Nor闪存DFN封装结构的制作方法

专利2026-02-12  13


本技术涉及封装结构,更具体地说,本实用涉及nor闪存dfn封装结构。


背景技术:

1、nor闪存(nor flash memory)是一种非易失性存储器,用于嵌入式系统和其他设备中,dfn封装(dual-flat-no-lead package)是一种表面贴装技术,用于封装集成电路,nor闪存通常使用dfn封装,以便在pcb(printed circuit board,印刷电路板)上方便地焊接和安装。

2、目前的nor闪存dfn封装结构,由于是无引脚外露的封装结构,dfn封装的底部直接与pcb连接,在设备进行应用时,热量需要通过pcb才能传导到外部环境,这样导致dfn封装结构的散热行程过长,在设备进行一些高功率应用时,dfn封装结构难以进行快速散热,影响设备的使用。


技术实现思路

1、为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型的实施例提供nor闪存dfn封装结构,本发明所要解决的技术问题是:在设备进行应用时,热量需要通过pcb才能传导到外部环境,这样导致dfn封装结构的散热行程过长,在设备进行一些高功率应用时,dfn封装结构难以进行快速散热,影响设备的使用。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:nor闪存dfn封装结构,包括封装体以及设置在所述封装体底部的nor闪存芯片,所述nor闪存芯片的两侧对称设置有多组与所述封装体相连接的焊盘,所述封装体的内部及外部设置有用于提高封装结构整体散热效率的散热单元。

3、在一个优选的实施方式中,所述散热单元包括分别固定连接在多组所述焊盘顶部的引脚传热片,多组所述引脚传热片的顶部均固定连接有连接导热片,多组所述连接导热片的一侧均固定连接有长弹性金属片,多组所述连接导热片的另一侧均固定连接有短弹性金属片。

4、在一个优选的实施方式中,多组所述长弹性金属片的顶部固定连接有高位散热片,多组所述短弹性金属片的顶部固定连接有低位散热片。

5、在一个优选的实施方式中,所述高位散热片和所述低位散热片均设置为金属钨材质,所述高位散热片和所述低位散热片均通过冲压、折弯技术工艺制成。

6、在一个优选的实施方式中,所述封装体的顶部设置有与所述高位散热片和低位散热片宽度相匹配的金属片收纳槽,所述封装体的内部对称设置有多组活动滑槽,多组所述活动滑槽均延伸至所述金属片收纳槽的底面。

7、在一个优选的实施方式中,所述高位散热片和低位散热片均设置为波浪形结构,所述高位散热片和所述低位散热片呈上下错位结构设置。

8、本实用新型的技术效果:

9、1、本实用新型通过设有散热单元,在设备进行一些高功率应用时,焊盘所产生的热量快速集中在引脚传热片上,然后通过连接导热片的设置来对引脚传热片的热量进行引导,并将连接导热片上的热量通过长弹性金属片和短弹性金属片传递至高位散热片和低位散热片的表面,通过高位散热片和低位散热片的设置来将热量扩散到封装体的外壁,减少dfn封装结构的散热行程,使得在设备进行一些高功率应用时,dfn封装结构可以进行快速散热,避免影响设备的使用;

10、2、本实用新型通过设有长弹性金属片6和短弹性金属片10,在需要通过封装设备按压封装体1来将nor闪存芯片3嵌入封装体1的底部时,长弹性金属片6配合短弹性金属片10,使避免高位散热片7和低位散热片8,收缩到金属片收纳槽11的内部,来避免高位散热片7和低位散热片8在封装设备按压封装体1,来将nor闪存芯片3嵌入封装体1的底部时,高位散热片7和低位散热片8会受到压力导致变形,而影响对焊盘2的散热性。



技术特征:

1.nor闪存dfn封装结构,包括封装体(1)以及设置在所述封装体(1)底部的nor闪存芯片(3),所述nor闪存芯片(3)的两侧对称设置有多组与所述封装体(1)相连接的焊盘(2),其特征在于,所述封装体(1)的内部及外部设置有用于提高封装结构整体散热效率的散热单元。

2.根据权利要求1所述的nor闪存dfn封装结构,其特征在于:所述散热单元包括分别固定连接在多组所述焊盘(2)顶部的引脚传热片(4),多组所述引脚传热片(4)的顶部均固定连接有连接导热片(5),多组所述连接导热片(5)的一侧均固定连接有长弹性金属片(6),多组所述连接导热片(5)的另一侧均固定连接有短弹性金属片(10)。

3.根据权利要求2所述的nor闪存dfn封装结构,其特征在于:多组所述长弹性金属片(6)的顶部固定连接有高位散热片(7),多组所述短弹性金属片(10)的顶部固定连接有低位散热片(8)。

4.根据权利要求3所述的nor闪存dfn封装结构,其特征在于:所述高位散热片(7)和所述低位散热片(8)均设置为金属钨材质,所述高位散热片(7)和所述低位散热片(8)均通过冲压、折弯技术工艺制成。

5.根据权利要求3所述的nor闪存dfn封装结构,其特征在于:所述封装体(1)的顶部设置有与所述高位散热片(7)和低位散热片(8)宽度相匹配的金属片收纳槽(11)。

6.根据权利要求3所述的nor闪存dfn封装结构,其特征在于:所述高位散热片(7)和低位散热片(8)均设置为波浪形结构,所述高位散热片(7)和所述低位散热片(8)呈上下错位结构设置。


技术总结
本技术公开了Nor闪存DFN封装结构,具体涉及封装结构技术领域,包括封装体以及Nor闪存芯片,焊盘,所述封装体的内部及外部设置有用于提高封装结构整体散热效率的散热单元。本技术通过散热单元,在设备进行一些高功率应用时,焊盘所产生的热量快速集中在引脚传热片上,然后通过连接导热片的设置来对引脚传热片的热量进行引导,并将连接导热片上的热量通过长弹性金属片和短弹性金属片传递至高位散热片和低位散热片的表面,通过高位散热片和低位散热片的设置来将热量扩散到封装体的外壁,减少DFN封装结构的散热行程,使得在设备进行一些高功率应用时,DFN封装结构可以进行快速散热,避免影响设备的使用。

技术研发人员:林炳地,吴晓凌,郑建培
受保护的技术使用者:深圳市抖胆科技有限公司
技术研发日:20240307
技术公布日:2024/11/11
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