一种用于智能电能表复杂电磁环境的抗扰度抑制设备的制作方法

专利2025-12-28  7


本发明涉及智能电表电磁防护,并且更具体地,涉及一种用于智能电能表复杂电磁环境的抗扰度抑制设备。


背景技术:

1、近年来中国智能电网建设取得了较快的进展,智能电能表也开始在电力系统中大规模的应用,智能电表是智能电网数据采集的基本设备之一,承担着原始电能数据采集、计量和传输的任务,是实现信息集成、分析优化和信息展现的基础,它除了具备传统电能表基本用电量的计量功能以外,为了适应智能电网和新能源的使用它还具有双向多种费率计量功能、用户端控制功能、多种数据传输模式的双向数据通信功能、防窃电功能等智能化的功能。这对于我国电力企业工作效率有了较大的提高,同时也大大降低了电力供应的成本。

2、智能电表工作环境下的电磁场复杂多变,在数据传输中容易受到电磁干扰。因此,为了保证智能电表数据传输的准确性,就需要智能电表具有一定的抗电磁干扰功能,否则就会导致智能电表的采集数据出现错误、乱码等现象,进而给我国电力企业带来严重的损失。

3、智能电表工作环境下的复杂电磁场会对其产生辐射干扰,影响智能电能表的性能、降低智能电表工作的可靠性。

4、现有的电磁屏蔽技术中大多数结构复杂、透明性差且影响对智能电表数据的读取。


技术实现思路

1、针对上述问题,本发明提出了一种用于智能电能表复杂电磁环境的抗扰度抑制设备,包括:电磁屏蔽玻璃外壳;

2、所述电磁屏蔽玻璃外壳安装于所述智能电能表外部,所述电磁屏蔽玻璃外壳内部的一侧涂覆有均匀的金属涂层。

3、可选的,电磁屏蔽玻璃外壳为玻璃基底且具备多层结构的电磁屏蔽玻璃。

4、可选的,电磁屏蔽玻璃的每个夹层中均涂覆有一层金属膜。

5、可选的,金属膜,包括:铝膜。

6、可选的,金属涂层由金属材料粉末与粘接剂或树脂混合而成。

7、可选的,金属材料粉末,包括:铝粉末、铜粉末、镍粉末或钢铁粉末。

8、可选的,金属涂层制备,包括:

9、对金属材料粉末进行清洁及抛光处理,对所述清洁及抛光处理后的金属材料粉末与粘接剂或树脂进行混合,并搅拌2-3min,使所述清洁及抛光处理后的金属材料粉末与粘接剂或树脂混合均匀,以得到所述金属涂层。

10、可选的,金属涂层涂覆在电磁屏蔽玻璃外壳之前,对所述电磁屏蔽玻璃外壳内部待涂覆表面进行清洁处理,使所述电磁屏蔽玻璃外壳内部待涂覆表面清洁和干燥。

11、可选的,金属涂层涂覆在电磁屏蔽玻璃外壳之后,使所述金属涂层在自然环境中干燥固化或通过加热的方式使金属涂层干燥固化。

12、可选的,电磁屏蔽玻璃外壳内部的一侧,包括:底部。

13、与现有技术相比,本发明的有益效果为:

14、本发明提供了一种用于智能电能表复杂电磁环境的抗扰度抑制设备,包括:电磁屏蔽玻璃外壳;所述电磁屏蔽玻璃外壳安装于所述智能电能表外部,所述电磁屏蔽玻璃外壳内部的一侧涂覆有均匀的金属涂层。本发明便于安装,大大提高了智能电表抗电磁干扰能力,使得智能电表在复杂电磁环境能够更加稳定的发挥出其优良性能。



技术特征:

1.一种用于智能电能表复杂电磁环境的抗扰度抑制设备,其特征在于,包括:电磁屏蔽玻璃外壳;

2.根据权利要求1所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述电磁屏蔽玻璃外壳为玻璃基底且具备多层结构的电磁屏蔽玻璃。

3.根据权利要求2所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述电磁屏蔽玻璃的每个夹层中均涂覆有一层金属膜。

4.根据权利要求3所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述金属膜,包括:铝膜。

5.根据权利要求1所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述金属涂层由金属材料粉末与粘接剂或树脂混合而成。

6.根据权利要求5所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述金属材料粉末,包括:铝粉末、铜粉末、镍粉末或钢铁粉末。

7.根据权利要求5所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述金属涂层制备,包括:

8.根据权利要求5所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述金属涂层涂覆在电磁屏蔽玻璃外壳之前,对所述电磁屏蔽玻璃外壳内部待涂覆表面进行清洁处理,使所述电磁屏蔽玻璃外壳内部待涂覆表面清洁和干燥。

9.根据权利要求5所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述金属涂层涂覆在电磁屏蔽玻璃外壳之后,使所述金属涂层在自然环境中干燥固化或通过加热的方式使金属涂层干燥固化。

10.根据权利要求1所述的抗扰度抑制设备,其特征在于,所述电磁屏蔽玻璃外壳内部的一侧,包括:底部。


技术总结
本发明公开了一种用于智能电能表复杂电磁环境的抗扰度抑制设备,属于智能电表电磁防护技术领域。本发明设备,包括:电磁屏蔽玻璃外壳;所述电磁屏蔽玻璃外壳安装于所述智能电能表外部,所述电磁屏蔽玻璃外壳内部的一侧涂覆有均匀的金属涂层。本发明便于安装,大大提高了智能电表抗电磁干扰能力,使得智能电表在复杂电磁环境能够更加稳定的发挥出其优良性能。

技术研发人员:杨志超,李谦,王加英,王聪,赵鹏,李翀,郭聚川,张蓬鹤,王晓东,赵录兴,吴桂芳,郜波,郑安刚,申洪涛
受保护的技术使用者:中国电力科学研究院有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/11
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