本发明属于研磨材料领域，具体涉及一种碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液及其制备方法。
背景技术：
1、第三代半导体碳化硅衬底这两年随着增量、扩产异常迅猛。随着5g，物联网，电动车的迅猛发展，碳化硅衬底需求猛增。碳化硅由于其硬脆特性，加工存在着很大的瓶颈点，粗抛需使用氧化铝抛光液提高抛光效率。
2、现有的氧化铝抛光液用于碳化硅抛光时，存在速率低，表面光洁度不佳，抛光速率不稳定等缺点。
技术实现思路
1、本发明提供了一种碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液及其制备方法，该抛光液可以提高碳化硅衬底的抛光速率，同时提高抛光表面质量。
2、一种碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，以重量份计，包括以下组分：
3、
4、作为优选，所述超细氧化铝微粉的粒径为0.15～0.5微米。
5、所述分散剂可以防止纳米级别氧化铝易团聚，提高其分散性，不团聚；作为优选，所述分散剂为聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠中的至少一种。
6、所述悬浮剂可以提高悬浮性，不沉降，作为优选，所述悬浮剂为羧甲基纤维素、聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺中的一种或多种。
7、所述复配型表面活性剂可以提高表面接触，作为优选，所述复配型表面活性剂为非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂的复配；所述非离子型表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚中的一种或两种；阴离子型表面活性剂选自十六烷基硫酸钠、硬脂酸钠中的一种或两种。
8、作为进一步的优选，所述非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂的质量比为1:0.5～2.0。
9、所述强氧化剂可以提高研磨速率，作为优选，所述强氧化剂为高锰酸钾或次氯酸。
10、本发明还提供了一种所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液的制备方法，包括：将所述的超细氧化铝微粉、分散剂、悬浮剂、复配型表面活性剂和强氧化剂加入到去离子水中，搅拌至完全溶解，得到所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液。
11、同现有技术相比，本发明有益技术效果体现在：
12、采用本发明的配方得到的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液氧化性能稳定，悬浮性能好，分散性能好，用于碳化硅衬底的粗抛时，去除效率更高，抛光后的碳化硅表面粗糙度更低，表面平整度高且厚度均匀。
1.一种碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，其特征在于，以重量份计，包括以下组分：
2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，其特征在于，所述超细氧化铝微粉的粒径为0.15～0.5微米。
3.根据权利要求1所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，其特征在于，所述分散剂为聚乙二醇、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，其特征在于，所述悬浮剂为羧甲基纤维素、聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，其特征在于，所述非离子型表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚中的一种或两种；阴离子型表面活性剂选自十六烷基硫酸钠、硬脂酸钠中的一种或两种。
6.根据权利要求5所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，其特征在于，所述非离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂的质量比为1:0.5～2.0。
7.根据权利要求1所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液，其特征在于，所述强氧化剂为高锰酸钾或次氯酸。
8.一种如权利要求1～7任一项所述的碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液的制备方法，其特征在于，将所述的将超细氧化铝微粉、分散剂、悬浮
