脚输入的电压进行分压,使所述mos管处于完全导通状态。

3、相比现有技术,本实用新型的有益效果在于:通过第二分压电阻和第三分压电阻配合,并通过第一开关电路和第二开关电路控制第二分压电阻和第三分压电阻与第一分压电阻串联,使第一分压电阻上的电压值让mos管处于不完全导通和完全导通状态。当设备上电时,先控制mos管处于不完全导通状态,使对控制器的供电足够控制器完成复位,但又能对输出的电流进行钳制,实现对浪涌电流的抑制。当控制器复位完毕后,再通过控制第一开关电路和第二开关电路使mos管处于完全导通状态,向控制器等负载输出稳定可靠的工作电压。

4、上述的接口电路,所述第一开关电路包括三极管和电阻,三极管q1的集电极通过所述第二分压电阻与所述mos管的栅极连接,三极管q1的发射极接地,三极管q1的基极通过电阻r4与所述开关连接。

5、上述的接口电路,三极管q1的基极还通过电容c4接地。

6、上述的接口电路,三极管q1与所述开关之间还设置有二极管d1,二极管d1的正极与所述开关连接,二极管d1的负极与电阻r4连接。

7、上述的接口电路,所述第二开关电路包括三极管和电阻,三极管q2的集电极通过所述第三分压电阻与所述mos管的栅极连接,三极管q2的发射极接地,三极管q2的基极通过电阻r5与所述控制器连接。

8、上述的接口电路,三极管q2的基极还通过电容c3接地。

9、上述的接口电路,三极管q2与所述控制器之间还设置有二极管d2,二极管d2的正极与电阻r5连接,二极管d2的负极与三极管q2的基极连接。

10、上述的接口电路,所述mos管的漏极通过电解电容c1和电容c2接地。

11、上述的接口电路,所述接口端子为usb接口端子。

12、一种电子设备,包括上述的接口电路。

13、下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。



技术特征:

1.一种接口电路,其特征在于,包括接口端子、mos管、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、第一开关电路和第二开关电路,所述mos管的源极与所述接口端子的供电引脚连接,所述mos管的漏极与负载连接,所述mos管的栅极和源极之间设置有所述第一分压电阻,所述mos管的栅极通过所述第二分压电阻和所述第一开关电路接地,所述mos管的栅极还通过所述第三分压电阻和所述第二开关电路接地,所述第一开关电路的控制端通过开关与所述接口端子的供电引脚连接,所述第二开关电路的控制端与控制器连接,所述第一开关电路工作时,所述第一分压电阻与所述第二分压电阻串联对所述供电引脚输入的电压进行分压,使所述mos管处于不完全导通状态,所述第二开关电路工作时,所述第一分压电阻与所述第三分压电阻串联对所述供电引脚输入的电压进行分压,使所述mos管处于完全导通状态。

2.根据权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述第一开关电路包括三极管和电阻,三极管q1的集电极通过所述第二分压电阻与所述mos管的栅极连接,三极管q1的发射极接地,三极管q1的基极通过电阻r4与所述开关连接。

3.根据权利要求2所述的接口电路,其特征在于,三极管q1的基极还通过电容c4接地。

4.根据权利要求2所述的接口电路,其特征在于,三极管q1与所述开关之间还设置有二极管d1,二极管d1的正极与所述开关连接,二极管d1的负极与电阻r4连接。

5.根据权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述第二开关电路包括三极管和电阻,三极管q2的集电极通过所述第三分压电阻与所述mos管的栅极连接,三极管q2的发射极接地,三极管q2的基极通过电阻r5与所述控制器连接。

6.根据权利要求5所述的接口电路,其特征在于,三极管q2的基极还通过电容c3接地。

7.根据权利要求5所述的接口电路,其特征在于,三极管q2与所述控制器之间还设置有二极管d2,二极管d2的正极与电阻r5连接,二极管d2的负极与三极管q2的基极连接。

8.根据权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述mos管的漏极通过电解电容c1和电容c2接地。

9.根据权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述接口端子为usb接口端子。

10.一种电子设备,其特征在于,包括根据权利要求1至9任一项所述的接口电路。


技术总结
本技术涉及电子设备领域,公开了一种接口电路及电子设备,其中接口电路包括接口端子、MOS管、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻、第一开关电路和第二开关电路。MOS管的源极与接口端子的供电引脚连接,漏极与负载连接,栅极和源极之间设置有第一分压电阻。MOS管的栅极通过第二分压电阻和第一开关电路接地,MOS管的栅极还通过第三分压电阻和第二开关电路接地。第一开关电路的控制端通过开关与接口端子的供电引脚连接,第二开关电路的控制端与控制器连接。该接口电路,可以通过控制MOS管栅极与源极之间的电压,使MOS管进入不完全导通状态或完全导通状态。设备上电后,可先控制MOS管处于不完全导通状态,实现对浪涌电流的抑制。

技术研发人员:林国材,史刚,谭炽强
受保护的技术使用者:得理乐器(珠海)有限公司
技术研发日:20240119
技术公布日:2024/11/11
转载请注明原文地址: https://tieba.8miu.com/read-20466.html

最新回复(0)