一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法与流程

专利2026-02-26  8


本发明属于电路板制作领域,尤其涉及一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法。


背景技术:

1、近年来,电子产品被广泛应用在日常工作和生活中,轻、薄、小的电子产品越来越受到欢迎。柔性电路板作为电子产品的主要部件,其占据了电子产品的较大空间,因此柔性电路板的体积在很大程度上影响了电子产品的体积,大体积的柔性电路板势必难以符合电子产品轻、薄、短、小之趋势。

2、现有的电路板在制作过程中,在基材层使用钻孔方式制作腔体,只适用于圆形腔体制作且无法控制内埋组件的深度。


技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法,以克服现有技术中的不足。

2、为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:

3、根据本发明实施例的第一方面,提供了一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法,包括以下步骤:

4、p1、选取含上贴附铜层和下贴附铜层的bt基板作为基材层,去除所述基材层表面的上贴附铜层和下贴附铜层,

5、p2、在所述基材层上开设通孔,在所述通孔上制作树脂塞孔;

6、p3、在所述基材层的上表面和下表面上分别制作第一金属铜层;

7、p4、在所述第一金属铜层上开窗,在所述开窗处对应的基材层上开设内埋腔体;

8、p5、将磁性材料组件置于所述内埋腔体中并进行固定;

9、p6、去除所述基材层上表面和下表面的第一金属铜层,在所述基材层表面贴附第一abf,将所述第一abf压入所述内埋腔体和所述基材层表面;

10、p7、在所述第一abf上设置第二金属铜层,在所述第二金属铜层上开窗;

11、p8、在所述开窗处对应的第一abf和基材层上开设内埋线路腔体;

12、p9、去除第二金属铜层,在所述第一abf和内埋线路腔体表面设置第三金属铜层;

13、p10、将所述第三金属铜层加厚,直至填满所述内埋线路腔体;

14、p11、去除第三金属铜层和第一abf,形成内埋线路;

15、p12、在所述基材层表面贴附第二abf,在所述第二abf上设置第四金属铜层,在所述第四金属铜层上制作线路开窗;

16、p13、在所述线路开窗处开设导通盲孔,所述导通盲孔贯穿所述第二abf与所述内埋线路连接;

17、p14、在所述导通盲孔处制作内埋线路槽体,去除第四金属铜层;

18、p15、在所述第二abf和所述内埋线路槽体表面设置第四金属铜层,将所述内埋线路槽体填满并增厚第四金属铜层,形成外层线路增层;

19、p16、去除第四电镀铜层。

20、进一步的,步骤p1中,通过机械或雷射加工工艺在所述基材层上开设导通孔层。

21、进一步的,所述步骤p2包括:

22、(1)在开设的导通孔层,通过电镀工艺在基材层表面及孔壁上覆盖一层金属铜;

23、(2)通过树酯塞孔工艺,将绝缘性的树酯材料填充至导通孔层中;

24、(3)使用刷磨设备将上述塞孔后多于突出的树酯材料及基材层表面的金属铜刷除,

25、此时只有基材层材料及树酯塞孔。

26、进一步的,所述步骤p3包括:透过sputter e-less工艺,在基材层表面形成一层金属铜。

27、进一步的,所述步骤p4包括:

28、(1)将可透光干膜通过热压工艺覆盖至需要制作内埋腔体的铜层上,利用曝光、显影工艺将需要制作内埋组件腔体的位置显露出来;

29、(2)使用快速蚀刻咬铜方式,将未受到保护露出的铜层咬蚀干净,显露出下方的基材层;

30、(3)使用plasma设备将无铜层保护的位置,对基材层进行内埋组件腔体挖掘,plasma设备作用于所述基材层时,向下分解基材层材料;

