一种提高flash使用寿命的数据存储方法与流程

专利2026-02-12  12


本发明涉及flash,具体为一种提高flash使用寿命的数据存储方法。


背景技术:

1、flash的使用寿命与擦写次数相关。现有技术方案都是针对这一点去做处理,均衡各区域擦写次数,解决局部擦写率高的瓶颈。

2、例如中国专利专利号:cn115132260a公开的一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法,该专利中提出均衡各存储单元的擦写次数,提高flash使用寿命。该设计将flash存储分为两个扇区来使用管理,不仅需要监测两个区域使用情况,而且影响读写速度。

3、再例如中国专利cn115390755a公开的一种提高flash使用寿命的实时数据循环读写方法,该专利中提出逻辑处理和跨页调控,实现高效读取写入,操作方便。该设计对应用不友好,软件程序编译地址不连续实现困难。虽然说不用文件系统管理,也需要存储各个页的使用标记,去统计管理,也需要实时连接上位机,一旦上位机断开数据丢失,系统就崩溃了。

4、综上所述,可以看出现有技术方案采用区域划分,对每个区域进行擦写次数统计,然后根据结果分析来进行分区域擦写。这种方式设计复杂,需要存储使用次数数据,还要去比较来找到哪个区域使用率低,然后再使用,读写速度也会被影响下降。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本发明提供了一种提高flash使用寿命的数据存储方法,解决了现有技术的方案复杂,需要对flash各区域进行划分,擦写情况进行管理,影响读写速度,应用不友好等问题。

2、本发明的技术方案如下:一种提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1.通过上位机下载写入程序;步骤2.上位机回退程序流程步骤和步骤3.芯片工作流程步骤:

3、其中步骤1包括:

4、1.1计算得到当前写入程序的大小;

5、1.2读取信息域的次数映射值mm1,计算得到上次存储地址信息的地址ax;

6、1.3读取上次存储地址信息aax;

7、1.4从上次存储地址的位置开始烧写程序,直至完成;

8、1.5写入本次次数映射值mm2(mm2=mm1<<1),在a(x+1)地址上写入本次存储地址信息;

9、其中步骤2包括:

10、2.1读取信息域的次数映射值mm1,计算得到上次存储地址信息的地址ax;

11、2.2读取上次存储地址信息和上上次的存储地址信息;

12、2.3写入本次次数映射值mm2(mm2=mm1<<1),在a(x+1)地址上写入上上次的存储地址信息和上次的存储地址信息组合值;

13、其中步骤3包括:上电加载信息域的次数映射值mm1,计算得到上次存储地址信息的地址aax;

14、读取上次存储地址信息,存放入程序加载入口寄存器中;

15、上电完成后,执行程序(从程序加载入口寄存器的值开始)。

16、作为优选,对flash按地址进行循环读写,写满后一次性擦除的使用方法。

17、作为优选,不需要实时连接上位机,芯片可以独立工作。

18、作为优选,支持首次写入程序的首地址灵活选择,可以将芯片初始化程序或者固定数据放在低地址上,应用程序跳过此块区域,不需要每次重新烧写。

19、作为优选,在flash的备份域或者最后页存储记录管理信息。

20、作为优选,支持回退程序版本,不需要重新烧录,步骤简单。

21、作为优选,不影响程序加载运行速度。

22、作为优选,统一flash全片擦写次数,均衡flash各部分使用率,提高flash寿命。

23、本发明提供一种提高flash使用寿命的数据存储方法,可实现对flash按地址进行循环读写,写满后一次性擦除的使用方法,即将flash接近全部写满后再全片擦除使用,中途记录存储当次的首地址和下次存储的首地址。这种方法使flash各区域擦除次数一致,不需要记录次数。而且支持首次写入程序的首地址灵活选择,可以将芯片初始化程序或者固定数据放在低地址上,应用程序跳过此块区域,不需要每次重新烧写。



技术特征:

1.一种提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1.通过上位机下载写入程序;步骤2.上位机回退程序流程步骤和步骤3.芯片工作流程步骤:

2.如权利要求1所述的提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于:对flash按地址进行循环读写,写满后一次性擦除的使用方法。

3.如权利要求1所述的提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于:不需要实时连接上位机,芯片可以独立工作。

4.如权利要求1所述的提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于:支持首次写入程序的首地址灵活选择,可以将芯片初始化程序或者固定数据放在低地址上,应用程序跳过此块区域,不需要每次重新烧写。

5.如权利要求1所述的提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于:在flash的备份域或者最后页存储记录管理信息。

6.如权利要求1所述的提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于:支持回退程序版本,不需要重新烧录,步骤简单。

7.如权利要求1所述的提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于:不影响程序加载运行速度。

8.如权利要求1所述的提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于:统一flash全片擦写次数,均衡flash各部分使用率,提高flash寿命。


技术总结
本发明涉及flash技术领域,本发明提供了一种提高flash使用寿命的数据存储方法,解决了现有技术的方案复杂,需要对flash各区域进行划分,擦写情况进行管理,影响读写速度,应用不友好等问题;包括如下步骤:步骤1.通过上位机下载写入程序;步骤2.上位机回退程序流程步骤和步骤3.芯片工作流程步骤。这种方法使flash各区域擦除次数一致,不需要记录次数。而且支持首次写入程序的首地址灵活选择,可以将芯片初始化程序或者固定数据放在低地址上,应用程序跳过此块区域,不需要每次重新烧写。

技术研发人员:张文文,黄坚,俞小平,来鹏飞,陈峰
受保护的技术使用者:无锡中微爱芯电子有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/11
转载请注明原文地址: https://tieba.8miu.com/read-19811.html

最新回复(0)