本发明属于线路板制备，具体涉及一种微通孔填平方法及其应用。
背景技术：
1、hdi(high density interconnector)板，即高密度互连板，是一种线路分布密度较高的电路板。hdi板有内层线路和外层线路，通常使用微盲埋孔技术连通各层之间的线路，如图1所示，微盲埋孔技术通常是利用在hdi板010上钻盲孔020打通绝缘层011，然后用分散的碳粉悬浊液对盲孔020孔壁进行处理使得孔壁上沉积碳粉030(该步骤称之为黑孔)，而后对盲孔020进行电镀填充金属铜040，连通hdi板010板面上的镀铜层012(该步骤称之为填孔)，使得各层线路内部实现连结的工艺。由于目前的hdi板设计越来越精密，产品面积越来越小，相应地，盲孔孔径也逐渐变小，由原来常见的80μm-100μm的盲孔孔径发展至30-50μm的盲孔孔径，孔径较小的盲孔在使用上述微盲埋孔技术时，在黑孔步骤中，盲孔底部会积蓄碳粉，当盲孔孔径过小时，导致盲孔底部的碳粉无法清除干净，会导致孔底的电镀铜分层，且由于填孔步骤中镀液药水在小孔径的盲孔内不易充分对流扩散，经常出现盲孔底部存在缝隙的情况，从而影响hdi板的导通性，后续使用hdi板时，在盲孔埋孔处电阻大容易造成发热导致性能下降。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明的目的在于提供一种微通孔填平方法，替代微盲埋孔技术实现hdi板的各层线路连结，避免各层线路连结通路存在镀层分层开裂的现象，制得的hdi板具有优异的导通性。
2、本发明的一种微通孔填平方法，包括以下步骤：
3、s100、在hdi板上开设通孔，所述通孔孔径为30-70μm；
4、s200、用分散的碳粉悬浊液对通孔的孔壁进行处理，使得通孔孔壁附着碳粉；
5、s300、第一次电镀，在hdi板表面镀上第一铜层以及在通孔孔壁镀一层薄铜，使得通孔孔径缩小；
6、s400、第二次电镀，在hdi板表面镀第二铜层以及对通孔进行镀铜填平，使得hdi板实现层间互连并在hdi板表面形成平整的平面。
7、进一步的，所述步骤s100开设通孔为镭射开孔。
8、进一步的，所述步骤s100和步骤s200之间还包括步骤s110，所述步骤s110、采用等离子表面清洁工艺对hdi板进行处理。
9、进一步的，所述步骤s300中第一电镀的电镀液包括：五水硫酸铜：110-150g/l，硫酸：160-200g/l，氯离子：40-70ppm，125-tadditive：1.0-5.0ml/l，125-tcarrier：15-35ml/l。
10、进一步的，所述步骤s300中第一电镀的电流为16-20asf，电镀时间为14-24min。
11、进一步的，所述步骤s300中所述通孔孔径缩小至25μm以下。
12、进一步的，所述步骤s400中第二电镀的电镀液包括：五水硫酸铜：200-250g/l，硫酸：30-60g/l，氯离子：50-90ppm，vl200-a:10-30ml/l，vl200-b:0.5-1.6ml/l，vl200-c：10-20ml/l。
13、进一步的，所述步骤s400中第二电镀的电流为10-18asf，电镀时间为30-50min。
14、本发明的另一个方面还提供了一种微通孔填平方法的应用，将上述微通孔填平方法应用在hdi板制作领域。
15、本发明的另一个方面还提供了一种hdi板产品，其根据上述微通孔填平方法制备而成。
16、本发明具有以下有益效果：
17、在hdi板上为实现层间互连，所需开孔直径为30-70μm时，本发明提供了一种微通孔填平方法，该方法采用直接在hdi板上开设30-70μm的通孔后，通过第一次电镀缩小通孔孔径至小于25μm，第二次电镀填平通孔的方式实现层间互连，并在hdi板表面形成平整的焊盘平面。相比于传统的微盲埋孔技术，本方法避免了盲孔底部碳粉残余导致的镀层分层以及由于盲孔孔径过小在埋孔过程中镀铜药水对流交换不充分导致的盲孔底部存在裂纹的情况，本微通孔填平方法采用两次电镀的方式，即第一次电镀缩小通孔孔径以及第二次电镀完全封闭通孔的方式对hdi板层间互连的通道进行填平，并优选第一次电镀和第二次电镀相关的电镀参数，避免了使用一次电镀填平容易导致通孔一端封闭的情形。采用该微通孔填平方法所得的hdi板层间互连不会因为电镀铜层存在空洞而出现电阻突变点影响产品性能，可用于制备hdi板，制得的hdi板产品良品率高。
1.一种微通孔填平方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的微通孔填平方法，其特征在于，所述步骤s100开设通孔为镭射开孔。
3.如权利要求1所述的微通孔填平方法，其特征在于，所述步骤s100和步骤s200之间还包括步骤s110，所述步骤s110、采用等离子表面清洁工艺对hdi板进行处理。
4.如权利要求1所述的微通孔填平方法，其特征在于，所述步骤s300中第一电镀的电镀液包括：五水硫酸铜：110-150g/l，硫酸：160-200g/l，氯离子：40-70ppm，125-t additive：1.0-5.0ml/l，125-t carrier：15-35ml/l。
5.如权利要求1所述的微通孔填平方法，其特征在于，所述步骤s300中第一电镀的电流为16-20asf，电镀时间为14-24min。
6.如权利要求1所述的微通孔填平方法，其特征在于，所述步骤s300中所述通孔孔径缩小至25μm以下。
7.如权利要求1所述的微通孔填平方法，其特征在于，所述步骤s400中第二电镀的电镀液包括：五水硫酸铜：200-250g/l，硫酸：30-60g/l，氯离子：50-90ppm，vl200-a:10-30ml/l，vl200-b:0.5-1.6ml/l，vl200-c：10-20ml/l。
8.如权利要求1所述的微通孔填平方法，其特征在于，所述步骤s400中第二电镀的电流为10-18asf，电镀时间为30-50min。
9.一种微通孔填平方法的应用，其特征在于，根据权利要求1-8任一项所述的微通孔填平方法在hdi板制作领域的应用。
10.一种hdi板产品，其特征在于，其根据权利要求1-8任一项所述的微通孔填平方法制备而成。
