本技术涉及显示，特别是涉及一种能够提高抗静电能力的tft屏及显示模组。
背景技术：
1、在液晶显示模组中，tft(thin film transistor，薄膜晶体管)屏是实现显示功能的主要部件，tft屏由上下两片玻璃组装而成，上片玻璃是color filter玻璃，下片玻璃是array(带tft电路)。现有的tft屏防静电结构通常是在上片玻璃的上表面整面镀一层导电屏蔽膜，并通过银浆跟下片玻璃上的gnd(电线接地端)走线导通，从而通过下片玻璃的绑定位跟fpc(柔性线路板)上的gnd导通，以实现抗静电效果，但是这种抗静电结构的抗静电能力还是不足，对于高esd(静电释放)要求的成品则很难通过。
技术实现思路
1、本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种能够提高抗静电能力的tft屏及显示模组。
2、本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：
3、一种能够提高抗静电能力的tft屏，包括：上片玻璃、下片玻璃及导电件，所述上片玻璃上设置有显示区及非显示区；所述下片玻璃设置于所述上片玻璃的一侧面上，所述下片玻璃上绑定有fpc，且所述fpc上设置有gnd；所述上片玻璃远离所述下片玻璃的一侧面上设置有导电屏蔽膜层，且所述导电屏蔽膜层分别位于所述显示区及所述非显示区；所述导电件上开设有避让孔，所述避让孔用于避开所述显示区，且所述导电件包括第一连接部及第二连接部，所述第二连接部的一端与所述第一连接部连接，所述第一连接部与所述非显示区上的所述导电屏蔽膜层连接，所述第二连接部与所述gnd连接。
4、在其中一个实施例中，还包括上偏光片，所述上偏光片的外围边缘相对所述导电屏蔽膜层缩小。
5、在其中一个实施例中，所述上偏光片的外围边缘比所述显示区单边大0.5mm。
6、在其中一个实施例中，所述导电屏蔽膜层为ito屏蔽膜层。
7、在其中一个实施例中，所述导电屏蔽膜层为高阻膜屏蔽膜层。
8、在其中一个实施例中，所述导电件为导电胶布。
9、在其中一个实施例中，所述导电件为导电铜箔。
10、在其中一个实施例中，所述下片玻璃的一侧相对所述上片玻璃向外延伸形成绑定凸起部，所述绑定凸起部上设置有fpc绑定位，所述fpc绑定于所述fpc绑定位上。
11、在其中一个实施例中，所述绑定凸起部上还设置有芯片绑定位，所述芯片绑定位绑定有驱动芯片。
12、一种显示模组，包括上述的能够提高抗静电能力的tft屏。
13、与现有技术相比，本实用新型至少具有以下优点：
14、本实用新型的能够提高抗静电能力的tft屏及显示模组通过在上片玻璃上设置导电屏蔽膜层，并通过导电件上的第一连接部与导电屏蔽膜层连接，同时通过导电件上的第二连接部与fpc上的gnd绑定连接，亦即通过导电件能够使得导电屏蔽膜层更好更快地与fpc上的gnd形成导通，那么，静电就能够被快速释放出去，以提高tft屏的抗静电能力。
1.一种能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，还包括上偏光片，所述上偏光片的外围边缘相对所述导电屏蔽膜层缩小。
3.根据权利要求2所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，所述上偏光片的外围边缘比所述显示区单边大0.5mm。
4.根据权利要求1所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，所述导电屏蔽膜层为ito屏蔽膜层。
5.根据权利要求1所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，所述导电屏蔽膜层为高阻膜屏蔽膜层。
6.根据权利要求1所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，所述导电件为导电胶布。
7.根据权利要求1所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，所述导电件为导电铜箔。
8.根据权利要求1所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，所述下片玻璃的一侧相对所述上片玻璃向外延伸形成绑定凸起部，所述绑定凸起部上设置有fpc绑定位，所述fpc绑定于所述fpc绑定位上。
9.根据权利要求8所述的能够提高抗静电能力的tft屏，其特征在于，所述绑定凸起部上还设置有芯片绑定位，所述芯片绑定位绑定有驱动芯片。
10.一种显示模组，其特征在于，包括权利要求1-9中任意一项所述的能够提高抗静电能力的tft屏。