31、(4)将覆盖于所述步骤(1)金属铜层上剩余的干膜去除,基板表面只有基材层上的金属铜及内埋腔体。

32、进一步的,步骤(3)中,向下分解基材层材料,依照磁性组件的大小、形状,厚度则以大于客户需求内埋组件的厚度+/-5um为基准。

33、进一步的,所述步骤p5包括:拾取一个贴附于胶带的磁性材料,经过位置对位后,放入腔体中;放入腔体中时,放置的位置偏移必须小于+/-5um。

34、进一步的,所述步骤p6包括:

35、(1)通过快速蚀刻咬蚀,去除步骤p3所述的金属铜;

36、(2)取两份介质abf干膜材料,经压膜热压工艺,将abf干膜贴附于基材层上下表面,使基材层上下表面覆盖一层abf干膜并同时填满基材层上表面的内埋腔体空间;

37、进一步的,所述步骤p7包括:

38、(1)通过sputter e-less工艺,在上述步骤p6所述的abf表面渐镀一层金属铜;

39、(2)分别于两面经压膜热压工艺,将可透光干膜贴附于上述薄铜层上,透过uv曝光机台将线路图形产生于干膜上,后续进行曝光、显影将内层线路线槽位置显露出来;

40、(3)使用快速蚀刻咬铜方式,将未受到保护露出的铜层咬蚀干净,显露出下方的abf介质层;

41、进一步的,所述步骤p8包括:通过plasma设备作用于可透光abf干膜,向下分解abf材料,并持续向下分解基材层树酯材料,形成内埋线路线槽位置。

42、进一步的,所述步骤p9包括:

43、(1)使用快速蚀刻咬铜方式,将步骤p7(1)所述的金属铜去除;

44、(2)透过sputter e-less工艺,在步骤p7(2)腔体及abf表面,渐镀一层金属铜。

45、进一步的,所述步骤p10包括:通过加成法制作内埋式内层线路,将上述步骤p9(2)金属铜加厚,填满内埋线路槽体形成内埋线路。

46、与现有技术相比,本发明的优点包括:

47、(1)本发明提供的一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法,不同以往的钻孔作业方式只能施作圆形内埋腔体,plasma设备的作用于abf介质材料可作业出不同大小及形状的内埋腔体,且厚度的控制比激光或机械钻孔更有效控制。

48、(2)现有的基材层难以制作内埋线路走线,本发明提供一种在基材层制作内埋线路的方法,且内埋线路宽度及厚度更好控制。



技术特征:

1.一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于:步骤p2中,通过机械或雷射加工工艺在所述基材层上开设导通孔层。

3.根据权利要求1所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,所述步骤p3包括:

4.根据权利要求1所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,所述步骤p4包括:

5.根据权利要求4所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,

6.根据权利要求1所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,所述步骤p5包括:拾取一个贴附于胶带的磁性材料,经过位置对位后,放入腔体中。

7.根据权利要求1所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,所述步骤p7包括:

8.根据权利要求1所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,所述步骤p8包括:通过plasma设备作用于可透光abf干膜,向下分解abf材料,并持续向下分解基材层树酯材料,形成内埋线路线槽位置。

9.根据权利要求8所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,向下分解基材层树酯材料的内埋线路线槽宽度及深度需要符合客户的线宽及铜厚规格+/-5um。

10.根据权利要求1所述的嵌埋式基板在基材层中埋入腔体及内埋线路的制作方法,其特征在于,所述步骤p15包括:


技术总结
本发明属于电路板制作领域,尤其涉及一种嵌埋式基板在基材层中埋入腔体的制作方法且内外层线路均为内埋走线方式。本发明提供的嵌埋式基板在基材层阶段中埋入腔体的制作方法,不同以往的钻孔作业方式只能施作圆形内埋腔体,Plasma设备的作用于ABF介质材料可作业出不同大小及形状的内埋腔体,且厚度的控制比激光或机械钻孔更有效控制。此外,本发明还克服了现有的基材层难以制作内埋线路走线,本发明提供一种在基材层制作内埋线路的方法,且内埋线路宽度及厚度更好控制。

技术研发人员:陈又铭,曾渊钿,汪伟光
受保护的技术使用者:科睿斯半导体科技(东阳)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/11
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